JPH03209727A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03209727A JPH03209727A JP2004744A JP474490A JPH03209727A JP H03209727 A JPH03209727 A JP H03209727A JP 2004744 A JP2004744 A JP 2004744A JP 474490 A JP474490 A JP 474490A JP H03209727 A JPH03209727 A JP H03209727A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- collector
- emitter
- base
- electrode
- diffused
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- Pending
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- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置に関し、特にラテラルＰＮＰトラ
ンジスタ（以下ラテラルＰＮＰＴｒと呼ぶ）の構造を改
良した半導体装置を提供するものである。
ンジスタ（以下ラテラルＰＮＰＴｒと呼ぶ）の構造を改
良した半導体装置を提供するものである。
第４図、第５図は従来の半導体装置のベース・コレクタ
をショートしたラテラルＰＮＰＴｒで構成した第３図に
示すダイオードの構造を示す平面図および断面図で、図
において、（１）はカソード電極、（２）はアノード電
極、（８）は分離拡散、（４）はベース拡ｌｋ、（５）
はコレクタ電極用コンタクト部、（６）はベース拡散（
４）と同じベース拡散、（γ）はエミッタ電極用コンタ
クト部、（８）はエミッタ拡散、（９）はベース電極用
フンタクト部ｓ （１０）は酸化膜、（１１）はＮ型
埋込層、（１２）はＰ型基板、 （１３）はエピタキシ
ャル層である。
をショートしたラテラルＰＮＰＴｒで構成した第３図に
示すダイオードの構造を示す平面図および断面図で、図
において、（１）はカソード電極、（２）はアノード電
極、（８）は分離拡散、（４）はベース拡ｌｋ、（５）
はコレクタ電極用コンタクト部、（６）はベース拡散（
４）と同じベース拡散、（γ）はエミッタ電極用コンタ
クト部、（８）はエミッタ拡散、（９）はベース電極用
フンタクト部ｓ （１０）は酸化膜、（１１）はＮ型
埋込層、（１２）はＰ型基板、 （１３）はエピタキシ
ャル層である。
次に動作について説明する。
一般に、パイポーラエＣに使用されているダイオードは
数種類あるが、ラテラルＰＮＰＴｒのベース・コレクタ
をショートしてカソードとし、エミッタをアノードとし
たダイオードは高耐圧用として使用される。
数種類あるが、ラテラルＰＮＰＴｒのベース・コレクタ
をショートしてカソードとし、エミッタをアノードとし
たダイオードは高耐圧用として使用される。
従来の半導体装置のベース・コレクタをショートしたラ
テラルＰＮＰＴｈで構成したダイオードは第４図および
第５図の様な構造をしているので、逆バイアス電圧が大
きくなると第６図に示すように、アノード電極（２）下
のベース拡散（４）間にチャネル（１４１が発生する。
テラルＰＮＰＴｈで構成したダイオードは第４図および
第５図の様な構造をしているので、逆バイアス電圧が大
きくなると第６図に示すように、アノード電極（２）下
のベース拡散（４）間にチャネル（１４１が発生する。
逆バイアスが大きくなるということは低電位側のアルミ
（アノード端子）（２）と高電位側のエピタキシャル層
０が酸化膜（至）を絶縁層としたコンデンサとなるので
、エピタキシャル層（１３のＰ型キャリアが８１表面に
吸い寄せられ、Ｐ型キャリアが貯るとチャネルα４とな
シベース拡散（４）のＰからベース拡散（６）のＰへリ
ークする。よってカソードからアノードにリークし易く
なるという問題点があった。
（アノード端子）（２）と高電位側のエピタキシャル層
０が酸化膜（至）を絶縁層としたコンデンサとなるので
、エピタキシャル層（１３のＰ型キャリアが８１表面に
吸い寄せられ、Ｐ型キャリアが貯るとチャネルα４とな
シベース拡散（４）のＰからベース拡散（６）のＰへリ
ークする。よってカソードからアノードにリークし易く
なるという問題点があった。
この発明は上記の様な問題点を解消するためになされた
もので、チャネルが発生しにくい構造のベースコレクタ
をショートしたラテラルＰＮＰＴｒで構成し次ダイオー
ドの半導体装置を得ることを目的とするう 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体装置は、アノード電極のアルミ配
線下にコレクタ部のＰ型拡散を設けない構造にしたもの
である。
もので、チャネルが発生しにくい構造のベースコレクタ
をショートしたラテラルＰＮＰＴｒで構成し次ダイオー
ドの半導体装置を得ることを目的とするう 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体装置は、アノード電極のアルミ配
線下にコレクタ部のＰ型拡散を設けない構造にしたもの
である。
この発明における半導体装置は、アノード電極のアルミ
配線下にコレクタ部のＰ型拡散を設けない構造としたの
で、エミッターコレクタ間（ベース拡散間）にチャネル
が発生しにくくなり、従来のものよυ高耐圧のダイオー
ドが得られる。
配線下にコレクタ部のＰ型拡散を設けない構造としたの
で、エミッターコレクタ間（ベース拡散間）にチャネル
が発生しにくくなり、従来のものよυ高耐圧のダイオー
ドが得られる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図・第２図は本発明の一実施例によるベース・コレクタ
をショートしたラテラルＰＮＰＴｒで構成したダイオー
ドを示す平面図および断面図であシ、図において、図中
符号（１）〜α３は前記従来のものと同−又は相当部分
で、以下説明は省略する。
図・第２図は本発明の一実施例によるベース・コレクタ
をショートしたラテラルＰＮＰＴｒで構成したダイオー
ドを示す平面図および断面図であシ、図において、図中
符号（１）〜α３は前記従来のものと同−又は相当部分
で、以下説明は省略する。
本実施例においてはアノード電極（２）のアルミ配線下
のコレクタ部のＰ型拡散を設けないようにしたので、エ
ミッターコレクタ間（ベース拡散間）にチャネルα滲は
発生しにくい。
のコレクタ部のＰ型拡散を設けないようにしたので、エ
ミッターコレクタ間（ベース拡散間）にチャネルα滲は
発生しにくい。
以上のようにこの発明によれば、アノード電極のアルミ
配線下にコレクタ部のＰ型拡散を設けない構造としたの
で、エミッターコレクタ間（ベース拡散間）にチャネル
が発生しにくくなり、従来のものよシ高耐圧の半導体装
置（ダイオード）が得られる効果がある。
配線下にコレクタ部のＰ型拡散を設けない構造としたの
で、エミッターコレクタ間（ベース拡散間）にチャネル
が発生しにくくなり、従来のものよシ高耐圧の半導体装
置（ダイオード）が得られる効果がある。
第１図、第２図はこの発明の一実施例による半導体装置
を示す平面図および第１図のト」線断面図、第３図はＰ
ＮＰＴｒのベース・コレクタをショートしたダイオード
の説明図、第４図、第５図は従来の半導体装置を示す平
面図および第４図の■−Ｖ線断面図、第６図は第５図の
一部を拡大してチャネルの発生部を示す説明図である。 図において、（１）はカソード電極、（２）はアノード
電極、（８）は分離拡散、（４）はベース拡散（コレク
タ用）、（５）はコレクタ電極用コンタクト部、（６）
はベース拡散（エミッタ用）、（γ）はエミッタ電極用
コンタクト部、（８）はエミッタ拡散、（９）はベース
電極用コンタクト部、（１０）は酸化膜、（１１）はＮ
型埋込層、（１２）はＰ型基板、（１３）はエピタキシ
ャル層を示す。 々お、図中、同一符号は同一 又は相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第３図 第４図
を示す平面図および第１図のト」線断面図、第３図はＰ
ＮＰＴｒのベース・コレクタをショートしたダイオード
の説明図、第４図、第５図は従来の半導体装置を示す平
面図および第４図の■−Ｖ線断面図、第６図は第５図の
一部を拡大してチャネルの発生部を示す説明図である。 図において、（１）はカソード電極、（２）はアノード
電極、（８）は分離拡散、（４）はベース拡散（コレク
タ用）、（５）はコレクタ電極用コンタクト部、（６）
はベース拡散（エミッタ用）、（γ）はエミッタ電極用
コンタクト部、（８）はエミッタ拡散、（９）はベース
電極用コンタクト部、（１０）は酸化膜、（１１）はＮ
型埋込層、（１２）はＰ型基板、（１３）はエピタキシ
ャル層を示す。 々お、図中、同一符号は同一 又は相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- ラテラルＰＮＰトランジスタのベース・コレクタをシ
ョートし、そのショートした端子とエミッタでダイオー
ドを構成する半導体装置において、アノード電極のアル
ミ配線下にコレクタ部のＰ型拡散を設けないようにした
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004744A JPH03209727A (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004744A JPH03209727A (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03209727A true JPH03209727A (ja) | 1991-09-12 |
Family
ID=11592424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004744A Pending JPH03209727A (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03209727A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01274469A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-02 | Fuji Electric Co Ltd | ダイオード |
-
1990
- 1990-01-11 JP JP2004744A patent/JPH03209727A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01274469A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-02 | Fuji Electric Co Ltd | ダイオード |
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