JPH03183906A - 半田の外観検査方法 - Google Patents
半田の外観検査方法Info
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- JPH03183906A JPH03183906A JP1323351A JP32335189A JPH03183906A JP H03183906 A JPH03183906 A JP H03183906A JP 1323351 A JP1323351 A JP 1323351A JP 32335189 A JP32335189 A JP 32335189A JP H03183906 A JPH03183906 A JP H03183906A
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- JP
- Japan
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- solder
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- height
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- chip
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K31/00—Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by any single one of main groups B23K1/00 - B23K28/00
- B23K31/12—Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by any single one of main groups B23K1/00 - B23K28/00 relating to investigating the properties, e.g. the weldability, of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
- H05K13/08—Monitoring manufacture of assemblages
- H05K13/081—Integration of optical monitoring devices in assembly lines; Processes using optical monitoring devices specially adapted for controlling devices or machines in assembly lines
- H05K13/0817—Monitoring of soldering processes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Operations Research (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半田の外観検査方法に関し、詳しくは、半田に
レーザ光を掃引照射し、その反射光を位置検出素子によ
り検出するようにした半田の外観検査方法において、半
田形状の合理的な合否判断基準を設定して、客観的な外
観検査を行うようにしたものである。
レーザ光を掃引照射し、その反射光を位置検出素子によ
り検出するようにした半田の外観検査方法において、半
田形状の合理的な合否判断基準を設定して、客観的な外
観検査を行うようにしたものである。
（従来の技術）
電子部品を基板に接着する半田にレーザ光を掃引照射し
、その反射光を位置検出素子にて検出することにより、
半田形状の合否を判断することが知られている（例えば
特開昭６３−１７７０４２号公報、特開昭６３−１７７
０４５号公幸長） 。
、その反射光を位置検出素子にて検出することにより、
半田形状の合否を判断することが知られている（例えば
特開昭６３−１７７０４２号公報、特開昭６３−１７７
０４５号公幸長） 。
（発明が解決しようとする課題）
ところが従来、半田形状の合否の判断基準は明確ではな
く、かなり恣意的に合否判断がなされている実情にあっ
た。したがってレーザ光の掃引照射による半田形状の合
否判断技術を確立するためには、その前提として、合理
的な合否判断基準を設定し、これに沿って外観検査を行
う必要がある。
く、かなり恣意的に合否判断がなされている実情にあっ
た。したがってレーザ光の掃引照射による半田形状の合
否判断技術を確立するためには、その前提として、合理
的な合否判断基準を設定し、これに沿って外観検査を行
う必要がある。
（課題を解決するための手段）
このために本発明は、半田形状の合否判断基準として、
（ｉ） リード厚やチップ厚に基づく半田の上限高さ
、（ｉｉ ）同下限高さ、（ｉｉｉ ）半田フィレット
の下限ヌレ角を設定するようにしている。
（ｉ） リード厚やチップ厚に基づく半田の上限高さ
、（ｉｉ ）同下限高さ、（ｉｉｉ ）半田フィレット
の下限ヌレ角を設定するようにしている。
（作用）
上記構成において、半田にレーザ光を掃引照射してその
反射光を検出することにより、半田の最大高さやヌレ角
を計測し、この計測値を予め設定された上限高さ、下限
高さ、下限ヌレ角と比較することにより、半田形状の合
否を判断する。
反射光を検出することにより、半田の最大高さやヌレ角
を計測し、この計測値を予め設定された上限高さ、下限
高さ、下限ヌレ角と比較することにより、半田形状の合
否を判断する。
（実施例）
次に、図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第１図は半田の外観検査装置の斜視図であって、１は基
板であり、その上面に電子部品（以下チップという）２
が搭載されている。３はチップ２のモールド体２ａから
延出するリード、４はリード３を基板１に接着する半田
である。
板であり、その上面に電子部品（以下チップという）２
が搭載されている。３はチップ２のモールド体２ａから
延出するリード、４はリード３を基板１に接着する半田
である。
５はレーザ装置であって、これから照射されたレーザの
スポット光は、ミラー６に反射されて半田４に照射され
、その反射光は受光部７に入射する。その際、ミラー６
を回転させることにより、レーザ光を半田４に沿って掃
引照射する。
スポット光は、ミラー６に反射されて半田４に照射され
、その反射光は受光部７に入射する。その際、ミラー６
を回転させることにより、レーザ光を半田４に沿って掃
引照射する。
８は集光素子、９はＰＳＤのような位置検出素子である
。
。
第２図は半田形状の合否判断手段を示すものである。同
図（ａ）において、ＨＯはリード厚である。なお通常の
コンデンザチソプや抵抗チツブのように、チップの側壁
に半田が形成されるものについては、ＨＯはチップ厚と
する。このリード厚又はチップ厚ＨＯは、チップの品種
によって異っており、したがって許容される半田の上限
高さは、この厚さＨＯの関数αＨＯとして定めることが
合理的であり、計測された半田４の最大高さＨ１を、合
否判断基準となるこの上限高さαＨＯと比較することに
より、半田形状の合否を判断する。すなわちＩ（１〉α
ＨＯの場合はＮＧであって、半田形状は不良と判断され
る。αはチップの品種によって定められるパラメータで
あって、例えば１．３である。
図（ａ）において、ＨＯはリード厚である。なお通常の
コンデンザチソプや抵抗チツブのように、チップの側壁
に半田が形成されるものについては、ＨＯはチップ厚と
する。このリード厚又はチップ厚ＨＯは、チップの品種
によって異っており、したがって許容される半田の上限
高さは、この厚さＨＯの関数αＨＯとして定めることが
合理的であり、計測された半田４の最大高さＨ１を、合
否判断基準となるこの上限高さαＨＯと比較することに
より、半田形状の合否を判断する。すなわちＩ（１〉α
ＨＯの場合はＮＧであって、半田形状は不良と判断され
る。αはチップの品種によって定められるパラメータで
あって、例えば１．３である。
また同図（ｂ）において、半田形状の第２の合否判断基
準としては、」１記と同様の理由により、チップの品種
によって半田の下限高さβＨＯを設定しておくことが合
理的であり、計測された半田４の最大高さＨ２を、この
下限高さβＨＯと比較することにより、半田形状の合否
を判断する。すなわちＨ２＜βＨＯの場合はＮＧであっ
て、半田形状は不良と判断される。パラメータβは、例
えば０．６である。
準としては、」１記と同様の理由により、チップの品種
によって半田の下限高さβＨＯを設定しておくことが合
理的であり、計測された半田４の最大高さＨ２を、この
下限高さβＨＯと比較することにより、半田形状の合否
を判断する。すなわちＨ２＜βＨＯの場合はＮＧであっ
て、半田形状は不良と判断される。パラメータβは、例
えば０．６である。
また同図（Ｃ）において、半田形状の第３の合否判断基
準としては、半田フィレットの下限ヌレ角θ０を設定し
ておくのが合理的であり、したがって半田フィレットの
ヌレ角θｆが、予め設定された下限ヌレ角θＯよりも小
さいときは、ＮＧと判断する。
準としては、半田フィレットの下限ヌレ角θ０を設定し
ておくのが合理的であり、したがって半田フィレットの
ヌレ角θｆが、予め設定された下限ヌレ角θＯよりも小
さいときは、ＮＧと判断する。
以上のように、半田形状の合否に関する判断基準値αＨ
Ｏ，βＨＯ，θＯを予め設定しておけば、計測結果をこ
の判断基準αＨＯ、βＨＯ。
Ｏ，βＨＯ，θＯを予め設定しておけば、計測結果をこ
の判断基準αＨＯ、βＨＯ。
θ０と比較することにより、半田形状の合否を客観的か
つ適切に判断することができる。なお上記パラメータα
、βや下限ヌレ角θ０は、要求される形状精度によって
異る。
つ適切に判断することができる。なお上記パラメータα
、βや下限ヌレ角θ０は、要求される形状精度によって
異る。
ところで、チップの中には、例えば第６図に示す旦二ト
ランジスタのように、リード３がチップモールド体２ａ
の側壁に沿って急勾配で屈曲しているものがある。この
ようなチップに、予め定められた計測エリアａに沿って
レーザ光を掃引照射して、半田４の形状を計測する場合
、− チップ２が掃引照射方向に距離Ｃ位置ずれしていると、
レーザ光はり一ド３の肩部３ａに反射され、この肩部３
ａの高さを上述した半田の最大高さＨ１と誤認し、Ｉ４
１〉αＨＯとなってＯＫにもかかわらず、ＮＧになって
しまう。図中、鎖線は位置ずれのないチップを示してい
る。このような誤判断は、貴重トランジスタ以外にも、
タンクルコンデンザやコイルなどの急勾配のリードを有
するチップ、更にはＱＦＩ）やＳＯＰなどの側方に長く
延出するり−１・を有するチ・７プにも生じやすいもの
である。そこで次に、このような場合の半田の計測方法
を説明する。
ランジスタのように、リード３がチップモールド体２ａ
の側壁に沿って急勾配で屈曲しているものがある。この
ようなチップに、予め定められた計測エリアａに沿って
レーザ光を掃引照射して、半田４の形状を計測する場合
、− チップ２が掃引照射方向に距離Ｃ位置ずれしていると、
レーザ光はり一ド３の肩部３ａに反射され、この肩部３
ａの高さを上述した半田の最大高さＨ１と誤認し、Ｉ４
１〉αＨＯとなってＯＫにもかかわらず、ＮＧになって
しまう。図中、鎖線は位置ずれのないチップを示してい
る。このような誤判断は、貴重トランジスタ以外にも、
タンクルコンデンザやコイルなどの急勾配のリードを有
するチップ、更にはＱＦＩ）やＳＯＰなどの側方に長く
延出するり−１・を有するチ・７プにも生じやすいもの
である。そこで次に、このような場合の半田の計測方法
を説明する。
第３図において、チップ２に相当の位置ずれがあっても
、モールド体２ａの上面、またはリード３の基端部３ａ
の上面から半田４の先端部まで十分にカバーできる耐測
エリアａ】を設定し、このエリアａ１に沿って、第１回
目のレーザ光の掃引照射を行うことにより、このエリア
ａｌにおけるチップ２の外観を計測する。Ｎ１は掃引ラ
インである。
、モールド体２ａの上面、またはリード３の基端部３ａ
の上面から半田４の先端部まで十分にカバーできる耐測
エリアａ】を設定し、このエリアａ１に沿って、第１回
目のレーザ光の掃引照射を行うことにより、このエリア
ａｌにおけるチップ２の外観を計測する。Ｎ１は掃引ラ
インである。
第４図はその結果を示すものである。図中、ＨＭ Ａ
Ｘはチップ２の上面の高さであり、この高さＨＭ Ａ
Ｘに対して、所定比（例えば０．７）の高さ０．７ＨＭ
ＡＸの地点Ｓを検出する。次いでこの地点Ｓから半田４
の先端部へ向って所定のオフセント距離ｅの位置にオフ
セット地点Ｓｏ、ｆｆ５ｅｔを設定する。次いでこのオ
フセット地点３ｏｆｆｓｅｔから半田４の先端部側に第
２回目の計測エリアａ２を設定し、破線矢印Ｎ２で示す
ように、このオフセット地点５ｏｆｆｓｅｔを第２回目
の計測のスタート点としてレーザ光を掃引照射し、半田
４の形状を詳細に計測する。第５図はその計測結果を示
すものである。
Ｘはチップ２の上面の高さであり、この高さＨＭ Ａ
Ｘに対して、所定比（例えば０．７）の高さ０．７ＨＭ
ＡＸの地点Ｓを検出する。次いでこの地点Ｓから半田４
の先端部へ向って所定のオフセント距離ｅの位置にオフ
セット地点Ｓｏ、ｆｆ５ｅｔを設定する。次いでこのオ
フセット地点３ｏｆｆｓｅｔから半田４の先端部側に第
２回目の計測エリアａ２を設定し、破線矢印Ｎ２で示す
ように、このオフセット地点５ｏｆｆｓｅｔを第２回目
の計測のスタート点としてレーザ光を掃引照射し、半田
４の形状を詳細に計測する。第５図はその計測結果を示
すものである。
このように本方法によれば、半田形状の合否判断にきわ
めて重要な半田フィレフト（リードの先端部から下り勾
配で延出する部分）を確実に計測することができる。上
記０．７．ｅなどの数値は、チップの品種や要求される
形状精度に応して予め定められる。
めて重要な半田フィレフト（リードの先端部から下り勾
配で延出する部分）を確実に計測することができる。上
記０．７．ｅなどの数値は、チップの品種や要求される
形状精度に応して予め定められる。
また半田の外観検査は、できるだけ広範囲を高速にて行
うことが望ましいか、本方法シ上しザ光の掃引照射を２
回行わねばならないため、時間を要する難点かある。し
たかって第２回目の計測エリアａ２のスター１点を決定
するために、広範囲に行われる第１回目の掃引照則は粗
に行い（例えは２ｍｍ／１００ポイント）、半■１フィ
レノ１〜の形状を詳細に計測するために行われる第２回
目の掃引照射は、密に（例えば０．５ｍｌ／１００ポイ
ント）行えば、検査速度を上げることができる。
うことが望ましいか、本方法シ上しザ光の掃引照射を２
回行わねばならないため、時間を要する難点かある。し
たかって第２回目の計測エリアａ２のスター１点を決定
するために、広範囲に行われる第１回目の掃引照則は粗
に行い（例えは２ｍｍ／１００ポイント）、半■１フィ
レノ１〜の形状を詳細に計測するために行われる第２回
目の掃引照射は、密に（例えば０．５ｍｌ／１００ポイ
ント）行えば、検査速度を上げることができる。
（発明の効果）
以上説明したように本発明は、半田形状の合理的な合否
判断基準を定め、計測結果をこの合否判断基準と比較し
て、半田形状の合否を判断するようにしているので、適
切で客観的な合否判断を行うことができる。
判断基準を定め、計測結果をこの合否判断基準と比較し
て、半田形状の合否を判断するようにしているので、適
切で客観的な合否判断を行うことができる。
図は本発明の実施例を示すものであって、第１図は外観
検査装置の斜視図、第２図（ａ）（１））、 （Ｃ）
は半田の断面図、第３図吐羽測中の側面図、第４図及び
第５図は計測結果を示すグラフ図、第６図はチップの側
面図である。 ３・・・リード ４・・・半田 ９・・・位置検出素子 ＨＯ・・・リード厚又はチップ厚 ＨＩＨ２・・・半田の最大高さ αＨＯ・ ・ ・七限高さ βＩ（０・・・下限高さ θＯ・・・下限ヌレ角 θｆ・・・ヌレ角
検査装置の斜視図、第２図（ａ）（１））、 （Ｃ）
は半田の断面図、第３図吐羽測中の側面図、第４図及び
第５図は計測結果を示すグラフ図、第６図はチップの側
面図である。 ３・・・リード ４・・・半田 ９・・・位置検出素子 ＨＯ・・・リード厚又はチップ厚 ＨＩＨ２・・・半田の最大高さ αＨＯ・ ・ ・七限高さ βＩ（０・・・下限高さ θＯ・・・下限ヌレ角 θｆ・・・ヌレ角
Claims (3)
- （１）半田に向ってレーザ光を掃引照射し、その反射光
を位置検出素子により検出するようにした半田の外観検
査方法において、リード厚又はチップ厚に基づく半田の
上限高さを設定し、計測された半田の最大高さをこの上
限高さと比較することにより、半田形状の合否を判断す
ることを特徴とする半田の外観検査方法。 - （２）半田に向ってレーザ光を掃引照射し、その反射光
を位置検出素子により検出するようにした半田の外観検
査方法において、リード厚又はチップ厚に基づく半田の
下限高さを設定し、計測された半田の最大高さをこの下
限高さと比較することにより、半田形状の合否を判断す
ることを特徴とする半田の外観検査方法。 - （３）半田に向ってレーザ光を掃引照射し、その反射光
を位置検出素子により検出するようにした半田の外観検
査方法において、半田フィレットの下限ヌレ角を設定し
、計測された半田フィレットのヌレ角とこの下限ヌレ角
を比較することにより、半田形状の合否を判断すること
を特徴とする半田の外観検査方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1323351A JPH0794972B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 半田の外観検査方法 |
| US07/623,499 US5206705A (en) | 1989-12-13 | 1990-12-07 | Method of checking external shape of solder portion |
| DE69007269T DE69007269T2 (de) | 1989-12-13 | 1990-12-12 | Verfahren zur Prüfung der äusseren Form einer Lötzone. |
| EP90313533A EP0436322B1 (en) | 1989-12-13 | 1990-12-12 | Method of checking external shape of solder portion |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1323351A JPH0794972B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 半田の外観検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183906A true JPH03183906A (ja) | 1991-08-09 |
| JPH0794972B2 JPH0794972B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=18153820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1323351A Expired - Fee Related JPH0794972B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 半田の外観検査方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5206705A (ja) |
| EP (1) | EP0436322B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0794972B2 (ja) |
| DE (1) | DE69007269T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995024279A1 (en) * | 1994-03-10 | 1995-09-14 | Ishikawa, Toshiharu | Film removing device |
| KR101133976B1 (ko) * | 2009-12-07 | 2012-04-05 | 주식회사 고영테크놀러지 | 3차원 검사방법 및 이를 이용한 3차원 검사장치 |
| CN103808269A (zh) * | 2012-11-12 | 2014-05-21 | 株式会社高永科技 | 焊点检查方法 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2711042B2 (ja) * | 1992-03-30 | 1998-02-10 | シャープ株式会社 | クリーム半田の印刷状態検査装置 |
| US5652658A (en) * | 1993-10-19 | 1997-07-29 | View Engineering, Inc. | Grid array inspection system and method |
| JP3335826B2 (ja) | 1995-12-05 | 2002-10-21 | 株式会社日立製作所 | はんだバンプの測定装置 |
| US6360935B1 (en) | 1999-01-26 | 2002-03-26 | Board Of Regents Of The University Of Texas System | Apparatus and method for assessing solderability |
| DE29916075U1 (de) * | 1999-09-13 | 2000-12-14 | Siemens AG, 80333 München | Einrichtung zur Inspektion einer dreidimensionalen Oberflächenstruktur |
| JP4493421B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2010-06-30 | 株式会社リコー | プリント回路基板検査装置とプリント回路基板組み立て検査ラインシステムおよびプログラム |
| US9243726B2 (en) | 2012-10-03 | 2016-01-26 | Aarne H. Reid | Vacuum insulated structure with end fitting and method of making same |
| US9463918B2 (en) | 2014-02-20 | 2016-10-11 | Aarne H. Reid | Vacuum insulated articles and methods of making same |
| US10497908B2 (en) | 2015-08-24 | 2019-12-03 | Concept Group, Llc | Sealed packages for electronic and energy storage devices |
| US10065256B2 (en) * | 2015-10-30 | 2018-09-04 | Concept Group Llc | Brazing systems and methods |
| CN109154641B (zh) | 2016-03-04 | 2021-09-17 | 概念集团有限责任公司 | 具有反射材料增强的真空隔热制品 |
| US11008153B2 (en) | 2016-11-15 | 2021-05-18 | Concept Group Llp | Multiply-insulated assemblies |
| CN110770489B (zh) | 2016-11-15 | 2022-03-01 | 概念集团有限责任公司 | 具有微孔绝热的增强的真空绝热制品 |
| WO2019040885A1 (en) | 2017-08-25 | 2019-02-28 | Reid Aarne H | INSULATED COMPONENTS WITH MULTIPLE GEOMETRY AND MULTIPLE MATERIALS |
| CN115985792A (zh) * | 2021-10-15 | 2023-04-18 | 浙江隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种光伏电池的可焊性检测方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6022612A (ja) * | 1984-06-28 | 1985-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高さ検査装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4674869A (en) * | 1979-04-30 | 1987-06-23 | Diffracto, Ltd. | Method and apparatus for electro-optically determining dimension, location and altitude of objects |
| US4343553A (en) * | 1979-09-03 | 1982-08-10 | Hitachi, Ltd. | Shape testing apparatus |
| US4650333A (en) * | 1984-04-12 | 1987-03-17 | International Business Machines Corporation | System for measuring and detecting printed circuit wiring defects |
| JPS61205808A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-12 | Hitachi Ltd | 形状検出装置 |
| EP0209650A3 (en) * | 1985-06-07 | 1989-07-05 | Vanzetti Systems, Inc. | Method and apparatus for placing and electrically connecting components on a printed circuit board |
| JPS63177042A (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-21 | Nagoya Denki Kogyo Kk | 実装済プリント基板自動検査装置における半田フヌレ検出方式 |
| JPS63177045A (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-21 | Nagoya Denki Kogyo Kk | 実装済プリント基板自動検査装置における半田フヌレ検出方式 |
| US5011960A (en) * | 1988-05-20 | 1991-04-30 | Fujitsu Limited | Wiring pattern detection method and apparatus |
| JPH01295109A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式変位測定装置 |
| JPH0739995B2 (ja) * | 1988-08-03 | 1995-05-01 | 日本電気株式会社 | 半田付検査装置 |
| JPH083472B2 (ja) * | 1988-08-03 | 1996-01-17 | 松下電器産業株式会社 | 半田部の外観検査方法 |
| EP0355377B1 (de) * | 1988-08-05 | 1994-01-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur optischen Prüfung von Flachbaugruppen |
| US4988202A (en) * | 1989-06-28 | 1991-01-29 | Westinghouse Electric Corp. | Solder joint inspection system and method |
| US5064291A (en) * | 1990-04-03 | 1991-11-12 | Hughes Aircraft Company | Method and apparatus for inspection of solder joints utilizing shape determination from shading |
-
1989
- 1989-12-13 JP JP1323351A patent/JPH0794972B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-12-07 US US07/623,499 patent/US5206705A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-12 EP EP90313533A patent/EP0436322B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-12 DE DE69007269T patent/DE69007269T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6022612A (ja) * | 1984-06-28 | 1985-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高さ検査装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995024279A1 (en) * | 1994-03-10 | 1995-09-14 | Ishikawa, Toshiharu | Film removing device |
| KR101133976B1 (ko) * | 2009-12-07 | 2012-04-05 | 주식회사 고영테크놀러지 | 3차원 검사방법 및 이를 이용한 3차원 검사장치 |
| CN103808269A (zh) * | 2012-11-12 | 2014-05-21 | 株式会社高永科技 | 焊点检查方法 |
| US9221128B2 (en) | 2012-11-12 | 2015-12-29 | Koh Young Technology Inc. | Method of inspecting a solder joint |
| CN107252988A (zh) * | 2012-11-12 | 2017-10-17 | 株式会社高永科技 | 焊点检查方法 |
| CN107252988B (zh) * | 2012-11-12 | 2019-10-01 | 株式会社高永科技 | 焊点检查方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| EP0436322B1 (en) | 1994-03-09 |
| EP0436322A2 (en) | 1991-07-10 |
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