JPH03194802A - 架橋ポリエチレンケーブルの製造方法 - Google Patents
架橋ポリエチレンケーブルの製造方法Info
- Publication number
- JPH03194802A JPH03194802A JP33422589A JP33422589A JPH03194802A JP H03194802 A JPH03194802 A JP H03194802A JP 33422589 A JP33422589 A JP 33422589A JP 33422589 A JP33422589 A JP 33422589A JP H03194802 A JPH03194802 A JP H03194802A
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- JP
- Japan
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- cooling
- polyethylene
- silicone oil
- medium
- inert gas
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- Pending
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- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は製造効率がよく、被覆絶縁体内の水分ａ 有量
の少ない架橋ポリエチレンケーブルの製造方法に関する
。
の少ない架橋ポリエチレンケーブルの製造方法に関する
。
［従来の技術］
線状のポリエチレンの分子間を架橋して網状巨大分子と
した架橋ポリエチレンは、耐熱性、機械的強度か大幅に
増大するので、その優れた電気絶縁性と相俟って、電カ
ケープルの絶縁体として広く使用されている。
した架橋ポリエチレンは、耐熱性、機械的強度か大幅に
増大するので、その優れた電気絶縁性と相俟って、電カ
ケープルの絶縁体として広く使用されている。
このポリエチレンの架橋方法としては、電子線等の高エ
ネルギー放射線を成形品に照射する方法およびポリエチ
レンに有機過酸化物を配合し、導体上に被覆した後、熱
処理する化学架橋法とがあり、絶縁厚の厚いケーブル絶
縁体を形成する場合には、通常化学架橋法が用いられて
いる。
ネルギー放射線を成形品に照射する方法およびポリエチ
レンに有機過酸化物を配合し、導体上に被覆した後、熱
処理する化学架橋法とがあり、絶縁厚の厚いケーブル絶
縁体を形成する場合には、通常化学架橋法が用いられて
いる。
この化学架橋法によって架橋ポリエチレンケーフルをつ
くるには、公知のカテナリ型連続架橋装置（以下、カテ
ナリ型という）、或いは竪形連続架橋装置（以下竪型と
いう）が用いられ、導体に常法の押出成形によって内部
半導電層、絶縁体、外部半導電層を同時に被覆形成した
のち、上記連続架橋装置の架橋筒に導入し、発泡を防止
するため５〜ｌ Ｏｋｇ／ ｃｔａ”の加圧下で架橋媒
体として水蒸気を用いて加熱して被覆した後、冷却媒体
として水を用いて冷却する湿式架橋法で行われている。
くるには、公知のカテナリ型連続架橋装置（以下、カテ
ナリ型という）、或いは竪形連続架橋装置（以下竪型と
いう）が用いられ、導体に常法の押出成形によって内部
半導電層、絶縁体、外部半導電層を同時に被覆形成した
のち、上記連続架橋装置の架橋筒に導入し、発泡を防止
するため５〜ｌ Ｏｋｇ／ ｃｔａ”の加圧下で架橋媒
体として水蒸気を用いて加熱して被覆した後、冷却媒体
として水を用いて冷却する湿式架橋法で行われている。
しかし、この湿式架橋方式では、水を使用するため、水
分が外部半導体層、絶縁体中に混入し、この水分による
ミクロボイドや水トリー劣化が発生する問題があった。
分が外部半導体層、絶縁体中に混入し、この水分による
ミクロボイドや水トリー劣化が発生する問題があった。
。
このため、現在では水蒸気を用いない、例えば窒素ガス
等の不活性ガスを加熱媒体とする乾式架橋法が用いられ
ている。
等の不活性ガスを加熱媒体とする乾式架橋法が用いられ
ている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記乾式架橋法においても、冷却媒体と
しては、水が用いられることが多く、架橋されたケーブ
ルが水に接触するので、外部半導電層、絶縁体中の水分
の増加は避けられなかった。
しては、水が用いられることが多く、架橋されたケーブ
ルが水に接触するので、外部半導電層、絶縁体中の水分
の増加は避けられなかった。
また、上記水分の増加を避けるため、冷却媒体として、
加熱媒体と同じ不活性ガスを冷却して強制循環させるこ
とも行なわれるが、水冷却に比べて熱伝達効率が悪く、
製造効率を低下させる欠点があった。
加熱媒体と同じ不活性ガスを冷却して強制循環させるこ
とも行なわれるが、水冷却に比べて熱伝達効率が悪く、
製造効率を低下させる欠点があった。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、ケーブル
被覆中の水分増加が防止され、しかも製造効率が低下す
ることのない架橋ポリエチレンケーブルの製造方法を、
提供することを目的とする。
被覆中の水分増加が防止され、しかも製造効率が低下す
ることのない架橋ポリエチレンケーブルの製造方法を、
提供することを目的とする。
「課題を解決するための手段」
上記の目的を達成するため、本発明に係る架橋ポリエチ
レンケーブルの製造方法は、 有機過酸化物を配合したポリエチレンをＵにｋＷ！し、
これを加熱してポリエチレンを化学架橋させ、次いで冷
却する架橋ポリエチレンケーブルの製造方法において、 加熱架橋媒体として、加圧された高温の不活性ガスを用
い、冷却媒体として加圧シリコーン油を用いる。
レンケーブルの製造方法は、 有機過酸化物を配合したポリエチレンをＵにｋＷ！し、
これを加熱してポリエチレンを化学架橋させ、次いで冷
却する架橋ポリエチレンケーブルの製造方法において、 加熱架橋媒体として、加圧された高温の不活性ガスを用
い、冷却媒体として加圧シリコーン油を用いる。
「作用」
本発明は上記の構成・となっているので、加熱架橋する
場合には不活性ガスで加熱し、冷却はポリエチレンに対
して不溶な液体であるシリコーン油を使用しているので
、外部半導電層や絶縁体層に水その他が含浸することな
く、冷却効率が低下することもない。
場合には不活性ガスで加熱し、冷却はポリエチレンに対
して不溶な液体であるシリコーン油を使用しているので
、外部半導電層や絶縁体層に水その他が含浸することな
く、冷却効率が低下することもない。
「実施例」
以下本発明の詳細な説明する。
まず、導体をクロスヘツドを装着した押出機に導入して
導体上に内部半導電層、ポリエチレンと架橋剤とからな
る絶縁体層、外部半導電層を同時に被覆したのち、この
被覆導体をカテナリ型連続架橋装置や竪型連続架橋装置
の架橋筒に連続的に導入する。
導体上に内部半導電層、ポリエチレンと架橋剤とからな
る絶縁体層、外部半導電層を同時に被覆したのち、この
被覆導体をカテナリ型連続架橋装置や竪型連続架橋装置
の架橋筒に連続的に導入する。
架橋筒には、加熱、加圧媒体としての加熱、加圧された
窒素ガス、アルゴンガス、ＳＦ、などの不活性ガスが充
填され、この加熱、加圧媒体によって絶縁体をなすポリ
エチレンが架橋する。この際内部半導電層、外部半導電
層をなす樹脂組成物が架橋性のものであれば架橋が行な
われる。加熱、加圧媒体の温度は２００〜３００℃、圧
力は５〜１０ ｋｇ／ ｅｌｌ’ とされる。
窒素ガス、アルゴンガス、ＳＦ、などの不活性ガスが充
填され、この加熱、加圧媒体によって絶縁体をなすポリ
エチレンが架橋する。この際内部半導電層、外部半導電
層をなす樹脂組成物が架橋性のものであれば架橋が行な
われる。加熱、加圧媒体の温度は２００〜３００℃、圧
力は５〜１０ ｋｇ／ ｅｌｌ’ とされる。
架橋筒を通って絶縁体が架橋された被覆導体は、冷却筒
に導かれ空冷によってやや降温された後、冷却媒体の充
填されている冷却槽に導入される。
に導かれ空冷によってやや降温された後、冷却媒体の充
填されている冷却槽に導入される。
冷却槽には、冷却媒体として圧力５〜１０ｋｇ／ｃｍ″
のメチルシリコーン系や、フェニルシリコーン系のシリ
コーン油が充填されており、上記被覆導体は、これと接
触して冷却される。冷却槽へ導入されるｍｌ導体のコア
表面温度は１２０〜１５０℃の高温時からでも、水冷の
場合と異なり、水の侵入がないので、可能であり、効率
良い冷却を行うことができる。冷却槽において被覆導体
の温度が５０°Ｃ以下に低下したのち、被覆導体を冷却
槽から導出し、表面に付着しているシリコーン油を除去
したのち、遮蔽層を施しポリ塩化ビニルなどからシース
を押出被覆して、電カケープルとする。
のメチルシリコーン系や、フェニルシリコーン系のシリ
コーン油が充填されており、上記被覆導体は、これと接
触して冷却される。冷却槽へ導入されるｍｌ導体のコア
表面温度は１２０〜１５０℃の高温時からでも、水冷の
場合と異なり、水の侵入がないので、可能であり、効率
良い冷却を行うことができる。冷却槽において被覆導体
の温度が５０°Ｃ以下に低下したのち、被覆導体を冷却
槽から導出し、表面に付着しているシリコーン油を除去
したのち、遮蔽層を施しポリ塩化ビニルなどからシース
を押出被覆して、電カケープルとする。
このような製造方法によれは、シリコーン油が外部半導
電層や絶縁体に侵入してゆくことがなく、また水を一切
用いないので、水分が浸入することがない。また、気体
冷却に比べて熱伝導率が良好なため、冷却速度が早くな
る。またシリコーン油の沸点が高いので高温の被覆導体
を冷却槽に導入しても、冷却媒体が気化することがなく
、被覆導体を架橋筒からすぐに冷却槽に導き込むことが
でき、これによっても製造速度を高めることができる。
電層や絶縁体に侵入してゆくことがなく、また水を一切
用いないので、水分が浸入することがない。また、気体
冷却に比べて熱伝導率が良好なため、冷却速度が早くな
る。またシリコーン油の沸点が高いので高温の被覆導体
を冷却槽に導入しても、冷却媒体が気化することがなく
、被覆導体を架橋筒からすぐに冷却槽に導き込むことが
でき、これによっても製造速度を高めることができる。
また、上記架橋筒や冷却槽は、加圧状態に保持されてい
るので、導体の被覆層に気泡の発生するのか防止される
。
るので、導体の被覆層に気泡の発生するのか防止される
。
実施例Ｉ
Ｍ ［： ３．２ｇ／ｌ ０分の低密度ポリエチレン１
００重量部に対し、架橋剤（過酸化物）としてンクミル
バーオキサイド（ＤＣＰ）２．０重量部、チオビスフェ
ノール系の老化防止剤０．２重ｆｆｉ部を添加したポリ
エチレンを、４００＋ｎｍ’の導体上に内部導電層と外
部導電層の間に位置するように同時に押出し、線速度１
、２ ｍ１分で、厚さ１．０ｍｆｆ１の内部半導電層
、９ｍｍの絶縁層、０．５１の外部半導電層によって被
覆導体をつくった。これを架橋筒に導き、１０ｋｇ／ｃ
ｍ’ ３００℃の窒素ガス中で架橋した後、ケーブル
コア表面温度が１５０°Ｃになったところで、ｌ Ｏｋ
ｇ／ ａｍ”に加圧された／リコーン油中を通して冷却
した。
００重量部に対し、架橋剤（過酸化物）としてンクミル
バーオキサイド（ＤＣＰ）２．０重量部、チオビスフェ
ノール系の老化防止剤０．２重ｆｆｉ部を添加したポリ
エチレンを、４００＋ｎｍ’の導体上に内部導電層と外
部導電層の間に位置するように同時に押出し、線速度１
、２ ｍ１分で、厚さ１．０ｍｆｆ１の内部半導電層
、９ｍｍの絶縁層、０．５１の外部半導電層によって被
覆導体をつくった。これを架橋筒に導き、１０ｋｇ／ｃ
ｍ’ ３００℃の窒素ガス中で架橋した後、ケーブル
コア表面温度が１５０°Ｃになったところで、ｌ Ｏｋ
ｇ／ ａｍ”に加圧された／リコーン油中を通して冷却
した。
比較例１
製造線速度を０ 、８ ｔｎ１分とし、架橋後、ケーブ
ルコアの温度が９０°Ｃになったところで水中を通して
冷却した以外は実施例Ｉと同じにして、架橋ポリエチレ
ンケーブルを製造した。
ルコアの温度が９０°Ｃになったところで水中を通して
冷却した以外は実施例Ｉと同じにして、架橋ポリエチレ
ンケーブルを製造した。
実施例１の製造線速度は、比較例１の製造線速度の１５
倍であるか、絶縁体のゲル分率は、いずれも８０％以上
であった。
倍であるか、絶縁体のゲル分率は、いずれも８０％以上
であった。
また、実施例１、比較例１の製造直後における、外部半
導電層、および厚さ９ｍｍの絶縁体層の外層、中層、内
層中の水分を測定した。結果を第１表に示す。
導電層、および厚さ９ｍｍの絶縁体層の外層、中層、内
層中の水分を測定した。結果を第１表に示す。
第１表
「発明の効果」
以上説明したように、本発明の架橋ポリエチレンケーブ
ルの製造方法は、不活性ガス中で架橋し、液体であるシ
リコーン油中で冷却するので、外部半導体層、絶縁体層
中の水分が少なく、また冷却媒体として水を使用した場
合に比して製造効率が低下することがない。
ルの製造方法は、不活性ガス中で架橋し、液体であるシ
リコーン油中で冷却するので、外部半導体層、絶縁体層
中の水分が少なく、また冷却媒体として水を使用した場
合に比して製造効率が低下することがない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 有機過酸化物を配合したポリエチレンを導体に被覆し
、これを加熱してポリエチレンを化学架橋させ、次いで
冷却する架橋ポリエチレンケーブルの製造方法において
、 加熱架橋媒体として、加圧された高温の不活性ガスを用
い、冷却媒体として加圧シリコーン油を用いることを特
徴とする架橋ポリエチレンケーブルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33422589A JPH03194802A (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 架橋ポリエチレンケーブルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33422589A JPH03194802A (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 架橋ポリエチレンケーブルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03194802A true JPH03194802A (ja) | 1991-08-26 |
Family
ID=18274953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33422589A Pending JPH03194802A (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 架橋ポリエチレンケーブルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03194802A (ja) |
-
1989
- 1989-12-22 JP JP33422589A patent/JPH03194802A/ja active Pending
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