JPH03241767A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
- Publication number
- JPH03241767A JPH03241767A JP2038664A JP3866490A JPH03241767A JP H03241767 A JPH03241767 A JP H03241767A JP 2038664 A JP2038664 A JP 2038664A JP 3866490 A JP3866490 A JP 3866490A JP H03241767 A JPH03241767 A JP H03241767A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- punch
- tip
- lead
- island
- Prior art date
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- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置用のリードフレーム及びその製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
［従来の技術］
近年、半導体装置の高集積化に伴い、リードフレームの
パターンも高集積化し、多数のリード部を有するリード
フレームが要求されるようになってきた。このようなリ
ードフレームで半導体素子とのワイヤボンディングをす
るに際してはインナーリード先端表面を自動検知装置で
検知して位置決めをしている。
パターンも高集積化し、多数のリード部を有するリード
フレームが要求されるようになってきた。このようなリ
ードフレームで半導体素子とのワイヤボンディングをす
るに際してはインナーリード先端表面を自動検知装置で
検知して位置決めをしている。
以下にリードフレームの構成をその一般的製造工程につ
いて説明する。第１図はリードフレームの形状例で、１
は半導体素子を載置するアイランド、２はインナーリー
ドと称されその先端部で半導体素子とワイヤボンディン
グにより電気的接続を行なう。３はアイランド１を保持
するタブリートである。
いて説明する。第１図はリードフレームの形状例で、１
は半導体素子を載置するアイランド、２はインナーリー
ドと称されその先端部で半導体素子とワイヤボンディン
グにより電気的接続を行なう。３はアイランド１を保持
するタブリートである。
第４図はアイランド１とインナーリード２の先端部の詳
細で、アイランド２の先端部２ａはコイニングされ少な
くとも先端部２ａの表面には銀メッキが施される。アイ
ランド１はインナーリード２の面よりデイプレスされて
いる。
細で、アイランド２の先端部２ａはコイニングされ少な
くとも先端部２ａの表面には銀メッキが施される。アイ
ランド１はインナーリード２の面よりデイプレスされて
いる。
第５図はアイランド１Ｅに半導体素子４が載置されイン
ナーリード先端部２ａ上と金属線５によってワイヤボン
ディングされた状態を示している。
ナーリード先端部２ａ上と金属線５によってワイヤボン
ディングされた状態を示している。
以上のような構成にするための製造工程は通常次の手順
によっている。先ず、第１図のような形状に板状部材か
らエツチングにより加工する。次にインナーリード先端
部２ａのコイニングを行い、次いで先端部２ａに銀メッ
キを施し、その後アイランド１をデイプレスする。即ち
、第８図の工程順で製作することになる。このようにし
て得られたリードフレームのアイランド１上に半導体素
子４を載置し、インナーリード先端部２ａを撮像素子で
捕えて、得られた画像を解析してインナーリードの先端
部２ａの位置を検出しながら半導体素子４の各端子とワ
イヤボディングを行なうものである。
によっている。先ず、第１図のような形状に板状部材か
らエツチングにより加工する。次にインナーリード先端
部２ａのコイニングを行い、次いで先端部２ａに銀メッ
キを施し、その後アイランド１をデイプレスする。即ち
、第８図の工程順で製作することになる。このようにし
て得られたリードフレームのアイランド１上に半導体素
子４を載置し、インナーリード先端部２ａを撮像素子で
捕えて、得られた画像を解析してインナーリードの先端
部２ａの位置を検出しながら半導体素子４の各端子とワ
イヤボディングを行なうものである。
Ｆ発明が解決しようとする課題］
しかしながらこのような従来の構成及び製造方法ではイ
ンナーリードの先端部２ａの表面の銀メッキに光沢があ
るため、画像解析を行なう際に誤動作することがあった
。更にインナーリードの先端とアイランｆ” １の先端
部２ａの部分をメッキし、その後コイニング及びデイプ
レスする工程にすると、メッキされた面をコイニングす
ることになるため、先端部２ａに低光沢メッキを施して
おいても先端部２ａ而上は鏡面となりインナーリードの
先端部２ａ面を正しく認識し得す誤動作する頻度が高く
なっていた。
ンナーリードの先端部２ａの表面の銀メッキに光沢があ
るため、画像解析を行なう際に誤動作することがあった
。更にインナーリードの先端とアイランｆ” １の先端
部２ａの部分をメッキし、その後コイニング及びデイプ
レスする工程にすると、メッキされた面をコイニングす
ることになるため、先端部２ａに低光沢メッキを施して
おいても先端部２ａ而上は鏡面となりインナーリードの
先端部２ａ面を正しく認識し得す誤動作する頻度が高く
なっていた。
［課題を解決するため１手段］
この課題を解決するために本発明は、リードフレームの
インナーリート部の先端部にメッキを施した後、表面を
荒くしたパンチによってインナーリードの先端部にコイ
ニング加］−を施すようにする。
インナーリート部の先端部にメッキを施した後、表面を
荒くしたパンチによってインナーリードの先端部にコイ
ニング加］−を施すようにする。
［作用］
このようにすることによって、メッキを行なった後に、
コイニング加工を施しても、インナーリードの先端部は
パンチの表面の荒さによって、鏡面になることがなくな
る。
コイニング加工を施しても、インナーリードの先端部は
パンチの表面の荒さによって、鏡面になることがなくな
る。
［実施例］
以下、本発明の一実施例におけるリードフレーム及びそ
の製造方法について詳細に説明する。
の製造方法について詳細に説明する。
第１図はリードフレームの平面図である。ここで７はリ
ードフレームであり、１は半導体素子を載置するための
アイランドである。２はアイランド１に載置された半導
体素子の端子との信号の授受を行なうためのインナーリ
ードである。３はアイランド１を保持するタグリートで
ある。
ードフレームであり、１は半導体素子を載置するための
アイランドである。２はアイランド１に載置された半導
体素子の端子との信号の授受を行なうためのインナーリ
ードである。３はアイランド１を保持するタグリートで
ある。
−
第２図はリードフレーム７の側面図であり、第３図はそ
のリードフレーム７のインナーリード２の先端にコイニ
ング加工を施した後の状態を示す。
のリードフレーム７のインナーリード２の先端にコイニ
ング加工を施した後の状態を示す。
第４図はそのリードフレーム７のアイランド１を押し下
げるデイプレス処理を施した後の状態を示す。尚、コイ
ニング加工、及びデイプレス加工はプレス加工によって
施されるものである。
げるデイプレス処理を施した後の状態を示す。尚、コイ
ニング加工、及びデイプレス加工はプレス加工によって
施されるものである。
更に第５図はアイランド１に半導体４を載置し、ワイヤ
ボンディングを施した後の状態を示す図で、５はボンデ
ィングされた金線である。
ボンディングを施した後の状態を示す図で、５はボンデ
ィングされた金線である。
第６図は第４図に示すようにリードフレーム７のインナ
ーリード２の先端部２ａにコイニング処理を施すプレス
装置の概略図である。ここで７はリードフレームである
。８はリードフレーム７を載置するパンチダイである。
ーリード２の先端部２ａにコイニング処理を施すプレス
装置の概略図である。ここで７はリードフレームである
。８はリードフレーム７を載置するパンチダイである。
９はコイニング加工用のパンチである。このパンチ９の
リードフレーム７との対向面９ａは表面が荒く加工され
ている。
リードフレーム７との対向面９ａは表面が荒く加工され
ている。
例えば１０００番程度０サンドペーパーで擦って表面に
傷をつけたものを用いることができる。パンチダイ８の
上にリードフレーム７を載置した状態でパンチ９を降ろ
すことによってリードフレー第１図のようにエツチング
により加工する。この状態でインナーリード２の先端部
に銀メッキを施す。次に第４図のようにインナーリード
先端部２ａの銀メッキ上に第６図に示すパンチ表面９ａ
を荒くしたパンチ９でコイニング加工をする。その後ア
イランド１をデイプレスする。即ち以上の工程順は第５
図の通りである。この後第５図に示すようにアイランド
１上に半導体素子４を載置し、インナーリードの先端部
２ａを撮像素子で映像として捕らえ、画像分析を行なっ
てインナーリードの先端部２ａの位置を検出して位置決
めしながら、半導体素子４の各端子とワイヤボンディン
グを行なうものである。
傷をつけたものを用いることができる。パンチダイ８の
上にリードフレーム７を載置した状態でパンチ９を降ろ
すことによってリードフレー第１図のようにエツチング
により加工する。この状態でインナーリード２の先端部
に銀メッキを施す。次に第４図のようにインナーリード
先端部２ａの銀メッキ上に第６図に示すパンチ表面９ａ
を荒くしたパンチ９でコイニング加工をする。その後ア
イランド１をデイプレスする。即ち以上の工程順は第５
図の通りである。この後第５図に示すようにアイランド
１上に半導体素子４を載置し、インナーリードの先端部
２ａを撮像素子で映像として捕らえ、画像分析を行なっ
てインナーリードの先端部２ａの位置を検出して位置決
めしながら、半導体素子４の各端子とワイヤボンディン
グを行なうものである。
以上のように本実施例によれば、インナーリード先端部
２ａをメッキ後コイニングしても、コイニング用パンチ
表面を荒くしておくことによって鏡面とはならなす、光
沢の低い乱反射面が得られる。また以」二の工程ではイ
ンナーリード先端をアイランドに接続した状態でメッキ
を行ない、その後にアイランドとインナーリードとの切
断を行なう場合、この切断のためのパンチ、コイニング
のためのパンチ、デイプレスのためのノくンチが連続し
て行なえるので生産性の向上を図ることかできる。なお
本実施例では第１図の形状を工・ソチングと加工とした
がプレス加工で実施しても本発明は効果を発する。
２ａをメッキ後コイニングしても、コイニング用パンチ
表面を荒くしておくことによって鏡面とはならなす、光
沢の低い乱反射面が得られる。また以」二の工程ではイ
ンナーリード先端をアイランドに接続した状態でメッキ
を行ない、その後にアイランドとインナーリードとの切
断を行なう場合、この切断のためのパンチ、コイニング
のためのパンチ、デイプレスのためのノくンチが連続し
て行なえるので生産性の向上を図ることかできる。なお
本実施例では第１図の形状を工・ソチングと加工とした
がプレス加工で実施しても本発明は効果を発する。
［発明の効果］
以上のように本発明は、リードフレームの先端部にメッ
キを施した後に、表面を荒くしたノくンチによってコイ
ニング加工を施すようにしたので、インナーリードの先
端部が鏡面になって光沢をもつようにはならず、ワイヤ
ーボンデングを行なうために撮像した映像を解析する際
、映像には位置検出に悪影響を与える不要な光りの映り
がなく、ボンディングミスを防ぐことが可能になる。
キを施した後に、表面を荒くしたノくンチによってコイ
ニング加工を施すようにしたので、インナーリードの先
端部が鏡面になって光沢をもつようにはならず、ワイヤ
ーボンデングを行なうために撮像した映像を解析する際
、映像には位置検出に悪影響を与える不要な光りの映り
がなく、ボンディングミスを防ぐことが可能になる。
第１図は −゛ リードフレームの
平面図、第２図は本実施例でのリードフレームの断面図
、第３図は本実施例でコイニング加工後のリードフレー
ムの断面図、第４図は本美導嘲弄サイプレス加工後のリ
ードフレームの断面図、第５図はＭ半導体素子を載置し
ワイヤボンディングを施した状態での断面図、第６図は
本実施例でのコイニング加工を施すためのパンチ装置の
概略図、第７図は本実施例でのリードフレームの製造工
程を示す流れ図、第８図は従来のリードフレームの製造
工程を示す流れ図である。 １・・・アイランド、２・・・インナーリード、３・・
・タブリード、
平面図、第２図は本実施例でのリードフレームの断面図
、第３図は本実施例でコイニング加工後のリードフレー
ムの断面図、第４図は本美導嘲弄サイプレス加工後のリ
ードフレームの断面図、第５図はＭ半導体素子を載置し
ワイヤボンディングを施した状態での断面図、第６図は
本実施例でのコイニング加工を施すためのパンチ装置の
概略図、第７図は本実施例でのリードフレームの製造工
程を示す流れ図、第８図は従来のリードフレームの製造
工程を示す流れ図である。 １・・・アイランド、２・・・インナーリード、３・・
・タブリード、
Claims (1)
- インナーリードの先端部分にメッキ処理を施した後、
該インナーリードの先端部分を、表面を荒くしたパンチ
によってコイニング加工を施すことを特徴とするリード
フレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2038664A JPH03241767A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2038664A JPH03241767A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03241767A true JPH03241767A (ja) | 1991-10-28 |
Family
ID=12531538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2038664A Pending JPH03241767A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03241767A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002173A (en) * | 1991-12-20 | 1999-12-14 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Semiconductor device package with metal-polymer joint of controlled roughness |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6148951A (ja) * | 1984-08-16 | 1986-03-10 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS6242254B2 (ja) * | 1976-09-20 | 1987-09-07 | Intaanashonaru Bijinesu Mashiinzu Corp |
-
1990
- 1990-02-20 JP JP2038664A patent/JPH03241767A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6242254B2 (ja) * | 1976-09-20 | 1987-09-07 | Intaanashonaru Bijinesu Mashiinzu Corp | |
| JPS6148951A (ja) * | 1984-08-16 | 1986-03-10 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002173A (en) * | 1991-12-20 | 1999-12-14 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Semiconductor device package with metal-polymer joint of controlled roughness |
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