JPH03217462A - 結晶変換によるチタニルフタロシアニンの製造方法 - Google Patents
結晶変換によるチタニルフタロシアニンの製造方法Info
- Publication number
- JPH03217462A JPH03217462A JP1442790A JP1442790A JPH03217462A JP H03217462 A JPH03217462 A JP H03217462A JP 1442790 A JP1442790 A JP 1442790A JP 1442790 A JP1442790 A JP 1442790A JP H03217462 A JPH03217462 A JP H03217462A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- titanyl phthalocyanine
- water
- ray diffraction
- titanyl
- crystalline state
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はチタニルフタ口シアニンの結晶構造を特定の有
用な形に変換するための方法に関するものである。
用な形に変換するための方法に関するものである。
電子写真感光体としては、古くからセレン、酸化亜鉛、
硫化カドミウム等の無機光導電性物質を主成分とする感
光層を設けた無機感光体が広く使用されてきたが、この
ような無機感光体は、例えばセレンは熱や指紋の汚れ等
によって結晶化するために特性が劣化しやすく、硫化カ
ドミウムは耐湿性、耐久性に劣り、酸化亜鉛もまた耐久
性に劣る等の問題かあって、近年は種々の利点を有する
有機光導電性物質が広く電子写真感光体に用いられるよ
うになってきた。なかでもフタロシアニン化合物は光電
変換の量子効率が高く、また近赤外領域まで高い分光感
度を示すため、特に半導体レーザ光源に対応する電子写
真感光体用として注目されてきた。
硫化カドミウム等の無機光導電性物質を主成分とする感
光層を設けた無機感光体が広く使用されてきたが、この
ような無機感光体は、例えばセレンは熱や指紋の汚れ等
によって結晶化するために特性が劣化しやすく、硫化カ
ドミウムは耐湿性、耐久性に劣り、酸化亜鉛もまた耐久
性に劣る等の問題かあって、近年は種々の利点を有する
有機光導電性物質が広く電子写真感光体に用いられるよ
うになってきた。なかでもフタロシアニン化合物は光電
変換の量子効率が高く、また近赤外領域まで高い分光感
度を示すため、特に半導体レーザ光源に対応する電子写
真感光体用として注目されてきた。
そのような目的に対して、銅フタ口シアニン、無金属フ
タ口シアニン、クロロインジウムフ夕口/アニン、クロ
ロガリウム7タ口シアニンなどを用いた電子写真感光体
が報告されているが、近年特にチタニルフタロシアニン
が注目されるようになり、例えは特開昭61−2392
48号、同62−670943号、同62−27227
2号、同63−116158号のようにチタニルフタロ
シアニンの種々の結晶型を用いた電子写真感光体が多く
技術公開されている。
タ口シアニン、クロロインジウムフ夕口/アニン、クロ
ロガリウム7タ口シアニンなどを用いた電子写真感光体
が報告されているが、近年特にチタニルフタロシアニン
が注目されるようになり、例えは特開昭61−2392
48号、同62−670943号、同62−27227
2号、同63−116158号のようにチタニルフタロ
シアニンの種々の結晶型を用いた電子写真感光体が多く
技術公開されている。
一般にフタ口シアニン化合物を電子写真感光体に用いる
場合、その結晶状態によって特性は著しく変化するため
結晶状態の制御が重要な技術となる。このためチタニル
フタロシアニンにおいても上述の公開公報に見られるよ
うに種々の結晶型のものが開発されている。前記のよう
に電子写真感光体としての特性は結晶型によって著しく
変化し、また製造条件によっても変化するため、電子写
真感光体用のチタニルフタロシアニンとしては高感度で
帯電能に優れた結晶型が必要であると同時にそれが安定
した状態で製造できることが必要である。そのような状
況のなかで、Cu−Ka線に対するX線回折スペクトル
の9.5±0.2゜、24.1±0.2゜、27.2±
0.2°にピークを示す結晶状態において、特に著しく
高い感度が達成されることが見いだされた。しかしなが
らこの特定の結晶状態は通常の溶媒処理やミリングでは
安定した製造をすることができなかった。
場合、その結晶状態によって特性は著しく変化するため
結晶状態の制御が重要な技術となる。このためチタニル
フタロシアニンにおいても上述の公開公報に見られるよ
うに種々の結晶型のものが開発されている。前記のよう
に電子写真感光体としての特性は結晶型によって著しく
変化し、また製造条件によっても変化するため、電子写
真感光体用のチタニルフタロシアニンとしては高感度で
帯電能に優れた結晶型が必要であると同時にそれが安定
した状態で製造できることが必要である。そのような状
況のなかで、Cu−Ka線に対するX線回折スペクトル
の9.5±0.2゜、24.1±0.2゜、27.2±
0.2°にピークを示す結晶状態において、特に著しく
高い感度が達成されることが見いだされた。しかしなが
らこの特定の結晶状態は通常の溶媒処理やミリングでは
安定した製造をすることができなかった。
一方芳香族炭化水素溶媒を用いて同様の結晶型に変換す
る方法がすでに知られている(特開昭6320365号
)。しかしながら、芳香族炭化水素溶媒を用いて得た結
晶型のチタニルフタロシアニンは、有機溶媒に分散した
とき、他の結晶型に変わりやすいという欠点を有してい
ることがわかった。
る方法がすでに知られている(特開昭6320365号
)。しかしながら、芳香族炭化水素溶媒を用いて得た結
晶型のチタニルフタロシアニンは、有機溶媒に分散した
とき、他の結晶型に変わりやすいという欠点を有してい
ることがわかった。
本発明の目的は、電子写真感光体に有用な、かつ有機溶
媒分散時にCu−Ka線に対するX線回折スペクトノレ
の9.5±0.2゜、24.1±0.2゜、27.2±
0.2°におけるピークを安定に示す結晶状態のチタニ
ルフタ口シアニンの製造法を提供することにある。
媒分散時にCu−Ka線に対するX線回折スペクトノレ
の9.5±0.2゜、24.1±0.2゜、27.2±
0.2°におけるピークを安定に示す結晶状態のチタニ
ルフタ口シアニンの製造法を提供することにある。
本発明の目的とする製造法はチタニルフタ口シアニンを
アモルファス状態もしくはその他の熱的に非平衡な結晶
状態にした後、水の存在下に性パラメータ値が8〜11
の範囲に属する芳香族アミン類有機溶媒で処理すること
によってえられる。
アモルファス状態もしくはその他の熱的に非平衡な結晶
状態にした後、水の存在下に性パラメータ値が8〜11
の範囲に属する芳香族アミン類有機溶媒で処理すること
によってえられる。
チタニルフタ口シアニンは次の一般式で表される。
一般式
但し、XI Xi X3 X4は水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基、或はアルコキシ基を表し、n,
m,ff1kは0〜4の整数を表す。
ゲン原子、アルキル基、或はアルコキシ基を表し、n,
m,ff1kは0〜4の整数を表す。
X線回折スペクトルは次の条件で測定され、ここでのピ
ークは、明瞭にノイズとは異なった鋭角の錐状突起であ
る。
ークは、明瞭にノイズとは異なった鋭角の錐状突起であ
る。
X線管球 Cu
電 圧 40.0
kV電 流 100
mAスタート角度 6.O deg.
ストップ角度 35.O deg.ステップ
角度 0 − 02 deg .測定時間
0.50 sec.本発明において、ア
モルファス状態とは、X線回折スペクトルにおいて全体
にピークがブロードであるか若しくはピークがみられな
い状態であり、例エばチタニルフタ口シアニンを硫酸に
溶解させた後、水中にあけて析出させることによって得
ることができる。この方法はアシッドペースト処理と呼
ばれるが、アシンドペースト処理によって得られたアモ
ルファスのチタニルフタロシアニンは一般に、X線回折
スペクトルの6〜8°の領域にピークをもつことが多い
。
kV電 流 100
mAスタート角度 6.O deg.
ストップ角度 35.O deg.ステップ
角度 0 − 02 deg .測定時間
0.50 sec.本発明において、ア
モルファス状態とは、X線回折スペクトルにおいて全体
にピークがブロードであるか若しくはピークがみられな
い状態であり、例エばチタニルフタ口シアニンを硫酸に
溶解させた後、水中にあけて析出させることによって得
ることができる。この方法はアシッドペースト処理と呼
ばれるが、アシンドペースト処理によって得られたアモ
ルファスのチタニルフタロシアニンは一般に、X線回折
スペクトルの6〜8°の領域にピークをもつことが多い
。
使用水量は広い範囲に選ぶことができる。水はチタニル
フタロシアニンの直ぐ近傍での濃度が重要であり、した
がってアシッドペースト処理直後のウェントペースト(
通常固形分濃度5〜50%)を用いた場合などは、チタ
ニルフタロシアニンの表面か水で潤されているため溶媒
全体量に対して非常に少量の水で十分となる。
フタロシアニンの直ぐ近傍での濃度が重要であり、した
がってアシッドペースト処理直後のウェントペースト(
通常固形分濃度5〜50%)を用いた場合などは、チタ
ニルフタロシアニンの表面か水で潤されているため溶媒
全体量に対して非常に少量の水で十分となる。
前記ウェットペーストを本発明に係る芳香族アミン類で
処理すれば、前記芳香族炭化水素溶媒を用いてえた本発
明と同様の結晶型のチタニルフタロ/アニンが、有機溶
媒分散時に他の結晶型に変り易いという欠点を示すこと
なく、チタニル7夕口シアニン分教塗布液の寿命を著し
く延すことができ、電子写真感光体の大幅なコストダウ
ンに成功した。
処理すれば、前記芳香族炭化水素溶媒を用いてえた本発
明と同様の結晶型のチタニルフタロ/アニンが、有機溶
媒分散時に他の結晶型に変り易いという欠点を示すこと
なく、チタニル7夕口シアニン分教塗布液の寿命を著し
く延すことができ、電子写真感光体の大幅なコストダウ
ンに成功した。
分敵液中での結晶安定化の機構については、芳香族アミ
ン類の微量残留による安定剤効果や、他の結晶型結晶の
結晶核発生抑制等が考えられるが、尚その機構に関して
は詳らかでない。
ン類の微量残留による安定剤効果や、他の結晶型結晶の
結晶核発生抑制等が考えられるが、尚その機構に関して
は詳らかでない。
本発明に係る溶媒としては、例えば、アニリン、N−メ
チルアニリン, N,N−ジメチルアニリン、N,Nジ
エチルアニリン、N,N−ジメチル一〇−トルイジン、
N,N−ジメチルーm一トルイジン、N,N−ジメチル
ーp一トルイジン、テトラヒドロキノリン、インドリン
、2−メチルインドリン、2,6−ジエチルアニリン、
0−タロルアニリン、2,3−キ/リジン、N,N−ジ
メチル1−アミノナフタレン、0−クミジン、0−アミ
ノベンノトリフルオライド、フェニレンジアミン、2,
5−ジメチルアニリンなどが挙げられる。
チルアニリン, N,N−ジメチルアニリン、N,Nジ
エチルアニリン、N,N−ジメチル一〇−トルイジン、
N,N−ジメチルーm一トルイジン、N,N−ジメチル
ーp一トルイジン、テトラヒドロキノリン、インドリン
、2−メチルインドリン、2,6−ジエチルアニリン、
0−タロルアニリン、2,3−キ/リジン、N,N−ジ
メチル1−アミノナフタレン、0−クミジン、0−アミ
ノベンノトリフルオライド、フェニレンジアミン、2,
5−ジメチルアニリンなどが挙げられる。
処理の方法としては一般的な撹拌装置で撹拌するもので
あるが、その他にホモミキサー ディスパーザ、アジタ
ー或はポールミル、サンドミル、アトライタ、超音波分
散装置等を用い機械的な力を利用することもできる。
あるが、その他にホモミキサー ディスパーザ、アジタ
ー或はポールミル、サンドミル、アトライタ、超音波分
散装置等を用い機械的な力を利用することもできる。
このようにして得られたチタニル7夕口シアニンは電子
写真感光体のキャリア発生物質として用いた時に特に優
れた特性を発揮する。そのような用途においては、まず
、チタニルフタロシアニンを適当な溶媒中にサンドミル
、ボールミル等を用いて分散し、導電性の支持体上に塗
布してキャリア発生層を形成し、その上にキャリア輸送
物質をバインダとともに溶媒に溶解した液を塗布してキ
ャリア輸送層を形成して電子写真感光体を作ることがで
きる。
写真感光体のキャリア発生物質として用いた時に特に優
れた特性を発揮する。そのような用途においては、まず
、チタニルフタロシアニンを適当な溶媒中にサンドミル
、ボールミル等を用いて分散し、導電性の支持体上に塗
布してキャリア発生層を形成し、その上にキャリア輸送
物質をバインダとともに溶媒に溶解した液を塗布してキ
ャリア輸送層を形成して電子写真感光体を作ることがで
きる。
次に本発明における具体的な実施例をしめす。
(チタニルフタロンアニンの合成)
1.3−ジイミノイソインドリン; 29.2gとσ−
クロルナフタレン; 200mf2を混合し、チタニウ
ムテトラブトキンド; 20.4gを加えて、窒素雰囲
気下に140〜150゜Cで2時間加熱し、続いて18
0゜Cで3時間反応させた。放冷した後析出物を濾取し
、αクロルナフタレンで洗浄、次いでクロロホルムで洗
浄し、さらに2%塩酸水溶液で洗浄、水洗、最後にメタ
ノール洗浄して、乾燥の後26.2g(91.0%)の
チタニル7夕口シアニンを得た。
クロルナフタレン; 200mf2を混合し、チタニウ
ムテトラブトキンド; 20.4gを加えて、窒素雰囲
気下に140〜150゜Cで2時間加熱し、続いて18
0゜Cで3時間反応させた。放冷した後析出物を濾取し
、αクロルナフタレンで洗浄、次いでクロロホルムで洗
浄し、さらに2%塩酸水溶液で洗浄、水洗、最後にメタ
ノール洗浄して、乾燥の後26.2g(91.0%)の
チタニル7夕口シアニンを得た。
(実施例1)
チタニルフタロンアニン;l00gを2kgの濃硫酸に
溶解し、20Qの水にあけて析出させて濾取し、アモル
ファス状態のウエントペーストを得た。
溶解し、20Qの水にあけて析出させて濾取し、アモル
ファス状態のウエントペーストを得た。
またこのウェットペーストの一部を乾燥させてアモルフ
ァス状態の乾燥粉を得た。乾燥粉のX線回折スペクトル
を第1図に示す。
ァス状態の乾燥粉を得た。乾燥粉のX線回折スペクトル
を第1図に示す。
アモルファス状態のウェソトペースト(固形分濃度10
%);I00gにN,N−ジメチルアニリン;200r
a(lを加え室温に8いて2時間撹拌した。その後メタ
ノール; 400mffで希釈して濾過しメタノールで
洗浄して乾燥し、第2図のX線回折パターンをもつ結晶
を得た。
%);I00gにN,N−ジメチルアニリン;200r
a(lを加え室温に8いて2時間撹拌した。その後メタ
ノール; 400mffで希釈して濾過しメタノールで
洗浄して乾燥し、第2図のX線回折パターンをもつ結晶
を得た。
(実施例2)
実施例lで月いたアモルファス状態のウェットペースト
;20gi:o−クロルアニリン; 200m(lを加
え、水冷下に1時間の撹拌を行った。メタノールで希釈
して濾過し、メタノール洗浄後乾燥して第3図のX線回
折パターンをもつ結晶を得た。
;20gi:o−クロルアニリン; 200m(lを加
え、水冷下に1時間の撹拌を行った。メタノールで希釈
して濾過し、メタノール洗浄後乾燥して第3図のX線回
折パターンをもつ結晶を得た。
(実施例3)
実施例lで得たアモルファス状態の乾燥粉1gにN,N
〜ジエチルアニリン; l00mffを加え、撹拌下に
水; l00ml2を滴下した後50°Cで3時間撹拌
した。
〜ジエチルアニリン; l00mffを加え、撹拌下に
水; l00ml2を滴下した後50°Cで3時間撹拌
した。
放冷の後メタノール; 400m4で希釈して濾過しメ
タノール洗浄して乾燥し、第4図の−X線回折パターン
をもつ結晶を得た。
タノール洗浄して乾燥し、第4図の−X線回折パターン
をもつ結晶を得た。
(比較例)
実施例1で用いたN,N−ジメチルアニリンを、クロル
ベンゼンにかえた他は、同様に処理を行い、第5図のX
線回折パターンをもつ結晶を得た。
ベンゼンにかえた他は、同様に処理を行い、第5図のX
線回折パターンをもつ結晶を得た。
(応用例)
実施例1で得た第2図のチタニル7タロンアニ7 :
9 cr fi 冫IJ ) − ンkid脂rKW−
5’)An. +Fi%キシ?ンーブタノール溶液」(
信越化学社製)の30gヲイソブロパノール; I00
ml2中にサンドミルを用いて分散し分散液■を得た。
9 cr fi 冫IJ ) − ンkid脂rKW−
5’)An. +Fi%キシ?ンーブタノール溶液」(
信越化学社製)の30gヲイソブロパノール; I00
ml2中にサンドミルを用いて分散し分散液■を得た。
これをアルミニウムを蒸着したポリエステルベース上に
ワイヤバーで塗布して厚さ0,3μmのキャリア発生層
を形成した。
ワイヤバーで塗布して厚さ0,3μmのキャリア発生層
を形成した。
次いで、その上にキャリア輸送物質としてN,N−ジエ
チルアミノーp−ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾ
ン; 1.2gとポリカーポネート樹脂「ユーピロンZ
−200J (三菱瓦斯化学社製);1.5gとを1,
2−ジクロルエタン; 10mffに溶かした液をブレ
ード塗布機で塗布して厚さ20μmのキャリア輸送層を
形成して、電子写真感光体とした。
チルアミノーp−ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾ
ン; 1.2gとポリカーポネート樹脂「ユーピロンZ
−200J (三菱瓦斯化学社製);1.5gとを1,
2−ジクロルエタン; 10mffに溶かした液をブレ
ード塗布機で塗布して厚さ20μmのキャリア輸送層を
形成して、電子写真感光体とした。
このようにして得られた感光体は、ペーパアナライザE
PA−8100 (川口電気社製)を用いて次のような
評価を行った。すなわち、表面に負のコロナ帯電を行っ
て約1200Vとし、5秒間の電位減衰率Dを求め、続
いて表面照度が2 (lux)となるような露光を行っ
て、表面電位を露光開始時の1/2値まで低下させるの
に必要な露光量El/■を求めた。
PA−8100 (川口電気社製)を用いて次のような
評価を行った。すなわち、表面に負のコロナ帯電を行っ
て約1200Vとし、5秒間の電位減衰率Dを求め、続
いて表面照度が2 (lux)となるような露光を行っ
て、表面電位を露光開始時の1/2値まで低下させるの
に必要な露光量El/■を求めた。
その結果、D=21%であり、E l72= 0.7(
lux−sec)?あって、帯電能、感度ともに優れた
特性を示した。
lux−sec)?あって、帯電能、感度ともに優れた
特性を示した。
(比較応用例)
応用例で用いた実施例lで得た第2図のチタニルフタ口
シアニンを、比較例で得た第5図のチタニルフタロシア
ニンにかえた他は、同様にして分散液■を得、感光体を
作成した。
シアニンを、比較例で得た第5図のチタニルフタロシア
ニンにかえた他は、同様にして分散液■を得、感光体を
作成した。
同様に評価した結果、D=25%,E17■一l.0(
lux−sec)であった。
lux−sec)であった。
(分散液の安定性)
応用例及び比較応用例で作成した、分散液■及び分散液
■を、作成後、密封保存し、経時でサンプリングして、
応用例と同様にして、D及びEl,。を測定した。結果
は、表−1のとおりで、分散液■のほうは1カ月で性能
が劣化してしまうのに対して、分散液■はl年後でも性
能が劣化しなかった。
■を、作成後、密封保存し、経時でサンプリングして、
応用例と同様にして、D及びEl,。を測定した。結果
は、表−1のとおりで、分散液■のほうは1カ月で性能
が劣化してしまうのに対して、分散液■はl年後でも性
能が劣化しなかった。
また、1カ月後の両液を乾燥後、X線回折スペクトルを
測定したところ、分散液■からのものは元のスペクトル
とほぼ同じであったが、分散液■からのものは、2θ−
26、2°に主ピークを持つスペクトルに変化し、他結
晶型へと変化していることかわかった。
測定したところ、分散液■からのものは元のスペクトル
とほぼ同じであったが、分散液■からのものは、2θ−
26、2°に主ピークを持つスペクトルに変化し、他結
晶型へと変化していることかわかった。
第1図はアモルファス状態のチタニルフタロシアニンの
X線回折図、第2図〜第4図は本発明に係るチタニルフ
タ口シアニンのX線回折図である。 第5図は比較試料のX線回折図である。
X線回折図、第2図〜第4図は本発明に係るチタニルフ
タ口シアニンのX線回折図である。 第5図は比較試料のX線回折図である。
Claims (1)
- 水の存在下に、アモルファスのチタニルフタロシアニン
を芳香族アミン類有機溶媒で処理することにより、Cu
−Kα線に対するX線回折スペクトルの9.5±0.2
゜、24.1±0.2゜、27.2±0.2゜にピーク
を示す結晶状態に変換することを特徴とするチタニルフ
タロシアニンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1442790A JPH03217462A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 結晶変換によるチタニルフタロシアニンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1442790A JPH03217462A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 結晶変換によるチタニルフタロシアニンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03217462A true JPH03217462A (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=11860726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1442790A Pending JPH03217462A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 結晶変換によるチタニルフタロシアニンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03217462A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09281719A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Mitsubishi Chem Corp | 電子写真感光体 |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP1442790A patent/JPH03217462A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09281719A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Mitsubishi Chem Corp | 電子写真感光体 |
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