JPH03214793A - 印刷配線基板の製造方法 - Google Patents
印刷配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH03214793A JPH03214793A JP1002690A JP1002690A JPH03214793A JP H03214793 A JPH03214793 A JP H03214793A JP 1002690 A JP1002690 A JP 1002690A JP 1002690 A JP1002690 A JP 1002690A JP H03214793 A JPH03214793 A JP H03214793A
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- JP
- Japan
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- layer
- heat
- ceramic
- thermoplastic resin
- wiring board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は金属板を有する金属芯又は金属ベース印刷配線
基板に係り、特に放熱性に優れた印刷配線基板の製造方
法に関する。
基板に係り、特に放熱性に優れた印刷配線基板の製造方
法に関する。
〈従来の技術及びその課題）
近年電子機器の高密度化等に対応して、使用する印刷配
線基板への要求特性か高度化しつつある。
線基板への要求特性か高度化しつつある。
このような要求特性の一つとして、搭載した電子部品か
ら発生した熱を速やかに排除できるいわゆる放熱特性に
優れた基板か要求され、このような基板として金属板を
使用し、表面に熱伝導性に優れたセラミック層を形成し
たものが知られている。
ら発生した熱を速やかに排除できるいわゆる放熱特性に
優れた基板か要求され、このような基板として金属板を
使用し、表面に熱伝導性に優れたセラミック層を形成し
たものが知られている。
しかしながら、セラミック層には材料自体の特性として
内部に微細なボイドを包含しやすく絶縁特性にばらつき
を生じやすく、また層表面に凹凸があり、基板の最外層
表面に設ける回路形成用金属箔との均一な接合がなされ
にくいという問題があった。
内部に微細なボイドを包含しやすく絶縁特性にばらつき
を生じやすく、また層表面に凹凸があり、基板の最外層
表面に設ける回路形成用金属箔との均一な接合がなされ
にくいという問題があった。
本発明は、特に優れた放熱性を有する印刷配線基板が得
られる製造方法を提供することを目的としている。
られる製造方法を提供することを目的としている。
（課題を解決するための手段）
本発明はセラミック層の表面に耐熱性熱可塑性樹脂層を
特定の方法で積層一体化することにより上記問題点を解
消できることを見出しなものであり、その要旨とすると
ころは、 金属板の片面又は両面にセラミック粉末を溶射してセラ
ミック層を形成し、ついで該セラミック層表面に耐熱性
熱可塑性樹脂層と金属箔を順次載置した後、加熱加圧し
てセラミック層と耐熱性熱可塑性樹脂層とを圧縮しなが
ら積層一体化することを特徴とする印刷配線基板の製造
方法にある。
特定の方法で積層一体化することにより上記問題点を解
消できることを見出しなものであり、その要旨とすると
ころは、 金属板の片面又は両面にセラミック粉末を溶射してセラ
ミック層を形成し、ついで該セラミック層表面に耐熱性
熱可塑性樹脂層と金属箔を順次載置した後、加熱加圧し
てセラミック層と耐熱性熱可塑性樹脂層とを圧縮しなが
ら積層一体化することを特徴とする印刷配線基板の製造
方法にある。
本発明で製造する印刷配線基板は金属板の片面又は両面
に絶縁層を設けるとともに最外層に回路形成用の金属箔
を積層した構成のものであり、金属板としては、アルミ
ニウム、銅、亜鉛、鉄、ケイ素鋼、鉄一ニッケル合金等
からなり、通常０２〜５．０ｍｍ程度の厚さである。こ
の金属板は表面処理、例えばクロメート処理、サンドブ
ラスト、エッチングなどの処理を施したものが好ましい
。
に絶縁層を設けるとともに最外層に回路形成用の金属箔
を積層した構成のものであり、金属板としては、アルミ
ニウム、銅、亜鉛、鉄、ケイ素鋼、鉄一ニッケル合金等
からなり、通常０２〜５．０ｍｍ程度の厚さである。こ
の金属板は表面処理、例えばクロメート処理、サンドブ
ラスト、エッチングなどの処理を施したものが好ましい
。
また、上記絶縁層はセラミック層と耐熱性熱可塑性樹脂
層からなり、セラミック層はセラミック粉末を溶射法に
より形成する。セラミック粉末としては熱伝導性に優れ
、また溶射しやすいものが使用でき、例えばアルミナ、
ジルコン、クロミア等からなる粉末を単独又は混合して
使用できる。
層からなり、セラミック層はセラミック粉末を溶射法に
より形成する。セラミック粉末としては熱伝導性に優れ
、また溶射しやすいものが使用でき、例えばアルミナ、
ジルコン、クロミア等からなる粉末を単独又は混合して
使用できる。
セラミック粉末の平均粒径は５〜１００ＪＪ．ｍ程度の
ものが好適に使用できる。溶射の方法としてはプラズマ
溶射法等通常の方法により行なえはよい。
ものが好適に使用できる。溶射の方法としてはプラズマ
溶射法等通常の方法により行なえはよい。
上記溶射法により形成されるセラミック層の厚みとして
は１０〜５００μｍ程度が好ましく、１０μｍ未満では
均一なセラミック層を形成するのが困難であり、５００
μｍを越えるものでは金属板との線膨銀率の差によるス
ｌ〜レスを受けやすくセラミックの粒子間での破壊か起
こりやすい傾向がみられる。上記セラミック層表面には
耐熱性熱可塑性樹脂層と金属箔を順次載置する必要があ
る。
は１０〜５００μｍ程度が好ましく、１０μｍ未満では
均一なセラミック層を形成するのが困難であり、５００
μｍを越えるものでは金属板との線膨銀率の差によるス
ｌ〜レスを受けやすくセラミックの粒子間での破壊か起
こりやすい傾向がみられる。上記セラミック層表面には
耐熱性熱可塑性樹脂層と金属箔を順次載置する必要があ
る。
耐熱性熱可塑性樹脂としては流動開始温度が２００゜Ｃ
以上で、高周波特性に優れた樹脂が好適に使用できる。
以上で、高周波特性に優れた樹脂が好適に使用できる。
具体的には、ポリサルフォン、ポリフェニレンサルファ
イド、ポリエーテルエーテルゲ１〜ン、熱可塑性フッ素
樹脂、ポリエーテルイミド、ポリエ一テルサルフォン、
ポリアミドイミド、ポリフェニレンオキサイド等が挙げ
られる。
イド、ポリエーテルエーテルゲ１〜ン、熱可塑性フッ素
樹脂、ポリエーテルイミド、ポリエ一テルサルフォン、
ポリアミドイミド、ポリフェニレンオキサイド等が挙げ
られる。
上記の耐熱性熱可塑性樹脂層はフイルム状のものを使用
するのが好ましく、さらにガラス繊維布等を介在させて
もよい。
するのが好ましく、さらにガラス繊維布等を介在させて
もよい。
耐熱性熱可塑性樹脂層の厚さとしては２〜１００μｍ程
度が好ましく、２μｍ未満ではセラミック層との接着効
果が不十分であり、１００μｍを越えるものでは放熱性
に劣りやすい傾向がみちれる。
度が好ましく、２μｍ未満ではセラミック層との接着効
果が不十分であり、１００μｍを越えるものでは放熱性
に劣りやすい傾向がみちれる。
つぎに、上記方法で形成された絶縁層表面に金属箔を積
層する。金属箔としては電解＃ｌ箔、圧延鋼箔等が使用
できる。
層する。金属箔としては電解＃ｌ箔、圧延鋼箔等が使用
できる。
本発明では、セラミック層表面に上記耐熱性熱可塑性樹
脂層と金属箔を順次載置した後、加熱加圧してセラミッ
ク層と耐熱性熱可塑性樹脂層とを圧縮しながら積層一体
化する必要かあり、耐熱性熱可塑性樹脂の融点以上に加
熱加圧し絶縁層を圧縮しながら積層一体化することによ
り絶縁層の均一化が図れる。
脂層と金属箔を順次載置した後、加熱加圧してセラミッ
ク層と耐熱性熱可塑性樹脂層とを圧縮しながら積層一体
化する必要かあり、耐熱性熱可塑性樹脂の融点以上に加
熱加圧し絶縁層を圧縮しながら積層一体化することによ
り絶縁層の均一化が図れる。
５
以下本発明を実施例により説明する。
（実施例）
セラミック粉末としてアルミナ粉末（平均粒径３０μｍ
）を使用し、ショットブラスト法により表面を粗面化し
たアルミニウム板＜２５０ｍｍｘ２５０ｍｍＸ３ｍｍ厚
）の片面にプラズマ溶射法によりセラミック層を形成し
た（溶射後の層厚み８０μｍ）。つぎに耐熱性熱可塑性
樹脂層としてポリエーテルエーテルケトンフイルム（融
点３４０゜Ｃ、フイルム厚２５μｍ）を使用し、この耐
熱性熱可塑性樹脂層表面に電解銅箔（厚さ３５μｍ）を
載置し、３０分間熱プレスしな（プレス温度４ｏＯ℃、
フレス圧力１０Ｋｇ／ｃｄ）。
）を使用し、ショットブラスト法により表面を粗面化し
たアルミニウム板＜２５０ｍｍｘ２５０ｍｍＸ３ｍｍ厚
）の片面にプラズマ溶射法によりセラミック層を形成し
た（溶射後の層厚み８０μｍ）。つぎに耐熱性熱可塑性
樹脂層としてポリエーテルエーテルケトンフイルム（融
点３４０゜Ｃ、フイルム厚２５μｍ）を使用し、この耐
熱性熱可塑性樹脂層表面に電解銅箔（厚さ３５μｍ）を
載置し、３０分間熱プレスしな（プレス温度４ｏＯ℃、
フレス圧力１０Ｋｇ／ｃｄ）。
得られた基板（絶縁層厚みが１００μｍ）は表面凹凸が
なく平滑性に優れ、また絶縁層にはピンホールやボイド
の存在は認められないため、セラミック層の有する放熱
性を阻害することなく印刷配線基板としての品質に優れ
ていた。
なく平滑性に優れ、また絶縁層にはピンホールやボイド
の存在は認められないため、セラミック層の有する放熱
性を阻害することなく印刷配線基板としての品質に優れ
ていた。
〈発 明 の 効 果）
６
上述したように、本発明の製造方法によれば溶射法によ
ってセラミック層を形成することによる絶縁層の表面凹
凸やセラミック層内部に存在する微細なボイドやピンホ
ールを減少することができ、絶縁層を均一化できるので
放熱性や電気特性等の品質に優れた金属芯又は金属ベー
ス印刷配線基板が得られるという利点を有している。
ってセラミック層を形成することによる絶縁層の表面凹
凸やセラミック層内部に存在する微細なボイドやピンホ
ールを減少することができ、絶縁層を均一化できるので
放熱性や電気特性等の品質に優れた金属芯又は金属ベー
ス印刷配線基板が得られるという利点を有している。
７
Claims (1)
- 金属板の片面又は両面にセラミック粉末を溶射してセ
ラミック層を形成し、ついで該セラミック層表面に耐熱
性熱可塑性樹脂層と金属箔を順次載置した後、加熱加圧
してセラミック層と耐熱性熱可塑性樹脂層とを圧縮しな
がら積層一体化することを特徴とする印刷配線基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002690A JPH03214793A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 印刷配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002690A JPH03214793A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 印刷配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03214793A true JPH03214793A (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=11738888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1002690A Pending JPH03214793A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 印刷配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03214793A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004343035A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-12-02 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 放熱部品、回路基板および半導体装置 |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP1002690A patent/JPH03214793A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004343035A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-12-02 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 放熱部品、回路基板および半導体装置 |
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