JPH03218997A - ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 - Google Patents
ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法Info
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- JPH03218997A JPH03218997A JP34235789A JP34235789A JPH03218997A JP H03218997 A JPH03218997 A JP H03218997A JP 34235789 A JP34235789 A JP 34235789A JP 34235789 A JP34235789 A JP 34235789A JP H03218997 A JPH03218997 A JP H03218997A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、薄膜導波路型ＳＨＧ素子を始めとして、各種
光学材料に好適な膜厚のニオブ酸リチウムの製造方法に
関する。
光学材料に好適な膜厚のニオブ酸リチウムの製造方法に
関する。
（従来の技術）
近年の光応用技術の進展に伴って、レーザ光源の短波長
化が要求されている。
化が要求されている。
これは、短波長化により、記録密度、感光感度を向上さ
せることができるためであり、光ディスク、レーザプリ
ンタ等の光機器分野への応用が考えられる。
せることができるためであり、光ディスク、レーザプリ
ンタ等の光機器分野への応用が考えられる。
このため、入射するレーザ光の波長を１／２に変換でき
る第２高調波発生（ＳＨＧ）素子の研究が行なわれてき
た。
る第２高調波発生（ＳＨＧ）素子の研究が行なわれてき
た。
かかる、第２高調波発生（ＳＨＧ）素子としては、従来
高出力のガスレーザを光源として、非線形光学結晶のバ
ルク単結晶が用いられてきた。しかし、光ディスク装置
、レーザプリンタ等の装置を小型化する要求が強いこと
、ガスレーザは、光変調のため、外部に変調器が必要で
あるのに対して、半導体レーザは、変調器を必要とせず
、また安価であることなどのために、ガスレーザに代え
て半導体レーザが主として用いられるようになってきた
。
高出力のガスレーザを光源として、非線形光学結晶のバ
ルク単結晶が用いられてきた。しかし、光ディスク装置
、レーザプリンタ等の装置を小型化する要求が強いこと
、ガスレーザは、光変調のため、外部に変調器が必要で
あるのに対して、半導体レーザは、変調器を必要とせず
、また安価であることなどのために、ガスレーザに代え
て半導体レーザが主として用いられるようになってきた
。
このため、数ｍＷ〜数十ｍＷの低い光源出力で高い変換
効率を得る必要から、薄膜導波路型のＳＨＧ素子が必要
となってきた。
効率を得る必要から、薄膜導波路型のＳＨＧ素子が必要
となってきた。
このような薄膜導波路型ＳＨＧ素子用の非線形光学材料
としては、従来ニオブ酸リチウムバルク単結晶にＴｉ等
を拡散させることにより、屈折率を変化させた層を導波
路としたものや、タンタル酸リチウム基板上に高周波ス
パッタ法により形成させたニオブ酸リチウム薄膜を導波
路としたものなどが知られているが、何れも結晶性に優
れたニオブ酸リチウム薄膜を得ることが困難で、高い変
換効率を得ることができなかった。
としては、従来ニオブ酸リチウムバルク単結晶にＴｉ等
を拡散させることにより、屈折率を変化させた層を導波
路としたものや、タンタル酸リチウム基板上に高周波ス
パッタ法により形成させたニオブ酸リチウム薄膜を導波
路としたものなどが知られているが、何れも結晶性に優
れたニオブ酸リチウム薄膜を得ることが困難で、高い変
換効率を得ることができなかった。
ところで、結晶性に優れた単結晶薄膜を製造する方法と
して、液相エピタキシャル法が好適であると考えられる
。
して、液相エピタキシャル法が好適であると考えられる
。
ニオブ酸リチウム薄膜を得るための液相エピタキシャル
法としては、例えば、 １）Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ．ｔｅｒ
ｓ， Ｖｏｌ． ２６、Ｎｏ．ｌ，Ｊａｎｕａｒｙ １
９７５には、タンタル酸リチウムを基板として、Ｌ１，
０、Ｖ２０．をフラックスとして、液相エピタキシャル
成長法により光導波路用ニオブ酸リチウム薄膜を形成し
て、光を導波させた例が記載されている。
法としては、例えば、 １）Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ．ｔｅｒ
ｓ， Ｖｏｌ． ２６、Ｎｏ．ｌ，Ｊａｎｕａｒｙ １
９７５には、タンタル酸リチウムを基板として、Ｌ１，
０、Ｖ２０．をフラックスとして、液相エピタキシャル
成長法により光導波路用ニオブ酸リチウム薄膜を形成し
て、光を導波させた例が記載されている。
又、２）特公昭５１−９７２０号公報には、タンタル酸
リチウムを基板とし、Ｌｉ２Ｏ、■，０．をフラックス
として、液相エピタキシャル成長法により、光導波路用
ニオブ酸リチウム薄膜を形成する方法が記載されている
。
リチウムを基板とし、Ｌｉ２Ｏ、■，０．をフラックス
として、液相エピタキシャル成長法により、光導波路用
ニオブ酸リチウム薄膜を形成する方法が記載されている
。
更に、３）特公昭５６−４７１６０号公報には、Ｌｉ２
Ｏ、Ｖ３０．をフラックスとして、エピタキシャル成長
法により基板上に、Ｍｇを含有したニオブ酸リチウム・
タンタル酸リチウム固溶体薄膜単結晶を形成する方法が
記載されている。
Ｏ、Ｖ３０．をフラックスとして、エピタキシャル成長
法により基板上に、Ｍｇを含有したニオブ酸リチウム・
タンタル酸リチウム固溶体薄膜単結晶を形成する方法が
記載されている。
また、４）特公昭５６−１１６５０号公報には、Ｌｉ２
Ｏ、■，０．をフラックスとして、エピタキシャル成長
法により基板上に、ニオブ酸リチウム・タンタル酸リチ
ウム固溶体薄膜単結晶を形成する方法が記載されている
。
Ｏ、■，０．をフラックスとして、エピタキシャル成長
法により基板上に、ニオブ酸リチウム・タンタル酸リチ
ウム固溶体薄膜単結晶を形成する方法が記載されている
。
しかしながら、従来知られた液相エピタキシャル法では
、結晶性に優れたニオブ酸リチウム単結晶が、タンタル
酸リチウム基板上に得られないばかりでなく、特にＳＨ
Ｇ素子を製造するのに必要な膜厚のニオブ酸リチウム単
結晶を得ることが困難であり、薄膜導波路型のＳＨＧ素
子が実用化されたという例は知られていない。
、結晶性に優れたニオブ酸リチウム単結晶が、タンタル
酸リチウム基板上に得られないばかりでなく、特にＳＨ
Ｇ素子を製造するのに必要な膜厚のニオブ酸リチウム単
結晶を得ることが困難であり、薄膜導波路型のＳＨＧ素
子が実用化されたという例は知られていない。
前記薄膜導波路型のＳＨＧ素子を製造するのに必要な膜
厚とは、すなわち入射させるレーザ光と第２高調波との
位相整合を行なうため、波長λの基本波長光と波長λ／
２の第２高調波との実効屈折率を一致させることのでき
る膜厚のことであり、特にタンタル酸リチウム基板上に
形成させたニオブ酸リチウム単結晶薄膜を用いて、半導
体レーザ用ＳＨＧ素子を作成する場合、実効屈折率を一
致させるためには、研磨により除去される分を考慮する
と、５μｍ以上の厚さのニオブ酸リチウム薄膜が必要で
ある。
厚とは、すなわち入射させるレーザ光と第２高調波との
位相整合を行なうため、波長λの基本波長光と波長λ／
２の第２高調波との実効屈折率を一致させることのでき
る膜厚のことであり、特にタンタル酸リチウム基板上に
形成させたニオブ酸リチウム単結晶薄膜を用いて、半導
体レーザ用ＳＨＧ素子を作成する場合、実効屈折率を一
致させるためには、研磨により除去される分を考慮する
と、５μｍ以上の厚さのニオブ酸リチウム薄膜が必要で
ある。
（発明が解決しようとする課題）
以上のように、これまではタンタル酸リチウム基板上に
ＳＨＧ素子の光学デバイスを作成するために必要な膜厚
のニオブ酸リチウム単結晶薄膜を実用的に製造する方法
はなかった。
ＳＨＧ素子の光学デバイスを作成するために必要な膜厚
のニオブ酸リチウム単結晶薄膜を実用的に製造する方法
はなかった。
そこで、本発明者等は種々研究した結果、このような問
題が生ずるのは、ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の格子定
数が、タンタル酸リチウム基板の格子定数より小さく、
液相エピタキシャル成長の結果、得られたニオブ酸リチ
ウム単結晶薄膜の結晶格子に歪が発生するからであると
考え、これを解決するために、タンタル酸リチウム基板
の格子定数とニオブ酸リチウム単結晶薄膜の格子定数を
近付ければよいことに想達した。
題が生ずるのは、ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の格子定
数が、タンタル酸リチウム基板の格子定数より小さく、
液相エピタキシャル成長の結果、得られたニオブ酸リチ
ウム単結晶薄膜の結晶格子に歪が発生するからであると
考え、これを解決するために、タンタル酸リチウム基板
の格子定数とニオブ酸リチウム単結晶薄膜の格子定数を
近付ければよいことに想達した。
本発明者等は、ニオブ酸リチウム単結晶にナトリウムと
マグネシウムを含有させることにより、ニオブ酸リチウ
ム単結晶の光損傷（強い光を照射すると結晶の屈折率が
変化すること）を防止して、なお且つ、ニオブ酸リチウ
ム基板の格子定数を調整してタンタル酸リチウム基板の
格子定数に整合（格子整合）させ、Ｓ｝ＩＧ素子などの
光学デバイスを作成するために必要な膜厚のニオブ酸リ
チウム単結晶を実用的に製造できることができることを
全く新規に知見し、本発明を完成するに至った。
マグネシウムを含有させることにより、ニオブ酸リチウ
ム単結晶の光損傷（強い光を照射すると結晶の屈折率が
変化すること）を防止して、なお且つ、ニオブ酸リチウ
ム基板の格子定数を調整してタンタル酸リチウム基板の
格子定数に整合（格子整合）させ、Ｓ｝ＩＧ素子などの
光学デバイスを作成するために必要な膜厚のニオブ酸リ
チウム単結晶を実用的に製造できることができることを
全く新規に知見し、本発明を完成するに至った。
ただ、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏ
ｗｔｈ ５４（１９８１）５７２−５７６に、ニオブ酸
リチウムにナトリウムを添加し、液相エピタキシャル成
長法にょりＹ一カットのニオブ酸リチウム基板上に膜厚
２ｏμｍのナトリウム含有ニオブ酸リチウム薄膜単結晶
を形成した例が記載されている。
ｗｔｈ ５４（１９８１）５７２−５７６に、ニオブ酸
リチウムにナトリウムを添加し、液相エピタキシャル成
長法にょりＹ一カットのニオブ酸リチウム基板上に膜厚
２ｏμｍのナトリウム含有ニオブ酸リチウム薄膜単結晶
を形成した例が記載されている。
また、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏ
ｗｔｈ ８４（１９８７）４０２−４１２にはニオブ酸
リチウムにナトリウムを添加し、液相エピタキシャル成
長法にょりＹカットのタンタル酸リチウム基板上にナト
リウム含有ニオブ酸リチウム薄膜単結晶を形成した例が
記載されている。
ｗｔｈ ８４（１９８７）４０２−４１２にはニオブ酸
リチウムにナトリウムを添加し、液相エピタキシャル成
長法にょりＹカットのタンタル酸リチウム基板上にナト
リウム含有ニオブ酸リチウム薄膜単結晶を形成した例が
記載されている。
しかし、これらの文献にはナトリウム含有によりニオブ
酸リチウム単結晶の格子定数が変化することは記載され
ているものの、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔ
ｉｃ Ｗａｖｅ）デバイスに関する技術であり、光学特
性やタンタル酸リチウム基板と格子整合させると光学特
性に優れた膜が得られることについては何ら記載されて
いない。又これらの文献に示されたニオブ酸リチウム単
結晶薄膜はＳＡｉｉｌデバイス用であり、前者の文献に
記載された薄膜は基板にニオブ酸リチウムを用いること
、又後者の文献に記載の薄膜は、タンタル酸リチウム基
板に形成させているものの薄膜と基板との格子整合がな
されていないなどにより、何れも本願の目的とする光学
材料としては使用することができない。
酸リチウム単結晶の格子定数が変化することは記載され
ているものの、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔ
ｉｃ Ｗａｖｅ）デバイスに関する技術であり、光学特
性やタンタル酸リチウム基板と格子整合させると光学特
性に優れた膜が得られることについては何ら記載されて
いない。又これらの文献に示されたニオブ酸リチウム単
結晶薄膜はＳＡｉｉｌデバイス用であり、前者の文献に
記載された薄膜は基板にニオブ酸リチウムを用いること
、又後者の文献に記載の薄膜は、タンタル酸リチウム基
板に形成させているものの薄膜と基板との格子整合がな
されていないなどにより、何れも本願の目的とする光学
材料としては使用することができない。
又、米国特許４０９３７８１号には、リチウムフェライ
ト膜を基板上に液相エピタキシャル成長法で形成する際
、リチウムをナトリウムで置換し、格子定数を基板に近
づけ、歪のないリチウムフェライト膜を形成する方法が
記載されている。
ト膜を基板上に液相エピタキシャル成長法で形成する際
、リチウムをナトリウムで置換し、格子定数を基板に近
づけ、歪のないリチウムフェライト膜を形成する方法が
記載されている。
しかしながら、これは、リチウムフェライトに関する技
術であって、本願の目的とする光学材料用として使用す
ることはできない。
術であって、本願の目的とする光学材料用として使用す
ることはできない。
（課題を解決するための手段）
本発明は、溶融体にタンタル酸リチウム基板を接触させ
、エピタキシャル成長により、ニオブ酸リチウム単結晶
薄膜を育成させる方法であって、溶融体トシテ、主トＬ
，テＬｉ，０、■，０．、Ｎｂ，０，、Ｎａ，０、Ｍｇ
Ｏからなり、Ｎａ，０とＭｇＯを除いた前記Ｌｉ，０、
ｖ２０，、Ｎｂ，０，（７）組成範囲が、Ｌｉ２Ｏ−Ｖ
２Ｏ，−Ｎｂ２Ｏ．（７）３？分系の三角図において、
Ａ（８８．９０， ２．２２， ８．８８）、Ｂ（５５
．００， ４３．００； ２．００）、Ｃ（４６，５０
， ５１．５０， ２．００）、Ｄ（３７．５０， ５
．００， ５７．５０）の４組成点で囲まれる領域で示
される組成割合にあるものを用い、ニオブ酸リチウム単
結晶薄膜のａ軸の格子定数とタンタル酸リチウム基板の
ａ軸の格子定数を整合させることを特徴とするニオブ酸
リチウム単結晶薄膜の製造方法からなる。
、エピタキシャル成長により、ニオブ酸リチウム単結晶
薄膜を育成させる方法であって、溶融体トシテ、主トＬ
，テＬｉ，０、■，０．、Ｎｂ，０，、Ｎａ，０、Ｍｇ
Ｏからなり、Ｎａ，０とＭｇＯを除いた前記Ｌｉ，０、
ｖ２０，、Ｎｂ，０，（７）組成範囲が、Ｌｉ２Ｏ−Ｖ
２Ｏ，−Ｎｂ２Ｏ．（７）３？分系の三角図において、
Ａ（８８．９０， ２．２２， ８．８８）、Ｂ（５５
．００， ４３．００； ２．００）、Ｃ（４６，５０
， ５１．５０， ２．００）、Ｄ（３７．５０， ５
．００， ５７．５０）の４組成点で囲まれる領域で示
される組成割合にあるものを用い、ニオブ酸リチウム単
結晶薄膜のａ軸の格子定数とタンタル酸リチウム基板の
ａ軸の格子定数を整合させることを特徴とするニオブ酸
リチウム単結晶薄膜の製造方法からなる。
（作用）
本発明によれば、タンタル酸リチウム基板上にニオブ酸
リチウム単結晶薄膜を析出させる際、エピタキシャル成
長法に用いる溶融体として、主とシテ、Ｌ１１０、Ｖ２
Ｏ■Ｎｂ．Ｏ，、Ｎａ２Ｏ， ＭｇＯがらなり、Ｎａ２
ＯとＭｇＯを除いた前記Ｌｉ，Ｑ、Ｖ， Ｏ，、Ｎｂ２
Ｏ．の組成範囲が、Ｌｉ ， Ｏ−Ｖ， Ｏ， −Ｎｂ
， Ｏ，の３成分系の三角図におイテ、Ａ（８８．９０
， ’２．２２， ８．８８）、Ｂ（５５．００， ４
３．００，２．００）、Ｃ（４６．５０， ５］．５０
， ２．００）、Ｄ（３７．５０， ５，００，５７．
５０）の４組成点で囲まれる領域で示される組成割合に
あるものを用いることにより、ニオブ酸リチウム単結晶
薄膜のａ軸の格子定数とタンタル酸リチウム基板のａ軸
の格子定数を整合させることが必要である。
リチウム単結晶薄膜を析出させる際、エピタキシャル成
長法に用いる溶融体として、主とシテ、Ｌ１１０、Ｖ２
Ｏ■Ｎｂ．Ｏ，、Ｎａ２Ｏ， ＭｇＯがらなり、Ｎａ２
ＯとＭｇＯを除いた前記Ｌｉ，Ｑ、Ｖ， Ｏ，、Ｎｂ２
Ｏ．の組成範囲が、Ｌｉ ， Ｏ−Ｖ， Ｏ， −Ｎｂ
， Ｏ，の３成分系の三角図におイテ、Ａ（８８．９０
， ’２．２２， ８．８８）、Ｂ（５５．００， ４
３．００，２．００）、Ｃ（４６．５０， ５］．５０
， ２．００）、Ｄ（３７．５０， ５，００，５７．
５０）の４組成点で囲まれる領域で示される組成割合に
あるものを用いることにより、ニオブ酸リチウム単結晶
薄膜のａ軸の格子定数とタンタル酸リチウム基板のａ軸
の格子定数を整合させることが必要である。
本発明においてタンタル酸リチウムを基板として用いる
理由は、前記タンタル酸リチウム基板の結晶系が、ニオ
ブ酸リチウム単結晶に類似しておりエピタキシャル成長
させやすく、更に前記タンタル酸リチウム基板は市販さ
れているため、品質のよいものが安定して入手できるか
らである。
理由は、前記タンタル酸リチウム基板の結晶系が、ニオ
ブ酸リチウム単結晶に類似しておりエピタキシャル成長
させやすく、更に前記タンタル酸リチウム基板は市販さ
れているため、品質のよいものが安定して入手できるか
らである。
又、前記タンタル酸リチウム基板としては、種々の元素
を含有させたもの、あるいは表面を化学エッチングした
ものなどを用いることができる。
を含有させたもの、あるいは表面を化学エッチングした
ものなどを用いることができる。
前記溶融体として、Ｌｉ２Ｏ、ｖ３０．、Ｎｂ２Ｏ，、
Ｎａ， Ｏ、ＭｇＯが必要な理由を以下に説明する。
Ｎａ， Ｏ、ＭｇＯが必要な理由を以下に説明する。
前記Ｌｉ２Ｏ， Ｖ２Ｏ，はフラックスとして作用して
、ニオブ酸リチウム単結晶の液相エピタキシャル成長を
実現できる。
、ニオブ酸リチウム単結晶の液相エピタキシャル成長を
実現できる。
又、前記Ｎａ，０、ＭｇＯを溶融体成分として用いるこ
とにより、ナトリウムとマグネシウムをニオブ酸リチウ
ム単結晶薄膜中に含有させることができる。
とにより、ナトリウムとマグネシウムをニオブ酸リチウ
ム単結晶薄膜中に含有させることができる。
前記ナトリウムとマグネシウムをニオブ酸リチウム単結
晶薄膜に含有させることにより、ニオブ酸リチウム単結
晶薄膜のａ軸の格子定数を大きくすることができるため
、ナトリウムとマグネシウムの組成を調整することによ
り、ニオブ酸リチウム単結晶薄膜のａ軸の格子定数を、
タンタル酸リチウム基板のａ軸の格子定数に合わせるこ
とができ、厚い膜厚を有し、光学的特性に優れたニオブ
酸リチウム単結晶薄膜を得ることができる。
晶薄膜に含有させることにより、ニオブ酸リチウム単結
晶薄膜のａ軸の格子定数を大きくすることができるため
、ナトリウムとマグネシウムの組成を調整することによ
り、ニオブ酸リチウム単結晶薄膜のａ軸の格子定数を、
タンタル酸リチウム基板のａ軸の格子定数に合わせるこ
とができ、厚い膜厚を有し、光学的特性に優れたニオブ
酸リチウム単結晶薄膜を得ることができる。
一般に、ニオブ酸リチウムのａ軸の格子定数は、タンタ
ル酸リチウムのａ軸の格子定数より小さいため、タンタ
ル酸リチウム基板とニオブ酸リチウム単結晶薄膜のａ軸
の格子定数を合わせるためには、ニオブ酸リチウムのａ
軸の格子定数を大きくすることが望ましい。
ル酸リチウムのａ軸の格子定数より小さいため、タンタ
ル酸リチウム基板とニオブ酸リチウム単結晶薄膜のａ軸
の格子定数を合わせるためには、ニオブ酸リチウムのａ
軸の格子定数を大きくすることが望ましい。
ナトリウムとマグネシウムを同時に含有させる理由は、
マグネシウムのみではタンタル酸リチウム基板とニオブ
酸リチウム単結晶薄膜を格子整合させることができず、
又ナトリウムのみでは、格子整合は可能であるが、光損
傷を防止することができないからである。
マグネシウムのみではタンタル酸リチウム基板とニオブ
酸リチウム単結晶薄膜を格子整合させることができず、
又ナトリウムのみでは、格子整合は可能であるが、光損
傷を防止することができないからである。
マグネシウムには光損傷を防止する効果があるため、光
学材料には好適である。
学材料には好適である。
前記ナトリウム、マグネシウムがニオブ酸リチウム単結
晶薄膜中に含有されることにより、ａ軸の格子定数が大
きくなるが、これは、ナトリウムとマグネシウムのイオ
ン或いは原子が、ニオブ酸リチウム結晶格子にドーブさ
れるか、或いはニオブ酸リチウム結晶格子を構成するイ
オン或いは原子と置換されることに起因する。
晶薄膜中に含有されることにより、ａ軸の格子定数が大
きくなるが、これは、ナトリウムとマグネシウムのイオ
ン或いは原子が、ニオブ酸リチウム結晶格子にドーブさ
れるか、或いはニオブ酸リチウム結晶格子を構成するイ
オン或いは原子と置換されることに起因する。
又、本発明におけるＮａ２ＯとＭｇＯを除いたＬｉ２Ｏ
，■．０．、Ｎｂ２Ｏ，（７）組成範囲トＬ テＬｉ２
Ｏ−Ｖ２Ｏ．−Ｎｂ２Ｏ， （７）３成分系の三角図に
おいて、Ａ（８８．９０， ２．２２， ８．８８）、
Ｂ（５５．００， ４３．００， ２．００）、Ｃ（４
６．５０， ５１．５０， ２．００）、Ｄ（３７，５
０， ５．００， ５７．５０）の４組成点で囲まれる
領域で示される組成割合が必要とされる理由は、この範
囲で得られるニオブ酸リチウム薄膜の光学的特性が優れ
ており、なかでも光伝搬損失が低く、良質なニオブ酸リ
チウム単結晶薄膜を得る二とができるからである。
，■．０．、Ｎｂ２Ｏ，（７）組成範囲トＬ テＬｉ２
Ｏ−Ｖ２Ｏ．−Ｎｂ２Ｏ， （７）３成分系の三角図に
おいて、Ａ（８８．９０， ２．２２， ８．８８）、
Ｂ（５５．００， ４３．００， ２．００）、Ｃ（４
６．５０， ５１．５０， ２．００）、Ｄ（３７，５
０， ５．００， ５７．５０）の４組成点で囲まれる
領域で示される組成割合が必要とされる理由は、この範
囲で得られるニオブ酸リチウム薄膜の光学的特性が優れ
ており、なかでも光伝搬損失が低く、良質なニオブ酸リ
チウム単結晶薄膜を得る二とができるからである。
前記、Ｌ１２０、Ｖ１０．、Ｎｂ，０，の組成範囲は、
更に、Ｌｉ，０−Ｖ，０，−Ｎｂ，０， （７）３成分
系ノ三角図ニおイテ、Ｅ（６９．８５， ２１．３３，
８．８２）、Ｆ（４９．９５， ４５．０２， ５．
０３）、Ｇ（４４．１３， １６．７６， ３９．１１
）、Ｈ（５４．７２， １１，１２， ３４．１６）の
４組成点で囲まれる領域で示される組成割合であること
が好ましく、ＬｉオＯ−Ｖオ０，−Ｎｂ，０，の３成分
系の三角図において、Ｉ（５７．４３， ３５，０５，
７．５２）、Ｊ（４９．９５， ４２．５３， ７．
５２）、Ｋ（４７．３６， ２６．３２， ２６．３２
）、Ｌ（５６．３８， １７．９１， ２５．７１）の
４組成点で囲まれる領域で示される組成割合であること
が好適である。
更に、Ｌｉ，０−Ｖ，０，−Ｎｂ，０， （７）３成分
系ノ三角図ニおイテ、Ｅ（６９．８５， ２１．３３，
８．８２）、Ｆ（４９．９５， ４５．０２， ５．
０３）、Ｇ（４４．１３， １６．７６， ３９．１１
）、Ｈ（５４．７２， １１，１２， ３４．１６）の
４組成点で囲まれる領域で示される組成割合であること
が好ましく、ＬｉオＯ−Ｖオ０，−Ｎｂ，０，の３成分
系の三角図において、Ｉ（５７．４３， ３５，０５，
７．５２）、Ｊ（４９．９５， ４２．５３， ７．
５２）、Ｋ（４７．３６， ２６．３２， ２６．３２
）、Ｌ（５６．３８， １７．９１， ２５．７１）の
４組成点で囲まれる領域で示される組成割合であること
が好適である。
本発明におけるＮａ２Ｏの組成割合として、モル比でＮ
ａ２Ｏ／Ｌｉ２Ｏが、２．０７９８． ０ 〜９３．
５７６．５を満たす範囲であることが必要である理由は
、前記モル比の範囲からＮａ２Ｏの割合が外れる場合、
ニオブ酸リチウム単結晶薄．膜とタンタル酸リチウム基
板を格子整合させることができないからである。
ａ２Ｏ／Ｌｉ２Ｏが、２．０７９８． ０ 〜９３．
５７６．５を満たす範囲であることが必要である理由は
、前記モル比の範囲からＮａ２Ｏの割合が外れる場合、
ニオブ酸リチウム単結晶薄．膜とタンタル酸リチウム基
板を格子整合させることができないからである。
前記、Ｎａ２Ｏの組成割合として、モル比でＮａ２Ｏ／
Ｌｉ２Ｏが、７．４７９２．６〜８０．０／２０．０を
満たす範囲であることが好ましく、１６．７７８３．３
〜４８．４７５１，６を満たす範囲であることが好適で
ある。
Ｌｉ２Ｏが、７．４７９２．６〜８０．０／２０．０を
満たす範囲であることが好ましく、１６．７７８３．３
〜４８．４７５１，６を満たす範囲であることが好適で
ある。
又、ＭｇＯの組成割合として、モル比でＭｇＯ／ニオブ
酸リチウムが、０． １／９９，９ 〜２５，０／７５
， Ｏを満たす組成範囲であることが望ましい。前記ニ
オブ酸リチウムとは溶融体組成から析出可能なニオブ酸
リチウムの理論量を意味する。
酸リチウムが、０． １／９９，９ 〜２５，０／７５
， Ｏを満たす組成範囲であることが望ましい。前記ニ
オブ酸リチウムとは溶融体組成から析出可能なニオブ酸
リチウムの理論量を意味する。
この理由は、前記範囲よりＭｇＯの割合が低い場合は、
Ｍｇの光損傷防止効果が不充分で、前記範囲よりＭｇＯ
の割合が高い場合は、ニオブ酸マグネシウムの結晶が析
出して、ニオブ酸リチウム単結晶薄膜が得られないから
である。
Ｍｇの光損傷防止効果が不充分で、前記範囲よりＭｇＯ
の割合が高い場合は、ニオブ酸マグネシウムの結晶が析
出して、ニオブ酸リチウム単結晶薄膜が得られないから
である。
更に、ＭｇＯの組成割合として、モル比でＭｇＯ ／ニ
オブ酸リチウムが、０．７７１００〜９．０７１００を
満たす範囲であることが好ましく、３．５７１００ 〜
６．０７１００を満たす範囲であることが好適である。
オブ酸リチウムが、０．７７１００〜９．０７１００を
満たす範囲であることが好ましく、３．５７１００ 〜
６．０７１００を満たす範囲であることが好適である。
本発明における原料組成物は、その酸化物として組成割
合が前記組成範囲内になるように選択されるが、原料成
分としては酸化物、もしくは加熱により酸化物に変化す
る化合物が望ましく、例えば、Ｎａ，ＣＯ，， Ｎｂｌ
ｌＯ，、Ｌｉ，Ｃｏ，、■．０．、ＭｇＯ％ＮａＶＯ，
、ＮａＮｂＯ，、ＬｉＶＯ．、ＬｉＮｂＯ，の組成物な
どが挙げられる。
合が前記組成範囲内になるように選択されるが、原料成
分としては酸化物、もしくは加熱により酸化物に変化す
る化合物が望ましく、例えば、Ｎａ，ＣＯ，， Ｎｂｌ
ｌＯ，、Ｌｉ，Ｃｏ，、■．０．、ＭｇＯ％ＮａＶＯ，
、ＮａＮｂＯ，、ＬｉＶＯ．、ＬｉＮｂＯ，の組成物な
どが挙げられる。
前記原料成分は、６００〜１３００℃で加熱溶融される
ことが望ましい。又、前記加熱溶融は、空気雰囲気化或
いは酸化雰囲気化で行なうことが望ましい。
ことが望ましい。又、前記加熱溶融は、空気雰囲気化或
いは酸化雰囲気化で行なうことが望ましい。
本発明によれば、前記溶融体を過冷却状態とした後、タ
ンタル酸リチウム基板を接触させ、育成させることが望
ましい。
ンタル酸リチウム基板を接触させ、育成させることが望
ましい。
前記溶融体を過冷却状態とするための冷却速度は、０．
５〜３００℃１時であることが望ましい。
５〜３００℃１時であることが望ましい。
前記育成のための温度は、６００〜１２５０℃であるこ
とが望ましい。この理由はニオブ酸リチウムの融点が１
２５０℃であり、これ以上の温度では、結晶が析出せず
、又、６００℃は、溶融剤（Ｌｉ２Ｏ−Ｖ２Ｏ．）の融
点であるため、これより低い温度では、原料を溶融体と
することができないためである。
とが望ましい。この理由はニオブ酸リチウムの融点が１
２５０℃であり、これ以上の温度では、結晶が析出せず
、又、６００℃は、溶融剤（Ｌｉ２Ｏ−Ｖ２Ｏ．）の融
点であるため、これより低い温度では、原料を溶融体と
することができないためである。
本発明においては、ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の成長
面として、タンタル酸リチウム基板の（０００１）面を
使用することが望ましい。
面として、タンタル酸リチウム基板の（０００１）面を
使用することが望ましい。
前記タンタル酸リチウム基板の（０００１）面とは、タ
ンタル酸リチウムのＣ軸に垂直な面を指す。ニオブ酸リ
チウム単結晶薄膜の成長面として、タンタル酸リチウム
基板の（０００１）面を使用することが望ましい理由は
、前記タンタル酸リチウムは、結晶構造が六方晶（第１
図参照）であり、前記（０００１）面はａ軸のみで構成
されるため、前記（０００１）面を成長面とすることで
、ニオブ酸リチウム単結晶薄膜のａ軸の格子定数を変え
るだけで、格子整合させることができるからである。
ンタル酸リチウムのＣ軸に垂直な面を指す。ニオブ酸リ
チウム単結晶薄膜の成長面として、タンタル酸リチウム
基板の（０００１）面を使用することが望ましい理由は
、前記タンタル酸リチウムは、結晶構造が六方晶（第１
図参照）であり、前記（０００１）面はａ軸のみで構成
されるため、前記（０００１）面を成長面とすることで
、ニオブ酸リチウム単結晶薄膜のａ軸の格子定数を変え
るだけで、格子整合させることができるからである。
また、本発明においては、前記ニオブ酸リチウム単結晶
薄膜の格子定数（ａ軸）を前記ニオブ酸リチウム単結晶
薄膜の格子定数（ａ軸）は、前記タンタル酸リチウム基
板の９９．８１〜１００．０７％にすることが望ましい
。
薄膜の格子定数（ａ軸）を前記ニオブ酸リチウム単結晶
薄膜の格子定数（ａ軸）は、前記タンタル酸リチウム基
板の９９．８１〜１００．０７％にすることが望ましい
。
前記格子定数の範囲を外れた場合、タンタル酸リチウム
基板とニオブ酸リチウム単結晶薄膜のａ軸の格子の相違
が大きくなり、光学材料として使用可能な光学特性に優
れたニオブ酸リチウム単結晶薄膜を充分に厚く形成する
ことができないからである。
基板とニオブ酸リチウム単結晶薄膜のａ軸の格子の相違
が大きくなり、光学材料として使用可能な光学特性に優
れたニオブ酸リチウム単結晶薄膜を充分に厚く形成する
ことができないからである。
さらに前記ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の格子定数（ａ
軸）は、前記タンタル酸リチウム基板の９９．９２〜１
００．０３％にすることが好適である。
軸）は、前記タンタル酸リチウム基板の９９．９２〜１
００．０３％にすることが好適である。
前記タンタル酸リチウム基板のａ軸の格子定数が、５．
１５３８人の場合、ニオブ酸リチウム単結晶のａ軸の格
子定数は，５．１５０〜５，１５５Ａの範囲が好適であ
る。
１５３８人の場合、ニオブ酸リチウム単結晶のａ軸の格
子定数は，５．１５０〜５，１５５Ａの範囲が好適であ
る。
前記育成の際には、タンタル酸リチウム基板を回転させ
ることが望ましい。これは、タンタル酸リチウム基板を
回転させることにより、特性及び膜厚が、均一な結晶が
できるからである。
ることが望ましい。これは、タンタル酸リチウム基板を
回転させることにより、特性及び膜厚が、均一な結晶が
できるからである。
又、前記タンタル酸リチウム基板は、少なくとも片面は
、光学研磨されていることが望ましい。
、光学研磨されていることが望ましい。
本発明においてはタンタル酸リチウム基板と溶融体との
接触時間、溶融体の温度を適当に選択することにより、
タンタル酸リチウム基板上に析出するニオブ酸リチウム
基板上に析出するニオブ酸リチウム単結晶薄膜の厚みを
制御することができる。
接触時間、溶融体の温度を適当に選択することにより、
タンタル酸リチウム基板上に析出するニオブ酸リチウム
基板上に析出するニオブ酸リチウム単結晶薄膜の厚みを
制御することができる。
本発明においては、溶融体組成として、Ｌｉ２Ｏ、■．
０．、Ｎｂ２Ｏ，、Ｎａ， ＯとＭｇＯの他に、Ｎｄ％
Ｒｈ， Ｚｎ％Ｎｉ，Ｃｏ． Ｔｉ， Ｃｒなどから選
ばれる元素の酸化物を使用することができる。
０．、Ｎｂ２Ｏ，、Ｎａ， ＯとＭｇＯの他に、Ｎｄ％
Ｒｈ， Ｚｎ％Ｎｉ，Ｃｏ． Ｔｉ， Ｃｒなどから選
ばれる元素の酸化物を使用することができる。
前記Ｎｄ， Ｒｈ， Ｚｎ， Ｎｉ， Ｃｏ， Ｔｉ，
Ｃｒなどの元素を添加することにより、ニオブ酸リチ
ウム単結晶薄膜の屈折率や格子定数を変えることができ
る。
Ｃｒなどの元素を添加することにより、ニオブ酸リチ
ウム単結晶薄膜の屈折率や格子定数を変えることができ
る。
特に、前記Ｔｉは、ニオブ酸リチウム単結晶の格子定数
を小さくすることができる。
を小さくすることができる。
以上のようにして、本発明の製造方法により得られるニ
オブ酸リチウム単結晶薄膜は、タンタル酸リチウム基板
と一体となっており、格子の歪や結晶の欠陥が極めて少
なく、クラックなどのない高品質の膜であり、光導波路
として好適な性質を持ち、特に光伝搬損失が低く、なお
且つ従来よりも厚い膜が得られるため、薄膜導波路型Ｓ
｝ＩＧ素子の構成材料として最適であるだけでなく、光
偏向器、光変調器、マルチモードの光デバイスに使用で
きる。
オブ酸リチウム単結晶薄膜は、タンタル酸リチウム基板
と一体となっており、格子の歪や結晶の欠陥が極めて少
なく、クラックなどのない高品質の膜であり、光導波路
として好適な性質を持ち、特に光伝搬損失が低く、なお
且つ従来よりも厚い膜が得られるため、薄膜導波路型Ｓ
｝ＩＧ素子の構成材料として最適であるだけでなく、光
偏向器、光変調器、マルチモードの光デバイスに使用で
きる。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例ｌ
（１）Ｎａ，Ｃ帆４４．４モル％、Ｌｉ，ＣＯ３４４．
４モル％、Ｖ， Ｏ，５．６モル％、Ｎｂ，０．５．６
モル％、ＭｇＯを前記原料物組成から析出可能なＬｉＮ
ｂＯ，の理論量に対して５モル２添加（ＭｇＯ／ＬｉＮ
ｂＯ，・５／９５） Ｌ，て混合物を白金ルッポにいれ
、エピタキシャル成長育成装置中で空気雰囲気下で１１
００℃まで加熱してルッポの内容物を溶解させた。
４モル％、Ｖ， Ｏ，５．６モル％、Ｎｂ，０．５．６
モル％、ＭｇＯを前記原料物組成から析出可能なＬｉＮ
ｂＯ，の理論量に対して５モル２添加（ＭｇＯ／ＬｉＮ
ｂＯ，・５／９５） Ｌ，て混合物を白金ルッポにいれ
、エピタキシャル成長育成装置中で空気雰囲気下で１１
００℃まで加熱してルッポの内容物を溶解させた。
（２）溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で８４０
℃まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（００
０１）面を光学研磨した後、化学エッチングしたものを
基板材料として溶融体中にｌｏＯｒｐｍで回転させなが
ら１５分間浸漬した。
℃まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（００
０１）面を光学研磨した後、化学エッチングしたものを
基板材料として溶融体中にｌｏＯｒｐｍで回転させなが
ら１５分間浸漬した。
（３）溶液体から基板材料を引き上げ、回転数１００Ｏ
ｒｐｍで３０秒間溶融体上で溶融体を振り切った後、室
温まで徐冷し、基板材料上に約１９μｍの厚さのナトリ
ウム、マグネシウム含有ニオブ酸リチヴム単結晶薄膜を
得た。
ｒｐｍで３０秒間溶融体上で溶融体を振り切った後、室
温まで徐冷し、基板材料上に約１９μｍの厚さのナトリ
ウム、マグネシウム含有ニオブ酸リチヴム単結晶薄膜を
得た。
（４）得られたニオブ酸リチウムの単結晶薄膜中に含有
されていたナトリウム、マグネシウムの量は、それぞれ
１モル％、６モル％であった。又、薄膜の格子定数（ａ
軸）は５．］５３Ａ、入射光波長１．１５μｍで測定し
た屈折率は、２．２３０±０．００１であった。
されていたナトリウム、マグネシウムの量は、それぞれ
１モル％、６モル％であった。又、薄膜の格子定数（ａ
軸）は５．］５３Ａ、入射光波長１．１５μｍで測定し
た屈折率は、２．２３０±０．００１であった。
実施例２
（１）Ｌｉ，Ｃｏ， ６９％、Ｖ，０．１６モＪＬ，％
％Ｎｂ，０．１５モル％、Ｎａ， Ｃｏ．を前記原料物
組成から析出可能なＬｉＮｂＯｓの理論量に対して、６
０モル％添加（Ｎａ２Ｏ／Ｌｉ２Ｏ＝４５／６９）、Ｍ
ｇＯを前記原料物組成から析出可能なＬｉＮｂＯ．の理
論量に対して、６モＡｔ％添加（ＭｇＯ／ＬｉＮｂＯ，
・６／９４）、Ｃｒ２Ｏ，を前記原料物組成から析出
可能なＬｉＮｂＯ，の理論量に対して、２モル％添加し
た混合物を白金ルツボにいれ、エピタキシャル成長育成
装置中で空気雰囲気下で１１００℃まで加熱してルッポ
の内容物を溶解させた。
％Ｎｂ，０．１５モル％、Ｎａ， Ｃｏ．を前記原料物
組成から析出可能なＬｉＮｂＯｓの理論量に対して、６
０モル％添加（Ｎａ２Ｏ／Ｌｉ２Ｏ＝４５／６９）、Ｍ
ｇＯを前記原料物組成から析出可能なＬｉＮｂＯ．の理
論量に対して、６モＡｔ％添加（ＭｇＯ／ＬｉＮｂＯ，
・６／９４）、Ｃｒ２Ｏ，を前記原料物組成から析出
可能なＬｉＮｂＯ，の理論量に対して、２モル％添加し
た混合物を白金ルツボにいれ、エピタキシャル成長育成
装置中で空気雰囲気下で１１００℃まで加熱してルッポ
の内容物を溶解させた。
（２）溶融体を１時間当り６０℃の冷却速度で９５４℃
まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（０００
１）面を光学研磨した後、化学エッチングしたものを基
板材料として溶融体中にＩＯＯｒｐｍで回転させながら
ＩＯ分間浸漬した。
まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（０００
１）面を光学研磨した後、化学エッチングしたものを基
板材料として溶融体中にＩＯＯｒｐｍで回転させながら
ＩＯ分間浸漬した。
（３）溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１００Ｏ
ｒｐｍで３０秒間溶融体上で溶融体を振り切った後、室
温まで徐冷し、基板材料に約１１μｍの厚さのクロム、
ナトリウム、マグネシウム含有ニオブ酸リチウム単結晶
薄膜を得た。
ｒｐｍで３０秒間溶融体上で溶融体を振り切った後、室
温まで徐冷し、基板材料に約１１μｍの厚さのクロム、
ナトリウム、マグネシウム含有ニオブ酸リチウム単結晶
薄膜を得た。
（４）得られたニオブ酸リチウムの単結晶薄膜中に含有
されていたクロム、ナトリウム、マグネシウムの量は、
それぞれ２モル％、２モル％及び７モル％であった。又
、薄膜の格子定数（ａ軸）は５， １５５人、入射光波
長１．１５μｍで測定した屈折率は、２．２３６±０．
００１であった。
されていたクロム、ナトリウム、マグネシウムの量は、
それぞれ２モル％、２モル％及び７モル％であった。又
、薄膜の格子定数（ａ軸）は５， １５５人、入射光波
長１．１５μｍで測定した屈折率は、２．２３６±０．
００１であった。
実施例３
（１ ）Ｎａ， Ｃｏｓ４４．４モル％、Ｌｉ，Ｃｏ，
３７．８モル％、■１０．１５モル％、Ｎｂ，０，
２．８モル％、ＭｇＯを原料物組成から析出可能なＬｉ
ＮｂＯ．の理論量に対して、３モル％添加（ＭｇＯ ／
Ｌ ｉ ＮｂＯ ，・３／９７）、Ｔｉｅ，を原料物
組成から析出可能なＬｉＮｂＯ，の理論量に対して、１
５モル％添加した混合物を白金ルツボにいれ、エピタキ
シャル成長育成装置中で空気雰囲気下で１１００℃まで
加熱してルツボの内容物を溶解した。
３７．８モル％、■１０．１５モル％、Ｎｂ，０，
２．８モル％、ＭｇＯを原料物組成から析出可能なＬｉ
ＮｂＯ．の理論量に対して、３モル％添加（ＭｇＯ ／
Ｌ ｉ ＮｂＯ ，・３／９７）、Ｔｉｅ，を原料物
組成から析出可能なＬｉＮｂＯ，の理論量に対して、１
５モル％添加した混合物を白金ルツボにいれ、エピタキ
シャル成長育成装置中で空気雰囲気下で１１００℃まで
加熱してルツボの内容物を溶解した。
（２）溶融体を１時間当り６０℃の冷却速度で７８０℃
まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（０００
ｌ）面を光学研磨した後、化学エッチングしたものを基
板材料として溶融体中に１００ｒｐｍで回転させながら
８分間浸漬した。
まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（０００
ｌ）面を光学研磨した後、化学エッチングしたものを基
板材料として溶融体中に１００ｒｐｍで回転させながら
８分間浸漬した。
（３）溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１０００
ｒｐｍで回転させながら３０秒間溶融体上で溶融体を振
り切った後、室温まで徐冷し、基板上に約７μｍの厚さ
のナトリウム、マグネシウム、チタン含有ニオブ酸リチ
ウム単結晶薄膜を得た。
ｒｐｍで回転させながら３０秒間溶融体上で溶融体を振
り切った後、室温まで徐冷し、基板上に約７μｍの厚さ
のナトリウム、マグネシウム、チタン含有ニオブ酸リチ
ウム単結晶薄膜を得た。
（４）得られたニオブ酸リチウムの単結晶薄膜のナトリ
ウム、マグネシウム、チタンの量は、それぞれ１．２モ
ル％、４モル％、８モル％であった。又格子定数（ａ軸
）は５．１５４人、入射光波長１．１５μｍで測定した
屈折率は、２．２３９± ０．００１であった。
ウム、マグネシウム、チタンの量は、それぞれ１．２モ
ル％、４モル％、８モル％であった。又格子定数（ａ軸
）は５．１５４人、入射光波長１．１５μｍで測定した
屈折率は、２．２３９± ０．００１であった。
実施例４
（１）Ｌｉ，Ｃ０， ５２モル％、Ｖ，０． ４４モル
％、Ｎｂ，０． ４モル％、Ｎａ， ＣＯ，を前記原料
物組成から析出可能なＬｉＮｂＯ，の理論量に対して、
４８モル％添加（Ｎａ，０／Ｌｉ，０＝７，４／５２）
、ＭｇＯを前記原料物組成から析出可能なｌｊＮｂｏ，
の理論量に対して、５モル％添加（ＭｇＯ／ＬｉＮｂＯ
， ＝５／９５）シた混合物を白金ルツボにいれ、エビ
タキシ？ル成長育成装置中で空気雰囲気下で１１００℃
まで加熱してルツボの内容物を溶解させた。
％、Ｎｂ，０． ４モル％、Ｎａ， ＣＯ，を前記原料
物組成から析出可能なＬｉＮｂＯ，の理論量に対して、
４８モル％添加（Ｎａ，０／Ｌｉ，０＝７，４／５２）
、ＭｇＯを前記原料物組成から析出可能なｌｊＮｂｏ，
の理論量に対して、５モル％添加（ＭｇＯ／ＬｉＮｂＯ
， ＝５／９５）シた混合物を白金ルツボにいれ、エビ
タキシ？ル成長育成装置中で空気雰囲気下で１１００℃
まで加熱してルツボの内容物を溶解させた。
（２）溶融体を１時間当り６０℃の冷却速度で８３５℃
まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（０００
ｌ）面を光学研磨したものを基板材料として溶融体中に
ＩＯＯｒｐｍで回転させながら１２分間浸漬した。
まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（０００
ｌ）面を光学研磨したものを基板材料として溶融体中に
ＩＯＯｒｐｍで回転させながら１２分間浸漬した。
（３）溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１００ｏ
ｒｐｍで３０秒間溶融体上で、溶融体を振り切った後、
室温まで徐冷し、基板材料上に約８μｍの厚さのナトリ
ウム、マグネシウム含有ニオブ酸リチウム単結晶薄膜を
得た。
ｒｐｍで３０秒間溶融体上で、溶融体を振り切った後、
室温まで徐冷し、基板材料上に約８μｍの厚さのナトリ
ウム、マグネシウム含有ニオブ酸リチウム単結晶薄膜を
得た。
（４）得られたニオブ酸リチウムの単結晶薄膜中に含有
されていたナトリウム、マグネシウムの量は、それぞれ
１モル％、６モル％であった。又薄膜の格子定数（ａ軸
）は５，１５３人、入射光波長１．１５μｍで測定した
屈折率は、２．２３２±０．００１であった。
されていたナトリウム、マグネシウムの量は、それぞれ
１モル％、６モル％であった。又薄膜の格子定数（ａ軸
）は５，１５３人、入射光波長１．１５μｍで測定した
屈折率は、２．２３２±０．００１であった。
実施例５
（１）Ｌｉ，Ｃ０， ５０モル％、Ｖ，０． ３０モル
％、Ｎｂ，０．２０モル％、Ｎａ， Ｃｏ，を前記原料
物組成から析出可能なＬｉＮｂＯ．の理論量に対して５
０モル％添加（Ｎａ，０／Ｌｉ，０■４０／５０）、Ｍ
ｇｏを前記原料物組成から析出可能なＬｉＮｂＯ．の理
論量に対して４モル％添加（ＭｇＯ／ＬｉＮｂＯ， ＝
４／９６） Ｌた混合物を白金ルツボにいれ、エピタキ
シャル成長育成装置中で空気雰囲気下で１１５０℃まで
加熱してルツボの内容物を溶解した。
％、Ｎｂ，０．２０モル％、Ｎａ， Ｃｏ，を前記原料
物組成から析出可能なＬｉＮｂＯ．の理論量に対して５
０モル％添加（Ｎａ，０／Ｌｉ，０■４０／５０）、Ｍ
ｇｏを前記原料物組成から析出可能なＬｉＮｂＯ．の理
論量に対して４モル％添加（ＭｇＯ／ＬｉＮｂＯ， ＝
４／９６） Ｌた混合物を白金ルツボにいれ、エピタキ
シャル成長育成装置中で空気雰囲気下で１１５０℃まで
加熱してルツボの内容物を溶解した。
（２）溶融体を１時間当り６０℃の冷却速度で９９５℃
まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（０００
ｌ）面を光学研磨した後、化学エッチングしたものを基
板材料として溶融体中にｌｏｏｒｐｍで回転させながら
１２分間浸漬した。
まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（０００
ｌ）面を光学研磨した後、化学エッチングしたものを基
板材料として溶融体中にｌｏｏｒｐｍで回転させながら
１２分間浸漬した。
（３）溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１００Ｏ
ｒｐｍで３０秒間溶融体上で、溶融体を振り切った後、
室温まで徐冷し、基板材料上に約９μｍの厚さのナトリ
ウム、マグネシウム含有ニオブ酸リチウム単結晶薄膜を
得た。
ｒｐｍで３０秒間溶融体上で、溶融体を振り切った後、
室温まで徐冷し、基板材料上に約９μｍの厚さのナトリ
ウム、マグネシウム含有ニオブ酸リチウム単結晶薄膜を
得た。
（４）得られたニオブ酸リチウムの単結晶薄膜中に含有
されていたナトリウム、マグネシウムの量は、それぞれ
２モル％、５モル％であった。又薄膜の格子定数（ａ軸
）は５．１５５人、入射光波長１．１５μｍで測定した
屈折率は、２， ２３３±０．００１であった。
されていたナトリウム、マグネシウムの量は、それぞれ
２モル％、５モル％であった。又薄膜の格子定数（ａ軸
）は５．１５５人、入射光波長１．１５μｍで測定した
屈折率は、２， ２３３±０．００１であった。
実施例６
（１）Ｎａ，Ｃｏ， ４７．４モル％、Ｌｉ，Ｃ０，
２３．７モル％、Ｖ， Ｏ．４．２モル％、Ｎｂ，０，
２４．７モル％、ＭｇＯを前記原料物組成から析出可
能なＬｉＮｂＯ，の理論量に対して、２モル％添加（Ｍ
ｇＯ／ＬｉＮｂＯ．・２／９０） Ｌて混合物を白金ル
ツボにいれ、エピタキシャル成長育成装置中で空気雰囲
気下で１１５０℃まで加熱してルツボの内容物を溶解し
た。
２３．７モル％、Ｖ， Ｏ．４．２モル％、Ｎｂ，０，
２４．７モル％、ＭｇＯを前記原料物組成から析出可
能なＬｉＮｂＯ，の理論量に対して、２モル％添加（Ｍ
ｇＯ／ＬｉＮｂＯ．・２／９０） Ｌて混合物を白金ル
ツボにいれ、エピタキシャル成長育成装置中で空気雰囲
気下で１１５０℃まで加熱してルツボの内容物を溶解し
た。
（２）溶融体を１時間当り６０℃の冷却速度で１０２３
℃まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（００
０ｌ）面を光学研磨した後、化学エッチングしたものを
基板材料として溶融体中に１０Ｏｒｐｍで回転させなが
ら１３分間浸漬した。
℃まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（００
０ｌ）面を光学研磨した後、化学エッチングしたものを
基板材料として溶融体中に１０Ｏｒｐｍで回転させなが
ら１３分間浸漬した。
（３）溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１００Ｏ
ｒｐｍで３０秒間溶融体上で、溶融体を振り切った後、
室温まで徐冷し、基板材料上に約Ｉｔμｍの厚さのナト
リウム、マグネシウム含有ニオブ酸リチウム単結晶薄膜
を得た。
ｒｐｍで３０秒間溶融体上で、溶融体を振り切った後、
室温まで徐冷し、基板材料上に約Ｉｔμｍの厚さのナト
リウム、マグネシウム含有ニオブ酸リチウム単結晶薄膜
を得た。
（４）得られたニオブ酸リチウムの単結晶薄膜中に含有
されていたナトリウム、マグネシウムの量は、それぞれ
２．５モル２、および３モル２であった。又薄膜の格子
定数（ａ軸）は５，１５６Ａ、入射光波長１． １５μ
ｍで測定した屈折率は、２，２３５±０．００１であっ
た。
されていたナトリウム、マグネシウムの量は、それぞれ
２．５モル２、および３モル２であった。又薄膜の格子
定数（ａ軸）は５，１５６Ａ、入射光波長１． １５μ
ｍで測定した屈折率は、２，２３５±０．００１であっ
た。
実施例７
（１）Ｎａ，Ｃｏ， ４５．９モル％、Ｌｉ，Ｃ０，
３６．８モル％、Ｖ， Ｏ，２．７モル％、Ｎｂ，０，
１４．６モル％、ＭｇＯを前記原料物組成から析出可
能なＬｉＮｂＯ，の理論量に対して、４モル％添加（Ｍ
ｇＯ／ＬｉＮｂＯ，＝４／９６）、Ｎｄ２Ｏ，を前記原
料物組成から析出可能なＬｉＮｂＯ，の理論量に対して
、１モル％添加した混合物を白金ルッポにいれ、エピタ
キシャル成長育成装置中で空気雰囲気下で１１５０℃ま
で加熱してルッポの内容物を溶解させた。
３６．８モル％、Ｖ， Ｏ，２．７モル％、Ｎｂ，０，
１４．６モル％、ＭｇＯを前記原料物組成から析出可
能なＬｉＮｂＯ，の理論量に対して、４モル％添加（Ｍ
ｇＯ／ＬｉＮｂＯ，＝４／９６）、Ｎｄ２Ｏ，を前記原
料物組成から析出可能なＬｉＮｂＯ，の理論量に対して
、１モル％添加した混合物を白金ルッポにいれ、エピタ
キシャル成長育成装置中で空気雰囲気下で１１５０℃ま
で加熱してルッポの内容物を溶解させた。
（２）溶融体を１時間当り６０℃の冷却速度で９７０℃
まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（０００
ｌ）面を光学研磨した後、化学エッチングしたものを基
板材料として溶融体中にｌｏｏｒｐｍで回転させながら
１８分間浸漬した。
まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（０００
ｌ）面を光学研磨した後、化学エッチングしたものを基
板材料として溶融体中にｌｏｏｒｐｍで回転させながら
１８分間浸漬した。
（３）溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１００Ｏ
ｒｐｍで３０秒間溶融体上で、溶融体を振り切った後、
室温まで徐冷し、基板材料上に約９μｍの厚さのナトリ
ウム、マグネシウム、ネオジム含有ニオブ酸リチウム単
結晶薄膜を得た。
ｒｐｍで３０秒間溶融体上で、溶融体を振り切った後、
室温まで徐冷し、基板材料上に約９μｍの厚さのナトリ
ウム、マグネシウム、ネオジム含有ニオブ酸リチウム単
結晶薄膜を得た。
（４）得られたニオブ酸リチウムの単結晶薄膜中に含有
されていたナトリウム、マグネシウム、ネオジムの量は
、それぞれ１．２モル％、５モル％及び０．３モル％で
あった。又薄膜の格子定数（ａ軸）は５， １５４人、
入射光波長１．１５μｍで測定した屈折率は２．２３３
±０．００１であった。
されていたナトリウム、マグネシウム、ネオジムの量は
、それぞれ１．２モル％、５モル％及び０．３モル％で
あった。又薄膜の格子定数（ａ軸）は５， １５４人、
入射光波長１．１５μｍで測定した屈折率は２．２３３
±０．００１であった。
実施例８
（１）Ｌｉ，Ｃｏ， ６０モル％、ｖ２０。２０モル％
、Ｎｂ，０． ２０−Ｅル％、Ｎａ， Ｃｏ，を前記原
料物組成から析出可能なＬ ＩＮｂ Ｏ ｗの理論量に
対して、５０モル％添加（Ｎａ２Ｏ／Ｌｉ，０・４０／
６０）、ＭｇＯを前記原料物組成から析出可能なしｉＮ
ｂｏ，の理論量に対して、４モル％添加（ＭｇＯ／Ｌｉ
ＮｂＯ，・４／９６） Ｌた混合物を白金ルツボにいれ
、エピタキシャル成長育成装置中で空気雰囲気下で１１
５０℃まで加熱してルツホの内容物を溶解した。
、Ｎｂ，０． ２０−Ｅル％、Ｎａ， Ｃｏ，を前記原
料物組成から析出可能なＬ ＩＮｂ Ｏ ｗの理論量に
対して、５０モル％添加（Ｎａ２Ｏ／Ｌｉ，０・４０／
６０）、ＭｇＯを前記原料物組成から析出可能なしｉＮ
ｂｏ，の理論量に対して、４モル％添加（ＭｇＯ／Ｌｉ
ＮｂＯ，・４／９６） Ｌた混合物を白金ルツボにいれ
、エピタキシャル成長育成装置中で空気雰囲気下で１１
５０℃まで加熱してルツホの内容物を溶解した。
（２）溶融体を１時間当り６０℃の冷却速度で９９５℃
まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（０００
ｌ）面を光学研磨した後、化学エッチングしたちのを基
板材料として溶融体中にＩＯＯｒｐｍで回転させながら
１２分間浸漬した。
まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（０００
ｌ）面を光学研磨した後、化学エッチングしたちのを基
板材料として溶融体中にＩＯＯｒｐｍで回転させながら
１２分間浸漬した。
（３）溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１００Ｏ
ｒｐｍで３０秒間溶融体上で、溶融体を振り切った後、
室温まで徐冷し、基板材料上に約８μｍの厚さのナトリ
ウム、マグネシウム含有ニオブ酸リチウム単結晶薄展を
得た。
ｒｐｍで３０秒間溶融体上で、溶融体を振り切った後、
室温まで徐冷し、基板材料上に約８μｍの厚さのナトリ
ウム、マグネシウム含有ニオブ酸リチウム単結晶薄展を
得た。
（４）得られたニオブ酸リチウムの単結晶薄膜中に含有
されていたナトリウム、マグネシウムの量は、それぞれ
１．８モル％、５モル％であった。又薄膜の格子定数（
ａ軸）は５．１５５人、入射光波長１．１５μｍで測定
した屈折率は、２． ２３３±０．００１であった。
されていたナトリウム、マグネシウムの量は、それぞれ
１．８モル％、５モル％であった。又薄膜の格子定数（
ａ軸）は５．１５５人、入射光波長１．１５μｍで測定
した屈折率は、２． ２３３±０．００１であった。
実施例９
（１）Ｌｉ，Ｃｏ， ５２モル％、Ｖ，０， ４４モ）
Ｉｉ％、Ｎｂ，０．４モル％、Ｎａ， Ｃｏ，をＬｉＮ
ｂＯ，に対して、９３モル％添加、ＭｇＯをＬｉＮｂＯ
，に対して０．Ｏｌモル％添加した混合物を白金ルツボ
にいれ、エピタキシャル成長育成装置中で空気雰囲気下
で１１５０℃まで加熱してルツボの内容物を溶解した。
Ｉｉ％、Ｎｂ，０．４モル％、Ｎａ， Ｃｏ，をＬｉＮ
ｂＯ，に対して、９３モル％添加、ＭｇＯをＬｉＮｂＯ
，に対して０．Ｏｌモル％添加した混合物を白金ルツボ
にいれ、エピタキシャル成長育成装置中で空気雰囲気下
で１１５０℃まで加熱してルツボの内容物を溶解した。
（２）溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で８３５
℃まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（００
０１）面を光学研磨した後、化学エッチングしたものを
基板材料として溶融体中に１０Ｏｒｐｍで回転させなが
ら１２分間浸漬した。
℃まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（００
０１）面を光学研磨した後、化学エッチングしたものを
基板材料として溶融体中に１０Ｏｒｐｍで回転させなが
ら１２分間浸漬した。
（３）溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１００ｏ
ｒｐｍで３０秒間溶融体上で、溶融体を振り切った後、
室温まで徐冷し、基板材料上に約８μｍの厚さのナトリ
ウム、マグネシウム含有ニオブ酸リチウム単結晶薄膜を
得た。
ｒｐｍで３０秒間溶融体上で、溶融体を振り切った後、
室温まで徐冷し、基板材料上に約８μｍの厚さのナトリ
ウム、マグネシウム含有ニオブ酸リチウム単結晶薄膜を
得た。
（４）得られたニオブ酸リチウムの単結晶薄膜のナトリ
ウム、マグネシウムの量は、それぞれ２モル％、０．０
２モル％であった。又、薄膜の格子定数（ａ軸）はｓ，
１５３ Ａ、入射光波長１．１５μｍで測定した屈折
率は、２． ２３２±０．００１であった。
ウム、マグネシウムの量は、それぞれ２モル％、０．０
２モル％であった。又、薄膜の格子定数（ａ軸）はｓ，
１５３ Ａ、入射光波長１．１５μｍで測定した屈折
率は、２． ２３２±０．００１であった。
実施例１０
（１）Ｌｉ，Ｃ０， ５０モルχ、Ｖ２ＯＳ３０モル％
、Ｎｂ，０． ２０モル％、Ｎａ，Ｃｏ，をｌｉＮｂｏ
，に対して８６モル％添加、ＭｇＯをＬｉＮｂＯ．に対
して０．２モル％添加した混合物を白金ルツボにいれ、
エピタキシャル成長育成装置中で空気雰囲気下で１１５
０℃まで加熱してルツボの内容物を溶解した。
、Ｎｂ，０． ２０モル％、Ｎａ，Ｃｏ，をｌｉＮｂｏ
，に対して８６モル％添加、ＭｇＯをＬｉＮｂＯ．に対
して０．２モル％添加した混合物を白金ルツボにいれ、
エピタキシャル成長育成装置中で空気雰囲気下で１１５
０℃まで加熱してルツボの内容物を溶解した。
（２）溶融体を１時間当りに６０℃の冷却速度で９９５
℃まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（００
０１）面を光学研磨した後、化学エッチングしたものを
基板材料として溶融体中に１０Ｏｒｐｍで回転させなが
ら１２分間浸漬した。
℃まで徐冷した後、タンタル酸リチウム単結晶の（００
０１）面を光学研磨した後、化学エッチングしたものを
基板材料として溶融体中に１０Ｏｒｐｍで回転させなが
ら１２分間浸漬した。
（３）溶融体から基板材料を引き上げ、回転数１００ｏ
ｒｐｍで３０秒間溶融体上で、溶融体を振り切った後、
室温まで徐冷し、基板材料上に約９μｍの厚さのナトリ
ウム、マグネシウム含有ニオブ酸リチウム単結晶薄膜を
得た。
ｒｐｍで３０秒間溶融体上で、溶融体を振り切った後、
室温まで徐冷し、基板材料上に約９μｍの厚さのナトリ
ウム、マグネシウム含有ニオブ酸リチウム単結晶薄膜を
得た。
（４）得られたニオブ酸リチウムの単結晶薄膜のナトリ
ウム、マグネシウムの量は、それぞれ０．３モル％、５
モル％であった。又、薄膜の格子定数（ａ軸）は５．１
５５人、入射光波長１．１５μｍで測定した屈折率は、
２．２３３±０．００１であった。
ウム、マグネシウムの量は、それぞれ０．３モル％、５
モル％であった。又、薄膜の格子定数（ａ軸）は５．１
５５人、入射光波長１．１５μｍで測定した屈折率は、
２．２３３±０．００１であった。
実施例１−１０で得られた本発明のニオブ酸リチウム単
結晶薄膜についてプリズム結合により波長０．８３μｍ
の半導体レーザ光に対する光伝搬損失を測定し、その結
果を第１表に示した。
結晶薄膜についてプリズム結合により波長０．８３μｍ
の半導体レーザ光に対する光伝搬損失を測定し、その結
果を第１表に示した。
第 １ 表
実施例 光伝搬損失（ｄＢ／ａｍ）ｌ１．３
２ｌ．０
３１．０
４１．ｌ
５ｌ．３
６ｌ．０
７１．２
８ １．０
９１．０
１０ １．３
（発明の効果）
本発明によれば、タンタル酸リチウム基板上に優れた光
学的特性を持ち、従来得られる膜厚より厚いニオブ酸リ
チウム単結晶薄膜を形成でき、ＳＨＧ素子を始めとして
化学的特性を持ち、従来得られる膜厚より厚いニオブ酸
リチウム単結晶薄膜を形成でき、ＳＨＧ素子を始めとし
て光学デバイスの構成材料として有用である。
学的特性を持ち、従来得られる膜厚より厚いニオブ酸リ
チウム単結晶薄膜を形成でき、ＳＨＧ素子を始めとして
化学的特性を持ち、従来得られる膜厚より厚いニオブ酸
リチウム単結晶薄膜を形成でき、ＳＨＧ素子を始めとし
て光学デバイスの構成材料として有用である。
第１図はニオブ酸リチウム単結晶の成長面であるタンタ
ル酸リチウム基板の（０００１）面を示す模式図である
。 第２図は、Ｌｉ， Ｏ−Ｖ， Ｏ， −Ｎｂ， Ｏ．の
３成分系の三角図である。各組成点は（Ｌｉ２Ｏのモル
％， Ｖ２Ｏ，のモル駕，Ｎｂ２ＯＳのモル％）で表わ
される。 Ａ（８８．９０ Ｂ（５５．００ Ｃ（４６．５０ Ｄ（３７．５０ Ｅ（６９．８５ ＦＣ４９．９５ Ｇ（４４．１３ ８（５４，７２ １（５７．４３ Ｊ（４９．９５ Ｋ（４７．３６ Ｌ（５６．３８ ２．２２， ８．８８） ４３，００， ２．００） ５ｌ．５０，２．００） ５．００， ５７．’５０） ２１．３３ ８．８２） ４５．０２ ５．０３） １６ ７６ ３９．１１） １１ １２ ３４．１６） ３５ ０５ ７．５２） ４２，５３ ７．５２） ２６ ３２ ２６．３２） １７ ９１ ２５．７１）
ル酸リチウム基板の（０００１）面を示す模式図である
。 第２図は、Ｌｉ， Ｏ−Ｖ， Ｏ， −Ｎｂ， Ｏ．の
３成分系の三角図である。各組成点は（Ｌｉ２Ｏのモル
％， Ｖ２Ｏ，のモル駕，Ｎｂ２ＯＳのモル％）で表わ
される。 Ａ（８８．９０ Ｂ（５５．００ Ｃ（４６．５０ Ｄ（３７．５０ Ｅ（６９．８５ ＦＣ４９．９５ Ｇ（４４．１３ ８（５４，７２ １（５７．４３ Ｊ（４９．９５ Ｋ（４７．３６ Ｌ（５６．３８ ２．２２， ８．８８） ４３，００， ２．００） ５ｌ．５０，２．００） ５．００， ５７．’５０） ２１．３３ ８．８２） ４５．０２ ５．０３） １６ ７６ ３９．１１） １１ １２ ３４．１６） ３５ ０５ ７．５２） ４２，５３ ７．５２） ２６ ３２ ２６．３２） １７ ９１ ２５．７１）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、溶融体にタンタル酸リチウム基板を接触させ、エピ
タキシャル成長により、ニオブ酸リチウム単結晶薄膜を
育成させる方法であって、溶融体として、主としてＬｉ
＿２Ｏ、Ｖ＿２Ｏ＿５、Ｎｂ＿２Ｏ＿５、Ｎａ＿２Ｏ、
ＭｇＯからなり、前記Ｌｉ＿２Ｏ、Ｖ＿２Ｏ＿５、Ｎｂ
＿２Ｏ＿５の組成範囲が、Ｌｉ＿２Ｏ−Ｖ＿２Ｏ＿５−
Ｎｂ＿２Ｏ＿５の３成分系の三角図において、Ａ（８８
．９０，２．２２，８．８８）、Ｂ（５５．００，４３
．００，２．００）、Ｃ（４６．５０，５１．５０，２
．００）、Ｄ（３７．５０，５．００，５７．５０）の
４組成点で囲まれる領域で示される組成割合にあるもの
を用い、ニオブ酸リチウム単結晶薄膜のａ軸の格子定数
とタンタル酸リチウム基板のａ軸の格子定数を整合させ
ることを特徴とするニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造
方法。 ２、前記Ｎａ＿２Ｏの組成範囲は、モル比でＮａ＿２Ｏ
／Ｌｉ＿２Ｏが、２．０／９８．０〜９３．５／６．５
を満たす請求項１に記載のニオブ酸リチウム単結晶薄膜
の製造方法。 ３、前記ＭｇＯの組成範囲は、モル比でＭｇＯ／ニオブ
酸リチウムが、０．１／９９．９〜２５．０／７５．０
を満たす請求項１に記載のニオブ酸リチウム単結晶薄膜
の製造方法。 ４、ニオブ酸リチウム単結晶薄膜を育成する温度は、６
００〜１２５０℃の範囲内である請求項１に記載のニオ
ブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法。 ５、ニオブ酸リチウム単結晶薄膜をタンタル酸リチウム
基板（０００１）面に育成することを特徴とする請求項
１に記載のニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法。 ６、前記ニオブ酸リチウム単結晶薄膜のａ軸の格子定数
をタンタル酸リチウム基板のａ軸の格子定数の９９．８
１〜１００．０７％の範囲にする請求項１に記載のニオ
ブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34235789A JP2838803B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-12-29 | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 |
| US07/700,169 US5209917A (en) | 1989-09-20 | 1990-09-20 | Lithium niobate single crystal thin film and production method thereof |
| EP90913862A EP0444209B1 (en) | 1989-09-20 | 1990-09-20 | Thin film of lithium niobate single crystal and production thereof |
| DE69033660T DE69033660T2 (de) | 1989-09-20 | 1990-09-20 | Dünnfilmeinzelkristall aus lithiumniobat und verfahren zu seiner herstellung |
| PCT/JP1990/001207 WO1991004360A1 (fr) | 1989-09-20 | 1990-09-20 | Mince film de monocristal de niobate de lithium et production d'un tel film |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-242285 | 1989-09-20 | ||
| JP24228589 | 1989-09-20 | ||
| JP34235789A JP2838803B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-12-29 | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218997A true JPH03218997A (ja) | 1991-09-26 |
| JP2838803B2 JP2838803B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=26535699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34235789A Expired - Lifetime JP2838803B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-12-29 | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2838803B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5291576A (en) * | 1992-06-18 | 1994-03-01 | Ibiden Co., Ltd. | Single mode optical waveguide |
| JPH06199598A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-07-19 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法 |
-
1989
- 1989-12-29 JP JP34235789A patent/JP2838803B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5291576A (en) * | 1992-06-18 | 1994-03-01 | Ibiden Co., Ltd. | Single mode optical waveguide |
| JPH06199598A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-07-19 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2838803B2 (ja) | 1998-12-16 |
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