JPH03220148A - エーテル結合を有するフッ素系３環式化合物 - Google Patents
エーテル結合を有するフッ素系３環式化合物Info
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- JPH03220148A JPH03220148A JP2015481A JP1548190A JPH03220148A JP H03220148 A JPH03220148 A JP H03220148A JP 2015481 A JP2015481 A JP 2015481A JP 1548190 A JP1548190 A JP 1548190A JP H03220148 A JPH03220148 A JP H03220148A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
配置のシ
本発明は電気光学的表示材料として有用なエーテル結合
を有するフッ素系３環式化合物に関する。
を有するフッ素系３環式化合物に関する。
液晶表示セルの代表的なものにエム・シャット（Ｍ、５
ｃｈａｄｔ ）等（ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ
ＬＥＴＴＥＲ５上工、１２７〜１２８ （１９７１）
）によって提案された電界効果型セル（フィールド・
エフェクト・モード・セル）又はジー・エイチ・バイル
マイヤー （Ｇ、Ｈ，Ｈｅｉｌｍｅｉｅｒ ）等（ＰＲ
ＯＣＲＥＤＩＮＧ ＯＦ ＴＨＥ Ｉ。
ｃｈａｄｔ ）等（ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ
ＬＥＴＴＥＲ５上工、１２７〜１２８ （１９７１）
）によって提案された電界効果型セル（フィールド・
エフェクト・モード・セル）又はジー・エイチ・バイル
マイヤー （Ｇ、Ｈ，Ｈｅｉｌｍｅｉｅｒ ）等（ＰＲ
ＯＣＲＥＤＩＮＧ ＯＦ ＴＨＥ Ｉ。
Ｅ、Ｅ、Ｅ、 ５６１１６２〜１１７１ （１９６８）
）によって提案された動的光散型セル（ダイミック・ス
キャッタリング・モード・セル）又はジー・エイチ・バ
イルマイヤー（Ｇ、Ｈ，）Ｉｅｉｌｍｅｉｅｒ ）等（
ＡＰＰＬＩＥＤＰＨＹＳＩＣ５ＬＥＴＴＥＲＳ エム
、 ９１ （１９６８） ）あるいはデイ−・エル・ホ
ワイト（Ｄ、ＬＪｈｉｔｅ ）等［ＪＯＵＲＮＡＬ Ｏ
Ｆ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ ４ｆｉ 、 ４
７１８（１９７４） ］によって提案されたゲスト・ホ
スト型セルなどがある。
）によって提案された動的光散型セル（ダイミック・ス
キャッタリング・モード・セル）又はジー・エイチ・バ
イルマイヤー（Ｇ、Ｈ，）Ｉｅｉｌｍｅｉｅｒ ）等（
ＡＰＰＬＩＥＤＰＨＹＳＩＣ５ＬＥＴＴＥＲＳ エム
、 ９１ （１９６８） ）あるいはデイ−・エル・ホ
ワイト（Ｄ、ＬＪｈｉｔｅ ）等［ＪＯＵＲＮＡＬ Ｏ
Ｆ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ ４ｆｉ 、 ４
７１８（１９７４） ］によって提案されたゲスト・ホ
スト型セルなどがある。
これらの液晶表示セルの中で現在主流をなすものは、電
界効果型セルの一種のＴＮ型セルである。
界効果型セルの一種のＴＮ型セルである。
このＴＮ型セルにおいては、Ｇ、Ｂａｕｅｒによって門
ｏ１． Ｃｒｙｓｔ、 Ｌｉｑ、 Ｃｒｙｓｔ、
６ ３． ４ ５ （１９８１） に報
告されているように、セル外観を損う原因となるセル表
面での干渉縞の発生を防止するために、セルに充填され
る液晶材料の屈折率の異方性（Δｉ）とセルにおける液
晶層の厚さ（ｄ） μｍの積を成る特定の値に設定する
必要がある。実用的に使用される液晶表示セルでは、Δ
ｎ −ｄの値が０．５．１．０゜１．６又は２．２の
いずれかに設定されている。通常、Δｎ −ｄの値を
０．５に設定した場合、視角特性が良くなるという特徴
があり、Δｎ −ｄの値を１．０１．６又は２．２に
設定した場合、正面からのコントラストが良くなるとい
う特徴がある。従って、どの方向からも見やすい視角特
性を重視する液晶表示セルの場合は、Δｎ −ｄの値を
０，５に設定し、特に正面からのコントラストを重視す
る液晶表示セルの場合は、Δｎ −ｄの値を１．０．１
．６又は２．２に設定するのが普通である。
ｏ１． Ｃｒｙｓｔ、 Ｌｉｑ、 Ｃｒｙｓｔ、
６ ３． ４ ５ （１９８１） に報
告されているように、セル外観を損う原因となるセル表
面での干渉縞の発生を防止するために、セルに充填され
る液晶材料の屈折率の異方性（Δｉ）とセルにおける液
晶層の厚さ（ｄ） μｍの積を成る特定の値に設定する
必要がある。実用的に使用される液晶表示セルでは、Δ
ｎ −ｄの値が０．５．１．０゜１．６又は２．２の
いずれかに設定されている。通常、Δｎ −ｄの値を
０．５に設定した場合、視角特性が良くなるという特徴
があり、Δｎ −ｄの値を１．０１．６又は２．２に
設定した場合、正面からのコントラストが良くなるとい
う特徴がある。従って、どの方向からも見やすい視角特
性を重視する液晶表示セルの場合は、Δｎ −ｄの値を
０，５に設定し、特に正面からのコントラストを重視す
る液晶表示セルの場合は、Δｎ −ｄの値を１．０．１
．６又は２．２に設定するのが普通である。
一方、実用的に使用されている液晶表示セルにおける液
晶層の厚さは、通常、６〜１０μｍの限定された範囲で
成る値に設定されるため、Δｎ −ｄの値を０．５に設
定する場合は、Δｎの値の小さな液晶材料が必要となり
、Δｎ−ｄの値を１．０ 、１．６又は２．２に設定す
る場合は、逆に、Δｎの値の大きな液晶材料が必要とな
る。このように、液晶表示セルの表示特性に応じてΔｎ
の値が小さい液晶材料とΔｎの値が大きい液晶材料が必
要とされる。
晶層の厚さは、通常、６〜１０μｍの限定された範囲で
成る値に設定されるため、Δｎ −ｄの値を０．５に設
定する場合は、Δｎの値の小さな液晶材料が必要となり
、Δｎ−ｄの値を１．０ 、１．６又は２．２に設定す
る場合は、逆に、Δｎの値の大きな液晶材料が必要とな
る。このように、液晶表示セルの表示特性に応じてΔｎ
の値が小さい液晶材料とΔｎの値が大きい液晶材料が必
要とされる。
またＴＮ型セルにおいては、混合液晶の誘電率の異方性
（Δε）が正である必要があるため、Δεの値が大きく
、しきい値電圧が低く、低電圧で駆動できるネマチック
液晶化合物が必要とされている。
（Δε）が正である必要があるため、Δεの値が大きく
、しきい値電圧が低く、低電圧で駆動できるネマチック
液晶化合物が必要とされている。
本発明が解決しようとする課題は、Δｎの値が小さく、
Δεの値が大きく、しきい値電圧の低い新規なネマチッ
ク液晶化合物を提供することにある。
Δεの値が大きく、しきい値電圧の低い新規なネマチッ
ク液晶化合物を提供することにある。
〔課題を解決するための手段］
本発明は、上記課題を解決するために、一般式
（式中、Ｒは炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表
わし、ｎは４〜８の整数を表わし、Ｘは水ランス（エカ
トリアル−エカトリアル）配置のシクロヘキサン環を表
わす。） で表わされる化合物を提供する。
わし、ｎは４〜８の整数を表わし、Ｘは水ランス（エカ
トリアル−エカトリアル）配置のシクロヘキサン環を表
わす。） で表わされる化合物を提供する。
本発明に係わる式（１）の化合物は次の製造方法に従っ
て製造することができる。
て製造することができる。
〔上記反応式中、Ｒは炭素原子数１〜５の直鎖状アルキ
ル基を表わし、ｎは４〜８の整数を表わし、Ｘは水素原
子又はフッ素原子を表わし、アル）のシクロヘキサン環
を表わす。〕第１段階−式（■）の化合物をテトラヒド
ロフラン中でマグネシウム末と反応させて、 式（ＩＩＩ）の如きグリニヤール試薬を製造する。
ル基を表わし、ｎは４〜８の整数を表わし、Ｘは水素原
子又はフッ素原子を表わし、アル）のシクロヘキサン環
を表わす。〕第１段階−式（■）の化合物をテトラヒド
ロフラン中でマグネシウム末と反応させて、 式（ＩＩＩ）の如きグリニヤール試薬を製造する。
第２段階−式（Ｉ［）の化合物にテトラヒドロフラン中
で式（ＩＶ）の化合物を反応させて、式（Ｖ）の化合物
を製造する。
で式（ＩＶ）の化合物を反応させて、式（Ｖ）の化合物
を製造する。
第３段階−式（Ｖ）の化合物をトルエン中でｐ−トルエ
ンスルホン酸の如き酸性触媒存 在下、脱水反応に付し、式（Ｖｌ）の化合物を製造する
。
ンスルホン酸の如き酸性触媒存 在下、脱水反応に付し、式（Ｖｌ）の化合物を製造する
。
第４段階−式（Ｖｌ）の化合物をエタノールの如きアル
コール中でラネーニッケルを触媒 として、接触還元を行ない、式（１） の化合物を製造する。
コール中でラネーニッケルを触媒 として、接触還元を行ない、式（１） の化合物を製造する。
斯くして製造された式（１）の代表的な化合物の相転移
温度を第１表に掲げる。
温度を第１表に掲げる。
第 １ 表
（表中、Ｃは結晶相、Ｎはネマチック相、ｌは等方性液
体相を夫り表わす、）′ 本発明に係わる式（Ｉ）の化合物は、正の誘電率の異方
性を有するネマチック液晶化合物であり、従って例えば
、負の誘電率の異方性を有する他のネマチック液晶化合
物との混合物の状態で動的光散乱型表示セルの材料とし
て使用することができ、また正又は負の誘電率の異方性
を有する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で
電界効果型表示セルの材料として使用することができる
。
体相を夫り表わす、）′ 本発明に係わる式（Ｉ）の化合物は、正の誘電率の異方
性を有するネマチック液晶化合物であり、従って例えば
、負の誘電率の異方性を有する他のネマチック液晶化合
物との混合物の状態で動的光散乱型表示セルの材料とし
て使用することができ、また正又は負の誘電率の異方性
を有する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で
電界効果型表示セルの材料として使用することができる
。
このように、式（Ｉ）の化合物と混合して使用すること
のできる好ましい代表例としては、例えば４−置換安息
香酸４′−置換フェニルエステル、４−置換シクロヘキ
サンカルボン酸４’−ｆｌｌｌｋフェニルエステル、４
−ｉ！換ジシクロ牛サンカルボン酸４′−１換ビフェニ
ルエステ／Ｌ＜、４−（４−置換シクロヘキサンカルボ
ニルオキシ）安息香酸４′−置換フェニルエステル、４
−（４−１換シクロヘキシル）安息香酸４′−置換フェ
ニルエステル、４−（４−ｉｆ換ジシクロヘキシル安息
香酸４′−置換シクロヘキシルエステル、４−置換４′
−置換ビフェニル、４−置換フェニルー４′−置換シク
ロヘキサン、４−置換４”−’１ＷＡ９−フェニル、４
−置換ビフェニル４１−置換シクロヘキサン、２−（４
−置換フェニル）−５＝置換ピリミジンなどを挙げるこ
とができる。
のできる好ましい代表例としては、例えば４−置換安息
香酸４′−置換フェニルエステル、４−置換シクロヘキ
サンカルボン酸４’−ｆｌｌｌｋフェニルエステル、４
−ｉ！換ジシクロ牛サンカルボン酸４′−１換ビフェニ
ルエステ／Ｌ＜、４−（４−置換シクロヘキサンカルボ
ニルオキシ）安息香酸４′−置換フェニルエステル、４
−（４−１換シクロヘキシル）安息香酸４′−置換フェ
ニルエステル、４−（４−ｉｆ換ジシクロヘキシル安息
香酸４′−置換シクロヘキシルエステル、４−置換４′
−置換ビフェニル、４−置換フェニルー４′−置換シク
ロヘキサン、４−置換４”−’１ＷＡ９−フェニル、４
−置換ビフェニル４１−置換シクロヘキサン、２−（４
−置換フェニル）−５＝置換ピリミジンなどを挙げるこ
とができる。
第２表はネマチック液晶材料として現在母体液晶として
汎用されている混合液晶（Ａ）の８０重量％と第１表に
示した式（１）の化合物Ｎｃｈｌと患ｌと類似化学構造
を有し、Δｎが低く正のΔεを有する化合物（ａ）の各
々の２０重量％とから成る各混合液晶について測定され
たΔｎとΔεとしきい値電圧を掲示し、比較のために混
合液晶（Ａ）自体について測定されたΔｎとΔεとしき
い値電圧を掲示したものである。
汎用されている混合液晶（Ａ）の８０重量％と第１表に
示した式（１）の化合物Ｎｃｈｌと患ｌと類似化学構造
を有し、Δｎが低く正のΔεを有する化合物（ａ）の各
々の２０重量％とから成る各混合液晶について測定され
たΔｎとΔεとしきい値電圧を掲示し、比較のために混
合液晶（Ａ）自体について測定されたΔｎとΔεとしき
い値電圧を掲示したものである。
尚、混合液晶（Ａ）は
の公知化合物（特公昭６３−４４１３２号）である。
第 ２ 表
及び
から成るものであり、
化合物（ａ）は式
第２表に掲示したデータから、式（Ｉ）の化合物は混合
液晶のΔｎを低下させ、Δεを上昇し、しきい値電圧を
顕著に低下せしめ得ることが理解できる。本発明の効果
は、従来公知の化合物（ａ）が混合液晶のΔｎを上昇し
、Δεを低下させ、しきい値電圧を著しく上昇させてし
まうことからも明確である。
液晶のΔｎを低下させ、Δεを上昇し、しきい値電圧を
顕著に低下せしめ得ることが理解できる。本発明の効果
は、従来公知の化合物（ａ）が混合液晶のΔｎを上昇し
、Δεを低下させ、しきい値電圧を著しく上昇させてし
まうことからも明確である。
実施例１
マグネシウム末１．５ ｇ （０，０６モル）を乾燥テ
トラヒドロフラン１０ｍｆに加え、触媒量のジブコムエ
チレンで活性化した後、３０ ’Ｃ以下で、式を乾燥テ
トラヒドロフラン２５ｎｌに希釈した溶液を滴下した。
トラヒドロフラン１０ｍｆに加え、触媒量のジブコムエ
チレンで活性化した後、３０ ’Ｃ以下で、式を乾燥テ
トラヒドロフラン２５ｎｌに希釈した溶液を滴下した。
滴下終了後、０．５時間同温度で攪拌を続けた。次いで
、この反応液に、式上記化合物をトルエン２５０ｍｊ２
に溶解し、Ｐトルエンスルホン酸１ｇを加え４時間除水
装置で除水しながら、加熱還流した。
、この反応液に、式上記化合物をトルエン２５０ｍｊ２
に溶解し、Ｐトルエンスルホン酸１ｇを加え４時間除水
装置で除水しながら、加熱還流した。
反応終了後、トルエン層を水洗、乾燥した後、溶媒を減
圧留去して得た残渣をエタノール１３０Ｉｌｌから再結
晶させて精製して、下記化合物１３．０ｇ （０，０３
５モル）を得た。
圧留去して得た残渣をエタノール１３０Ｉｌｌから再結
晶させて精製して、下記化合物１３．０ｇ （０，０３
５モル）を得た。
（０，０４５モル）を乾燥テトラヒドロフラン３０憔ｌ
に溶解した溶液を２５°Ｃ以下で滴下し、その後、室温
で３時間反応させた。
に溶解した溶液を２５°Ｃ以下で滴下し、その後、室温
で３時間反応させた。
反応終了後、反応液に９％塩酸５Ｑｔａ７！に加え、ト
ルエン１００ＩＩＮで３回抽出、水洗、乾燥した後、溶
媒を減圧留去し、下記化合物１５．２ ｇ（０，０３９
モル）を得た。
ルエン１００ＩＩＮで３回抽出、水洗、乾燥した後、溶
媒を減圧留去し、下記化合物１５．２ ｇ（０，０３９
モル）を得た。
Ｈ
上記化合物をエタノール２５０ｍ１２に溶解し、ラネー
ニッケル１ｇを加えた後、室温下、水素圧５気圧で１５
時間接触還元した。反応終了後、触媒を除去した後、エ
タノールを減圧留去して得た残渣をｎ−ヘキサン８０ｏ
＋ｆから再結晶させて精製して、下記化合物８．５ｇ
（０，０２３モル）を得た。
ニッケル１ｇを加えた後、室温下、水素圧５気圧で１５
時間接触還元した。反応終了後、触媒を除去した後、エ
タノールを減圧留去して得た残渣をｎ−ヘキサン８０ｏ
＋ｆから再結晶させて精製して、下記化合物８．５ｇ
（０，０２３モル）を得た。
転移温度 室温以下（Ｃ−→５）４０°Ｃ（Ｓ−
ヨＮ） １０７°Ｃ（Ｎ；廿■） 〔発明の効果］ 本発明に係わる式（１）の化合物は、Δｎが低く、Δε
が大きいため、現在母体液晶として汎用されているネマ
チック混合液晶に混合することによって混合液晶のΔｎ
を低下させ、Δεを上昇させ、しきい値電圧を低下させ
ることができる０本発明に係わる式（Ｉ）の化合物は、
構造類位の公知化合物と比べ、その効果は顕著であり、
視角特性に優れた低電圧駆動可能なＴＮ型液晶表示セル
を作製するための材料として極めて有用である。
ヨＮ） １０７°Ｃ（Ｎ；廿■） 〔発明の効果］ 本発明に係わる式（１）の化合物は、Δｎが低く、Δε
が大きいため、現在母体液晶として汎用されているネマ
チック混合液晶に混合することによって混合液晶のΔｎ
を低下させ、Δεを上昇させ、しきい値電圧を低下させ
ることができる０本発明に係わる式（Ｉ）の化合物は、
構造類位の公知化合物と比べ、その効果は顕著であり、
視角特性に優れた低電圧駆動可能なＴＮ型液晶表示セル
を作製するための材料として極めて有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒは炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表
わし、ｎは４〜８の整数を表わし、Ｘは水素原子又はフ
ッ素原子を表わし、▲数式、化学式、表等があります▼
はトランス（エカトリアル−エカトリアル）配置のシク
ロヘキサン環を表わす。） で表わされる化合物。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015481A JP2822530B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | エーテル結合を有するフッ素系３環式化合物 |
| US07/557,336 US5068462A (en) | 1989-07-28 | 1990-07-26 | Fluorine-substituted compound containing ether bond and intermediate thereof |
| EP90114454A EP0415090B1 (en) | 1989-07-28 | 1990-07-27 | Fluorine-substituted compound containing ether bond and intermediate thereof |
| DE69006803T DE69006803T2 (de) | 1989-07-28 | 1990-07-27 | Ätherbindung enthaltende fluorsubstituierte Verbindung und Zwischenstufe dafür. |
| US07/709,842 US5166448A (en) | 1989-07-28 | 1991-06-04 | Intermediate for preparing fluorine-substituted compound containing ether bond |
| HK98104381.2A HK1005184B (en) | 1989-07-28 | 1998-05-21 | Fluorine-substituted compound containing ether bond and intermediate thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015481A JP2822530B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | エーテル結合を有するフッ素系３環式化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03220148A true JPH03220148A (ja) | 1991-09-27 |
| JP2822530B2 JP2822530B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=11889984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015481A Expired - Lifetime JP2822530B2 (ja) | 1989-07-28 | 1990-01-25 | エーテル結合を有するフッ素系３環式化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2822530B2 (ja) |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP2015481A patent/JP2822530B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2822530B2 (ja) | 1998-11-11 |
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Legal Events
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