JPH03189937A - 光ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光ディスクに関する。

［従来の技術］ 従来の光ディスクは、基板にノ・−ドコートをした後、
記録層を成膜して貼り合わせていた。あるいは、記録層
を成膜した後、貼り合わせて、それからディスクの表面
にハードコートしていた。そして、ハードコート層の上
にＩＴＯの透明導電膜や銀、金、白金等の金属膜、ある
いは帯電防止剤等を形成していた。

［発明が解決しようとする課題］ しかし従来技術では以下のような問題点を有していた。

帯電防止剤は導電性が低く、長期の安定性に欠ける。銀
、金、白金等の金属膜は厚くつけると透明性がなくなり
、薄くつけると密着性や導電性の点で問題がある。ＩＴ
Ｏは安定した膜を形成するのに高熱が必要となり、基板
変形の危険性がある。

そこで本発明はそのような課題を解決するものでその目
的とするところは以下のようなところにある。ＺｎＯ系
の透明導電膜にＺｎＯ膜、ＺｎＡｌ０膜、　　ＺｎＧａ
Ｏ膜、　　Ｚｎ１ｎＯ膜、　　ＺｎＴｉＯ膜、あるいは
これらの混合系を用いることにより、透明性と導電性が
十分で、低温でも形成できるため、形成が容易で、基板
を成膜時の熱により変形させることがなく、長期的に透
明性と導電性が変化しない長期安定性のある透明導電膜
とすることにより、長期的に静電気発生による基板表面
へのゴミの付着や、ヘッドの破損の危険性カナイため取
扱環境の制限が少なくなる。

［課題を解決するための手段］ 本発明の光ディスクは、基板の片面にトラッキング用の
溝またはビットを形成した後、その基板の前述の溝また
はビットが形成されない側に光硬化性樹脂よりなるハー
ドコート層を形成し、そのハードコート層の上にＺｎＯ
系の透明導電膜を成膜し、その後、前述の基板の前述の
溝またはビットが形成された側にセラミックス層、記録
層、セラミックス層１反射層、保護層と順時成膜した記
録層部を形成した前述の基板を２枚用いて貼り合３− わせたことを特徴とする。

ＺｎＯ膜、　　ＺｎＡｌ０膜、　　ＺｎＧａＯ膜、　　
ＺｎＩｎＯ膜、ＺｎＴＩＯ膜あるいはこれらの混合系の
膜について、こららの酸化物は金属と酸素が完全に飽和
状態で結合した場合は導電性がなくなるので、多少還元
性である必要がある。従って、Ｚｎ　ｘｏｙとおいた場
合Ｘ＞Ｙでなければならない。

ＺｎＯに添加されるＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ及びＴＩはＺｎの
含有量の１０％未満がよい。好ましくは８％から２％の
間、より好ましくは６％から３％の間が好ましい。そう
することによって膜の長期安定性、透明性、導電性が確
保できる。これらの膜の膜厚は５０オングストロームか
ら１０００オングストロームの間がよく、好ましくは１
００オングストロームから５００オングストロームで、
さらに好ましくは１５０オングストロームかう３５０オ
ングストロームである。

［実施例］ 以下本発明について図面に基づいて詳細に説明する。

４− 第１図は本発明になる光ディスクの基本構成図であり、
１及び１０はポリカーボネートの基板。

２及び１１は５ＩＡＩＮ層、３及び工２はＮｄＤｙＦｅ
（ｏ層、４及び１３は５ＩＡＩＮ層、５及び１４はＡＩ
Ｔｆ層、６及び１５は５ＩＡＩＮの保護層、７及び１６
はハードコート層、８及び１７はＺｎＡ１０層、９は接
着層である。

１及び１０のポリカーボネートの基板は射出圧縮成形に
よって形成した。２及び１１のＳ　１ＡＩＮ層はＳ　ｉ
Ａｌの焼結ターゲットを用いて、窒素とアルゴンの混合
ガスを用いることによるＲＦ反応マグネトロンスパッタ
法によって成膜したものである。３及び１２のＮｄＤｙ
ＦｅＣｏ層はＮ（ＩＤｙＦｅＣｏの合金ターゲットを用
いたＤＣマグネトロンスパッタ法によって成膜したもの
である。

４及び１３の５ＩＡＩＮ層は２及び１１の５ＩＡＩＮ層
と同様に、窒素とアルゴンの混合ガスを導入することに
よるＲＦ反応マグネトロンスパッタ法によって成膜した
ものである。５及び１４のＡｌＴｉ層はＡｌＴｉの合金
ターゲットを用いてアルゴンガスを導入することによる
ＤＣマグネトロンスパッタ法によって成膜したものであ
る。６及び１５の５ｉＡＩＮの保護層は５ｉＡＩＮの焼
結ターゲットを用いてアルゴンと窒素の混合ガスを導入
することによるＲＦマグネトロンスパッタ法によって成
膜したものである。

第２図は本発明になる光ディスクの製造方法の概略図で
ある。１８は基板の外周部の記録層が成膜されない部分
、　１９は基板の内周部の記録層が成膜されない部分、
２０はディスクのセンターホール部、２１はデイスペン
サー、２２はリング状に塗布された接着層、２３はヒー
ター、２４はメタルハライドランプ、２５は紫外線、２
６はオーブンである。

９の接着層は大日本インキ化学工業のエピクロンＳ−１
２９と油化シェルエポキシのエビ、キュアーＴＢＭＩ−
１２と１，６−ヘキサンジオールジアクリレートとｔ−
ブチルパーオキシイソブチレートとチバガイギー社製の
イルガキュアー９０７の混合物を、記録層が成膜された
側に２２のようにリング状に塗布した後、真空系内で別
の基板と合わせて、その貼り合わせた基板を２３のヒー
ターを用いて接着剤を広げて、２４のメタルハライドラ
ンプまたは高圧水銀灯等で紫外線を照射して。

１８や１９のような記録層が成膜されていない部分の接
着剤を仮硬化させて、それから２４時間放置して接着層
を硬化させた。その後２６のオーブンを用いて５０８Ｃ
で３時間６０６Ｃで８時間、８０°Ｃで２時間加熱して
接着層を硬化させた。

また、接着層の厚みは６０μ以下にした方が耐候性や製
造方法の観点から優れているので、６０μ以下にした方
がよい。好ましくは５０μ以下。

さらに好ましくは４０μ以下になるように、接着剤量を
調整して、接着剤を広げるときの諷度調整。

あるいは貼り合わせ時にプレス等をするとよい。

７及び１６のハードコート層はトリメチロールプロパン
トリアクリレートと１．　６−ヘキサンジオールジアク
リレートとチバガイギー社製のイルガキュアー９０７を
基板表面にスピンコードした後、高圧水銀灯により紫外
線を照射して硬化させたものである。

８及び１７のＺｎＡｌ０層はＺｎＡ１の焼結ターゲット
を用いてアルゴンと酸素の混合ガスを導入することによ
るＲＦ反応マグネトロンスパッタ法によって２５０オン
グストローム成膜したものである。

また、９の接着層としてビスフェノールＦ系のエポキシ
樹脂の全エポキシ基の２０％がアクリロイル基である化
合物にチバガイギー社のイルガキュアー９０７を１．５
％、油化シェルエポキシのエビキュアーＢＭＩ−１２を
６％、γ−グリシドキシプロビルトリメトキシシランを
３％添加したものを用いて、他の条件は第１図の構成と
変えずに光ディスクを作成したところ、第１図とほぼ同
等の特性を有する光ディスクが作成できた。

次に、従来の方法で光ディスクを作成した例について説
明する。ロールコート法で貼り合わせた光ディスクは、
７０℃９０％ＲＨで１０００時間耐候性試験したところ
、記録層が酸化してピットエラーレートが増大した。本
発明になる第２図に７− 示す光ディスクも同時に試験したがピットエラーレート
の変化はなかった。通常のエポキシ樹脂を用いて貼り合
わせた光ディスクは貼り合わせ時の粘度が高かったため
接着層が厚めになり，面振れ量が本発明になる第２図に
示す光ディスクより大きくなった。通常のエポキシ樹脂
を用いたものが最大７ミリラジアン、第２図に示す光デ
ィスクが最大２ミリラジアンであった。また、通常のエ
ポキシ樹脂を用いて貼り合わせた光ディスクでは。

接着剤硬化時にディスクの外周から溢れ出して光ディス
クの概観を損なった。接着剤が熱で硬化するタイプでは
温度制御が難しく，基板が接着層硬化時に動かないよう
にしておく必要があり，常温硬化型の接着剤で貼り合わ
せると接着層硬化時に記録層に応力がかかり再生信号の
エンベロープが乱れ，エラーが増加した。以上の様に従
来の方法で作成した光ディスクは耐候性が悪かったり，
作成方法が難しい等の問題点を有している。

表１に，本発明になる光ディスクと従来の方法によって
成膜した光ディスクの７０℃９０％で１０００時間の耐
候性試験したときの耐候性試験前後での導電率の変化結
果を示す。

表１ 表１の結果をみると分かるように１本発明の光ディスク
は透明性と導電性が十分で、低温でも形成できるため、
形成が容易で、基板を成膜時の熱により変形させること
がなく、長期的に透明性と導電性が変化しない長期安定
性のある透明導電膜とすることにより、長期的に静電気
発生による基板表面へのゴミの付着や、ヘッドの破損の
危険性がないため取扱環境の制限が少ない長期信頼性の
ある光ディスクとなる。

尚２本発明はこれらの実施例に限定されると考えられる
べきではなく２本発明の主旨を逸脱しない限り種々の変
更は可能である。例えば２本発明に於て、透明導電膜は
基板にハードコートした後に成膜するが、ハードコート
直後に限らず、記録層部を成膜した後や、貼り合わせた
後でも構わない。

［発明の効果］ 以上述べたように本発明の光ディスクによれば。

ＺｎＯ系の透明導電膜にＺｎＯ膜、ＺｎＡｌ０膜。

ＺｎＧａＯ膜、　　Ｚｎ１ｎＯ膜、　　ＺｎＴ１０膜、
　あるいはこれらの混合系を用いることにより、透明性
と導電性が十分で、低温でも形成できるため。

形成が容易で、基板を成膜時の熱により変形させること
がなく、長期的に透明性と導電性が変化しない長期安定
性のある透明導電膜とすることにより、長期的に静電気
発生による基板表面へのゴミの付着や、ヘッドの破損の
危険性がないため取扱環境の制限が少なくなるという効
果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明になる光記録媒体の基本構成図。 第２図は本発明になる光ディスクの製造方法の概略図で
ある。 １、　１０ ２、　１１ ３、　１２ ４、　１３ ５、　１４ ６、　１５ ７、　１６ ポリカーボネートの基板 ５ｉＡＩＮの保護層 ＮｄＤｙＦｅＣｏの記録層 ５ｉＡＩＮの保護層 ＡｌＴｉ層 ５ｉＡＩＮの保護層 ハードコート層 一１１＝ １２− ８．１７−・ＺｎＡｌ０層 ９・・・・・接着層 １８・・・・基板の外周部の記録層が成膜されない部分 １９・・・・基板の内周部の記録層が成膜されない部分 ２０・・・・ディスクのセンターホール部２１・・・・
デイスペンサー ２２・・・・リング状に塗布された接着層２３・　・　
・　・ヒーター ２４・・・・メタルハライドランプ ２５・・・・紫外線 ２６・・・・オーブン ｙ、＋７．・、ムφ４

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板の片面にトラッキング用の溝またはピットを
   形成した後、該基板の前記溝またはピットが形成されな
   い側に光硬化性樹脂よりなるハードコート層を形成し、
   該ハードコート層の上にＺｎＯ系の透明導電膜を成膜し
   、その後、前記基板の前記溝またはピットが形成された
   側にセラミックス層、記録層、セラミックス層、反射層
   、保護層と順時成膜した記録層部を形成した前記基板を
   ２枚用いて貼り合わせたことを特徴とする光ディスク。
2. （２）前記ＺｎＯ系の透明導電膜がＺｎＯ膜、ＺｎＡｌ
   Ｏ膜、ＺｎＧａＯ膜、ＺｎＩｎＯ膜、ＺｎＴｉＯ膜、あ
   るいはこれらの混合系であることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の光ディスク。