JPH0327539A - 電荷転送装置 - Google Patents
電荷転送装置Info
- Publication number
- JPH0327539A JPH0327539A JP1162430A JP16243089A JPH0327539A JP H0327539 A JPH0327539 A JP H0327539A JP 1162430 A JP1162430 A JP 1162430A JP 16243089 A JP16243089 A JP 16243089A JP H0327539 A JPH0327539 A JP H0327539A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- charge
- transfer electrodes
- electrodes
- potential
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D44/00—Charge transfer devices
- H10D44/40—Charge-coupled devices [CCD]
- H10D44/45—Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes
- H10D44/454—Output structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
- G11C19/282—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements with charge storage in a depletion layer, i.e. charge coupled devices [CCD]
- G11C19/285—Peripheral circuits, e.g. for writing into the first stage; for reading-out of the last stage
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D44/00—Charge transfer devices
- H10D44/40—Charge-coupled devices [CCD]
- H10D44/45—Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes
- H10D44/462—Buried-channel CCD
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以下の順序に従って本発明を説明する。
Ａ．産業上の利用分野
Ｂ．発明の概要
Ｃ．従来技術［第３図、第４図コ
Ｄ．発明が解決しようとする問題点
Ｅ．問題点を解決するための手段
Ｆ．作用
Ｇ．実施例［第１図、第２図］
Ｈ．発明の効果
（Ａ．産業上の利用分野）
本発明は電荷転送装置、特に転送方向に隣り合う複数の
転送電極によソー組の転送電極が構成され、複数組の転
送電極が転送方向に沿って並ぶように配置された電荷転
送装置に関する。
転送電極によソー組の転送電極が構成され、複数組の転
送電極が転送方向に沿って並ぶように配置された電荷転
送装置に関する。
（Ｂ．発明の概要）
本発明は、上記の電荷転送装置において、電源電圧を高
めなくとも出力のダイナミックレンジを広めあるいは転
送効率を高めることができるようにするため、 転送電極の最も下手側の組を他の転送電極の組とは別個
の駆動パルスで駆動することとし、そして、信号電荷を
電荷検出部へ掃き出すときのその最も下手側の組による
ポテンシャル井戸が他のどの組によるポテンシャル井戸
よりも浅くなるようにしたものである。
めなくとも出力のダイナミックレンジを広めあるいは転
送効率を高めることができるようにするため、 転送電極の最も下手側の組を他の転送電極の組とは別個
の駆動パルスで駆動することとし、そして、信号電荷を
電荷検出部へ掃き出すときのその最も下手側の組による
ポテンシャル井戸が他のどの組によるポテンシャル井戸
よりも浅くなるようにしたものである。
（Ｃ．従来技術）［第３図、第４図］
電荷結合素子からなる固体撮像装置はビデオカメラ、ス
チルカメラ等の撮像素子として非常に多く用いられてお
り、そして、その固体撮像装置の水平レジスタ部の出力
部付近は第３図に示すような断面構造を有しているもの
が多い。
チルカメラ等の撮像素子として非常に多く用いられてお
り、そして、その固体撮像装置の水平レジスタ部の出力
部付近は第３図に示すような断面構造を有しているもの
が多い。
図面において、１はｎ型半導体基板、２は該半導体基板
１上に形成されたＰ型半導体領域、３は該領域の表面部
に選択的に形成されたｎ型半導体領域、４、４、・・・
は該ｎ型半導体領域３の表面部に形成されたｎ一型半導
体領域で、転送方向に沿って所定間隔で配置され、トラ
ンスファ領域と称される。５、５、・・・はｎ型半導体
領域３のトランスファ領域４と４との間の領域で、スト
レージ領域と称される。そして、トランスファ領域４と
ストレージ領域５を交互に配置することによって信号電
荷を転送する電荷転送路が形成されている。また、これ
ら各トランスファ領域４及び各ストレージ領域５上に例
えばＳｉｎ２からなる絶縁層６を介してトランスファ電
極７及びストレージ電極８が形成されている。トランス
ファ電極７とその下手側のストレージ電極８とで一組の
転送電極が構成され、一組を成す転送電極は互いに電気
的に接続されている。そして、ハイレベル電圧が例えば
Ｏ■、ロウレベル電圧が例えば＋５Ｖの２相駆動パルス
のうちの一方を受ける。
１上に形成されたＰ型半導体領域、３は該領域の表面部
に選択的に形成されたｎ型半導体領域、４、４、・・・
は該ｎ型半導体領域３の表面部に形成されたｎ一型半導
体領域で、転送方向に沿って所定間隔で配置され、トラ
ンスファ領域と称される。５、５、・・・はｎ型半導体
領域３のトランスファ領域４と４との間の領域で、スト
レージ領域と称される。そして、トランスファ領域４と
ストレージ領域５を交互に配置することによって信号電
荷を転送する電荷転送路が形成されている。また、これ
ら各トランスファ領域４及び各ストレージ領域５上に例
えばＳｉｎ２からなる絶縁層６を介してトランスファ電
極７及びストレージ電極８が形成されている。トランス
ファ電極７とその下手側のストレージ電極８とで一組の
転送電極が構成され、一組を成す転送電極は互いに電気
的に接続されている。そして、ハイレベル電圧が例えば
Ｏ■、ロウレベル電圧が例えば＋５Ｖの２相駆動パルス
のうちの一方を受ける。
互いに隣り合う組の転送電極は２相駆動パルスＨ１、Ｈ
２の異なる駆動パルスを受けるようになっている。９は
最後段の転送電極８の下手側に形成された出力ゲート電
極で、例えば＋２Ｖ程度の電位が与えられている。１０
はｎ型半導体領域３の表面部に選択的に形成されたｎ４
＋型半導体領域からなるフローティングディフユージョ
ン領域で、出力ゲート電極９の更に下手側の部分の下側
にあたる位置に設けられている。１１はフローティング
ディフユージョン領域１０から稍下手側に離間した位置
においてｎ型半導体領域３０表面部に形成されたｎ”型
半導体領域からなるブリチャージドレイ領域で、＋十数
ボルトの電源電圧が印加されている。１２はフローティ
ングディフユージョン領域１０とブリチャージドレイ領
域ｌ１の間の部分上に上記絶縁層６を介して形成された
ブリチャージゲート電極で、上記２相駆動パルスＨｌ．
Ｈ２に同期して例えば＋５■と４Ｖとの間で変化するプ
リチャージゲー１〜パルスを受ける。ｌ３はフローティ
ングディフユージョン領域１０の電位を検出して増幅す
るアンプである。
２の異なる駆動パルスを受けるようになっている。９は
最後段の転送電極８の下手側に形成された出力ゲート電
極で、例えば＋２Ｖ程度の電位が与えられている。１０
はｎ型半導体領域３の表面部に選択的に形成されたｎ４
＋型半導体領域からなるフローティングディフユージョ
ン領域で、出力ゲート電極９の更に下手側の部分の下側
にあたる位置に設けられている。１１はフローティング
ディフユージョン領域１０から稍下手側に離間した位置
においてｎ型半導体領域３０表面部に形成されたｎ”型
半導体領域からなるブリチャージドレイ領域で、＋十数
ボルトの電源電圧が印加されている。１２はフローティ
ングディフユージョン領域１０とブリチャージドレイ領
域ｌ１の間の部分上に上記絶縁層６を介して形成された
ブリチャージゲート電極で、上記２相駆動パルスＨｌ．
Ｈ２に同期して例えば＋５■と４Ｖとの間で変化するプ
リチャージゲー１〜パルスを受ける。ｌ３はフローティ
ングディフユージョン領域１０の電位を検出して増幅す
るアンプである。
第４図は第３図に示した水平レジスタ部のポテンシャル
モデル図である。この図から明らかなように、電荷転送
路のポテンシャルレベルは破線で示す状態になったり、
一点破線で示す状態になったりする。破線で示す状態は
駆動パルスＨ１がＯＶになり、駆動パルスＨ２が＋５Ｖ
になったときの状態、一点鎖線で示す状態は駆動パルス
Ｈ１が５Ｖになり駆動パルスＨ２がＯ■になったときの
状態である。そして、一点鎖線で示す状態のとき、即ち
駆動バルスＨ１が５Ｖ，駆動パルスＨ２がＯ■のとき各
ストレ，−ジ領域５に信号電荷が蓄積される（但し、図
面では最も下手側のストレージ領域５についてのみ信号
電荷を示す）。そして、駆動パルスＨ１がＯＶ、駆動パ
ルスＨ２が５ｖになると、各ストレージ領域５からそれ
よりも下手側のストレージ領域５へ信号電荷が転送され
、最も下手側のストレージ領域５からはフローティング
ディフユージョン領域１０へ信号電荷が転送される。
モデル図である。この図から明らかなように、電荷転送
路のポテンシャルレベルは破線で示す状態になったり、
一点破線で示す状態になったりする。破線で示す状態は
駆動パルスＨ１がＯＶになり、駆動パルスＨ２が＋５Ｖ
になったときの状態、一点鎖線で示す状態は駆動パルス
Ｈ１が５Ｖになり駆動パルスＨ２がＯ■になったときの
状態である。そして、一点鎖線で示す状態のとき、即ち
駆動バルスＨ１が５Ｖ，駆動パルスＨ２がＯ■のとき各
ストレ，−ジ領域５に信号電荷が蓄積される（但し、図
面では最も下手側のストレージ領域５についてのみ信号
電荷を示す）。そして、駆動パルスＨ１がＯＶ、駆動パ
ルスＨ２が５ｖになると、各ストレージ領域５からそれ
よりも下手側のストレージ領域５へ信号電荷が転送され
、最も下手側のストレージ領域５からはフローティング
ディフユージョン領域１０へ信号電荷が転送される。
（Ｄ．発明が解決しようとする問題点）ところで、水平
レジスタ等の転送装置においては転送効率を高める必要
があるが、出力のダイナミックレンジをある程度以上広
くしなければならないのでそれは必ずしも容易なことで
はない。というのは、転送効率を高めてシャープな映像
が得られるようにするためには、電荷転送路のポテンシ
ャルを全体的に深くすることが必要であるが、しかし、
そのようにするとフローテイングデイフユージョン領域
１０のダイナミックレンジが狭くなってしまうからであ
る。
レジスタ等の転送装置においては転送効率を高める必要
があるが、出力のダイナミックレンジをある程度以上広
くしなければならないのでそれは必ずしも容易なことで
はない。というのは、転送効率を高めてシャープな映像
が得られるようにするためには、電荷転送路のポテンシ
ャルを全体的に深くすることが必要であるが、しかし、
そのようにするとフローテイングデイフユージョン領域
１０のダイナミックレンジが狭くなってしまうからであ
る。
即ち、フローティングディフユージョン領域１０のダイ
ナミックレンジはフローテイングデイフユージョン領域
１０のポテンシャルと出力ゲート部側のポテンシャルと
の差によって決まり、出力ゲート側のポテンシャルを深
くするとその分そのポテンシャルさが小さくなる。従っ
て、ダイナミックレンジを狭くすることなく転送効率を
高めることは難しい。
ナミックレンジはフローテイングデイフユージョン領域
１０のポテンシャルと出力ゲート部側のポテンシャルと
の差によって決まり、出力ゲート側のポテンシャルを深
くするとその分そのポテンシャルさが小さくなる。従っ
て、ダイナミックレンジを狭くすることなく転送効率を
高めることは難しい。
尤も、フローティングディフユージョン領域１０のポテ
ンシャルを深くすれば出力のダイナミックレンジを広く
することができる。しかし、それにはプリチャージドレ
イン領域■１に印加する電源電圧を高くすることが必要
となってしまう。そして、電源電圧（Ｖｄｄ）を高める
と、アンプの消費電力が太き《なったり、アンプ１３を
構戒するＭＯＳトランジスタに加わるドレイン電圧が耐
圧付近に、あるいは耐圧以上に高くなる虞れが生じ好ま
しくない。
ンシャルを深くすれば出力のダイナミックレンジを広く
することができる。しかし、それにはプリチャージドレ
イン領域■１に印加する電源電圧を高くすることが必要
となってしまう。そして、電源電圧（Ｖｄｄ）を高める
と、アンプの消費電力が太き《なったり、アンプ１３を
構戒するＭＯＳトランジスタに加わるドレイン電圧が耐
圧付近に、あるいは耐圧以上に高くなる虞れが生じ好ま
しくない。
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、電源電圧を高めることなく出力のダイナミックレ
ンジを広くしたりあるいは転送効率を高めることができ
るようにすることを目的とする。
あり、電源電圧を高めることなく出力のダイナミックレ
ンジを広くしたりあるいは転送効率を高めることができ
るようにすることを目的とする。
（Ｅ．問題点を解決するための手段）
本発明電荷転送装置は上記問題点を解決するため、転送
電極の最も下手側の組を他の転送電極の組とは別個の駆
動パルスで駆動することとし、そして、信号電荷を電荷
検出部へ掃き出すときのその最も下゛手側の組によるポ
テンシャル井戸が他のどの組によるポテンシャル井戸よ
りも浅くなるようにしたことを特徴とする。
電極の最も下手側の組を他の転送電極の組とは別個の駆
動パルスで駆動することとし、そして、信号電荷を電荷
検出部へ掃き出すときのその最も下゛手側の組によるポ
テンシャル井戸が他のどの組によるポテンシャル井戸よ
りも浅くなるようにしたことを特徴とする。
（Ｆ．作用）
本発明電荷転送装置によれば、転送電極の最も下手側の
組の出力ゲート部側へ信号電荷を転送するときにおける
ポテンシャル井戸が他の組の転送電極のポテンシャル井
戸よりも浅くされているので、電源電圧の上昇を伴うこ
となく出力のダイナミックレンジを広くしたり、あるい
は転送路のポテンシュル井戸を全体的に深くして転送効
率を高くすることができ得る。
組の出力ゲート部側へ信号電荷を転送するときにおける
ポテンシャル井戸が他の組の転送電極のポテンシャル井
戸よりも浅くされているので、電源電圧の上昇を伴うこ
となく出力のダイナミックレンジを広くしたり、あるい
は転送路のポテンシュル井戸を全体的に深くして転送効
率を高くすることができ得る。
（Ｇ．実施例）［第１図、第２図］
以下、本発明電荷転送装置を図示実施例に従って詳細に
説明する。
説明する。
第１図及び第２図は本発明電荷転送装置の一つの実施例
を説明するためのもので、第１図は断面図、第２図はポ
テンシャルモデル図である。
を説明するためのもので、第１図は断面図、第２図はポ
テンシャルモデル図である。
本電荷転送装置は第３図に示した従来の電荷転送装置と
は共通する部分が多く、その共通する部分については既
に説明済みなので説明を省略することとし、相違する部
分についてのみ説明する。
は共通する部分が多く、その共通する部分については既
に説明済みなので説明を省略することとし、相違する部
分についてのみ説明する。
本電荷転送装置は電荷検出部に隣接した組の転送電極７
、８が他の転送電極から電気的に分離され、これ専用の
駆動パルスＨ０により駆動される。該駆動パルスＨ。は
駆動パルスＨ１と同相であり、またストレージ領域５に
信号電荷を蓄積するときにおける電圧も駆動パルスＨ１
のそれと同じ＋５Ｖであるが、信号電荷を掃きだすとき
の電圧が駆動バルスＨ１のそれ（ＯＶ）よりも数ボルト
低い値例えば−４Ｖにされている。即ち、スイングが大
きくなっている。
、８が他の転送電極から電気的に分離され、これ専用の
駆動パルスＨ０により駆動される。該駆動パルスＨ。は
駆動パルスＨ１と同相であり、またストレージ領域５に
信号電荷を蓄積するときにおける電圧も駆動パルスＨ１
のそれと同じ＋５Ｖであるが、信号電荷を掃きだすとき
の電圧が駆動バルスＨ１のそれ（ＯＶ）よりも数ボルト
低い値例えば−４Ｖにされている。即ち、スイングが大
きくなっている。
また、出力ゲート電極９に与えらえた電位も従来におけ
るような例えば＋２ｖではなく例えばそれより４Ｖ程度
低い−４■にされている。
るような例えば＋２ｖではなく例えばそれより４Ｖ程度
低い−４■にされている。
従って、このような電荷転送装置によれば、出力ゲート
部のポテンシャル井戸が従来よりも４Ｖ分浅くなってい
る。そして、最も下手側の転送電極７、８によるストレ
ージ領域５、トランスファ領域の電荷掃き出し時におけ
るポテンシャル井戸も従来よりも４Ｖ分浅くなっている
。依って、電源電圧の増大を伴うことなく出力のグイナ
ミックレンジを広くすることができる。
部のポテンシャル井戸が従来よりも４Ｖ分浅くなってい
る。そして、最も下手側の転送電極７、８によるストレ
ージ領域５、トランスファ領域の電荷掃き出し時におけ
るポテンシャル井戸も従来よりも４Ｖ分浅くなっている
。依って、電源電圧の増大を伴うことなく出力のグイナ
ミックレンジを広くすることができる。
また、電荷転送路のトランスファ領域４、ストレージ領
域の不純物濃度を適宜に設定することによりポテンシャ
ル井戸を全体的に適宜深くしつつ出力のダイナミックレ
ンジも適宜広くすることも可能となるのである。このよ
うにすると、転送電界が強くなるので転送効率をある程
度以上のダイナミックレンジを確保しつつ高めることが
でき、出力波形がシャープできれいになるようにするこ
とができる。
域の不純物濃度を適宜に設定することによりポテンシャ
ル井戸を全体的に適宜深くしつつ出力のダイナミックレ
ンジも適宜広くすることも可能となるのである。このよ
うにすると、転送電界が強くなるので転送効率をある程
度以上のダイナミックレンジを確保しつつ高めることが
でき、出力波形がシャープできれいになるようにするこ
とができる。
尚、上記実施例は本発明を２相駆動式フローティングデ
ィフユージョン増幅（ＦＧＡ）型の電荷転送装置に適用
したものであった。しかしながら、本発明は埋め込みチ
ャネル型のＣＣＤ （ＢＣＣＤ）であれば２相駆動式で
あっても４相駆動式であっても適用することができ駆動
方式が限定されず、また、フローティングゲート増幅型
の電荷転送装置にも適用することができる。
ィフユージョン増幅（ＦＧＡ）型の電荷転送装置に適用
したものであった。しかしながら、本発明は埋め込みチ
ャネル型のＣＣＤ （ＢＣＣＤ）であれば２相駆動式で
あっても４相駆動式であっても適用することができ駆動
方式が限定されず、また、フローティングゲート増幅型
の電荷転送装置にも適用することができる。
（Ｈ．発明の効果）
以上に述べたように、本発明電荷転送装置は、転送方向
に隣り合う複数の転送電極によソー組の転送電極が構成
され、複数組の転送電極が転送方向に沿って並ぶように
配置された電荷転送装置において、電荷検出部に隣接す
る一組の転送電極が他の組の転送電極と異なる駆動パル
スで駆動され、上記電荷検出部に隣接する一組の転送電
極の信号電荷を電荷検出部側へ掃き出す時におけるその
転送電極によるポテンシャル井戸が、他のどの組の転送
電極によるポテンシャル井戸よりも浅くなるようにされ
たことを特徴とするものである。
に隣り合う複数の転送電極によソー組の転送電極が構成
され、複数組の転送電極が転送方向に沿って並ぶように
配置された電荷転送装置において、電荷検出部に隣接す
る一組の転送電極が他の組の転送電極と異なる駆動パル
スで駆動され、上記電荷検出部に隣接する一組の転送電
極の信号電荷を電荷検出部側へ掃き出す時におけるその
転送電極によるポテンシャル井戸が、他のどの組の転送
電極によるポテンシャル井戸よりも浅くなるようにされ
たことを特徴とするものである。
従って、本発明電荷転送装置によれば、転送電極の最後
の組の出力ゲート部側へ信号電荷を転送するときにおけ
るポテンシャル井戸が他の組の転送電極のポテンシャル
井戸よりも浅くされているので、電源電圧の上昇を伴う
ことなく出力のダイナミックレンジを広くしたり、ある
いは電荷転送路のポテンシャル井戸を全体的に深くして
転送効率を高くしたりすることができる。
の組の出力ゲート部側へ信号電荷を転送するときにおけ
るポテンシャル井戸が他の組の転送電極のポテンシャル
井戸よりも浅くされているので、電源電圧の上昇を伴う
ことなく出力のダイナミックレンジを広くしたり、ある
いは電荷転送路のポテンシャル井戸を全体的に深くして
転送効率を高くしたりすることができる。
ｌ１
第１図及び第２図は本発明電荷転送装置の一つの実施例
を説明するためのもので、第１図は回路図、第２図はポ
テンシャルモデル図、第３図及び第４図は電荷転送装置
の従来例の一つを説明するためのもので、第３図は回路
図、第４図はポテンシャルモデル図である。 １２ 符号の説明 ７、８・・・転送電極、９・・・電荷検出部。 ｈ 了 ピ％＋｝，’＋か９≧一一一〜か ？ｌ−１− １１− ：’ｌ ，へさ■手続補正書（自
発） 平成 ２年 ７月１２日 平或１年特許願第１６２４３０号 ２．発明の名称 電荷転送装置 ３．補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都品川区北品川６丁目７番３５号名称 （２
１８） ソニー株式会社４．代理人 住所 東京都荒川区西日暮里２丁目５３番５号ニューハ
ウス西日暮里７０３号室 ６．補正の内容 （１）明細書第７頁下から８行目、「ポテンシャルさ」
を「ポテンシャル差」に訂正する。 （２）明細書第１０頁ｌ２行目、「例えば」力）ら１３
行目、「されている。」までを、「それより低い例えば
０■にされている。ｊに訂正する。 ２
を説明するためのもので、第１図は回路図、第２図はポ
テンシャルモデル図、第３図及び第４図は電荷転送装置
の従来例の一つを説明するためのもので、第３図は回路
図、第４図はポテンシャルモデル図である。 １２ 符号の説明 ７、８・・・転送電極、９・・・電荷検出部。 ｈ 了 ピ％＋｝，’＋か９≧一一一〜か ？ｌ−１− １１− ：’ｌ ，へさ■手続補正書（自
発） 平成 ２年 ７月１２日 平或１年特許願第１６２４３０号 ２．発明の名称 電荷転送装置 ３．補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都品川区北品川６丁目７番３５号名称 （２
１８） ソニー株式会社４．代理人 住所 東京都荒川区西日暮里２丁目５３番５号ニューハ
ウス西日暮里７０３号室 ６．補正の内容 （１）明細書第７頁下から８行目、「ポテンシャルさ」
を「ポテンシャル差」に訂正する。 （２）明細書第１０頁ｌ２行目、「例えば」力）ら１３
行目、「されている。」までを、「それより低い例えば
０■にされている。ｊに訂正する。 ２
Claims (1)
- （１）転送方向に隣り合う複数の転送電極によソー組の
転送電極が構成され、複数組の転送電極が転送方向に沿
って並ぶように配置された電荷転送装置において、 電荷検出部に隣接する一組の転送電極が他の組の転送電
極と異なる駆動パルスで駆動され、上記電荷検出部に隣
接する一組の転送電極の信号電荷を電荷検出部側へ掃き
出す時におけるその転送電極によるポテンシャル井戸が
、他のどの組の転送電極によるポテンシャル井戸よりも
浅くなるようにされてなる ことを特徴とする電荷転送装置
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1162430A JPH0327539A (ja) | 1989-06-25 | 1989-06-25 | 電荷転送装置 |
| DE69031296T DE69031296T2 (de) | 1989-06-25 | 1990-06-25 | Apparat zur Übertragung elektrischer Ladungen |
| EP90112040A EP0405401B1 (en) | 1989-06-25 | 1990-06-25 | Apparatus for transferring electric charges |
| US08/892,935 US5892251A (en) | 1989-06-25 | 1997-07-15 | Apparatus for transferring electric charges |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1162430A JPH0327539A (ja) | 1989-06-25 | 1989-06-25 | 電荷転送装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0327539A true JPH0327539A (ja) | 1991-02-05 |
Family
ID=15754459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1162430A Pending JPH0327539A (ja) | 1989-06-25 | 1989-06-25 | 電荷転送装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5892251A (ja) |
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