JPH03258589A - 光学記録材料の製造方法 - Google Patents
光学記録材料の製造方法Info
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- JPH03258589A JPH03258589A JP2056738A JP5673890A JPH03258589A JP H03258589 A JPH03258589 A JP H03258589A JP 2056738 A JP2056738 A JP 2056738A JP 5673890 A JP5673890 A JP 5673890A JP H03258589 A JPH03258589 A JP H03258589A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザー光により反射率が変化することを利用
した光学記録材料の製造方法に関するものである。
した光学記録材料の製造方法に関するものである。
近年、レーザー関連技術が目覚ましく進歩し、また、情
報のデジタル化が進みそれに必要なさまざまな新しい光
記録材料が提案されている。
報のデジタル化が進みそれに必要なさまざまな新しい光
記録材料が提案されている。
代表的なデジタル記録材料としては光ディスクを挙げる
ことができる。光ディスクはコンパクトディスク(CD
)などの再生専用の光ディスク、−度だけ記録可能な追
記型光ディスク、何度も記録可能な書き換え型光ディス
ク等に分類される。
ことができる。光ディスクはコンパクトディスク(CD
)などの再生専用の光ディスク、−度だけ記録可能な追
記型光ディスク、何度も記録可能な書き換え型光ディス
ク等に分類される。
これとは別に簡便に取り扱えるものとして高密度でいつ
でも持運びの出来る光カード材料が提案されている。
でも持運びの出来る光カード材料が提案されている。
この−例として、特開昭59−501239号公報、特
開昭58−188346号公報などに記載されているド
レクスラー社で開発された光カドが著名である。また光
ディスクと同様な材料を用いて、各社で光カードが開発
されている。
開昭58−188346号公報などに記載されているド
レクスラー社で開発された光カドが著名である。また光
ディスクと同様な材料を用いて、各社で光カードが開発
されている。
これらの光記録材料は通常、光記録層と光学的に透明な
基板あるいは保護層とからなる積層構造を有しており、
これらの基板を介して光記録再生を行うことで、光記録
層の保護やゴく、傷に強い信頼性の高い光記録材料を提
供している。
基板あるいは保護層とからなる積層構造を有しており、
これらの基板を介して光記録再生を行うことで、光記録
層の保護やゴく、傷に強い信頼性の高い光記録材料を提
供している。
一方、本出願人らは金属銀粒子と疎水性バインダー物質
よりなる反射層を有する新規な光学記録材料を提案して
いる。この記録材料は高温高湿下で保存安定性にすぐれ
ており、折り曲げ等の苛酷な使用条件でも記録材料とし
て十分使用することが出来、かつ低コストの光学記録材
料である。この反射性記録材料と透明基板あるいは透明
保護層を積層するには接着剤等で貼合わせる方法がある
が接着の際にゴミ、気泡等の欠陥が反射性記録材料面に
発生しやすく記録材料としての信頼性を低下させる。ま
たグルーブを有する透明基板ではグルーブの溝が微細な
ため完全に反射性記録材とを密着させることは困難であ
り、規格品が利用出来ず、工業的にも不利であった。
よりなる反射層を有する新規な光学記録材料を提案して
いる。この記録材料は高温高湿下で保存安定性にすぐれ
ており、折り曲げ等の苛酷な使用条件でも記録材料とし
て十分使用することが出来、かつ低コストの光学記録材
料である。この反射性記録材料と透明基板あるいは透明
保護層を積層するには接着剤等で貼合わせる方法がある
が接着の際にゴミ、気泡等の欠陥が反射性記録材料面に
発生しやすく記録材料としての信頼性を低下させる。ま
たグルーブを有する透明基板ではグルーブの溝が微細な
ため完全に反射性記録材とを密着させることは困難であ
り、規格品が利用出来ず、工業的にも不利であった。
金属銀微粒子が疎水性バイングー中に分散してなる反射
性記録層と透明基板とが積層してなり、該透明基板を介
して光学的に記録再生を行なう光記録材料において、記
録面にゴミ、ボイド等の欠陥がなく信頼性の高い記録材
料の製造方法を提供することは工業上きわめて重要であ
る。
性記録層と透明基板とが積層してなり、該透明基板を介
して光学的に記録再生を行なう光記録材料において、記
録面にゴミ、ボイド等の欠陥がなく信頼性の高い記録材
料の製造方法を提供することは工業上きわめて重要であ
る。
そのために本発明者らが種々検討した結果、金属銀粒子
が疎水性バインダーに分散してなる反射性記録層と透明
基板とが積層してなり、該透明基板を介して光学的に記
録再生を行なう光学記録材料の製造方法において、記録
再生光の透過率85%以上、複屈折がダブルパスで11
00n以下である該基板に銀もしくは銀より貴な金属触
媒核を実質的な反射率の変化なしに形成させ、次に有機
銀塩酸化剤と還元剤と疎水性バインダーを含む銀塩組成
物を形成し、ついで100〜200 ’Cに加熱するこ
とにより該銀塩組成物の基板面側に密に金属銀粒子分散
層を形成させ該透明基板を介しての反射率を10〜90
%とすることを特徴とする光学記録材料の製造方法であ
り、さらに透明基板が予め設けられたグルーブを有して
いる光学記録材料の製造方法に関するものである。
が疎水性バインダーに分散してなる反射性記録層と透明
基板とが積層してなり、該透明基板を介して光学的に記
録再生を行なう光学記録材料の製造方法において、記録
再生光の透過率85%以上、複屈折がダブルパスで11
00n以下である該基板に銀もしくは銀より貴な金属触
媒核を実質的な反射率の変化なしに形成させ、次に有機
銀塩酸化剤と還元剤と疎水性バインダーを含む銀塩組成
物を形成し、ついで100〜200 ’Cに加熱するこ
とにより該銀塩組成物の基板面側に密に金属銀粒子分散
層を形成させ該透明基板を介しての反射率を10〜90
%とすることを特徴とする光学記録材料の製造方法であ
り、さらに透明基板が予め設けられたグルーブを有して
いる光学記録材料の製造方法に関するものである。
さらに好ましくは該銀塩組成物を形成させた後、照度1
0ルツクス以下の暗所で50〜80”Cで乾燥させた後
100〜200’Cで加熱することを特長とする光学記
録材料の製造方法である。
0ルツクス以下の暗所で50〜80”Cで乾燥させた後
100〜200’Cで加熱することを特長とする光学記
録材料の製造方法である。
本発明において使用される透明基板は記録再生光の透過
率85%以上、複屈折がダブルパスで1100n以下で
あれば何でもよい。例えば材料としてはガラスあるいは
、ポリメチルメタクリレト、ポリカーボネート、エポキ
シ樹脂等のプラスチック類が使用できる。大きさ、形、
厚みはとくに限定されないが、複屈折が大きいと光学記
録再生のときに光検出装置が正常に機能しないため、複
屈折がダブルパスで1100n以下の透明基板であるこ
とが必要である。また記録材が積層されない側に傷がつ
きにくいように表面処理がなされても良い。
率85%以上、複屈折がダブルパスで1100n以下で
あれば何でもよい。例えば材料としてはガラスあるいは
、ポリメチルメタクリレト、ポリカーボネート、エポキ
シ樹脂等のプラスチック類が使用できる。大きさ、形、
厚みはとくに限定されないが、複屈折が大きいと光学記
録再生のときに光検出装置が正常に機能しないため、複
屈折がダブルパスで1100n以下の透明基板であるこ
とが必要である。また記録材が積層されない側に傷がつ
きにくいように表面処理がなされても良い。
また透明基板はグルーブを有していてもよい。
このグルーブは光学的に記録再生する時のトラッキング
に必要な案内溝のことであり、例えば、光ディスクでは
基板表面に同心円またはスパイラル状に設置される。も
ちろん光カードのように矩形の記録材料では平行線状で
あってもかまわない。
に必要な案内溝のことであり、例えば、光ディスクでは
基板表面に同心円またはスパイラル状に設置される。も
ちろん光カードのように矩形の記録材料では平行線状で
あってもかまわない。
溝の深さは光検出が位相差の場合のようにλ/ 8 n
(λは記録再生光の波長、nは透明基板の屈折率)であ
ってもよいし、別の深さでもかまわない。
(λは記録再生光の波長、nは透明基板の屈折率)であ
ってもよいし、別の深さでもかまわない。
この透明基板上またはグルーブを有する透明基板ではグ
ルーブ形成面上に、銀もしくは銀より貴な金属触媒核を
これらを含有した組成物の塗布あるいは吸着、さらには
真空蒸着、スパッタ等を用いて形成させる。この時の金
属触媒核の形成量は該透明基板の反射率の変化幅が1%
以下と実質的に変化のない極めてわずかの量で充分であ
る。反射率変化幅が大きいと金属銀粒子分散層が不均一
となり好ましくない。とくに好ましい形成方法は金属触
媒核を含有した組成物の溶液や分散液に浸漬する方法で
あり、均一な金属触媒核を形成できる。例えば、塩化第
一錫の水溶液と塩化パラジウムの水溶液に順次浸漬する
方法あるいは有機パラジウムコロイド水溶液、還元水溶
液に順次浸漬する方法等パラジウムの金属触媒核を付与
させる無電解メツキ触媒核形成法がある。これらの浸漬
液は濃度も低く低粘度のため、微細な溝構造のグルーブ
を有する透明基板上に該金属触媒核を形成する際に、溝
内にも未形成部分やむらの無い金属触媒核形成面ができ
る。
ルーブ形成面上に、銀もしくは銀より貴な金属触媒核を
これらを含有した組成物の塗布あるいは吸着、さらには
真空蒸着、スパッタ等を用いて形成させる。この時の金
属触媒核の形成量は該透明基板の反射率の変化幅が1%
以下と実質的に変化のない極めてわずかの量で充分であ
る。反射率変化幅が大きいと金属銀粒子分散層が不均一
となり好ましくない。とくに好ましい形成方法は金属触
媒核を含有した組成物の溶液や分散液に浸漬する方法で
あり、均一な金属触媒核を形成できる。例えば、塩化第
一錫の水溶液と塩化パラジウムの水溶液に順次浸漬する
方法あるいは有機パラジウムコロイド水溶液、還元水溶
液に順次浸漬する方法等パラジウムの金属触媒核を付与
させる無電解メツキ触媒核形成法がある。これらの浸漬
液は濃度も低く低粘度のため、微細な溝構造のグルーブ
を有する透明基板上に該金属触媒核を形成する際に、溝
内にも未形成部分やむらの無い金属触媒核形成面ができ
る。
本発明に使用される銀塩組成物は有vIA銀塩酸化剤と
還元剤と疎水性バインダーとを必須成分として含有し、
さらに任意成分として材料性能を高めることが出来る種
々の添加物を含有することができる。例えば、金属銀光
沢層の銀粒子の大きさをコントロールする化合物、例え
ば、乾式銀塩感材でいうフタラジノンのごとき調色剤を
添加することが出来る。また必要に応してかぶり防止剤
、増感剤等を添加することができる。
還元剤と疎水性バインダーとを必須成分として含有し、
さらに任意成分として材料性能を高めることが出来る種
々の添加物を含有することができる。例えば、金属銀光
沢層の銀粒子の大きさをコントロールする化合物、例え
ば、乾式銀塩感材でいうフタラジノンのごとき調色剤を
添加することが出来る。また必要に応してかぶり防止剤
、増感剤等を添加することができる。
用いることのできる有機銀塩酸化剤としては、長鎖脂肪
酸をはじめ色々のカルボン酸の銀塩やサンカリン酸銀や
ヘンシトリアゾールの銀塩があり、この中では、ベヘン
酸銀、ステアリン酸銀、トリフルオロ酢酸銀などが特に
有用である。
酸をはじめ色々のカルボン酸の銀塩やサンカリン酸銀や
ヘンシトリアゾールの銀塩があり、この中では、ベヘン
酸銀、ステアリン酸銀、トリフルオロ酢酸銀などが特に
有用である。
疎水性有機高分子バインダーとU7ては疎水性であれば
いずれの有機高分子であってもよく、例を挙げるならば
、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、
ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、セルロース
アセテート、セルロスブチレート、ポリスチレン、ポリ
塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル
共重合体などである。これらの高分子バインダーは2種
以上混合して使用することもできる。これらの使用量は
有機銀塩酸化剤に対して重量比で約10対1〜約1対1
0、好ましくは約4対1〜1対4である。
いずれの有機高分子であってもよく、例を挙げるならば
、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、
ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、セルロース
アセテート、セルロスブチレート、ポリスチレン、ポリ
塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル
共重合体などである。これらの高分子バインダーは2種
以上混合して使用することもできる。これらの使用量は
有機銀塩酸化剤に対して重量比で約10対1〜約1対1
0、好ましくは約4対1〜1対4である。
還元剤としては、水酸基の結合する炭素に隣接する炭素
に立体的にかさ高い基が結合し、水酸基を立体的に阻害
している阻害フェノール類であり、例えば、2,6−ジ
ーt−ブチル−4−メチルフェノール、2,2′−メチ
レンビス−(4−メチル6−t−ブチルフェノール)、
2.2’−メチレンビス−(4−エチル−6−t、−ブ
チルフェノール)、2.4.4−トリメチルペンチルビ
ス−(2−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニール)
メタン、2,5ジーt−ブチル−4−メトキシフェノー
ル等を挙げることができる。
に立体的にかさ高い基が結合し、水酸基を立体的に阻害
している阻害フェノール類であり、例えば、2,6−ジ
ーt−ブチル−4−メチルフェノール、2,2′−メチ
レンビス−(4−メチル6−t−ブチルフェノール)、
2.2’−メチレンビス−(4−エチル−6−t、−ブ
チルフェノール)、2.4.4−トリメチルペンチルビ
ス−(2−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニール)
メタン、2,5ジーt−ブチル−4−メトキシフェノー
ル等を挙げることができる。
またハイドロキノン、2,5−ジメチルヒドロキノン、
クロロヒドロキノン、p−アミノフェノル、メチルハイ
ドロナフタレン、フェニドン、没食子酸メチル等の銀塩
用還元剤や、p−フェニルデノール、ビスフェノールA
、2.4−ジヒドロキシ安息香酸、p−メトキシフェノ
ールも使用することができる。還元剤の量としては、還
元剤の種類などにより変動するが、−船釣には、有機銀
塩酸化剤1モルに対し約0.01モル〜約10モル、好
ましくは約0.1モル−約3モルである。
クロロヒドロキノン、p−アミノフェノル、メチルハイ
ドロナフタレン、フェニドン、没食子酸メチル等の銀塩
用還元剤や、p−フェニルデノール、ビスフェノールA
、2.4−ジヒドロキシ安息香酸、p−メトキシフェノ
ールも使用することができる。還元剤の量としては、還
元剤の種類などにより変動するが、−船釣には、有機銀
塩酸化剤1モルに対し約0.01モル〜約10モル、好
ましくは約0.1モル−約3モルである。
これらの光学記録材料の組成物は前記必須成分および任
意成分を有機溶媒中に分散あるいは溶解した液を透明基
板上の金属触媒核形成面上に塗布し、乾燥するが、好ま
しくは照度10ルツクス以下の暗所で乾燥させる。照度
が10ルツクスを越えると有機銀塩酸化剤が光分解が起
こり光学記録材料の記録感度を低下させる。また乾燥温
度が50°Cを下回ると該組成物中に含まれる溶剤や微
量水分が残り易く、次に加熱する際に気泡やボイド等の
欠陥が発生し好ましくない。また80″Cを越えると有
機銀塩酸化剤の分解が起こり、記録感度を低下させる。
意成分を有機溶媒中に分散あるいは溶解した液を透明基
板上の金属触媒核形成面上に塗布し、乾燥するが、好ま
しくは照度10ルツクス以下の暗所で乾燥させる。照度
が10ルツクスを越えると有機銀塩酸化剤が光分解が起
こり光学記録材料の記録感度を低下させる。また乾燥温
度が50°Cを下回ると該組成物中に含まれる溶剤や微
量水分が残り易く、次に加熱する際に気泡やボイド等の
欠陥が発生し好ましくない。また80″Cを越えると有
機銀塩酸化剤の分解が起こり、記録感度を低下させる。
使用する有機溶剤は透明基板を膨潤、劣化させないもの
を選択する必要がある。こうして準備された積層物を1
00〜200°Cの温度で数秒ないし約10分間加熱す
る。この時の加熱処理温度は透明基板の耐熱性を考慮し
、熱変形温度以下の温度で加熱処理することが肝要であ
る。また100 ’ Cを下回ると金属銀粒子分散層の
形成速度が遅く実用的でない。また200°Cを越える
と金属銀粒子層0 が不均一になり光記録材料として使用できない。
を選択する必要がある。こうして準備された積層物を1
00〜200°Cの温度で数秒ないし約10分間加熱す
る。この時の加熱処理温度は透明基板の耐熱性を考慮し
、熱変形温度以下の温度で加熱処理することが肝要であ
る。また100 ’ Cを下回ると金属銀粒子分散層の
形成速度が遅く実用的でない。また200°Cを越える
と金属銀粒子層0 が不均一になり光記録材料として使用できない。
加熱により銀塩組成物の透明基板側に金属銀粒子が形成
し、該透明基板を介しての反射率が10〜90%である
光学記録材料が簡便、迅速に形成される。
し、該透明基板を介しての反射率が10〜90%である
光学記録材料が簡便、迅速に形成される。
本発明の光学記録材料の記録層を保護するための保護層
が設けられても良いし、反り等を防ぐため本記録材料の
透明基板側を外側にして二枚で密着貼合式や中空式のサ
ンドインチ構造とすることもできる。
が設けられても良いし、反り等を防ぐため本記録材料の
透明基板側を外側にして二枚で密着貼合式や中空式のサ
ンドインチ構造とすることもできる。
本発明の記録材料は、いわゆる追記型の記録材料として
用いることができ、例えば、追記型の光ディスク、追記
型のコンパクトディスク、光カドに利用できる。もちろ
ん読取り専用のROMディスク、コンパクトディスク、
ROMカードにも利用可能である。
用いることができ、例えば、追記型の光ディスク、追記
型のコンパクトディスク、光カドに利用できる。もちろ
ん読取り専用のROMディスク、コンパクトディスク、
ROMカードにも利用可能である。
以下に実施例を示すが、下記の実施例は一例を挙げたも
のであり、なんら本発明の範囲を限定するものではない
。
のであり、なんら本発明の範囲を限定するものではない
。
実施例1
厚さ0.4祁の光学用ポリカーボネート板(光透過率9
3%、複屈折ダブルパス40nm)の片面を保護フィル
ムで覆い、下記の水溶液に順次各々10秒間浸漬後、水
洗、風乾した。
3%、複屈折ダブルパス40nm)の片面を保護フィル
ムで覆い、下記の水溶液に順次各々10秒間浸漬後、水
洗、風乾した。
(水溶液1)
塩化第一錫 7g
蒸留水 200m旦
濃塩酸 4 ml
(水溶液2)
塩化パラジウム 0.1g
蒸留水 200 mfl濃塩酸
5 ml 下記の成分からなる懸濁液を約13時間ボールミルによ
って均一化したのち、平均孔径1.5μmのフィルター
を通した。この液を先で得られたサンプル上に小型アプ
リケーターにより乾燥膜厚6μmとなるよう均一に塗布
し、照度5ルツクスの暗所で60°Cで1時間乾燥した
。
5 ml 下記の成分からなる懸濁液を約13時間ボールミルによ
って均一化したのち、平均孔径1.5μmのフィルター
を通した。この液を先で得られたサンプル上に小型アプ
リケーターにより乾燥膜厚6μmとなるよう均一に塗布
し、照度5ルツクスの暗所で60°Cで1時間乾燥した
。
ベヘン酸銀 22g
ポリビニルブチラール 18g
フクラゾン 3g
2−t−ブチル−6−(3−t−ブチ1シ2−ヒトUキ
シー5−メチルベンジル)4−メチルフェニルアクリレ
ート 8 gメチルエチル
ケトン 170g メタノール 20g トルエン 55g 得られた積層物を110°Cで3分間加熱するとポリカ
ーボネート基板側が反射率40%の金属光沢を有するサ
ンプルが得られた。
シー5−メチルベンジル)4−メチルフェニルアクリレ
ート 8 gメチルエチル
ケトン 170g メタノール 20g トルエン 55g 得られた積層物を110°Cで3分間加熱するとポリカ
ーボネート基板側が反射率40%の金属光沢を有するサ
ンプルが得られた。
このサンプルは830nmの発光波長を有する半導体レ
ーザーの10mWの50μsのパルス光で記録できるこ
とが確認できた。また基板と金属光沢層の間に気泡、ゴ
短等の欠陥がなく良好な記録材料が得られた。
ーザーの10mWの50μsのパルス光で記録できるこ
とが確認できた。また基板と金属光沢層の間に気泡、ゴ
短等の欠陥がなく良好な記録材料が得られた。
実施例2
厚さ1.2mmの5インチの光デイスク用ガラス基板(
グルーブ付き、グルーブない部分で光透過率90%、複
屈折ダブルパス5nm 以下)上に日本セーリング社
製の無電界メツキ用の触媒核形成法を用いて表面に金属
現像核、すなわちパラジウム核を形成した。その方法を
次に示す。
グルーブ付き、グルーブない部分で光透過率90%、複
屈折ダブルパス5nm 以下)上に日本セーリング社
製の無電界メツキ用の触媒核形成法を用いて表面に金属
現像核、すなわちパラジウム核を形成した。その方法を
次に示す。
下記の水溶液に順次各々20秒間浸漬後、水洗、風乾し
た。
た。
(水溶液1)
アクチベータネオガント834 40mfl(日本セー
リング社の商品名) 蒸留水 956 ml水酸化ナ
トリウム 3g(水溶液2) リデューサ−ネオガントWA 5m1(日本セー
リング社の商品名) ホウ酸 5g 蒸留水 950 m得られたサ
ンプル上に下記の成分からなる溶液を約1時間攪拌し均
一化した後平均孔径1.5μmのフィルターを通した液
をキャスト法により乾燥膜厚5μmとなるよう均一に塗
布し、照度1ルツクス以下の暗所で温度60°Cで2時
間乾燥した。
リング社の商品名) 蒸留水 956 ml水酸化ナ
トリウム 3g(水溶液2) リデューサ−ネオガントWA 5m1(日本セー
リング社の商品名) ホウ酸 5g 蒸留水 950 m得られたサ
ンプル上に下記の成分からなる溶液を約1時間攪拌し均
一化した後平均孔径1.5μmのフィルターを通した液
をキャスト法により乾燥膜厚5μmとなるよう均一に塗
布し、照度1ルツクス以下の暗所で温度60°Cで2時
間乾燥した。
3
4
トリフルオロ酢酸銀 20g26−ジーt
−ブチル−4 メチルフェノール 9g2−ブタノン
200gトルエン
60gポリメチルメククリレート18g 得られた積層物を150°Cで5分間加熱するとガラス
基板側が反射率70%の金属光沢を有するサンプルが得
られた。
−ブチル−4 メチルフェノール 9g2−ブタノン
200gトルエン
60gポリメチルメククリレート18g 得られた積層物を150°Cで5分間加熱するとガラス
基板側が反射率70%の金属光沢を有するサンプルが得
られた。
このサンプルは光デイスク用評価機でグルーブによるト
ラッキングサーボが働くことが確認され、さらに半導体
レーザーで記録と再生ができることも確認できた。され
に基板と金属光沢層の間にばゴξや気泡もなく欠陥のな
い良好な記録材料が得られた。
ラッキングサーボが働くことが確認され、さらに半導体
レーザーで記録と再生ができることも確認できた。され
に基板と金属光沢層の間にばゴξや気泡もなく欠陥のな
い良好な記録材料が得られた。
(発明の効果)
本発明により、反射性記録層と透明基板からなる光学記
録材料において欠陥がない信頼性の高い記録材料が提供
できる。さらに簡便かつ安価に製造できその効果はきわ
めて大きい。
録材料において欠陥がない信頼性の高い記録材料が提供
できる。さらに簡便かつ安価に製造できその効果はきわ
めて大きい。
5
Claims (2)
- (1)金属銀粒子が疎水性バインダーに分散してなる反
射性記録層と透明基板とが積層してなり、該透明基板を
介して光学的に記録再生を行なう光学記録材料の製造方
法において、記録再生光の透過率85%以上、複屈折が
ダブルパスで100nm以下である透明基板上に銀もし
くは銀より貴な金属触媒核を実質的な反射率の変化なし
に形成させ、次に有機銀塩酸化剤と還元剤と疎水性バイ
ンダーを含む銀塩組成物を形成させ、ついで100〜2
00℃に加熱することにより該銀塩組成物の基板面側に
密に金属銀粒子分散層を形成させ該透明基板を介しての
反射率を10〜90%とすることを特徴とする光学記録
材料の製造方法。 - (2)請求項(1)記載の光学記録材料の製造方法にお
いて、透明基板が予め設けられたグルーブを有しており
、該基板のグルーブ形成面上に反射性記録層を積層せし
めてなることを特徴とする光学記録材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2056738A JPH03258589A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 光学記録材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2056738A JPH03258589A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 光学記録材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03258589A true JPH03258589A (ja) | 1991-11-18 |
Family
ID=13035867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2056738A Pending JPH03258589A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 光学記録材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03258589A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018210597A1 (en) | 2017-05-15 | 2018-11-22 | Basf Se | Process for the preparation of metallic nano-particle layers and their use for decorative or security elements |
| WO2019020682A1 (en) | 2017-07-28 | 2019-01-31 | Basf Se | PROCESS FOR THE PREPARATION OF METAL NANOPARTICLE LAYERS AND THEIR USE FOR DECORATIVE OR SECURITY ELEMENTS |
-
1990
- 1990-03-09 JP JP2056738A patent/JPH03258589A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018210597A1 (en) | 2017-05-15 | 2018-11-22 | Basf Se | Process for the preparation of metallic nano-particle layers and their use for decorative or security elements |
| WO2019020682A1 (en) | 2017-07-28 | 2019-01-31 | Basf Se | PROCESS FOR THE PREPARATION OF METAL NANOPARTICLE LAYERS AND THEIR USE FOR DECORATIVE OR SECURITY ELEMENTS |
| US11643561B2 (en) | 2017-07-28 | 2023-05-09 | Basf Se | Process for the preparation of metallic nano-particle layers and their use for decorative or security elements |
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