JPH03194992A - プリント基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、安価で信頼性の高いプリント基板の製造方法
に関する。

〔従来技術〕

従来、プリント配線板の製造方法において、無電解めっ
き法としては１例えばテンティング法と半田剥離法があ
る。

上記テンティング法は、基板の穴明は工程と。

Ｃｕめっき工程と、レジスト被膜形成工程と、エツチン
グ工程と、レジスト被膜の剥離工程と、ソルダーレジス
ト形成工程と、Ｎｉめっき、Ａｕめっき工程とよりなる
。

一方、上記半田剥離法は、上記テンティング法における
エツチング工程とレジスト被膜の剥離工程に代えて、Ｃ
ｕめっき工程と、半田めっき工程と、該半田の剥離工程
と、エツチング工程とを行うものである。

したがって２画法は、ソルダーレジスト形成工程と、Ｎ
ｉめっき、Ａｕめっき工程を行う点で共通する。また、
基板の穴明は工程と、Ｃｕめっき工程と、レジスト被膜
形成工程とを行う点でも共通する。

そして５両法とも、プリント基板のパターン形成を行う
ために、実施される点においても共通する。

即ち１両法を用いたプリント基板の製造方法としては１
例えば第８図〜第１４図に示す方法がある。

まず、第８図に示すごとく、出発材料として。

例えば両面に銅箔８を接合した銅張り基Ｆｉ、９が使用
される。

次に、第９図に示すごとく、上記基板９には。

例えばスルーホール形成用の穴７が明けられる。

次いで、第１Ｏ図に示すごとく９ｗ４めっき膜８を形成
するためのＣｕめっきが行われる。これにより、上記銅
Ｖ１８の表面には、第１銅めっき膜６１が形成される。

また、上記穴７内には、導通用の銅めっきＭ２Ｏが形成
され、スルーホール７１が形成される。

また、上記第１銅めっき膜６１及びスルーホール７１内
の銅めっき膜６０の表面には、レジスト被膜（但し２図
示時）が形成される。そして、上記半田剥離法において
は、第１１図に示すごとく上記第１銅めっき膜６１及び
スルーホール７１内の銅めっき膜６０の表面に、第２Ｃ
ｕめっき６２が形成される。

次いで、上記レジスト被膜及び半田めっき膜は剥離され
る。これにより、第１１図に示すごとく。

基板露出部４２が形成される。

また、第１２図に示すごとく、後工程において。

Ｎｉめっき、Ａｕめっきが行われない部分には。

ソルダーレジスト被膜５２が形成される。そして。

Ｎｉめっきが行われる部分は、脱脂等のコンディショニ
ング処理が施される（図示時）、これにより、当該部分
は、ぬれ性が向上する。

次に、第１２図に示すごとく、上記Ｎｉめっきが行われ
る部分にはパラジウム（Ｐｄ）触媒５３が吸着される。

これにより、第１３図に示すごとく、上記Ｎｉめっきが
行われる部分５４は活性化される。ここで、上記パラジ
ウム触媒５３は、Ｎｉめっきが円滑にかつ迅速に行われ
るように作用する。つまり５該パラジウム触媒５３は、
無電解めっき法であるＮｉめっき、Ａｕめっきの後工程
の処理において、ｉｔ位差が生じ易くなるよう第２銅め
っき膜６２の表面を活性化するためのものである。

そして、第１４図に示すごとく、活性化された第２ｗ４
めっき膜６２の表面には、ニッケルめつきｌ！！３及び
金めつき膜２が形成される。該二・シケルめっき膜３は
、比較的厚く、また該金めつき膜２は比較的薄く形成さ
れる。

〔解決しようとする課題〕

しかしながら、上記従来技術には２次の問題点がある。

即ち、上記Ｎｉめっき及びＡｕめっきを行うに当たって
、パラジウム触媒を用いることは高価となる。つまり、
パラジウムは卑金属で高価であるため、プリント基板の
製造費が高くなる。また。

上記半田剥離法においては、−旦形成した半田めっき膜
を剥離してしまう、これは、不経済である。

本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、安価で信軌性の高いプリント基板の製造方法を提供し
ようとするものである。

〔課題の解決手段］ 本発明は、基板に穴明けを行い１次に該基板にＣｕめっ
きを行い５次いで該Ｃｕめっき上にエツチングレジスト
被膜を形成し、その後エツチングによりパターンを形成
し２次いでソルダーレジストを形成し、然る後Ｎｉ−Ａ
ｕめっきを行うプリント基板の製造方法において、上記
エツチングレジスト被膜はＮｉめっきにより形成するこ
とを特徴とするプリント基板の製造方法にある。

本発明において最も注目すべきことは、上記エツチング
レジスト被膜は、Ｎｉめっきにより形成することにある
。

上記Ｎｉめっきは、無電解めっき法によって。

例えば銅めっき膜の表面にニッケルめっき膜を形成する
ことにより行う、該ニッケルめっき膜は。

例えば厚さが５〜７μｍと比較的厚い金属めっき膜であ
る。また、該ニッケルめっき膜には、ピンホール、凹凸
等の欠陥がないことが好ましい、その理由は、エツチン
グ工程において、上記ニッケルめっき膜は、その下層の
第２銅めっき膜、更にはその下層の第２＆ｌｉｌめっき
膜を、ソルダーレジストとして保護する作用を有するか
らである。

〔作用及び効果〕

本発明においては、エツチングレジスト被膜としてのＮ
ｉめっきを行う。

即ち、基板上にパターンを形成した後、該パターン以外
の部分にはソルダーレジストを形成する。

また、該ソルダーレジストを形成していない銅めっき膜
の表面には、ニッケルめっき膜を形成する。

ところで、該ニアケルめっき膜は、従来のパラジウム触
媒と同様に、無電解めっきを行うに当り。

触媒作用を有する。そのため、上記ニッケルめっき膜は
、その表面に該ニッケルめっき膜板外の金属めっき膜を
形成するに当たり、パラジウムのごとき他触媒を吸着さ
せる必要がない。

その理由は、上記ニッケルめっき膜は、その表面が活性
化された状態にあり、該ニッケルめっき膜の表面に形成
する他の金属めっき膜との間に電位差が生じるためと考
えられる。

上記のごとく３本発明においてはパラジウム等の触媒を
特に必要としない、したがって、これによりコスト低減
が可能となり、安価なプリント基板を得ることができる
。

また、−上記ニッケルめっき膜は、エツチングレジスト
としての下層の保護作用を存する。即ち該ニッケルめっ
き膜は、エツチング工程において。

下層にある第２銅めっき膜６２を、エツチング液により
、溶解除去されないよう保護する。

そのため、これにより信転性の高い金属めっき膜を有す
るプリント基板を得ることができる。

以上のごとく１本発明によれば、安価で信顛性の高いプ
リント基板の製造方法を提供することができる。

〔実施例〕

本発明の実施例にかかるプリント基板の製造方法につき
、第１図〜第７図を用いて説明する。

まず１本例の製造方法の概要は、第１図〜第７図に示す
ごとく、基板９にＣｕめっきを行い１次いで該Ｃｕめっ
き上にエツチングレジスト被膜としてのニッケルめっき
膜ｌを形成し、その後エツチングによりパターン１０を
形成し２次いでソルダーレジスト５２を形成し、Ｎｉ　
−Ａｕめっきを行うことにより、プリント基板を製造す
るものである。

ここで注目すべきことは、上記Ｃｕめっき上にエンチン
グレジスト被膜としてのニッケルめっき膜１を形成する
ことにある。かかるニッケルめっき膜１の形成方法は、
後述する。

即ち１本例の製造方法は、第１図に示すごとく。

基板９の銅ｔＩ３８上に第１銅めっき膜６１を形成する
第１Ｃｕめっき工程と、第２図に示すごとく上記第１銅
めっき膜６１の表面にレジスト被膜５１を形成するレジ
スト被膜形成工程と１次いで。

該メンキレジスト被膜５１以外の部分に第２銅めっき膜
６２を形成する第２Ｃｕめっき工程と、第３図に示すご
とく、エツチングレジスト被膜としてのニッケルめっき
膜１を形成するエツチングレジスト形成工程と、第４図
に示すごと（、上記ニッケルめっき膜１を形成した部分
以外をエツチングにより除去するエツチング工程と、該
エツチング工程により第５図に示すごとく、不要めっき
部分４１を除去してパターン１０を形成するパターン形
成工程と、第６図に示すごとく、上記パターン１０の一
部の表面にソルダーレジスト被Ｍ４５２を形成するソル
ダーレジスト形成工程と、第７図に示すごとく、上記ソ
ルダーレジスト被膜５２を形成した部分以外のニッケル
めっき膜１の表面に金めっきｌｌ１１２を形成するＡｕ
めっき工程とよりなる。

上記基板９は、ＩＲｆＩ３Ｂを有し、該銅箔８の表面に
第１銅めっき膜６１を有する。また、上記基板９は２表
面と裏面の第１銅めっき膜６１．．．６１を導通するた
めのスルーホール７１を有する。なお。

該基板９に穴明けを行う工程は、従来と同様である（第
２図参照）。また、上記銅箔８の表面に第１ｗ４めっき
膜６１を形成する工程も従来と同様である（第１０図参
照）。

また、上記メツキレジスト被膜５１は１次工程において
、第２ｗ４めっきＭ６２を形成しない、上記第１銅めっ
き膜６１上に形成する。

つまり、上記第２銅めっき膜６２は、第２図に示すごと
く、上記メツキレジスト被膜５１が形成された部分以外
の第１銅めっき膜６１の表面に形成される。

次に、上記エツチングレジスト被膜としてのニッケルめ
っき膜１は、第３図に示すごとく、上記第２ｗＡめっき
膜６２の表面に形成される。

ここで、上記ニッケルめっき膜１を形成する方法につい
て、詳述する。

即ち、上記ニッケルめっきＩＡＩを形成するに当たり、
めっき液としては、液温６０°Ｃで１組成が硫酸ニッケ
ルと塩化ニッケルとホウ酸とを含有する溶液を用いる。

そして、上記めっき槽中に上記めっき液を入れ。

電流密度２Ａ／ｄｍ”で、約２０分間、Ｎｉめっきを行
う。該Ｎｉめっきは、無電解めっき法により、上記めっ
き液中に溶解したＮｉを化学的に。

上記第２銅めっき膜６２の表面に還元析出させて行う。

そして、銅めっき膜は、第１銅めっき膜６１と第２銅め
っき膜６２とよりなる。そして、その膜厚さは合計して
４３μｍである。

その結果、上記第２銅めっきＭＢ２の表面には。

平均膜厚さが５μｍのニッケルめっき膜Ｉを形成するこ
とができた。

次に、第４図に示すごとく、上記ソルダーレジスト被膜
５２を剥離して、上記ニッケルめっき膜１を形成した部
分以外の第１銅めっき膜６１を露出させる。

次いで９第５図に示すごとく、上記露出した第１ｗ４め
っき膜６１をエツチングにより除去する。

該エツチングには、アルカリエツチング液を用いる。こ
れにより、上記スルーホール７１及びパターン１０以外
の部分においては、基板９の表面が露出した部分４２を
有するプリント基板を得る。

また、第６図に示すごとく、上記ニッケルめっき膜ｌの
表面のうち１次工程の無電解Ｎｉ−Ａｕ膜を形成しない
第２銅めっきｌ！６２の表面にはソルダーレジスト被膜
５２を形成する。ここで最も注目すべきことは９次工程
の無電解Ｎ１−ＡＵめっき膜を形成する第２銅めっき膜
６２の表面には、ニッケルめっき膜１が形成されている
ことである。

ところで、上記ニッケルめっきＩｔ！Ｉ　ｌは、その表
面に該ニッケルめっき膜１以外の金属めっき膜を形成す
るに当たり、触媒作用を有する。そのため。

該ニッケルめっきＩＩＩの表面には、Ｐｄのごとき触媒
を吸着する必要がない。

そのため、上記ニッケルめっき膜１の表面は。

活性化された状態にあり、Ｐｄ等の触媒を特に必要とし
ない。したがって、これによりコスト低減が可能となり
、安価なプリント基板を得ることができる。

また、上記ニッケルめっき膜ｌは、ソルダーレジストと
しての下層の保護作用を有する。即ち該ニッケルめっき
膜１は、その下層にある第２銅めっき膜６２等を、エン
チング工程にといて、エンチング液により溶解除去され
ないよう保護する。

そのため、これにより、信頬性の高い金属めっき膜を有
するプリント基板を得ることができる。

そして、上記ニッケルめっき膜ｌの表面には。

第７図に示すごとく、無電解めっき法により、Ｎｉめっ
き膜２２次いでＡｕめっき膜３を形成する。

以上のごとく５本例によれば、プリント基板の製造時に
おいて、安価で信顛性の高い無電解めっき法による金属
めっきを形成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第７図は本発明の実施例にかかるプリント基板
の製造工程を示す断面図、第８図〜第１４図は従来のプ
リン）Ｍ板の製造工程を示す断面図である。 ｌ。 １０゜ ２゜ ３゜ ５１゜ ５２゜ ６１゜ ６２゜ ８゜ ９゜ ニッケルめっき膜。 パターン。 無電解Ｎｉめっき膜 無電解Ａｕめっき膜。 レジスト被膜。 ソルダーレジスト被膜 第１銅めっき膜。 第２銅めっき膜。 銅箔 基板 ６１ 第６図 第７！２′１ ｚ 第４図 第１１ 区ｊ 第１２図 第１３図 １ 第１４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基板に穴明けを行い，次に該基板にＣｕめっきを行い
   ，次いで該Ｃｕめっき上にエッチングレジスト被膜を形
   成し，その後エッチングによりパターンを形成し，次い
   でソルダーレジストを形成し，然る後，Ｎｉ−Ａｕめっ
   きを行うプリント基板の製造方法において，上記エッチ
   ングレジスト被膜はＮｉめっきにより形成することを特
   徴とするプリント基板の製造方法。