JPH03268406A - 超伝導配線の製造方法 - Google Patents
超伝導配線の製造方法Info
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- JPH03268406A JPH03268406A JP2069101A JP6910190A JPH03268406A JP H03268406 A JPH03268406 A JP H03268406A JP 2069101 A JP2069101 A JP 2069101A JP 6910190 A JP6910190 A JP 6910190A JP H03268406 A JPH03268406 A JP H03268406A
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- JP
- Japan
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ｐｂを添加したＢｉ系超超伝導膜配線製造方法に関し、
ｐｂを添加したＢｉ層状ペロブスカイト型超伝導膜の配
線を焼成するに際して、臨界温度および臨界電流を高（
することができる焼成方法を提供することを目的とし、 昇温過程で超伝導膜の一部または全部が溶融する温度（
Ｔ１）で一旦その温度を保持した後、超伝導相のうち最
も臨界温度が高い相が形成される温度（Ｔ２）で焼成す
るように構成する。
線を焼成するに際して、臨界温度および臨界電流を高（
することができる焼成方法を提供することを目的とし、 昇温過程で超伝導膜の一部または全部が溶融する温度（
Ｔ１）で一旦その温度を保持した後、超伝導相のうち最
も臨界温度が高い相が形成される温度（Ｔ２）で焼成す
るように構成する。
〔産業上の利用分野］
本発明は、ｐｂを添加したＢｉ系超伝導膜、特に超伝導
配線の製造方法に関する。
配線の製造方法に関する。
〔従来の技術］
ｐｂを添加したＢｉ系超伝導膜を作製する方法としては
、スパッタ法、蒸着法等により基板上に膜を堆積した後
熱処理を加え、超伝導膜を合成する方法が一般的である
。
、スパッタ法、蒸着法等により基板上に膜を堆積した後
熱処理を加え、超伝導膜を合成する方法が一般的である
。
Ｂｉ系超伝導膜は単位胞内に含まれるＣｕ−０平面の数
の違いに応じて臨界温度（Ｔｃ）が異なる超伝導相が存
在することが知られている。今までのところ、式１３ｉ
＝ｓｒ＝ｃａｎ−＋ＣｕｎＯｘにおいてｎ＝１に対する
Ｔｃ＝１０ Ｋの相、ｎ＝２に対するＴｃ＝８０ Ｋの
相、ｎ＝３に対するＴｃ ；１１０ Ｋの相が知られて
いる。
の違いに応じて臨界温度（Ｔｃ）が異なる超伝導相が存
在することが知られている。今までのところ、式１３ｉ
＝ｓｒ＝ｃａｎ−＋ＣｕｎＯｘにおいてｎ＝１に対する
Ｔｃ＝１０ Ｋの相、ｎ＝２に対するＴｃ＝８０ Ｋの
相、ｎ＝３に対するＴｃ ；１１０ Ｋの相が知られて
いる。
実用的には、臨界温度が最も高い１１０に相を合成する
ことが望まれるが、単に１１０ Ｋ相の化学量論組成に
合わせても８０ Ｋ 相が合成され易い。これは、Ｃ
ａＯが存在する場合には焼成温度領域（８５０−８７０
℃）では先ず８０ Ｋ 相が安定して生成してしまい
目的とする１１０ Ｋ相に変化するには、１００時間を
超えるような焼成時間を必要とするためと考えられる。
ことが望まれるが、単に１１０ Ｋ相の化学量論組成に
合わせても８０ Ｋ 相が合成され易い。これは、Ｃ
ａＯが存在する場合には焼成温度領域（８５０−８７０
℃）では先ず８０ Ｋ 相が安定して生成してしまい
目的とする１１０ Ｋ相に変化するには、１００時間を
超えるような焼成時間を必要とするためと考えられる。
高野等（Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、２７，１９
８８． Ｌ１０４１）はＢｉ系超超伝導体ＰｂＯを添加
することにより１１０に相が比較的生成され易くなるこ
とを報告している。さらに、河合等（Ｊｐｎ、 Ｊ、
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ２７．１９８Ｂ。
８８． Ｌ１０４１）はＢｉ系超超伝導体ＰｂＯを添加
することにより１１０に相が比較的生成され易くなるこ
とを報告している。さらに、河合等（Ｊｐｎ、 Ｊ、
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ２７．１９８Ｂ。
Ｌ１４７６）は１１０ Ｋ相の単相化を試みＢｉ：Ｐｂ
：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕの比がＩＩ４：０．３４：１．９１
：２．０３：３．（１６の時に１１０ Ｋ相がほぼ１０
０％のバルクが得られることを見出している。通常の薄
膜の形成方法（スパッタ法、蒸着法等）では、膜を基板
上に堆積後熱処理を加え、超伝導膜を合成するが、その
過程において相当量のｐｂが蒸発し、またＣｕも若干蒸
発した。Ｃｕの量が減少するとｐｂの添加量を最適化し
ても８０ Ｋ相が合成され、１１０ Ｋ相を単一相とし
て合成することは困難であった。
：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕの比がＩＩ４：０．３４：１．９１
：２．０３：３．（１６の時に１１０ Ｋ相がほぼ１０
０％のバルクが得られることを見出している。通常の薄
膜の形成方法（スパッタ法、蒸着法等）では、膜を基板
上に堆積後熱処理を加え、超伝導膜を合成するが、その
過程において相当量のｐｂが蒸発し、またＣｕも若干蒸
発した。Ｃｕの量が減少するとｐｂの添加量を最適化し
ても８０ Ｋ相が合成され、１１０ Ｋ相を単一相とし
て合成することは困難であった。
本出願人は特願平１−１４４５０２ （平成１年６月６
日付出願）において、超伝導膜合成のために基板上に堆
積した酸化物の金属成分の比率がＢｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃ
ａ：Ｃｕ＝ｓ：ｔ：ｌ：ｕ：ｖイ旦し Ｏ＜ｓ＜１．
５． ０．５＜ｔ＜１．５０＜ｕ＜１．５． １．
５＜ｖ＜１．７で表される超伝導膜の製造方法を提案し
た。この発明は、Ｂｉ系系層状ペロブスカイト超超伝導
膜堆積する工程においてバルクにおけるｐｂの添加量の
最適値より多いｐｂを添加し、また化学量論組成より多
いＣｕを堆積することにより、堆積後の熱処理時にｐｂ
が蒸発しても十分な量の１１０ Ｋ相を合成することに
特徴がある。
日付出願）において、超伝導膜合成のために基板上に堆
積した酸化物の金属成分の比率がＢｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃ
ａ：Ｃｕ＝ｓ：ｔ：ｌ：ｕ：ｖイ旦し Ｏ＜ｓ＜１．
５． ０．５＜ｔ＜１．５０＜ｕ＜１．５． １．
５＜ｖ＜１．７で表される超伝導膜の製造方法を提案し
た。この発明は、Ｂｉ系系層状ペロブスカイト超超伝導
膜堆積する工程においてバルクにおけるｐｂの添加量の
最適値より多いｐｂを添加し、また化学量論組成より多
いＣｕを堆積することにより、堆積後の熱処理時にｐｂ
が蒸発しても十分な量の１１０ Ｋ相を合成することに
特徴がある。
同じく特願平１−１４４５０３ （平成１年６月６日付
出願）において、超伝導膜合成のために基板上に堆積し
た酸化物の金属成分比率がＢｆ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃ
ｕ＝１：ｓ：ｔ：ＩＩ：ｖ但し ０．６（ｓ＜０．９．
０＜ｔ＜１．５０＜ｕ＜１．５． １．０（ｖ＜３
．０で表されることを特徴とする超伝導膜の製造方法を
提案した。この発明はＢｉ層層状ペロブスカイト超超伝
導膜堆積する工程において、化学量論組成より若干Ｃｕ
を多く堆積し、一方ｐｂをＢｉに対し。
出願）において、超伝導膜合成のために基板上に堆積し
た酸化物の金属成分比率がＢｆ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃ
ｕ＝１：ｓ：ｔ：ＩＩ：ｖ但し ０．６（ｓ＜０．９．
０＜ｔ＜１．５０＜ｕ＜１．５． １．０（ｖ＜３
．０で表されることを特徴とする超伝導膜の製造方法を
提案した。この発明はＢｉ層層状ペロブスカイト超超伝
導膜堆積する工程において、化学量論組成より若干Ｃｕ
を多く堆積し、一方ｐｂをＢｉに対し。
０．６以上０．９以下添加量するこ−とにより、短時間
の焼成で、十分な量の１１０ Ｋ相を合成することに特
徴がある。上記超伝導膜の焼成温度は約８５０℃−８７
０℃である。
の焼成で、十分な量の１１０ Ｋ相を合成することに特
徴がある。上記超伝導膜の焼成温度は約８５０℃−８７
０℃である。
さらに、同様の内容即ち、通常の薄膜の形成方法（スパ
ッタ法、蒸着法等）では、膜を基板上に堆積後熱処理を
加え、超伝導膜を合成するが、その過程において相当量
のｐｂが蒸発し、十分な１１０に相が生成されない問題
に対して、ｐｂを多量に添加することによりある程度の
１１０ Ｋ相が合成できることをＡｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、
Ｌｅｔｔ、 ５４ ｐｐ、１３６２−１３６４．１９８
９に発表した。さらに膜組成の最適化を行いＢｉ：Ｐｂ
：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１．０：０．８：１．０：１．０
：１．６５の時に１１０ Ｋ相がほぼｉｏｏ％の薄膜を
得ている（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ。
ッタ法、蒸着法等）では、膜を基板上に堆積後熱処理を
加え、超伝導膜を合成するが、その過程において相当量
のｐｂが蒸発し、十分な１１０に相が生成されない問題
に対して、ｐｂを多量に添加することによりある程度の
１１０ Ｋ相が合成できることをＡｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、
Ｌｅｔｔ、 ５４ ｐｐ、１３６２−１３６４．１９８
９に発表した。さらに膜組成の最適化を行いＢｉ：Ｐｂ
：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１．０：０．８：１．０：１．０
：１．６５の時に１１０ Ｋ相がほぼｉｏｏ％の薄膜を
得ている（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ。
５５、（１９８９） Ｐ、１２５２） 。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、これらの同一組成の超伝導体を同一条件
で焼成しても、超伝導配線では１１０ Ｋ相の割合がほ
ぼ１００％となるが、超伝導薄膜では１１０に相の割合
が少なく８０に相の割合が多くなることがあった。また
、従来の焼成法に比べ臨界電流密度が高い超伝導配線を
形成できる焼成法を開発する必要があった。
で焼成しても、超伝導配線では１１０ Ｋ相の割合がほ
ぼ１００％となるが、超伝導薄膜では１１０に相の割合
が少なく８０に相の割合が多くなることがあった。また
、従来の焼成法に比べ臨界電流密度が高い超伝導配線を
形成できる焼成法を開発する必要があった。
したがって、本発明はｐｂを添加したＢｉ層層状ペロブ
スカイト超超伝導膜配線を焼成するに際して、臨界温度
および臨界電流を高（することができる焼成方法を提供
することを目的とする。
スカイト超超伝導膜配線を焼成するに際して、臨界温度
および臨界電流を高（することができる焼成方法を提供
することを目的とする。
本発明はｐｂを添加したＢｉ層状ペロブスカイト型超伝
導膜配線を焼成する工程において、昇温過程で８００℃
付近の温度（Ｔ１）で、一旦その温度を保持しその後８
５０℃付近（Ｔ２）で焼成することを特徴としている。
導膜配線を焼成する工程において、昇温過程で８００℃
付近の温度（Ｔ１）で、一旦その温度を保持しその後８
５０℃付近（Ｔ２）で焼成することを特徴としている。
本発明ではまず超伝導材料の素材である酸化物を基板上
にスパッタ法等により堆積する。その後エツチングによ
り配線状に超伝導材料のパターンを形成する。その後焼
成を行うが、昇温過程で８００℃付近の温度（Ｔ１）で
一旦その温度を保持するのは、一つには１１０ Ｋ相の
生成に有効なＣａ２ＰｂＯｘを生成させ、一方で８０に
相の生成を抑制させるためである。また、Ｔ１で温度保
持をする他の目的は、平板状の超伝導結晶が基板面に対
して平行に配列され、超伝導相のＣ軸が基板表面に対し
て垂直に配向し、電流が流れ易いａｂ面（Ｃ軸に直交面
）が基板表面と平行に配向し、配向を高めさせるためで
ある。またその温度Ｔ１は７８０℃以上８０５℃以下で
あることが望ましい。これは、この温度領域以下ではＣ
ａ１ＰｂＯｘの生成が不充分であり、またこの温度領域
以上ではＣａｚＰｂＯｘの分解が激しく、ｐｂの蒸発が
激しいためである。また保持時間は４０分以下であるこ
とが望ましい。これは長時間の保持によりｐｂが蒸発す
ることを避けるためである。Ｔ２温度では、ＴＩ湿温度
溶融したＣａ、 Ｐｂ等が１１０に相超伝導相の中に取
り込まれ、かつ１１０ Ｋ超伝導相が発達する。■２温
度は８３０〜８６０℃の範囲にあることが望ましい。
にスパッタ法等により堆積する。その後エツチングによ
り配線状に超伝導材料のパターンを形成する。その後焼
成を行うが、昇温過程で８００℃付近の温度（Ｔ１）で
一旦その温度を保持するのは、一つには１１０ Ｋ相の
生成に有効なＣａ２ＰｂＯｘを生成させ、一方で８０に
相の生成を抑制させるためである。また、Ｔ１で温度保
持をする他の目的は、平板状の超伝導結晶が基板面に対
して平行に配列され、超伝導相のＣ軸が基板表面に対し
て垂直に配向し、電流が流れ易いａｂ面（Ｃ軸に直交面
）が基板表面と平行に配向し、配向を高めさせるためで
ある。またその温度Ｔ１は７８０℃以上８０５℃以下で
あることが望ましい。これは、この温度領域以下ではＣ
ａ１ＰｂＯｘの生成が不充分であり、またこの温度領域
以上ではＣａｚＰｂＯｘの分解が激しく、ｐｂの蒸発が
激しいためである。また保持時間は４０分以下であるこ
とが望ましい。これは長時間の保持によりｐｂが蒸発す
ることを避けるためである。Ｔ２温度では、ＴＩ湿温度
溶融したＣａ、 Ｐｂ等が１１０に相超伝導相の中に取
り込まれ、かつ１１０ Ｋ超伝導相が発達する。■２温
度は８３０〜８６０℃の範囲にあることが望ましい。
ｐｂを添加したＢｉ層状ペロブスカイト型超伝導体は本
出願人が提案した上記組成のものに本発明法を適用する
ことができる。しかしこの組成外であっても、ｐｂを添
加したＢｉ層状ペロブスカイト型超伝導体に本発明方法
を適用し、以下述べる作用を実現することができる。
出願人が提案した上記組成のものに本発明法を適用する
ことができる。しかしこの組成外であっても、ｐｂを添
加したＢｉ層状ペロブスカイト型超伝導体に本発明方法
を適用し、以下述べる作用を実現することができる。
〔作用１
本発明によれば、昇温過程で、分解されに（い８０ Ｋ
相の生成を抑制し、一方１１０ Ｋ相の生成に有効なＣ
ａ ｚ ＰｂＯｘが十分生成する。さらにそれらが適度
に部分溶融するため、高い配向性を有した超伝導配線が
形成でき、また、その配線は１１０ Ｋ相を多（含むた
め、高い臨界温度と電流密度を有する超伝導配線が実現
できる。
相の生成を抑制し、一方１１０ Ｋ相の生成に有効なＣ
ａ ｚ ＰｂＯｘが十分生成する。さらにそれらが適度
に部分溶融するため、高い配向性を有した超伝導配線が
形成でき、また、その配線は１１０ Ｋ相を多（含むた
め、高い臨界温度と電流密度を有する超伝導配線が実現
できる。
膜の堆積はＲＦマグネトロンスパッタ法により行った。
スパッタ時にメタルマスクを用い、基板上に幅１００μ
ｍから１ｍｍの線を形成した。また比較のためメタルマ
スクを用いずに基板の全面に膜を堆積した試料も合わせ
て作製した。膜の組成は、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃ
ｕ＝１．０：０．８：１．０：１．０：１．６となるよ
うにした。
ｍから１ｍｍの線を形成した。また比較のためメタルマ
スクを用いずに基板の全面に膜を堆積した試料も合わせ
て作製した。膜の組成は、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃ
ｕ＝１．０：０．８：１．０：１．０：１．６となるよ
うにした。
焼成プロファイルを第１図に示す。図中の保持温度Ｔ１
、保持時間（ｔｌ）、昇温速度Ｒ２、を表−■に示すよ
うに変え、焼成した。
、保持時間（ｔｌ）、昇温速度Ｒ２、を表−■に示すよ
うに変え、焼成した。
（以下余白）
表−■ 焼成プロファイル−覧
焼成後Ｘ線回折測定を行い、超伝導材の各相の回折強度
を比較した。さらに代表的な試料について電気抵抗の温
度変化を測定した。
を比較した。さらに代表的な試料について電気抵抗の温
度変化を測定した。
図中、Ｈは１１０に相の、Ｌは８０ Ｋ 相のそれぞ
れの回折ピークを示す。
れの回折ピークを示す。
第２図に基板の全面に堆積した膜と線幅１ｍｍの配線を
従来法で焼成した場合のＸ線回折測定結果を示す。比較
例の全面の膜は殆どが１１０に相になっているにもかか
わらず、配線では１１０に相とともに８０ Ｋ相がかな
り生成されていることが分かる。
従来法で焼成した場合のＸ線回折測定結果を示す。比較
例の全面の膜は殆どが１１０に相になっているにもかか
わらず、配線では１１０に相とともに８０ Ｋ相がかな
り生成されていることが分かる。
第３図に焼成プロファイルを変えた時の８０ Ｋ相と１
１０ Ｋ相の生成量及びその比を示す。保持温度Ｔ１、
昇温速度Ｒ２の違いにより各相の回折強度が大きく変わ
ることがわかる。保持温度Ｔ、を低下させ、また、昇温
速度Ｒ２が速いほど８０ Ｋ相の回折強度は弱くなる。
１０ Ｋ相の生成量及びその比を示す。保持温度Ｔ１、
昇温速度Ｒ２の違いにより各相の回折強度が大きく変わ
ることがわかる。保持温度Ｔ、を低下させ、また、昇温
速度Ｒ２が速いほど８０ Ｋ相の回折強度は弱くなる。
１１０ Ｋ相回折強度は８０５℃を４０分保持し、そ
の後２℃／分で昇温したものが最も強くそれより保持温
度Ｔ、を低下させ、また、昇温速度Ｒ２が速くなると回
折強度が弱くなる。これは配向性が弱（なったことを示
している。
の後２℃／分で昇温したものが最も強くそれより保持温
度Ｔ、を低下させ、また、昇温速度Ｒ２が速くなると回
折強度が弱くなる。これは配向性が弱（なったことを示
している。
第４図に線幅ＩＩａｍの超伝導配線の電気抵抗の温度変
化を示す。臨界温度は９８にであり、液体窒素温度にお
ける臨界電流密度は３ Ｘ １０”Ａ／ｃがと十分大き
い。
化を示す。臨界温度は９８にであり、液体窒素温度にお
ける臨界電流密度は３ Ｘ １０”Ａ／ｃがと十分大き
い。
比較例として、８１０℃で４０分保持し、その後８４５
℃まで１℃／分で昇温し、１時間焼成した膜の電気抵抗
の温度変化を第５図に示す。１１０ Ｋ相が十分合成で
きず１１０ Ｋ付近で抵抗の減少はみられるもののゼロ
抵抗となるＴｃｅは７８ Ｋと極めて低い。液体窒素温
度では僅かな電流で超伝導状態が壊れてしまい実用的に
は使えない。
℃まで１℃／分で昇温し、１時間焼成した膜の電気抵抗
の温度変化を第５図に示す。１１０ Ｋ相が十分合成で
きず１１０ Ｋ付近で抵抗の減少はみられるもののゼロ
抵抗となるＴｃｅは７８ Ｋと極めて低い。液体窒素温
度では僅かな電流で超伝導状態が壊れてしまい実用的に
は使えない。
以上説明したように本発明によれば、Ｂｉ層状ペロブス
カイト型超伝導体のなかで、最も臨界温度が高い１１０
Ｋ相を多く含み配向性が高い超伝導配線を形成でき、
十分臨界温度が高くまた十分大きな臨界電流密度を実現
できる。
カイト型超伝導体のなかで、最も臨界温度が高い１１０
Ｋ相を多く含み配向性が高い超伝導配線を形成でき、
十分臨界温度が高くまた十分大きな臨界電流密度を実現
できる。
第１図は本発明法における焼成プロファイルを示すグラ
フ、 第２図（ａ）は全面膜のＸ線回折パターン、第２図（ｂ
）は１ｍｍ線幅の配線のＸ線回折パターン、 第３図は第１図の焼成プロファイルの各パラメータを変
えたときの８０ Ｋ 相と１１０に相の生成量および
比、 第４図は本発明により形成した超伝導配線の比抵抗を示
すグラフ、 第５図は従来法についての第４図と同様のグラフである
。 Ｈ−１１０に相、Ｌ −８０Ｋｋ相
フ、 第２図（ａ）は全面膜のＸ線回折パターン、第２図（ｂ
）は１ｍｍ線幅の配線のＸ線回折パターン、 第３図は第１図の焼成プロファイルの各パラメータを変
えたときの８０ Ｋ 相と１１０に相の生成量および
比、 第４図は本発明により形成した超伝導配線の比抵抗を示
すグラフ、 第５図は従来法についての第４図と同様のグラフである
。 Ｈ−１１０に相、Ｌ −８０Ｋｋ相
Claims (1)
- １．Ｐｂを添加したＢｉ層状ペロブスカイト型超伝導配
線膜を焼成する工程において、昇温過程で超伝導膜の一
部または全部が溶融する温度（Ｔ＿１）で一旦その温度
を保持した後、超伝導相のうち最も臨界温度が高い相が
形成される温度（Ｔ＿２）で焼成することを特徴とする
超伝導配線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2069101A JPH03268406A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 超伝導配線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2069101A JPH03268406A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 超伝導配線の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268406A true JPH03268406A (ja) | 1991-11-29 |
Family
ID=13392898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2069101A Pending JPH03268406A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 超伝導配線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03268406A (ja) |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP2069101A patent/JPH03268406A/ja active Pending
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