JPH03258587A - 新規書換え可能記録材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、おもにレーザー光によるデータの記録再生消
去に適した新規デジタル光記録材料を提供するものであ
る。

（従来の技術） 近年、レーザー関連技術が目ざましく進歩し、また、情
報のデジタル化が進みそれに必要な様々な新しい光記録
材料が提案されてきている。

代表的なデジタル記録材料としては光ディスクを挙げる
ことが出来る。光ディスクは■コンパクトディスク（Ｃ
Ｄ）などの再生専用光ディスク、■−度だけ記録可能な
追記型光ディスク、■何度も記録可能な書換え型ディス
クの３種類に分類される。また、光ディスクとは別に簡
便に取り扱えるものとして高密度でいつも持ち運びでき
る光カードが提案されており、光カードには追記型と再
生専用のものが提案されている。一方、光ディスクより
さらにコンパクトにかつ大容量の情報を記録し得る材料
として光テープが提案されている。

また、磁気フロッピーにかわるものとして光フロッピー
も提案されている。

このような多くの光記録材料のうち書換え可能な光記録
材料は、磁気材料と同様に何度も記録することかできる
ために便利であり、磁気材料に比べて容量が非常に大き
いので、近年書換え型光記録材料を用いた記録システム
は一つの大きな市場を形成しつつある。

書換え型光記録材料としては、■カー効果を利用した光
磁気記録材料、■相変化を利用した相変化型記録材料、
■色素のフォトクロくツク現象を用いた光記録材料、色
素を含むバインダーを２層もつ記録材料、オーバーコー
ト層をもつ色素とバインダーを用いた記録材料などに代
表される色素を用いた光記録材料などを挙げることがで
きる。

また、本出願人は金属銀微粒子が分散した疎水性バイン
ダー記録層をもつ全く新奇な追記型記録材料を提案して
いる。

（発明が解決しようとする課題） 金属銀微粒子が分散した疎水性バインダー記録層を持つ
材料は、大容量であり、またフレキシビリティもあり、
連続塗布技術をもちいて製造可能であるために非常に安
価に追記型の光記録材料である。この特徴を活かして、
書換え型光記録材料にすることができるのではないかと
考えられたが、かなり難しく容易にできるものではなか
った。

（課題を解釈するための手段） 加熱することにより銀化合物が還元反応をおこすことを
利用し、反射性の金属銀微粒子が分散した疎水性バイン
ダー記録層を形成せしめた光記録材料を用いて、記録と
消去をある条件に設定することにより、書換え可能な光
記録材料とすることができた。

すなわち、本発明は、金属銀微粒子が分散した疎水性バ
インダー記録層を有する記録材料において、ビーム径５
μｍ以下に集光したレーザー光を照射することにより実
質的に金属銀微粒子を相互的に凝集させず、金属銀微粒
子が分散した疎水性バインダーの変形のみを生じさせて
該記録材料の反射率を変化させて信号記録を行い、前記
の集光したレーザー光とは異なるレーザー照射条件でレ
ーザー光を照射することによって金属銀微粒子が分散し
た疎水性バインダーの変形を消去して該記録材料の反射
率を実質的に記録処理前の状態に復元せしめる可逆性記
録方法である。

本発明で重要な点は、■記録時に金属銀微粒子が相互的
に凝集することなしに、十分なコントラストをもつ記録
条件を見いだしたこと、■記録時に生じた疎水性バイン
ダーの変形をもとに戻すような記録条件とは違ったレー
ザー照射条件を見いだしたこと、さらに、■もう一度記
録条件と同し条件でレーザーを照射すると金属銀微粒子
の凝集を起こさずに疎水性バインダーの変形のみおこさ
せることができることを見いだしたことである。

すなわち、何度も記録・消去ができる（可逆性記録）有
用な方法を見いだし、本発明を完成させるにいたった。

金属銀微粒子が分散した疎水性バインダー記録層を有す
る記録材料の作製方法は、−例として特願昭６３−２２
６４４８号、特願昭６３−２９４６５６号、特願昭６３
−３１００５９号、特願昭６３−３１３６８１号、特願
平１１３９２５２号、特願平１−１４１１７２号などに
記載されている。金属銀微粒子が分散した疎水性バイン
ダー記録層をもつ記録材料の作製方法の代表的なものを
次ぎに示す。

■　有機溶媒に少なくとも銀化合物と疎水性バインダー
と還元剤とを溶解あるいは分散させ塗布液を調製する。

■　調製した塗布液を基材に塗布し、乾燥させる。

■　乾燥後の塗布膜の表面に銀あるいは銀より責な金属
からなる金属現像核を形成する。

■　加熱する。

しかしながら、基材の表面に記録層を形成したいときは
基板表面に金属現像核を形成したのち、その上に塗布液
を塗布し、乾燥して作製してもよい。

塗布液中の必須成分としては前記の通り銀化合物、疎水
性高分子バインダー、還元剤であるがそのほかに任意成
分として、材料の性能を高めることが出来る様々な添加
物を導入することが出来る。

例えば、記録材料に感光性を付与するためにハロゲン化
銀もしくはハロゲン化銀形成成分を導入できるし、また
、記録層の銀微粒子の大きさをコントロールする化合物
、たとえば、乾式銀塩感材でいうフタラジノンのごとき
調色剤を導入することが出来る。また、必要に応して、
被り防止剤、増感剤を添加することが出来る。

銀化合物としては有機銀塩およびカルボン酸銀含有高分
子である。例を挙げるならば、大きく３種類に分けるこ
とができる。■長鎖脂肪酸の銀塩、■有機溶媒可溶性銀
化合物、■カルボン酸銀含有高分子である。長鎖脂肪酸
の銀塩としては、ステアリン酸の銀塩、ヘヘン酸の銀塩
などが特に有用である。しかし、他の非感光性根塩、例
えばサンカリン酸銀、ヘンシトリアゾール銀等も使用す
ることができる。有機溶媒可溶性銀化合物としては脂肪
酸カルボン酸銀塩類や銀金属キレート化合物の中で有機
溶媒可溶なものが選択される。例えば、好ましい脂肪族
カルボン酸としてフッ素を含有した脂肪族カルボン酸銀
が用いられ、また銀金属キレート化合物としては、たと
えばフッ素を含有とたβ−ジケトン頻に代表されるフッ
素を含有したキレート化剤が一般に用いられる。特に好
ましい化合物としてはトリフルオロ酢酸銀、シルバーヘ
プタフルオロブチレート、シルバーパーフルオロオクタ
ノエート、シルバートリフルオロメタネサルフォネート
、シルバーフロイルトリフルオロアセトネート、シルバ
ーヘキサフルオロアセチルアセトネート、シルバーへブ
タフルオロブタノイルビバノイルメタネート、シルバー
ピバロイルトリフルオロアセトネート、シルバートリフ
ルオロアセチルアセトネート、シルバーフロイルトリフ
ルオロアセトネートを挙げることができる。

有機溶媒可溶性銀化合物は、−船釣に用いられているア
ルコール類、ケトン類、エーテル類、ニトリル類、ハロ
ゲン系、脂肪族、芳香族などの有機溶剤１　ｍｆｌに対
して１■以上溶解するものが好ましい。

カルボン酸銀含有高分子としては、カルボン酸を高分子
側鎖に有する天然あるいは合成高分子化合物から合成す
ることができる。その中でも、特に有用なカルボン酸銀
含有高分子としてはアルギン酸銀塩、ペクチン酸銀塩な
どの天然物由来の銀塩化合物及びポリアクリル酸銀、ポ
リメタクリル酸銀などのを戒高分子由来の銀化合物など
から選択することができる。合成高分子については、ア
クリル酸、メタクリル酸メチル、アクリロニトリル、塩
化ビニル、酢酸ビニル等の各種のモノマーとの共重合体
を銀含有高分子のベースとして使用することができるた
め、特に有用である。

銀化合物に対する還元剤としては、銀化合物を還元でき
るものであればどのようなものであっても良い。好まし
い還元剤として例を挙げるならば、水酸基の結合する炭
素に隣接する炭素に立体的にかさ高い基が結合し、水酸
基を立体的に阻害している阻害フェノール類であり、例
えば、２．６ジーｔ−ブチル−４−メチルフェノール、
２，２”メチレンビス−（４−メチル−６〜ｔ−ブチル
フェノールＬ２，２”−メチレンビス−（４エチル−６
−ｔ−ブチルフェノール）、２，４゜４−トリメチルペ
ンチルビス−（２−ヒドロキシ３．５−ジメチルフェニ
ル）メタン、２，５ジーｔ−ブチル−４−メトキシフェ
ノール、２ｔ−ブチル−６−（３−ｔ−ブチル−２−ヒ
ドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェニル
アクリレ−）、４．４’　−ブチリデン−ビス−（３−
メチル−６−ｔ−ブチルフェノール、トリエチレングリ
コール−ビス−（，３−（３−ｔ−ブチル−５−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、１．６
−ヘキサンシオールービスー（３−（３，５−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートＬ２，４
−ビス（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ３
、５−ジルｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５トリアジ
ン、ペンタエリスリチル−テトラキス［３−（３，５−
ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネ
ートＬ　２，２−チオジエチレンビス−（３−（３，５
−ジーも一ブルー４−ヒドロキシフェニル）プロピオネ
ート〕、オクタデシル−１−（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２．２−
チオビス＝（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）
、Ｎ、Ｎ”−へキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシ０ ヒドロシンナマミドＬ３，５−ジー１−ブチル４−ヒド
ロキシーヘンジルフォスフォネートジエチルエステル、
１，３．５−トリメチル−２゜４６−ドリスー（３，５
−ジ−ｔ−ブチル−４ヒドロキシベンジル）ヘンゼン、
ビス−（３５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジ
ルホスホン酸エチル）カルシウム、トリス−（３，５’
、；−ｔ−フチルー４−ヒドロキシベンジル）イソシア
ヌレイト、Ｎ、Ｎ’−ビス−（，３−（３゜５−ジ−ｔ
−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル〕ヒ
ドラジン等を挙げることができる。またハイドロキノン
、２．５−ジメチルヒドロキノン、クロロヒドロキノン
、ｐ−アミノフェノール、メチルハイドロナフタレン、
フェニドン、没食子酸メチル等の銀塩用還元剤や、ｐ−
フェニルデノール、ビスフェノールＡ、２．４−ジヒド
ロキシ安息香酸、ｐ−メトキシフェノールも使用するこ
とができる。還元剤の量としては、還元剤の種類などに
より変動するが、−時的には、銀化合物１モルに対し約
０．０１モル〜約１０モル、好ましくは約０．１モル−
約３モルである。

用いられる有機溶媒としてメタノール、エタノール、イ
ソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、２−ブク
ノン、アセトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル等のエス
テル系溶媒あるいはトルエン、キシレン、シクロヘキサ
ン等の芳香族炭化水素系溶媒等を挙げることができる。

本発明において好ましい疎水性バインダーとしては、ポ
リメチルメタクリレート、ポリビニルホルマール、ポリ
ビニルブチラール、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、セ
ルロースアセテート、ポリスチレン等の疎水性の広範に
有機高分子化合物の中から適宜選択することができる。

カルボン酸銀含有高分子を用いる場合はカルボン酸銀含
有高分子を溶媒に均一に溶解もしくは分散せしめ、適当
な支持体に塗布・乾燥して準備してもよいし、また、ナ
トリウム、カリウム、アンモニウム、リチウム等の金属
塩を含有したカルボン酸塩含有高分子を均一に溶解せし
め、適当な支持体上に均一に塗布・乾燥後、硝酸銀水溶
液などの適当な可溶性の根源を塗布層に供給することに
よりカルボン酸銀含有高分子を形成させ準備してもよい
。

金属現像核としては、銀または銀より責な金属種である
。銀より責な金属種としては、パラジウム、白金、金、
ロジウム、ルテニウム、タリウム、水銀などを挙げるこ
とが出来る。これらの金属核は単独の金属種であっても
良いし、複合系や硫化銀や酸化銀などの化合物などであ
ってもよい。

塗布膜表面の金属現像核の形成法としては、適当なバイ
ンダーを含有した溶媒中にこの金属現像核を分散せしめ
、塗布膜表面上に塗布する方法、あるいは蒸着などの気
相条件で表面に金属触媒核を形成せしめる方法をとるこ
ともできる。また、強い還元剤を用いて表面をかふらせ
たり、水素ガスなどの還元性ガスに表面を短時間曝した
りして表面にその金属種自身からなる金属現像核を形成
させても良い。例えば、代表例としてその製造方法を挙
げるならば、塩化第一錫の水溶液と塩化パラジウムの水
溶液に順次浸せきし、パラジウムの金属核を表面層に付
与させる無電解メツキで金属核を付与する方法、白金、
金、銀、パラジウムなどの金属を表面に真空蒸着する方
法を挙げることができる。また、表面層に硫化ソーダの
ごとき硫化銀核を形成する化合物を配してもよい。また
、水素ガスなどの還元性ガスに表面を短時間曝したりし
て表面に銀金属現像核を設けてもよい。銀化合物やバイ
ンダー等の種類によって適切な形成方法を選ぶ必要があ
る。

このような表面層を有する塗布膜を適当な加熱条件、例
えば、少なくとも７０°Ｃ以上の温度で数秒ないし数分
間加熱すると、表面に反射性の金属銀含有層を形成する
ことができる。適当な加熱条件としては、好ましくは９
０〜１６０°Ｃで２〜１０００秒程度である。この金属
銀含有層は金属銀微粒子が分散した疎水性バインダー記
録層である。この反射率を一般的には銀の量や加熱時間
などをかえることにより２０〜７５％に自由にコントロ
ールすることができる。通常は加熱時間が長くなるにつ
れて反射率は高くなる。

３ ４ 本発明の光記録材料は記録層を保護する目的で透明な保
護層が設けられる。この保護層は、ポリカーボネート、
ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリ塩化ビ
ニル、ポリ塩化ビリニデン、ポリエチレンテレフタレー
トなどの透明性のよい有機高分子化合物から選択される
。また、記録層の裏面は支持体である基材のみからなっ
ていても、またさらに裏面に曲げ等に対する補強層が存
在していてもよい。また、透明な保護層の表面は傷など
がつきにくいように表面処理をするのが普通である。ま
た、酸化珪素、窒化珪素などの透明性のよい保護膜を記
録層表面に設けてもよい。

金属銀微粒子としては粒径が１１００ｎ以下であり、成
分とては銀だけでもよいがパラジウム、金、白金などの
銀より責な金属を含んでいてもよい。

本発明の形状はどのような形態をとってもよい。

ディスク状、カード状、テープ状であってもいっこうに
差し支えない。

情報を記録、再生あるいは消去する時に用いるレーザー
光の代表的な光源としてはヘリウムネオンレーザ−１半
導体レーザーなどを挙げることができる。

記録条件としては疎水性バインダーに分散している金属
銀微粒子が熱によって相互的に凝集しない条件であれば
どの様な条件でもよい。というのは疎水性バインダーの
種類や金属銀微粒子の粒径、反則率等によって前記の条
件を満たす記録条件が変化するからである。一般的には
２０ｍＷ以下であり、より好ましくば１０畦以下である
。また、通常は０．５ｍＷ以上で記録を行う。あまり記
録パワーを大きくすると金属銀微粒子の凝集が中心部か
ら始まってしまうので好ましくない。また、０．５ｍＷ
より小さい記録パワーで記録すると再生の際弱いレーザ
ー出力で形成されたピットが変形したり、表面が変形し
たりするので好ましくない。具体的には、電子顕微鏡観
察により、レーザー照射中心部に銀の凝集が観察される
最低レーザー出力の５％から８５％のエネルギーで記録
するようにコントロールして、本発明の記録条件を設定
することができる。その方法としては、■記録レーザー
出力をさげること、■記録パルス幅を短くすること、■
デフォーカスすること等を挙げることができる。

通常は記録レーザー出力を下げる方法を用いる。

その方法や照射エネルギーの設定は疎水性バインダーの
種類や金属銀微粒子の大きさ、形状、分布等にって変わ
るので、材料に適した方法や照射エネルギーを設定する
必要がある。

消去条件としては、疎水性バインダーの熱がガラス転移
点を大きく越えないようにレーザー光を照射して疎水性
バインダーの変形を消去できる条件であればどのような
ものであってもよい。消去条件の設定は使用する疎水性
バインダーによって、また金属銀微粒子の大きさ、形状
、分布などによって大きく左右される。一般的には、記
録時よりも低レーザー出力で照射したり、記録時よりも
低レーザー出力でかつ照射時間を長くして照射したり、
デフォーカスすることによりわずかに記録時よりも広い
範囲にレーザー光を照射したりしてこの消去条件を見い
だすことができる。記録時よりも低レーザー出力で消去
する場合には、一般的には記録レーザー出力よりも９０
％以下のレーザー出力を用いて消去する。しかしながら
、デフォーカスする場合には必ずしも記録レーザー出力
より低レーザー出力を用いる必要はない。また、消去専
用の光ピツクアップ系を併せ持つ光学系を組んでもよい
。また、低レーザーパワーで何度か記録ビット上を走査
させることにより消去する方法をとってもよい。

本発明により金属銀微粒子が分散した疎水性バインダー
記録層をもつ光記録材料は、いわゆる書換え可能な光記
録材料として用いることができる。

ユーザーが必要に応じて何度も書き込むことができいろ
いろな用途に用いることが出来る。たとえば磁気記録材
料が用いられている様々な用途に用いることができ、磁
界などで記録が消去される心配もなくセキュリティの点
でも好ましい。また、大容量であり、フレキシビリティ
がある特徴をいかして、画像記録、大量のデータ記録す
る分野や光カード、光フロッピー、光テープのように折
り曲げにも強い用途などにも応用が期待できる。

７ ８ 以下に本発明をより詳細に説明するためにその実施例を
記載するがこれにより本発明が限定されるものではない
。

実施例　１ 下記の成分からなる懸濁液を調製した。

ベヘン酸銀　　　　　　　　　　　　２１ｇポリビニー
ルブチラール　　　　　　１９ｇ９ｇフタラジン　　　
　　　　　　　　４ｇ２．２−メチレンビス（４−エチ
ル−６−ｔ−ブチルフェノール）　　　　　　　　８ｇ
２−ブタノン　　　　　　　　　　　２０５ｇトルエン
　　　　　　　　　　　　６４ｇ臭化ナトリウム　　　
　　　　　　　　　１ｇメタノール　　　　　　　　　
　　　　５ｇこの懸濁液は、約１２時間ボールくルによ
って均一化された後、平均孔径１．５μｍのフィルター
を通して未分散物を除去した。

この懸濁液は、小型アプリケーターによって乾燥後、１
２μｍになるようにスリットを選択し、１００μｍのポ
リエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ）に均一に
塗布し、温度２２°Ｃ３湿度５０％ＲＨの条件で乾燥し
た。次にこのサンプルを、下記の水溶液に順次おのおの
１０秒間浸漬した後、水洗、風乾した。

（水溶液１） 塩化第一錫　　　　　　　　　　　　　７ｇ蒸留水　　
　　　　　　　　　　　２００Ｉｄ濃塩酸　　　　　　
　　　　　　　　　４ｍ君（水溶液２） 塩化パラジウム　　　　　　　　　　０．１ｇ蒸留水　
　　　　　　　　　　　　２００　ｍｌ濃塩酸　　　　
　　　　　　　　　　　５　ｒｌｄｌ得られたこれらの
サンプルにフォーマティングのための露光を行った後１
３０°Ｃで１０秒間加熱したところ、未露光部の表面層
に銀が析出して反射性の金属銀微粒子含有バインダー記
録層を形成した。露光部は低反射部を形成した。次にポ
リカーボネートの０．４　ｎｕｎの透明板を接着層を介
して記録層に接着した。次に８３Ｏｒ＋ｍの発光波長を
有する半導体レーザー光（ビーム径３μｍ）を用いて走
査スピード４０ｃｍ／秒で該記録層に記録を行っ９ ０ た。記録レーザー出力は１１，１２，１３．４４ｍＷで
記録したところ、形成した記録ピットの電子顕微鏡観察
により１３ｍＷ以上では銀の凝集が起こっていることが
わかった。そこで記録条件としてレーザー出力１０１を
用いてかき込みテストを行った。この時の再生信号のＣ
Ｎ比は４５．８ｄＢであった。その後レーザー光（ビー
ム径３μｍ、レーザー出力３ｍＷ）を用いて走査スピー
ド１５ｃ＋ｎ／秒で消去を行った。光学顕微鏡で観察し
たところピットが消去されていた。記録・消去と１０回
繰り返して行ったがＣＮ比は変化しなかった。

比較例　１ 記録材料の作製方法は全〈実施例１と同様である。記録
レーザー出力を１３ｍＷで実験をおこなった。その他の
記録条件は実施例１と同様である。

この時の再生信号のＣＮ比は４６．２ｄＢであった。

消去条件をいろいろ検討したが消去できる条件を見いだ
すことはできなかった。

実施例　２ 下記の成分からなる溶液を調製した。

トリフルオロ酢酸銀　　　　　　　　２２ｇ２．２−メ
チレンビス（４−エチ＋ｃ−６−ｔ−ブチルフェノール
）　　　　　　　　９ｇイソプロピルアルコール　　　
　　１５０ｇシクロヘキサン　　　　　　　　　　６０
ｇポリビニールブチラール　　　　　　２１ｇこの溶液
は、約２時間ボールミルによって均一化された後、平均
孔径１．５μｍのフィルターを通した。

この溶液は、スピンコータにより乾燥後、６μｍになる
ような条件でグループ付きポリカーボネート基板に塗布
した。その後温度２２°Ｃ１湿度５０％ＲＨの条件で乾
燥した。このポリカーボネート基板は予め次に示す日本
セーリング社製の無電界メツキ用の触媒核形成法を用い
て表面に金属現像核、すなわちパラジウム核を形成した
ものをもちいた。

その方法を次に示す。グループ付きポリカーボネート基
板はつぎの水溶液に順次おのおの２分間浸漬した後、水
洗、風乾した。

（水溶液ｌ） １ ２ アクチヘータネオガント８３４　　　４０　ｍｆｌ（日
本セーリング社の商品名） 蒸留水　　　　　　　　　　　　　９５６ｍ塁水酸化ナ
トリウム　　　　　　　　　　　３ｇ（水溶液２） リデューサ−ネオガントＷ　Ａ　　　　　　５　ｍｌ（
日本セーリング社の商品名） ホウ酸　　　　　　　　　　　　　　５ｇ蒸留水　　　
　　　　　　　　　　９５０　ｒｄ５ｍＷであった。そ
の後記録消去を１００回繰り返したがＣＮ比は４５．１
ｄＢであった。

比較例　２ 全〈実施例２と同様に実験を行った。但し記録レーザー
出力を１０ｍＷに設定した。測定したＣＮ比は４７．１
　ｄＢであった。消去用光ヘッドを用いて消去を試みた
が、完全に消去することはできず、光学顕微鏡で観察す
ると、中心部が消去できていないことがわかった。

得られたそれぞれのサンプルを１３５°Ｃで６０秒間加
熱して記録材料を作製した。

この材料を２ヘツドをもつ光デイスク用評価装置で記録
再生消去実験を行った。記録条件としては記録スピード
１ｍ／秒、ビーム径１．４μｍ、記録パワー８ｍＷを選
択した（この時の金属銀微粒子が凝集する最低レーザー
出力は１０ｍＷであった）。

測定したＣＮ比は４５．２ｄＢであった。次ぎに消去用
光ヘッドを用いて消去を行った。消去条件は消去スピー
ド１ｍ／秒、ビーム径２μｍ、消去パワー実施例　３ 下記の成分からなる溶液を調製した。

Ｃ，Ｆ、ＣＯＯＡｇ　　　　　　　　　２０ｇポリスチ
レン／ブチルアク１ルー）　共重合体１　８　　ｇ２−
ｔ−ブチＢ−６−（３−ｔ−ブチル−２−ヒト■キシー
５−メチ１１ペンシル）−４−メチルフェニルアクリレ
ート　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　８　ｇ２−ブタノン　　　　　　　　　　　１８５
ｇシクロヘキサン　　　　　　　　　　１５ｇキシレン
　　　　　　　　　　　　　２８ｇこの溶液は、約１時
間かくはんして均一化された後、平均孔径１．５μｍの
フィルターを通した。

その後実施例２と同様な条件で塗布、乾燥した。

但し、乾燥後の膜厚は１１μｍになるように塗布した。

また、基板としてはポリエチレンテレフタレートフィル
ム（ＰＥＴ）をもちいた。この感材を実施例２と同様な
方法で材料の表面にパラジウムを吸着させた。その後１
５０°Ｃで４００秒加熱して記録材料を作成した。次に
８３０ｎｍの発光波長を有する半導体レーザー光（ビー
ム径１．４μｍ、レーザー出力５　ｍｌ）を用いて静止
した状態でかき込みテストを行った（この時金属銀微粒
子が凝集する最低レーザー出力は１０ｍＷであった）。

反射率が６０％から３４％まで変化した。材料を動かす
ことなくデフォーカスさせてレーザー出力１．２ｍＷで
照射したところ反射率が５８％に変化した。再び５１で
照射したところ反射率は３５％に変化し、同様な消去条
件で消去をおこなったところ反射率は５８％に変化した
。

また、今度は記録時にわずかにオフセットをかけること
によりデフォーカスしてレーザー出力１１ｍＷで記録を
行った。電子顕微鏡の結果、銀の凝集は生じていなかっ
た。反射率は５８％から３５％に変化した。次に記録時
よりもさらにデフォーカスして同様にレーザー出力１１
ｍＷで消去したところ、反射率は５８％に変化した。

（発明の効果） 本発明により書換え記録ができるレーザー記録材料およ
びその記録方法が明らかになり、フレキシブルで記録再
生消去特性の良いデジタル記録材料を安価に提供するこ
とが出来る。これにより磁気記録材料を用いている多く
の分野での用途が期待される。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）金属銀微粒子が分散した疎水性バインダー記録層
   を有する記録材料において、ビーム径５μｍ以下に集光
   したレーザー光を照射することにより実質的に金属銀微
   粒子を相互的に凝集させず、金属銀微粒子が分散した疎
   水性バインダーの変形のみを生じさせて該記録材料の反
   射率を変化させて信号記録を行い、前記の集光したレー
   ザー光とは異なるレーザー照射条件でレーザー光を照射
   することによって金属銀微粒子が分散した疎水性バイン
   ダーの変形を消去して該記録材料の反射率を実質的に記
   録処理前の状態に復元せしめる可逆性記録方法。