JPH03226909A

JPH03226909A - 高誘電率系磁器組成物

Info

Publication number: JPH03226909A
Application number: JP2022985A
Authority: JP
Inventors: Seiichi Koizumi; 成一小泉
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1990-01-31
Filing date: 1990-01-31
Publication date: 1991-10-07

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、チタンジルコン酸バリウムＢａ（Ｔｉｔ−ｖ
ｚｒ　ｙ　）０３もしくはチタンジルコン酸バリウムカ
ルシウム（Ｂａｌ−ｘ　Ｃａ　ｘ　）　（Ｔｔ＋　−ｖ
　’ｌｒｖ　）０３を主成分とし、ネオジウム化合物、
酸化亜鉛、マンガン化合物を添加して得られる高誘電率
系磁器組成物に関するものである。

Ｃ従来の技術〕高誘電率系磁器組成物は、積層セラミックコンデンサ等
の材料として使用される。積層セラミックコンデンサは
、対向内部電極が形成された高誘電率系磁器組成物の生
シートを所定容量になるように複数枚積層した後、一体
的に焼成して構成されている。

このような積層セラミックコンデンサに使用される高誘
電率系磁器組成物は、比誘電率が１００００以上と高い
こと及び焼成温度が、例えば１２００″Ｃ以下であるこ
とが重要と成ってくる。即ち、２５℃における比誘電率
が１００００以上にすることにより、対向内部電極間の
高誘電率系磁器組成物生シートの厚みや対向面積の極小
化が可能となり、積層セラミックコンデンサの小型化が
達成できる。

また、焼成温度が１２００℃以下にすることより、対向
内部電極の材料の選択幅が増え、例えば高価なＰｄｌＯ
Ｏ％の材料から安価なＰｄ−Ａｇの使用が可能となる。

尚、上述していないが、高誘電率系磁器組成物としての
緒特性、誘電損失ｔａｎδ（１，０％以下）、密度、絶
縁抵抗（ＩＸ１０５ＭΩ以下）を充分に考慮しなくては
ならない。

従来、チタン酸バリウムカルシウム（Ｂａ、−ＸＣａｘ
　）（Ｔｉｔ−ｙ　Ｚｒｖ　）０：ｌを主成分とした高
誘電率系磁器組成物に、所定量のチタン酸鉛（ＰｂＴｉ
Ｏ：＋）、ゲルマン酸鉛（ＰｂｓＧｅａＯ＋　＋）及び
チタン酸ビスマス（ＢｉＴｉｚ０７）を添加した高誘電
率系磁器組成物が知られていた（特開昭５９−２５１０
４号公報）。

この高誘電率系磁器組成物によれば、焼成温度が１２０
０℃以下とすることができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、上述のチタン酸バリウムカルシウム（Ｂａｒ−
ｘ　Ｃａ　ｘ　）（Ｔｉｔ−ｖ　Ｚｒｖ　）０３に所定
量のチタン酸鉛、ゲルマン酸鉛及びチタン酸ビスマスを
添加した高誘電率系磁器組成物は、焼成温度が１２００
℃以下とすることができるため、例えば、対向内部電極
に安価な銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ：Ａｇ／Ｐｄ＝７
０／３０〜６０／４０）を使用することができるももの
、比誘電率が１００００未満となるため、小型・大容量
の積層セラミックコンデンサの達成が困難であった。

本発明は上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、
具体的には、高い比誘電率が得られ、且つ焼成温度が比
較的低く、さらには誘電損失、密度、絶縁抵抗などの特
性にも優れた高誘電率系磁器組成物を提供することにあ
る。

〔課題を解決するための手段〕

上述の目的を達成するために行った具体的な手段は、複
合酸化物（Ｂａｔ−ｘ　ＣａＸ）（Ｔｉｔ−ｙ　Ｚｒｖ
　）０３と表した時、モル分率Ｘ、Ｙがそれぞれ、０≦
Ｘ〈０．１．０．１＜Ｙ＜０．１６であり、さらに、（
Ｂａｒ−ｘ　Ｃａｘ　）　（Ｔｌｌ−Ｙ　Ｚｒｙ　）０
３の１００重量部に対して、ネオジウム化合物をＮｄｚ
Ｏ：＋換算で０．８〜１．８重量％、酸化亜鉛をＺｎＯ
換算で０．８〜２．０重量％、マンガン化合物をＭｎＯ
□換算で０．１〜０．５重量％の範囲で含有して成る高
誘電率系磁器組成物である。

さらに好ましくは、複合酸化物（Ｂａｔ−ｘ　Ｃａｘ　
）（ＴｉｌイＺｒｙ　）０３の平均粒径が１μｍ未満と
した高誘電率系磁器組成物である。

〔作用〕

以上のように本発明によれば、複合酸化物チタンジルコ
ン酸バリウムカルシウム（Ｂａｒ−ｘ　Ｃａｘ　）（Ｔ
ｉｔ−ｖ　Ｚｒｖ　）０３と表した時、モル分率が０≦
Ｘ〈０、　１．０．１＜Ｙ＜０．１６となるように設定
される。これにより、２５℃における比誘電率εが１０
０００以上となり、小型・大容量の積層セラミックコン
デンサが可能となる。

モル分率ＸがＸ≧０．　１となると、比誘電率εが１０
０００よりも小さくなる。

モル分率ＹがＹ≦０．　１となると、比誘電率εが１０
０００よりも小さくなる。

モル分率ＹがＹ≧１．６となると、比誘電率εが１００
００よりも小さくなる。

添加するネオジウム化合物、例えばＮｄ２Ｏ３は、高誘
電率系磁器組成物の絶縁抵抗を向上させ、比誘電率を上
げるものであり、添加量が０．　８重量％（Ｎｄ２０３
に換算して）未満では比誘電率が低下してしまい、また
、１．８重量％（ＮｄｚＯ＋に換算して）を越えると、
１２００℃以下で焼成しなくなり、比誘電率・絶縁抵抗
特性が低下してしまう。

添加する酸化亜鉛（Ｚｎのは、高誘電率系磁器組成物の
焼成温度を調整するものであり、ＺｎＯが０．８〜２．
０重量％の範囲外では、焼成温度が１２００℃を越え、
焼成後の磁器密度が５．６ｇ／ｃｍ３以下となってしま
う。

添加するマンガン化合物、例えばＭｎＯ２は高誘電率系
磁器組成物の誘電損失ｔａｎδを改善するものであり、
その添加量が０．１重量％（ＭｎＯ□に換算して）未満
では誘電損失ｔａｎδが２％以上となり、また０、　　
５重量％（ＭｎＯｚに換算して）を越えると、絶縁抵抗
が大きく低下してしまう。

これらの相互作用により、高比誘電率ε１Ｏ０００以上
の高誘電率系磁器組成物が得られるとともに、また焼成
温度が１２００℃以下と工業的にも製造しやすく、且つ
対向内部電極に安価な銀パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ　：Ａ
ｇ／Ｐｄ＝７０／３０〜６０／４０）が使用できる積層
セラミックコンデンサなどに使用できる高誘電率系磁器
組成物が達成される。

なお、複合酸化物チタンジルコン酸バリウムカルシウム
（Ｂａｔ−Ｘ　ＣａＸ　）（Ｔｉｔ−ＹＺｒｖ　）０３
の平均粒径は１μｍ未満が好ましい。即ち、焼成温度が
１２００℃以下では焼結しない。

さらに高誘電率系磁器組成物として基本的な特性である
誘電損失ｔａｎδが１．　０％以下、絶縁抵抗（ＩＲ）
がｌＸ１０″ＭΩ以上と充分に満足できる高誘電率系磁
器組成物が達成される。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を詳細に説明する。

チタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ｂａ　＋　−Ｘ
Ｃａ　ｘ　）（Ｔｉｔ−ｙ　Ｚｒｖ　）０３　　（０≦
Ｘ＜’０．　１．０．　１＜ｙ＜０．１６）で表される
複合酸化物を主成分として、この複合酸化物１００重量
部に対して、ネオジウム化合物としてＮｄ２Ｏ３、Ｚｎ
Ｏ及びマンガン化合物としてＭｎＯ７の各粉末を表１に
示す分率となるように秤量し、ボールミルにて２０時時
間式粉砕した後、有機系粘結剤を添加し、しかる後攪拌
、ドクターブレード法で厚さ３０μｍのテープ状に成型
した。このテープを１３０ｍｍＸ　１００ｍｍに裁断し
、４０枚重ね、８０℃でホットプレスで積層体を作成す
る。

さらに、この積層体の厚さ１ｍｍの板状試料を直径２０
ｍｍの円板状に打ち抜き、酸素雰囲気にて１０５０〜１
２００″Ｃで２時間焼成した。さらに両端面に銀ペース
トによる電極を焼きつけ試料とした。

このように形成された試料について、比誘電率ε及び誘
電損失ｔａｎδを基準温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ
、測定電圧１．ＯＶｒｍｓで測定した。また、直流電圧
５０Ｖを１分間印加した時の絶縁抵抗（ＩＲ）を測定し
た。

その結果を表１に示す。試料番号に＊印を付したものは
本発明の範囲外である。尚、（Ｂａ、−、Ｃａｘ　）（
Ｔｉｔ−ｙ　Ｚｒｖ　）０３のＸ、Ｙのモル分率につい
ては、表中はモル％で示した。

そして本発明の範囲の評価として、比誘電率εはｌｏＱＯＯ以上を良品とした。即ち、比誘
電率εが１００００未満では、充分な比誘電率が得れず
、これにより積層セラミックコンデンサの小型化が困難
となってしまう。

また、誘電損失ｔａｎδは１．　０％以下を良品とした
。即ち、誘電損失ｔａｎδが１．　０％を越えると、積
層セラミックコンデンサにおいて、誘電損失ｊａｎδ不
良となり、誘電体層の薄膜化が困難となる。

さらに密度は５．６ｇ／ｃｍ３以上を良品とした。密度
が５．６ｇ／ｃｍ３以下ではこの高誘電率系磁器組成物
を焼成した時に充分に焼成されず、１２００″Ｃ以下と
いう低温焼成が困難となることが考えられる。

さらに、絶縁抵抗（ＩＲ）は１０５ＭΩ以上を良品とし
た。

試料番号１〜５は高誘電率系磁器の主成分となるチタン
ジルコン酸バリウムＢ　ａ　　（Ｔ　ｉ　（−ｖ　Ｚ　
ｒ７）０３のＢサイトのモル分率Ｙについて検討した。

即ち、Ｙを０．０１〜０．１６まで夫々値を変化させた
。このときＡサイトのＸをＯとした。

また、添加するＮｄ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｍｎ０ｚの重量％
を夫々１．６．１．５及び０．　２に固定した。これは
後述の夫々の添加量で本発明の範囲の中心的な値となる
ものである。

試料番号１（Ｙ：１０モル％）では、焼成温度が１２０
０℃未満となり、誘電損失ｔａｎδ、密度及び絶縁抵抗
が比較的良好な結果となるものの、積層セラミックコン
デンサの小型化を大きく左右する比誘電率εが６５００
と極めて低くなってしまう。

また、試料番号２〜４（Ｙ：１１〜１５モル％）では、
比誘電率εが１０５００〜１４５００になり、１１２０
℃で焼成可能な高誘電率系磁器組成物が達成できる。ま
た、誘電損失ｔａｎδが０゜５２％以下、密度が５．　
８２　ｇ／ｃｍ３以上、絶縁１１抵抗が２．ＯＸ１０ＳＭΩ以上となる。

さらに、試料番号５（Ｙ：１６モル％）では、焼成温度
が１２００℃未満となり、誘電損失ｔａｎδ、密度及び
絶縁抵抗が比較的良好な結果となるものの、積層セラミ
ックコンデンサの小型化に大きく左右する比誘電率εが
７５００と極めて低くなってしまう。

従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウムＢ
　ａ　　（Ｔ　ｉ　＋−ｙ　Ｚ　ｒｙ　）　０３のＢサ
イトのモル分率Ｙは、充分な比誘電率εを得るために０
゜０１＜Ｙ＜０．１６の範囲とした。

試料番号６〜１１は高誘電率系磁器の主成分となるチタ
ンジルコン酸バリウムＢ　ａ　（Ｔ　ｉ　ｌイＺｒｖ）
（）＋にＵ＋ｎするＮｄｚＯ：＋の量について検討した
。即ち、ＮｄｚＯ３の添加量を０．７〜１．９まで値を
夫々変化させた。このときＡサイトのモル分率Ｘを０と
した。また、ＺｎＯ及びＭｎＯ□の添加量を、夫々１．
５及び０．　３重量％に固定した。

試料番号６　（Ｎｄ２Ｏ３の添加量＝０．７重量％）で
は、絶縁抵抗がｌＸ１０５Ｍｎと良品の範囲とな２るものの、比誘電率εが８０００と極めて低く、また焼
成温度が１２００℃と低温焼成が困難となる。さらに、
誘電損失ｔａｎδ及び密度も良好な結果が得られない。

また、試料番号７〜１０　（ＮｄｚＯ：＋の添加量：０
゜８〜１．８重量％）では、比誘電率εが１１０００〜
１７０００となり、誘電損失ｔａｎδが０．４５％以下
、密度が５．８２ｇ／ｃｍ３以上、絶縁抵抗がｌＸ１０
５Ｍｎ以上となる。また、焼成温度が１１００〜１１６
０℃となり、低温焼成が可能で、且つ比誘電率εが高い
値の組成物が達成される。

さらに、試料番号１１　（Ｎａ２Ｏ２の添加量＝１９重
量％）では、比誘電率εが１５８００と、焼成温度が１
１００℃と良好な結果が得られるものの、絶縁抵抗が８
×１０″′ＭΩと２桁はど低下してしまう。このように
２桁も絶縁抵抗値が低下してしまうと、積層セラミック
コンデンサにおいて、−船釣な規格である１Ｘ１０”Ｍ
ｎを満足しなくなる。

３− 従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウムＢ
　ａ　（Ｔ　ｉ　１−ｙ　Ｚ　ｒｙ　）　０３に添加す
るＮｄ２Ｏ３の重量は、チタンジルコン酸バリウムＢａ
（Ｔ　１ｔ−ｖ　Ｚｒｙ　）　０３１００重量部に対し
て、０．８〜１．８重量％の範囲とした。

つぎに、試料番号１２〜１８は高誘電率系磁器の主成分
となるチタンジルコン酸バリウムＢａ（Ｔ　ｉ　＋−ｖ
　Ｚ’ｒｙ　）　（）＋に添加するＺｎＯの量について
検討した。即ち、ＺｎＯの添加量を０．　７〜２゜１ま
で値を夫々変化させた。このときＡサイトのモル分率Ｘ
を０とした。また、Ｂサイトのモル分率Ｙを０．１３と
し、Ｎｄ　２０３及びＭｎ０ｚの添加量を夫々１．４及
び０．　３重量％として固定した。

試料番号１２　（ＺｎＯの添加量＝０．７重量％）では
、比誘電率εが９０００と低く、また誘電損失ｔａｎδ
、密度及び絶縁抵抗も良好な結果が得られない。

また、試料番号１３〜１７（ＺｎＯの添加量＝０゜８〜
２．０重量％）では、比誘電率εが１２０００〜１７０
００となり、誘電損失ｔａｎδがＯ−５４４％以下、密度が５．７５ｇ／ｃｍ３以上、絶縁抵抗が
ｌＸ１０！′ＭΩ以上となる。また、焼成温度が１１１
０〜１１５０℃となる。即ち、比誘電率εが高い値で、
且つ低温焼成が可能な組成物が達成される。

さらに、試料番号１８　（ＺｎＯの添加量＝２．１重量
％）では、比誘電率εが８５００と極めて低く、また焼
成温度が１２００℃となり、低温焼成が困難となる。さ
らに、誘電損失ｔａｎδ、密度及び絶縁抵抗も良好な結
果が得られない。

従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウムＢ
ａ　　（Ｔｉ＋−ｙ　ＺｒＶ）０：ｌに添加するＺｎＯ
の重量は、チタンジルコン酸バリウムＢａ（Ｔｉ＋−ｙ
　Ｚｒｙ　）０３１００重量部に対して、０゜８〜２．
０重量％の範囲とした。

つぎに、試料番号１９〜２４は高誘電率系磁器の主成分
となるチタンジルコン酸バリウムＢａ（Ｔ　ｉ　＋−ｙ
　Ｚ　ｒ　ｖ　）　０３に添加するＭｎＯ□の量につい
て検討した。即ち、ＭｎＯ□の添加量を０．〜０．６ま
で値を夫々変化させた。このときＡサイトのモ５− ル分率ＸをＯとした。また、Ｂサイトのモル分率Ｙを０
．１３とし、Ｎｄ２Ｏ３及びＺｎＯの添加量を夫々１．
５及び１．６重量％として固定した。

試料番号１９　（ＭｎＯ□の添加量がない）では、比誘
電率εが１５５００となり、また焼成温度が１１２０℃
となり、実際上、低温焼成可能な高誘電率系磁器組成物
が得られるものの、誘電損失ｔａｎδが２．１２％と極
めて大きいものとなる。これにより、誘電体層の薄膜化
が困難となる。

また、試料番号２０〜２３（ＭｎＯ□の添加量：０゜１
〜０．５重量％）では、比誘電率εが１５０００〜１６
６００となり、また焼成温度が１１２０℃となる。さら
に誘電損失ｔａｎδはＭｎＯ２の添加量なしく試料番号
１９）の２．１２％に比較して０．２０〜０．８０と大
幅に改善されることになる。これにより、高比誘電率ε
で且つ低温焼成可能で、さらに諸特性も良好な組成物が
達成される。

さらに、試料番号２４　（ＭｎＯｚの添加量＝０．６重
量％）では、比誘電率εが１４０００となり、６また焼成温度が１１２０℃となる。低温焼成でかつ高い
比誘電率εの高誘電率系磁器組成物が可能となるものの
、その他の諸物件、即ち誘電損失ｔａｎδが１．５％と
なり、絶縁抵抗が９×１０３ＭΩとなる。絶縁抵抗が９
．Ｘ１０３Ｍｎ程度であると積層セラミックコンデンサ
において絶縁抵抗の一般的な規格を満足しなくなる。

従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウムＢ
　ａ　　（Ｔ　ｉ　＋−ｙ　Ｚ　ｒｖ　）　０３に添加
するＭｎＯ２の重量は、チタンジルコン酸バリウムＢａ
（Ｔｉｔ−ｙ　Ｚｒｙ　）　０３１００重量部に対して
、０゜１〜０．５重量％の範囲とした。

つぎに、試料番号２５〜３０において、高誘電率系磁器
の主成分となるチタンジルコン酸バリウムＢ　ａ　（Ｔ
　ｉ　＋−ｖ　Ｚ　ｒＹ　）　０３の平均粒径を検討し
た。即ち、平均粒径を０．　１〜１．０μｍに夫々変化
させた。このときＡサイトのモル分率ＸをＯとした。ま
た、Ｂサイトのモル分率Ｙを０゜１３とし、Ｎｄ２Ｏ３
、ＺｎＯ及びＭｎＯ７の添加量を夫々１．５．１．５及
び０．３重量％として固定した。

試料番号２５〜２９（平均粒径が０．　１〜０゜９μｍ
）では、比誘電率εが１２０００〜１７５００となり、
また焼成温度も１０８０〜１１９０°Ｃとなる。これに
より、高い比誘電率で且つ低温焼成可能な高誘電率系磁
器組成物が得られる。

これに対して、試料番号３０（平均粒径が１゜０μｍ）
では、比誘電率εが１７０００と良好な結果が得られる
ものの、焼成温度が１２００℃を越え、１２５０°Ｃと
なってしまう。即ち、平均粒径が大きくなるにつれて、
焼成温度が高くなるとともに、比誘電率εが平均粒径０
−　９μＩ（試料番号２８）をピークに減少する。

従って、本発明においてはチタンジルコン酸バリウムＢ
　ａ　（Ｔ　ｉ　１−ｙ　Ｚ　ｒＹ　）　０３の平均粒
径を０．９μｍ以下とすることが、低温焼成の高誘電率
系磁器組成物として重要になる。

上述の実施例によれば、チタンジルコン酸バリウムＢ　
ａ　（Ｔ　ｉ　＋−ｙ　Ｚ　ｒＹ　）　０３を主成分、
即ちチタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ｂ　ａ　１
−ＸＣａｘ　）　　（Ｔ　ｉ　＋−ｖ　Ｚ　ｒｙ　）　
０３におけるＡサイトのモル分率にＸがＯであった。

そこで、チタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ｂａ＋
−ｘ　、　Ｃａｘ　）　（Ｔｉｔ−ｙ　Ｚｒｙ　）０３
におけるＡサイトのモル分率ＸをＯ〜０．１１（７）範
囲で変化させた。尚、（Ｂａ、−ｘ　、Ｃａｘ　）（Ｔ
ｉ　＋−ｙ　Ｚ　ｒｙ　）　０３の粒径は０−２μｍ、
Ｂサイトのモル分率Ｙを０．１４とし、Ｎｄ２Ｏ３、Ｚ
ｎＯ及びＭｎ０ｚの添加量を夫々１．５．１．５及び０
．３重量％として固定した。

試料番号３１はチタンジルコン酸バリウムカルシウム（
Ｂａ＋−ｘ、Ｃａｘ　）（Ｔｉｔ−ｙ　Ｚｒｖ　）０３
におけるＡサイトのモル分率ＸをＯに設定した。その結
果、比誘電率εが１６５００となり、誘電損失ｔａｎδ
が０．２６％となり、密度が５゜９２　ｇ　／ｃｍ３と
なり、絶縁抵抗が４×１０５ＭΩとなり、誘電率系磁器
組成物の諸物件を満足する。

また、焼成温度が１１２０°Ｃと低温焼成も可能なもの
となる。

試料番号３２〜３６（ｘ：１〜９モル％）では、比誘電
率εが１１０００〜１６５００となり、ま１９・た、焼成温度が１１２０〜１１４０℃となる。即ち、低
温で焼成が可能な高誘電率系磁器組成物が達成される。

また、誘電損失ｔａｎδ、密度、絶縁抵抗ＩＲも満足で
きる特性が得られる。

これに対して、試料番号３７．３８（ｘ：０゜１０．０
．１１（１０モル％、１１モル％〕）では、比誘電率ε
が９５００．８０００となり、高誘電率の磁器組成物が
達成できない。

従って、チタンジルコン酸バリウムカルシウム（Ｂａ＋
−ｘ　、　Ｃａｘ　）　（Ｔｉ　ｔ−ｙ　Ｚｒｙ　）　
０３におけるＡサイトのモル分率ＸはＯ〜０−　１の範
囲となる。即ち、チタンジルコン酸バリウムＢａ（Ｔ　
１　ｒ−ｖ　Ｚ　ｒ　ｖ　）　０３において、Ｂａに対
するモル分率として、１０モル％を限度としてＣａが含
有しているチタンジルコン酸バリウムカルシウムの酸化
物を用いることができる。

以上のように、本発明によれば、１００００以上の比誘
電率εを有し、且つ焼成温度１２００℃以下となり、高
誘電率系磁器組成物の諸物件、誘０電損失ｔａｎδが１．０％以下、絶縁抵抗（ＩＲ）がｌ
Ｘ１０５Ｍｎ以上、密度が５　、　６　ｇ　７ｃｍ”以
上の高誘電率系磁器組成物を得るには、複合酸化物（Ｂ
ａ、−ｘ　Ｃａｘ　）　（Ｔｉｔ−ｙ　Ｚｒｖ　）０３
と表した時、モル分率でＯ≦ｘ＜０．１．０．１＜Ｙ＜
０．１６であり、さらに、　（Ｂａｔ−ｘ　Ｃａｘ　）
　（Ｔｌ　ｌ−Ｙ　Ｚｒｙ　）０３の１００重量部に対
して、ネオジウム化合物をＮｄ２Ｏ３換算で０．８〜１
．８重量％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で（Ｌ８〜２．０重
量％、マンガン化合物をＭｎＯ２換算で０．１〜０．５
重量％を含有して成る高誘電率系磁器組成物となる。

最後に、添加するＮｄ２Ｏ，、ＺｎＯ及びＭｎ０ｚの添
加量が全て範囲に満たない、すなわち０．　７．０゜７
、及び０重量％の場合（試料番号３９）、比誘電率εが
６５００、焼成温度が１２２０℃となり、誘電損失ｔａ
ｎδが２．４％、絶縁抵抗ＩＲ１密度までも評価範囲外
となってしまい、実質的実用不可能に近い高誘電率系磁
器組成物となってしまう。

逆に添加するＮｄｚＯ：＋　、ＺｎＯ及びＭｎＯ２の添
加量が全て範囲を越える、即ち１，９．２．１、及び０
゜６重量％の場合（試料番号４０）、比誘電率εが９０
００となり、また絶縁抵抗ＩＲ１密度までも評価範囲外
となってしまい、実質的実用不可能に近い高誘電率系磁
器組成物となってしまう。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明によれば、複合酸化物（Ｂａｔ−
ｘ　ｃａＸ）　（Ｔｉｔ−ｙ　Ｚｒｖ　）０３と表した
時、モル分率で０≦ｘ＜０．１．０．１＜Ｙ＜０．１６
であり、さらに、　（Ｂａｔ−ＸＣａｘ　）（Ｔｉｔ−
ｙ　Ｚｒｖ　）Ｏｙの１００重量部に対して、ネオジウ
ム化合物をＮｄ２Ｏ３換算で０．８〜１．８重量％、酸
化亜鉛をＺｎＯ換算で０．８〜２．０重量％、マンガン
化合物をＭｎＯ□換算で０．１〜０．５重量％を含有し
て成るため、比誘電率εが１００００以上で、且つ焼成
温度が１２００℃以下となる。またその他の諸特性とし
て、誘電損失ｔａｎδが１．０％以下、絶縁抵抗（ＩＲ
）がｌＸ１０５Ｍｎ以上、密度が５−　６ｇ／ｃｍ３以
上の高誘電率系磁器組成物を得ることができる。

これにより、例えば積層セラミックコンデンサを上述の
高誘電率系磁器組成物で構成した場合、小型大容量のコ
ンデンサが達成でき、焼成温度１２００°Ｃ以下となり
、積層されたシート間に内部電極として安価な銀−パラ
ジウムを使用することも可能で、安価な積層セラミック
コンデンサの高誘電率系磁器組成物となる。

Claims

【特許請求の範囲】　複合酸化物（Ｂａ＿１＿−＿ＸＣａ＿Ｘ）（Ｔｉ＿１
＿−＿ＹＺｒ＿Ｙ）Ｏ＿３と表した時、モル分率Ｘ、Ｙ
がそれぞれ、０≦Ｘ＜０．１０．１＜Ｙ＜０．１６であり、さらに、（Ｂａ＿１＿−＿ＸＣａ＿Ｘ）（Ｔｉ＿１＿−
＿ＹＺｒ＿Ｙ）Ｏ＿３の１００重量部に対して、ネオジウム化合物をＮｄ＿２Ｏ＿３換算で０．８〜１．
８重量％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で０．８〜２．０重量
％、マンガン化合物をＭｎＯ＿２換算で０．１〜０．５
重量％を含有して成る高誘電率系磁器組成物。