JPH031959U - - Google Patents

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JPH031959U
JPH031959U JP6153989U JP6153989U JPH031959U JP H031959 U JPH031959 U JP H031959U JP 6153989 U JP6153989 U JP 6153989U JP 6153989 U JP6153989 U JP 6153989U JP H031959 U JPH031959 U JP H031959U
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JP
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vapor deposition
source
deposition source
evaporation
window hole
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JP6153989U
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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案装置の実施例を示す正面断面図
、第２図はその要部拡大縦断面図、第３図は蒸着
源容器の上方に固定シヤツタを設けた状態を示す
平面図である。第４図は真空蒸着装置の第１の従
来例を示す正面断面図、第５図は半導体ウエーハ
が保持されたプラネタの保持穴部分の断面図、第
６図は真空蒸着装置の第２の従来例を示す正面断
面図、第７図は第６図の真空蒸着装置に使用され
る蒸着源容器の平面図、第８図ａ，ｂ，ｃは従来
装置の問題点を説明するための蒸着源の断面図で
ある。 ２……真空容器、１６……プラネタ、１７……
半導体ウエーハ、２３……蒸着源、２７……電子
ビーム、２９……蒸着源容器、３０ａ〜３０ｅ…
…蒸着源収容部、３１……不純物層、４２……固
定シヤツタ、４３……窓孔、４５……不純物層除
去手段。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 真空容器内に自転および公転可能に支持され、
    かつ、半導体ウエーハを保持したプラネタと、プ
    ラネタとの対向位置に間欠回転可能に設置され、
    かつ、円周等配位置に、電子ビームが照射されて
    半導体ウエーハに蒸着する蒸着源を収容した上面
    の開口した複数の蒸着源収容部を有する蒸着源容
    器と、蒸着源容器の上方に対設され、かつ、周縁
    に、各蒸着源収容部内の蒸着源中、任意の蒸着源
    が対向可能に窓孔を形成した蒸着源遮蔽用の固定
    シヤツタと、蒸着源の固定シヤツタによる遮蔽状
    態にある蒸着源の表面に形成されている不純物層
    を除去する不純物層除去手段とを具備し、上記固
    定シヤツタの窓孔に臨む蒸着源にこの窓孔を介し
    て電子ビームを照射するようにしたことを特徴と
    する真空蒸着装置。
JP6153989U 1989-05-26 1989-05-26 Pending JPH031959U (ja)

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JPH031959U true JPH031959U (ja) 1991-01-10

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012184453A (ja) * 2011-03-03 2012-09-27 Seiko Epson Corp 蒸着装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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