JPH03203243A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＬｉｇｈｔｌｙ　Ｄｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ　（
Ｌ　Ｄ　Ｄ　）型の電界効果）・ランジスタの製造方法
に関し、特に半導体中に不純物濃度の異なるソース・ド
レイン領域を形成する製造方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、ＬＤＤ型トランジスタの製造方法は第２図（ａ）
に示す様にゲートポリシリコンｌをマスクとして基板上
の薄い酸化膜２を通して不純物濃度の低い領域３を形成
する。その後第２図（ｂ）のようにゲートポリシリコン
１上を含む半導体基板上にゲート側壁用酸化膜４を形成
した後、第２図（Ｃ）のようにゲートポリシリコン１側
面にのみ酸化膜４を残すように異方性エツチングを施す
。さらにこの酸化膜４をマスクとして第２図（ｄ）のよ
うにイオン注入を施し、不純物濃度の高い領域５を形成
する。

上述１−た従来のＬＤＤ型トランジスタの製造方法は、
ゲートポリシリコンの側壁に厚い酸化膜を形成しこれを
マスクとして不純物濃度の高い領域を形成しているので
、製造工程が長く、複雑であるという欠点がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明の目的は、ゲートポリシリコン側面にイオン注入
のマスクとなる酸化膜を形成する工程を設けることなく
、イオン注入の方向を変更することだけで良好なＬＤＤ
型トランジスタの製造方法を提供するものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体装置の製造方法は、ＬＤＤ型トランジス
タの製造方法において、ソース・ドレイン領域をゲート
ポリシリコンをマスクとして半導体基板表面に対して所
定の傾斜角を保持したまま、イオン注入する工程と半導
体基板主面に対して垂直方向にイオン注入する工程にて
形成するという特徴を有している。

このような製造方法によりＬＤＤ型トランジスタを形成
するのにゲートポリシリコンのみをマスクとして所定の
不純物濃度を有するソース・ドレイン領域を形成するこ
とが可能となり、従来のようなゲートポリシリコンの側
壁にマスク用の酸化膜を設ける必要はなくなり、大幅に
製造工程が省略される。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例の工程断面図で
ある。

第１図（ａ）はゲートポリシリコン１をＣＶＤ法で形成
し薄い酸化膜２は熱酸化で形成する。ここまでは一般的
な形成法である。さらにＬＤＤの特徴とする不純物濃度
の低い領域３は基板主面に対して垂直より所定の傾斜方
向よりなおかつ、基板を回転しながら低濃度の不純物（
リン等）を注入する。次に第１図（ｂ）は基板主面に対
して垂直方向より高濃度の不純物（ヒ素等）を注入し不
純物濃度の高い領域５を形成する。その次に第１図（ｃ
）は不純物濃度の低い領域３と不純物濃度の高い領域を
注入時の結晶欠陥を回復させる目的と電気的活性化の為
に９００℃程度の熱処理を行う。

本実施例に示した工程では、ゲートポリシリコンのみを
マスクとしてイオン注入を行ない、ＬＤＤ構造をなすた
めに基板表面とは傾斜した方向から低濃度イオンを、主
表面は垂直方向から高濃度イオンを注入している。この
ような製造方法では、イオン注入工程でのマスクとして
ゲートポリシリコンのみを用いているため、マスク形成
のための工程が削減されることとなる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、ゲートポリシリコンの側
壁酸化膜を形成しなくともイオンの入射角度を変えるこ
とにより、不純物濃度の異なるソース・ドレイン領域を
分離形成できる。よって製造工程が短くなり簡略化でき
る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例の工程断面図、
第２図（ａ）〜（ｄ）は従来技術による工程断面図であ
る。 １・・・・・・ゲートポリシリコン、２・・・・・・薄
い酸化膜、３・・・・・・不純物濃度の低い領域、４・
・・・・・ゲート側壁酸化膜、５・・・・・・不純物濃
度の高い領域。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板主面上にイオン注入よリソース・ドレインを
   有するＭＩＳ型電界効果トランジスタを形成する方法に
   おいて、同一マスク材により前記ソース・ドレイン領域
   を前記半導体基板主面に対して所定の傾斜を有してイオ
   ン注入する低濃度不純物を工程と前記半導体基板主面に
   対して垂直方向から高濃度不純物をイオン注入する工程
   とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。