JPS619886A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ素子に係わり、特に折り重ね
形マイナループの類１８０度ターンコーナパターンに近
接して配置される磁気バブル転送パターンのパターン構
造に関するものである。

〔発明の背景〕

第１図は磁気バブルメモリ素子のメモリ領域を形成する
一本のマイナループを示したものであり、磁気バブルメ
モリ素子のメモリ領域にはこの種のマイナループを多数
個並列に配列して構成されている。同図において、磁気
バブル転送路を実線で簡略化して示してあり、矢印Ｐ方
向は磁気バブルの転送方向を示す。このようなマイナル
ープは同図に示すように閉ループ状の転送路で構成され
る。

この閉ループ転送路の形状としては同図（ａ）に示す単
純ループ形マイナループ１から最近では高密度磁気バブ
ルメモリ素子の実現に最適な同図（ｂ）　、　（ｅ）　
。

（ｄ）に示す折り重ね形マイナループ２，３．４が良く
用いられるようになった。この折り重ね形ループの形状
として第１図（ｂ）　、　（（り　、　（ｄ）に示した
以外にも種々のタイプのものがある。このような折シ重
ね形マイナループの例としては、例えばＩＥＥＥ’ｒｒ
ａｎｓ、　ＭＡＧ−１５，ＮＯ，６，Ｐ１６９１〜Ｐ１
６９６に開示されている。

このようなマイナループを構成するパーマロイ方式転送
路の基本要素パターンとしては、第２図（ａ）に示す非
対称シェブロンパターン５．同図伽）に示すハーフディ
スクパターン６、同図（ｃ）に示すＣパターンＴあるい
は同図（ｄ）に示すクラブフットパターン８が用いられ
る。

このように構成されるマイナループにおいては、第１図
に点線の丸印で示すように磁気バブルの転送方向Ｐを逆
方向とするためのターンコーナ部がそれぞれ設けられて
おシ、これらのターンコーナ部には図中に示す順１８０
度ターンコーナ部ａおよび逆１８０度ターンコーナ部す
がある。

第３図は前述した順１８０度ターンコーナａ部の一例を
示す要部拡大パターン平面図である。同図において、１
０．．１０ｂ、１０．．１０ｄは１本の折９重ね形マイ
ナループを構成する磁気バブル転送路、１１は転送路１
０Ｂ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを構成する第１の基本転
送パターン、１２は類１８０度ターンコーナパターン、
１３．１４は第１の基本転送パターン１１と類１８０度
ターンコーナパターン１２との間を接続する第２．第３
の基本転送パターン、１５は第３の基本パターン１４と
類１８０度ターンコーナパターン１２とを接続するショ
ートバーパターン、１６は第２の基本転送パターン１３
と類１８０度ターンコーナパターン１２とを接続バーパ
ターン、１７は転送路１０＆、１０ｄとゲート部Ｇとを
接続する第４の基本転送パターン、１８は第４の基本転
送パターン１７間に接続された第５の基本転送パターン
である。

このような構成において、転送路１０ｂ、１０ｃと１＠
１８０度ターンコーナパターン１２とを接続する第２の
基本転送パターン１３．第３の基本転送パターン１４お
よび転送路１０．．１０ｂとゲートＢＧとを接続する第
１の基本転送パターン１１．第４の基本転送パターン１
７．第５の基本転送パターン１８は１Ｆｔｌｓｏ度ター
ンコーナパターン１２の空間的余裕度をもたせるために
マイナループ基本転送パターンとしての第１の基本転送
パターンのパターン周期に比較してそのパターン周期を
大きくして形成されている。例えば、第５の基本転送パ
ターン１８の周期λ′は第１の基本転送パターン１１の
周期λに対してλくλ′の関係を有して形成されている
。そして、転送路１０ｃに矢印Ｐ方向に転送されてきた
磁気バブルは、これらのパターン面内に加えられる回転
磁界ＨＲによって第１の基本転送パターン１１．第２の
基本転送パターン１３．第３の基本転送パターン１４．
ショートバーパターン１５を介して類１８０度ターンコ
ーナパターン１２に順次転送され、さらにこの類１８０
度ターンコーナパターン１２により転送方向Ｐを反時計
廻り方向に１８０度転換され、転送路１０ｂへと転送さ
れる。

この場合、前述１〜たショートバーパターン１５おヨヒ
バーパターン１６は、パターンボリウムの大きい転送パ
ターンからパターンボリウムの小さい転送パターンへ磁
気バブ／ｌ／が転送する際、転送マージンが大幅に低下
するのを防止させる機能を有している。

しかしながら、このように構成された順１８０度ターン
コーナ部において、転送路１０ｃと転送路１０ｄとの間
を結合させるショートバーパターン１２と接続される第
３の基本転送パターン１４．第５の基本転送パターン１
８に、磁気バブルＢが転送されるとき、バイアス磁界島
の下限値側で同図に示すように対向するショートバーパ
ターン１２の先端部に磁気バブルＢが伸びるというエラ
ーが発生することがわかった。同様に転送路１０．と転
送路１０ｂとの間においても、第４の基本転送パターン
１Ｔに転送された磁気バブルＢがバーパターン１６の先
端部に伸びるというエラーが発生することがわかった。

この結果、これらのエラーの発生により、磁気バブルメ
モリ素子の総合バイアス磁界マージンが太きく制限され
、第４図に示すように回転磁界ＨＲが太きくなるほど、
このエラー領域Ｅが拡大され、磁気バブルメモリ素子の
特性を損なうという大きな問題となっていた。

〔発明の目的〕

したがって本発明は前述した従来の問題に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、順１８０度タ
ーンコーナ部に発生する転送エラーを除去し、転送特性
を向上させた磁気バブルメモリ素子を提供することにあ
る。

〔発明の概要〕

このような目的を達成するために本発明は、順１８０度
ターンコーナパターンのバーパターンと接続される転送
パターンのパターン頂点位置を、その転送パターンの中
心位置よりも対向するバーパターンの先端部よりも遠ざ
かる位置に偏位させたものである。

〔発明の実施例〕

次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。

第５図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一実施例
を説明するための順１８０度ターンコーナ部の要部拡大
パターン平面図であり、第３図と同一部分は同一符号を
付す。同図において、ショートバーパターン１５と接続
される第３の基本転送ノ（ターン１４′および第５の基
本転送パターン１８は、そのパターン頂点位置が磁気バ
ブル転送方向Ｐに対して逆方向となる方向に偏位させた
転送パターンで形成されている。ぞしで、ショートバー
パターン１５の先端部から第３の基本転送バク−７１４
′の頂点位置までの距離Ｌｌおよびショートバーパター
ン１５の他方の先端部から第５の基本転送パターン１８
の頂点位置までの距離Ｌ！＋が第３図の距離よりも大き
くし゛Ｃ形成されている。同様にこの順１８０度ターン
コーナ部を構成するバーパターン１６に接続される第４
の基本転送パターン１７もその頂点位置が磁気バブル転
送方向Ｐと逆方向に偏位さぜた転送パターンで形成され
、バーバター２／１６（７）先端部から基本転送パター
ン１７の頂点１での距離ＬＬ１も第３図の距離よりも太
キくシて形成されている。この場合、第３．第４．第５
の基本転送バク−７１４，１７，１８は第６図に示すよ
うに転送パターン２０の頂点Ｃ１が、従来頂点Ｃ，がパ
ターン端までの距離Ｚ　１　＋　Ｚが１１＝１．に対し
て磁気バブル転送方向Ｐと逆方向に偏心、さゼ”ｌこパ
ターンを用いる。

このような構成によれば、ショートバーパターン１５の
各先端部から第３の基本転送パターン１４′の頂点まで
の距離Ｌ１．第５の基本転送パターン１８′の頂点まで
の距離Ｌｓおよびバーパターン１６の先端部から第４の
基本転送パターン１７′の頂点壕での距離Ｌ３が長くな
り、その結果、各バーパターン１５．１６の先端部に発
生する吸引磁極から遠ざかるため、磁気バブルがバーパ
ターンＩｓ、１６の先端部に伸びる転送エラーがなくな
り、バイアス磁界マージンを拡大させることができる。

ナオ、前述した実施例においては、バーパターン先端部
とこのバーパターンに接続される転送パターンの頂点と
の間の距離を拡大させる手段とｔ７て転送パターンの頂
点を偏心させた場合について説明したが本発明はこれに
限定されるものではなく、第７図に示すように転送パタ
ーン２１の磁気バブル転送方向Ｐと直交する方向の高さ
ｈｌを従来パターンの高さｈ２に対して低く（ｈｔ＜ｈ
ｔ）形成することによっても前述した距離Ｌ１１　Ｌ　
ｌＩｓ　Ｌ　ｎを増大できるので、前述と全く同等の効
果が得られることは言うまでもない。

また、前述した実施例においては、転送５：％パターン
としてシェブロンパターンを用いた場合について説明し
たが、本発明けこれに限定されるものではなく、第２図
中）Ｐ　（ｃ＞　ｒ　（ｄ＞にぞれぞれ示す／・−フデ
イスクパターン、Ｃパターン、クラブフットパターンで
構成される転送路に適用１２ても前述と全く同等の効果
が得られることは勿論である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれに、Ｊｌｌ′１１ｓｏ
ＩＦクーンコーナ部に発生する転送エラーを除去し、バ
イアス磁界マージンを拡大させることができるのて、品
質、信郭性の高い磁飢バプルメー＝り索子が得られると
いう極めて優れた効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図はマイナループの構成例を示す図、第２図はその
転送パターン例を示す（ｉ２１、第３図は従来の順１８
０度ターンコーナ部の一例を示す娶部拡犬パターン平面
図、第４図は従来のｌｆｆ１１８０度ターンコーナ部の
転送特性を示す図、第５図は本発明による磁気バブルメ
モリ素子の一例を説明するための順１８０度り−ンコー
ナ部を示す要部拡ブーパターン平面図、絽６図、第７図
は本発明に係わる転送パターンの一例を示す拡大平面図
である。 １・・・・単純ループ形マイナループ、２，３゜４・・
−・折り重ね形マイナループ、５・・・・非対称シェブ
ロンパターン、６・・Ｓ＠ハーフディスクパターン、７
ｓｓａ＊（：パターン、８．。 ・・クラブフットパターン、１０Ｂ−１０ｂ−１０ｃ＋
１０ｄ・・・・磁気バブル転送路、１１１１１＋＠・第
１の基本転送パターン、１２・ｅ・・順１８０度ターン
コーナパターン、１３・・・争第２の基本転送パターン
、１４′・彎・・第３の基本転送パターン、１５・・・
嘩ショートバーパターｙ、１６＊・・、バー共ターン、
１７′、＠　１１　＠第４の基本転送パターン、１８・
・・・第５の基本転送パターン・２０・・・・基本転送
パターン。 代理人　弁理士　尚　橋　明　夫 第１図 （ａ）（ｂ）　　　　（ｃ）　　　　　（ｄ）第２図 （ｃ）（ｄ） 第３図 １０ｄ　　１０ｃ　１０ｂ　　１０ａ １　　　　ψＰ Ｇ　　　　　Ｇ 第４図 ■転謎芋ＨＲ（Φｅ） 第５図 Ｇ　　　　　Ｇ 第６図 第７図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、マイナループに少なくとも磁気バブルを転送させる
   転送パターンと、磁気バブルの転送を補助するバーパタ
   ーンと、磁気バブルの転送方向を転換する順１８０度タ
   ーンコーナパターンとからなる順１８０度ターンコーナ
   部を備えた磁気バブルメモリ素子において、前記バーパ
   ターンに接続される転送パターンの頂点の位置を、該転
   送パターン中心位置よりも対向する前記バーパターンの
   先端部から離間した位置に設けたことを特徴とする磁気
   バブルメモリ素子。 ２、前記転送パターンの磁気バブル転送方向と直交する
   高さを低くすることを特徴とした特許請求の範囲第１項
   記載の磁気バブルメモリ素子。