JPH03178149A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03178149A JPH03178149A JP31687889A JP31687889A JPH03178149A JP H03178149 A JPH03178149 A JP H03178149A JP 31687889 A JP31687889 A JP 31687889A JP 31687889 A JP31687889 A JP 31687889A JP H03178149 A JPH03178149 A JP H03178149A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- pads
- potential
- bonding pads
- wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 6
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- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置製造工程の拡散工程後に集積回路
の機能あるいは特性を変更することができる半導体装置
に関するものである。
の機能あるいは特性を変更することができる半導体装置
に関するものである。
従来の技術
半導体装置を、拡散工程後に、その回路の機能あるいは
特性を変更するための手段としては、レーザートリミン
グあるいはＥＰＲＯＭ。
特性を変更するための手段としては、レーザートリミン
グあるいはＥＰＲＯＭ。
Ｅ２ＦＲＯＭのような不揮発性メモリを内蔵させ、後工
程後にそれらのメモリへの書込みを行う等の方式がある
。
程後にそれらのメモリへの書込みを行う等の方式がある
。
第３図は、従来例を概略的に示した図である。
この例では、レーザートリミングにより、拡散工程後に
、ドライバ８０の出力に接続されている容量８２を、接
続配線８３の点においてレーザーカットしてドライバ８
０から切り離し、ドライバ８４に入力される信号の伝播
時間を調整している。
、ドライバ８０の出力に接続されている容量８２を、接
続配線８３の点においてレーザーカットしてドライバ８
０から切り離し、ドライバ８４に入力される信号の伝播
時間を調整している。
発明が解決しようとする課題
これらの手段は、特別な工程や特別な半導体の構造を必
要とし、コストアップになるという問題点があった。本
発明は特別な工程を付加することなく、拡散工程後に、
回路の機能・特性を変更する手段を提供することを目的
とするものである。
要とし、コストアップになるという問題点があった。本
発明は特別な工程を付加することなく、拡散工程後に、
回路の機能・特性を変更する手段を提供することを目的
とするものである。
課題を解決するための手段
本発明は、電源の一方に抵抗を介して接続されたボンデ
ィングパッドと、電源の他方に接続されたリードフレー
ムと、上記ボンディングパッドとリードフレームとを電
気的に接続させる手段を有し、その接続の有無により、
電源の一方もしくは他方の電位のどちらかを内部回路に
選択的に出力させるようにしたものである。
ィングパッドと、電源の他方に接続されたリードフレー
ムと、上記ボンディングパッドとリードフレームとを電
気的に接続させる手段を有し、その接続の有無により、
電源の一方もしくは他方の電位のどちらかを内部回路に
選択的に出力させるようにしたものである。
作用
本発明によると、ボンディングパッドに接続された各内
部回路への結合配線をプルアップ抵抗で電源用配線部分
に結合しているので、個々のボンディングパッドの選択
ワイヤーボンディングにより、各結合配線の電位を電源
あるいは接地に選択設定することができる。
部回路への結合配線をプルアップ抵抗で電源用配線部分
に結合しているので、個々のボンディングパッドの選択
ワイヤーボンディングにより、各結合配線の電位を電源
あるいは接地に選択設定することができる。
実施例
第１図は本発明の実施例装置の回路図である。
第１図において、ボンディングパッド１６〜２０はそれ
ぞれ抵抗２２〜２６を介して電源１にリードフレーム３
ワイヤー１０およびバッド１５およびその配線により
接続されると共に、内部回路２８に接続されている。こ
れらのボンディングパッドのうちパッド１６，１８．１
９は、それぞれワイヤーボンディング１１〜１３により
接地されたリードフレーム４，６．７に接続されている
。このため、ボンディングパッド１６，１８．１９の電
位は接地レベルになる。一方、ボンディングパッド１７
．２０は対応する接地されたリードフレーム５，８にワ
イヤーボンディングされていないため、抵抗２３．２６
を介して電源１の電圧レベルにプルアップされる。この
ように、ワイヤーボンディングの有無により、内部回路
にはそれぞれ接地電位、電源電圧電位が入力されること
になる。
ぞれ抵抗２２〜２６を介して電源１にリードフレーム３
ワイヤー１０およびバッド１５およびその配線により
接続されると共に、内部回路２８に接続されている。こ
れらのボンディングパッドのうちパッド１６，１８．１
９は、それぞれワイヤーボンディング１１〜１３により
接地されたリードフレーム４，６．７に接続されている
。このため、ボンディングパッド１６，１８．１９の電
位は接地レベルになる。一方、ボンディングパッド１７
．２０は対応する接地されたリードフレーム５，８にワ
イヤーボンディングされていないため、抵抗２３．２６
を介して電源１の電圧レベルにプルアップされる。この
ように、ワイヤーボンディングの有無により、内部回路
にはそれぞれ接地電位、電源電圧電位が入力されること
になる。
第２図は、本発明の別の実施例装置の回路図である。
本実施例装置では、入力信号端子３２の信号を、遅延回
路５１，５３．５２とセレクタ５４および排他的論理和
５５により、遅延時間ならびに極性で選択変更可能な構
成となっている。すなわち、この実施例装置は、拡散工
程の後、後工程の中で、ボンディングパッド４５．４６
とリードフレーム３６．３７をワイヤーボンディングす
るかしないかにより、遅延時間と極性の決定がなされる
。この決定を行うための手段であるワイヤーボンディン
グは、電源や他の一般的な信号線の結線のために用いる
ワイヤーボンディングとまったく同等の手段で実現でき
特別な工程の付加等を必要としない。
路５１，５３．５２とセレクタ５４および排他的論理和
５５により、遅延時間ならびに極性で選択変更可能な構
成となっている。すなわち、この実施例装置は、拡散工
程の後、後工程の中で、ボンディングパッド４５．４６
とリードフレーム３６．３７をワイヤーボンディングす
るかしないかにより、遅延時間と極性の決定がなされる
。この決定を行うための手段であるワイヤーボンディン
グは、電源や他の一般的な信号線の結線のために用いる
ワイヤーボンディングとまったく同等の手段で実現でき
特別な工程の付加等を必要としない。
さらに、リードフレーム３６．３７は、ノくツケージに
おいて独自のピンを必要とはせず、接地端子であるリー
ドフレーム３８と接続されたり、一体であってもよい。
おいて独自のピンを必要とはせず、接地端子であるリー
ドフレーム３８と接続されたり、一体であってもよい。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、抵抗によりプルア
ップされたボンディングパッドを接地端子へ選択的にワ
イヤーボンディングすることにより、特別な工程や特別
なデバイス構造を必要とすることなしに、拡散工程後に
、回路の機能や特性を変更することができる。この装置
はメモリの救済ビットの使用・未使用の選択等に応用し
、歩留向上に役立てることも可能である。
ップされたボンディングパッドを接地端子へ選択的にワ
イヤーボンディングすることにより、特別な工程や特別
なデバイス構造を必要とすることなしに、拡散工程後に
、回路の機能や特性を変更することができる。この装置
はメモリの救済ビットの使用・未使用の選択等に応用し
、歩留向上に役立てることも可能である。
第１図は本発明の実施例装置の回路図、第２図は本発明
の別の実施例装置の回路図、第３図は従来例装置の回路
図である。 １．３１．７１・・・・・・電源、２，３３．７３・・
・・・・接地、３２．７２・・・・・・入力信号、３〜
９，３４〜３８．７４〜７６・・・・・・リードフレー
ム、１０〜１４゜３９〜４２．８６〜８８・・・・・・
ワイヤーボンディング、１５〜２１．４３〜４７．７７
〜７９・・・・・・ボンディングパッド、２２〜２６．
４８〜４９・・・・・・抵抗、２７，５６．８５・・・
・・・チップ内部、２８・・・・・・内部回路、５０〜
５２，８０．８４・・・・・・ドライバ ５３，８１．
８２・・・・・・コンデンサ、５４・・・・・・セレク
タ、５５・・・・・・排他的論理和回路、８３・・・・
・・レーザ・トリミング・ポイント。
の別の実施例装置の回路図、第３図は従来例装置の回路
図である。 １．３１．７１・・・・・・電源、２，３３．７３・・
・・・・接地、３２．７２・・・・・・入力信号、３〜
９，３４〜３８．７４〜７６・・・・・・リードフレー
ム、１０〜１４゜３９〜４２．８６〜８８・・・・・・
ワイヤーボンディング、１５〜２１．４３〜４７．７７
〜７９・・・・・・ボンディングパッド、２２〜２６．
４８〜４９・・・・・・抵抗、２７，５６．８５・・・
・・・チップ内部、２８・・・・・・内部回路、５０〜
５２，８０．８４・・・・・・ドライバ ５３，８１．
８２・・・・・・コンデンサ、５４・・・・・・セレク
タ、５５・・・・・・排他的論理和回路、８３・・・・
・・レーザ・トリミング・ポイント。
Claims (1)
- 電源の一方に抵抗を介して接続された配線およびボンデ
ィングパッドと、電源の他方に接続されたリードフレー
ムと、上記ボンディングパッドとリードフレームとを電
気的に接続させる電気的接続手段とを有し、上記電気的
接続手段の有無により電源の一方もしくは他方の電位の
どちらかを内部回路に選択的に接続した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31687889A JPH03178149A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31687889A JPH03178149A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03178149A true JPH03178149A (ja) | 1991-08-02 |
Family
ID=18081920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31687889A Pending JPH03178149A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03178149A (ja) |
-
1989
- 1989-12-06 JP JP31687889A patent/JPH03178149A/ja active Pending
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