JPH03189936A - 光ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、光ディスクに関する。

［従来の技術］ 従来の光ディスクは、基板にハードコートをした後、記
録層を成膜して貼り合わせていた。あるいは、記録層を
成膜した後貼り合わせて、それからディスクの表面にハ
ードコートしていた。そして、その後帯電防止剤を含有
するハードコート剤を用いたり、ハードコートした後に
帯電防止剤をスプレー塗布したり、帯電防止剤をスピン
コード等の方法によって塗布したりしていた。

［発明が解決しようとする課題］ しかし従来技術では以下のような問題点を有していた。

帯電防止剤を含有するハードコート剤は十分な表面硬度
が得られに＜（、帯電防止スプレーやスピンコード法に
よる帯電防止剤の塗布では。

初期は帯電防止効果はあるが１次第に帯電防止効果が弱
くなってしまう。また、保護層を導電性のない物質にす
ると、その上に形成される紫外線硬化樹脂の有機保護層
を形成するときや、接着剤で貼り合わせるときなどに、
有機保護層や接着剤の中に静電気による不純物が混入し
、信頼性の低下や、エラーレートの増加をきたす。

そこで本発明はそのような課題を解決するものでその目
的とするところは以下のようなところにある。帯電防止
剤を含有するハードコート剤は十分な表面硬度が得られ
、帯電防止スプレーやスピンコード法による帯電防止剤
の塗布のように２次第に帯電防止効果が弱くなってしま
うことがない。

また、保護層を導電性のない物質にすると、その上に形
成される紫外線硬化樹脂の有機保護層を形成するときや
、接着剤で貼り合わせるときなどに。

有機保護層や接着剤の中に静電気による不純物が混入す
ることがなく、信頼性の低下や、エラーレートの増加を
きたすことがないところにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明の光ディスクは、基板の片面にトラッキング用の
溝またはピットを形成した後、その基板の前述の溝また
はピットが形成されない側に光硬化性樹脂よりなるハー
ドコート層を形成し、そのハードコート層の上にＺｎＯ
系の透明導電膜を成膜し、その後、前述の基板の前述の
溝またはピットが形成された側にセラミックス層、記録
層、セラミックス層９反射層、保護層と順時成膜した記
録層部を形成した前述の基板を２枚用いて貼り合わせた
ことを特徴とする。

本発明において接着剤には少なくともエポキシの主剤及
び硬化剤、紫外線硬化樹脂の主剤及び硬化剤の混合物に
有機過酸化物を添加したもの、あるいはエポキシ基と（
メタ）アクリロイル基を有する化合物、　　例えばビス
フェノールＡやビスフェノールＦ型、　　フェノールノ
ボラック型、フレ７’　−ルツボラック型のエポキシの
部分（メタ）アクリロイル変性型の化合物に、光重合開
始剤、エポキシ硬化剤、必要に応じて有機加酸化物を添
加したものを用いるとよい。これらの接着剤において。

エポキシ基の総量と（メタ）アクリロイル基の総量の比
はエポキシ基９５から６０％、　（メタ）ア３− ４− クリロイル基５から４０％になるように作成するとよい
。願わくはエポキシ基９０から８０％、　（メタ）アク
リロイル基１０から２０％が適当である。

エポキシの主剤の例としては、ビスフェノールＡ系、　
ビスフェノールＦ系、ノボラック系等に。

低粘度エポキシである反応性希釈剤を添加したり。

添加しなかったりするものを用いるとよい。反応性希釈
剤の含有量が多くなると、接着剤の粘度が低下して作業
性はよくなるが、接着層の耐熱性。

反応性などが低下して、接着層の特性が悪くなるので添
加量はひかえた方がよい。

エポキシの硬化剤としては酸無水物、芳香族アミン、脂
肪族アミン、アミド等あるが、その中でポットライフが
常温で１から５０時間にあるものを用いるとよ（，４０
’Ｃから８０℃で硬化できる硬化剤を選択するとよい。

その例としては、２−エチル−４メチルイミダゾール、
１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、　１−イソブ
チル−２メチルイミダゾール等のイミダゾール系、メン
タンジアミン等の環状脂肪族アミンなどがある。

紫外線硬化樹脂の主剤としては常温で比較的低粘度のも
のがよ＜、シかも反応性の高いものを用いるとよく、そ
の例としては１，６−ヘキサンジオールジアクリレート
、　トリメチロールプロパントリアクリレート、ネオペ
ンチルグリコールジアクリレート、ジペンタエリスルト
ールへキサアクリレート、トリプロピレングリコールジ
アクリレート等があるので、これらを主成分にするとよ
い。

紫外線硬化樹脂の硬化剤の例としては３００ｎｍより長
い波長に吸収があるものを用いる。その例トしてはベン
ジルジメチルケタール、１−ヒ）’ロキシシクロへキシ
ルフェニルケトン、２−メチル−［４−（メチルチオ）
フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン、ベン
ゾイン、ベンゾンエチルエーテル、ベンゾインイソブチ
ルエーテル、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−
ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、２−ヒド
ロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン
、３，３−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等が
挙げられる。

有機過酸化物の例としては４０℃から７０℃に加熱する
と数時間で分解するものが好ましく、その例としては、
ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジ−ミリ
スチルパーオキシジカーボネート、クミルパーオキシネ
オヘキサノエート。

ジ（２−エトキシエチル）パーオキシジカーボネート、
ジ（メトキシイソプロピル）パーオキシジカーボネート
、ジ（２−エチルヘキシル）パーオキシジカーボネート
、　ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、２，４
−ジクロロベンゾイルパーオキシド、　ｔ−ヘキシルパ
ーオキシビバレート。

ｔ−ブチルパーオキシビバレート、　　３．　５．　５
トリメチルヘキサノイルパーオキシド、オクタノイルパ
ーオキシド、デカノイルパーオキシド、ラウロイルパー
オキシド、クミルパーオキシオクトエート、サクシン酸
パーオキシド、アセチルノ＜−オキシド、　　ｔ−−ブ
チルパーオキシ（２−エチルヘキサノエート）１ｍ−ト
ルイルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド、　ｔ−
ブチルパーオキシイソブチレート、　　１．　１−ビス
（１−ブチルパーオキシ）　３．　３．　５−１リメチ
ルシクロヘキサン。

１．１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン
、　　ｔ−７’チルパーオキシマレイン酸、ｔブチルパ
ーオキシラウレート、ｔ−ブチルパーオキシ３．　５．
　５−トリメチルヘキサノエート、シクロヘキサノンパ
ーオキシド、ｔ−ブチルパーオキシアリルカーボネート
、　ｔ−ブチルパーオキシイソプロビルカーボネート、
　　２．　５−ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルパー
オキシ）ヘキサン。

２．２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）オクタン。

ｔ−ブチルパーオキシアセテート、　　２．　２−ビス
（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、　ｔ−ブチルパーオ
キシベンゾエート等が挙げられる。

本発明において、貼り合わせ時の温度は接着剤の粘度に
より変える必要があり９．常温より高くすることが好ま
しいが、一定の定状温度を得やすくするため、７０℃以
下にすることが好ましい。より好ましくは４０℃から６
０°Ｃである。接着剤を硬化させるための基板加熱は接
着剤の硬化温度に７− 合わせて，４０℃から８０℃が好ましい。より好ましく
は５０℃から７０℃である。

本発明に於て，エポキシと紫外線硬化樹脂の配合割合は
エポキシ樹脂の配合割合が多い方が接着剤としての特性
がよ（、エポキシと紫外線硬化樹脂の比が重量比で９５
：　５から７０：　　ａｏが好ましい。ここでエポキシ
とはエポキシの主剤と硬化剤のことを示し，紫外線硬化
樹脂とは紫外線硬化樹脂の主剤と硬化剤に有機過酸化物
を添加したものを示す。

本発明に於て，貼り合わせを減圧下で行なうと接着剤の
脱泡も容易になり，接着層に気泡を取り込みにくくなる
。

本発明において，ディスクを貼り合わせて光を照射して
仮止めした後放置する時間は接着剤が自然に硬化する時
間以上に設定した方がよい。例えば、自然放置して５０
時間で全く流動性がなくなって硬化する接着剤で貼り合
わせた場合には５０時間以上に設定した方がよい。１０
時間で全く流動性がなくなる場合は１０時間以上に設定
する。

［実施例コ 以下本発明について図面に基づいて詳細に説明する。

第１図は本発明になる光ディスクの基本構成図であり，
１及び８はポリカーボネートの基板，２及び９はＳｉＡ
ＩＮ層，３及び１０はＮｄＤｙＦｅＣｏ層，４及び１１
はＳｉＡＩＮ層，５及び１２はＡＩ−Ｇｅ層，６及び１
３はＺｎＡ１０層。

７は接着層，　１４及び１５はハードフート層，　１６
及び１７はＺｎＡ１０層である。

ｌ及び８のポリカーボネートの基板は射出圧縮成形によ
って形成した。２及び９のＳｉＡＩＮ層はＳ　ｉＡｌの
焼結ターゲットを用いて，窒素とアルゴンの混合ガスを
用いることによるＲＦ反応マグネトロンスパッタ法によ
って成膜したものである。３及び１０のＮｄＤｙＦｅＣ
ｏ層はＮｄＤｙＦｅＣｏの合金ターゲットを用いたＤＣ
マグネトロンスパッタ法によって成膜したものである。

４及び１１のＳｉＡＩＮ層は２及び９のＳｉＡＩＮ層と
同様に，窒素とアルゴンの混合ガスを導入することによ
るＲＦ反応マグネトロンスパッタ法によって成膜したも
のである。５及び１２のＡｔＧｅ層はＡｌ−Ｇｅのター
ゲットを用いてアルゴンガスを導入することによるＤＣ
マグネトロンスパッタ法によって成膜したものである。

９及び１３の保護層はＺｎＡｌ０の焼結ターゲットを用
いてアルゴンと酸素の混合ガスを導入することによるＲ
Ｆマグネトロンスパッタ法によって成膜したものである
。

第２図（ａ）から第２図（ｆ）は本発明になる光ディス
クの製造方法の概略図である。１８は基板の外周部の記
録層が成膜されない部分、１９は基板の内周部の記録層
が成膜されない部分、２０はディスクのセンターホール
部、２１はデイスペンサー、２２はリング状に塗布され
た接着層、２３はヒーター、２４はメタルハライドラン
プ、２５は紫外線、２６はオーブンである。

２０のデイスペンサーを用いて、２２のようにリング状
の接着剤を塗布した後、真空内で貼り合わせて、２３の
ヒターにより接着剤を広げて、２４のメタルハライドラ
ンプにより紫外線を照射して１８や１９の記録層が成膜
されない部分の接着剤を硬化させ、２４時間放置して接
着剤をある程度硬化させて、２６のオーブンに入れて、
５０°Ｃで３時間６０℃で８時間、８０℃で２時間加熱
して接着層を硬化させた。接着剤を硬化させた。

７の接着層は大日本インキ化学工業のエピクロンＳ−１
２９と油化シェルエポキシのエビキュアーＩＢＭＩ−１
２と１．　６−ヘキサンジオールジアクリレートとｔ−
ブチルパーオキシイソブチレートとチバガイギー社製の
イルガキュアー９０７の混合物を用いた。

１４及び１５のハードコート層はトリメチロールプロパ
ントリアクリレートと１，６−へ牛サンジオールジアク
リレートとチバガイギー社製のイルカキュアー９０７を
基板表面にスピンコードした後、高圧水銀灯により紫外
線を照射して硬化させたものである。

１６及び１７のＺｎＡｌ０層はＺｎＡ１０の焼結ターゲ
ットを用いて、アルゴンと酸素の混合ガ１１− １２− スを導入することによるＲＦマグネトロンスパッタ法に
よって成膜したものである。

また、７の接着層として、ビスフェノールＦ系のエポキ
シ樹脂の全エポキシ基の２０％がアクリロイル基である
化合物にチバガイギー社のイルガキュアー９０７を１．
５％、油化シェルエポキシのエビキュアーＢＭＩ−１２
を６％、γ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン
を３％添加したものを用いて、他の条件は第１図の構成
と変えずに光ディスクを作成したところ、第１図とほぼ
同等の特性を有する光ディスクが作成できた。

次に、従来の方法で光ディスクを作成した例について説
明する。ロールフート法で貼り合わせた光ディスクは、
７０’Ｃ９０％ＲＨ７’１０００時間耐候性試験したと
ころ、記録層が酸化してピットエラーレートが増大した
。本発明になる第１図に示す光ディスクも同時に試験し
たがピットエラーレートの変化はなかった。通常のエポ
キシ樹脂を用いて貼り合わせた光ディスクは貼り合わせ
時の粘度が高かったため接着層が厚めになり９面振れ量
が本発明になる第１図に示す光ディスクより大きくなっ
た。通常のエポキシ樹脂を用いたものが最大７ミリラジ
アン、第１図に示す光ディスクが最大２ミリラジアンで
あった。また１通常のエポキシ樹脂を用いて貼り合わせ
た光ディスクでは。

接着剤硬化時にディスクの外周から溢れ出して光ディス
クの概観を損なった。接着剤が熱で硬化するタイプでは
温度制御が難しく、基板が接着層硬化時に動かないよう
にしておく必要があり、常温硬化型の接着剤で貼り合わ
せると接着層硬化時に記録層に応力がかかり再生信号の
エンベロープが乱れ、エラーが増加した。また、保護層
がない場合は耐候性が悪く、８０℃９０％１０００時間
で孔食が発生した。保護層として誘電体を用いた場合は
耐候性はよいが、貼り合わせ時に付着したゴミをとるの
に苦労した。ゴミが付着したまま貼り合わせると耐候性
が悪かったり、ピットエラーレートの値が大きかったり
した。

以上の様に従来の方法で作成した光ディスクは耐候性が
悪かったり９作成方法が難しく歩留りが低い等の問題点
を有している。しかし９本発明では従来発生していた問
題がない、信頼性が高く作成が容易な光ディスクである
ことがわかる。

尚２本発明はこれらの実施例に限定されると考えられる
べきではなく２本発明の主旨を逸脱しない限り種々の変
更は可能である。

［発明の効果］ 以上述べたように本発明の光ディスクによれば。

帯電防止剤を含有するハードコート剤は十分な表面硬度
が得られ、帯電防止スプレーやスピンコード法による帯
電防止剤の塗布のように２次第に帯電防止効果が弱くな
ってしまうことがない。また。

保護層を導電性のない物質にするときなどのように、そ
の上に形成される紫外線硬化樹脂の有機保護層を形成す
るときや、接着剤で貼り合わせるときなどに、有機保護
層や接着剤の中に静電気による不純物が混入することが
なく、信頼性の低下や。

エラーレートの増加をきたすことがないという効果を有
する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明になる光記録媒体の基本構成図。 第２図（ａ）から第２図（ｆ）は本発明になる光ディス
クの製造方法の概略図である。 １．８・・・・ポリカーボネートの基板２．９・・・・
５ｊＡＩＮの保護層 ３、　１０・・−ＮｄＤｙＦｅＣｏの記録層４、１１・
・・Ｓ　ｆＡＩＮの保護層 ５．１２・・・Ａｌ−Ｇｅ層 ６．１３・−・ＺｎＡ１０層 ７・・・・・・接着層 １４．１５　・・ハードコート層 １６．１７一−ＺｎＡｌ０層 １８・・・・・基板の外周部の記録層が成膜されない部
分 １９・・・・・基板の内周部の記録層が成膜されない部
分 ２０・・・・・ディスクのセンターホール部２１・・・
・・デイスペンサー ２２・・・・・リング状に塗布された接着層２３・・・
・・ヒーター １５− ＝１６− ２４　・　・ ・メタルハライドランプ ２５　・ ・・紫外線 ２６　・ ・・オーブン 以上

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）前記基板の片面にトラッキング用の溝またはピッ
   トを形成した後、該基板の前記溝またはピットが形成さ
   れない側に光硬化性樹脂よりなるハードコート層を形成
   し、該ハードコート層の上にＺｎＯ系の透明導電膜を成
   膜し、その後、前記基板の前記溝またはピットが形成さ
   れた側にセラミックス層、記録層、セラミックス層、反
   射層、保護層と順時成膜した記録層部を形成した前記基
   板を２枚用いて貼り合わせたことを特徴とする光ディス
   ク。
2. （２）前記ＺｎＯ系の透明導電膜がＺｎＯ膜、ＺｎＡｌ
   Ｏ膜、ＺｎＧａＯ膜、ＺｎＩｎＯ膜、ＺｎＴｉ膜、ある
   いはこれらの混合系であることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の光ディスク。
3. （３）前記保護層がＺｎＯ系のセラミック層であること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ディスク。