JPH03276901A - 混成集積回路装置 - Google Patents

混成集積回路装置

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JPH03276901A
JPH03276901A JP7758090A JP7758090A JPH03276901A JP H03276901 A JPH03276901 A JP H03276901A JP 7758090 A JP7758090 A JP 7758090A JP 7758090 A JP7758090 A JP 7758090A JP H03276901 A JPH03276901 A JP H03276901A
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JP
Japan
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impedance matching
matching circuit
integrated circuit
hybrid integrated
microstrip line
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Application number
JP7758090A
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English (en)
Inventor
Katsuya Komuro
小室　勝哉
Kazuhisa Kagawa
香川　和久
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は混成集積回路装置、特にマイクロ波帯の高周
波電力増幅混成集積回路Ｗｔｒ！ＩｊｔＶｃ関するもの
である。
〔従来の技術〕
従来の高周波電力増幅混成集積回路装置のトランジスタ
段間のインピーダンス整合回路は。
生ＶＣ誘電体基板上に形成されたマイクロストリップ線
路とチップコンデンサにより構成されて−な。
第３図はこのような従来の高周波電力増幅混成集積回路
装置のトランジスタ段間インピーダンス整合回路１路の
一部を示す上面図である。
図において、４１は誘電体基板、Ｎ１ａ）ｉ高周波′亀
力が伝搬するマイクロストリップ線路、　ｔａｂ）に接
地されたマイクロストリップ線路　（ｈａ）。
ｒｉｂ）ｉチップコンデンサである。
次に動作について説明する。前段のトランジスタより出
力された高周波電力は、誘電体基板１１上に形成された
マイクロストリップ線路（２ａ）。
（ｇｂ）と、誘電体基板ｊｌｌ上に配置され之チップコ
ンデンサ（４ａ）、（４ｂ）　Ｋよりインピーダンス整
合され、後段のトランジスタへ入力される。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の高周波電力増幅混成集積回路は以上のように構成
されていたので、高１＠波の周波数帯域がマイクロ波帯
ＶＣなるとインピーダンス整合１０１路を構成するチッ
プコンデンサの誘電損失が大きくなシ、チップコンデン
サで高周波電力が損失する。従って、マイクロ波帯では
チップコンデサを用いたインピーダンス整合（ロ）路は
、高性能な電力増幅を行う上で障害となる。その為トラ
ンジスタ段間の整合回路はチップコンデンサを用いない
オーブンスタブ方式により構成する必要があるが、この
オーブンスタブ方式でに一度回路を作ってしまうと調整
ができないという問題点があった。
この発明は上記のような問題Ｑを解消するためになされ
たもので、マイクロ波帯で使用でき、ｍｕ；可能なオー
ブンスタブ方式のインピーダンス整合回路で構成された
高周波電力増幅混成集積回路を得ることを目的とする。
〔課題を解決する之めの手段〕
この発明に係る高周ｒｆｌｔ力増幅混収集積回路は、イ
ンピーダンス整合回路を万一プンスタプ方式でｌＩ成し
、そのマイクロストリップ線路の一部５ｒ：ｆＩｉ性体
薄膜で覆ったものである。
〔作用〕
この発明における混成集積回路装置は、誘電体基板上に
形成されたオーブンスタブ方式のインピーダンス整合回
路の容量性スタブのマイクロストリップ線路を磁性体薄
膜で榎い、この磁性体薄膜の領域を変化させることによ
り、容量性スタブの容量ｋＫ化させインピーダンス整合
１ｇ路の調整を行う。
〔実施列〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例である高周波電力増幅混成集積
回路装置の一部を示す上面図である。図において、誘電
体基板Ｉｌｌ上に形成されたオープンスタブ方式のトラ
ンジスタ段間インピダンス整合回路のマイクロストリッ
プ線路（２ａ）の内、容量性スタブとなるマイクロスト
リップ線路の一部を磁性体薄膜（３ａ）、（８ｂ）で覆
っている。
次に動作について説明する。
高周波電力増幅混成集積回路装置は、上記のように構成
され、その磁性体薄膜（３ａ）、（３ｂ）　ｔ−サンド
ブラスト法等により削ることにより、マイクロストリッ
プ線路（２ａ）の容量性スタブの容量４゜ を変化させ、インピーダンス整合（ロ）路の調整を行う
。゛第２図は第１図の高周波電力増幅混成集積回路装置
の一部の調整後の状Ｏｋ示す上面−図である。図におい
て％磁性体薄膜（３ａ）、（８ｂ）　ｎサンドブラスト
法等により削られている。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、オーブンスタブ方式で
構成されたトランジスタ股間のインピーダンス贅′合回
路の容量性スタブのマイクロストリップ線路の一部を磁
性体薄膜で覆うよう（構成したので、インピーダンス整
合回路の調整を磁性体薄膜を削ることにより容易に行え
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図にこの発明の一実施例を示す高周波電力増幅混成
集積回路装置の一部を示す上面図、第８図は第１図の磁
性体薄膜の調整後ハ状態を示す上面図、Ｉ！３図は従来
の高周波電力増幅混成集積回路装置の一部を示す上面図
である。 図において、…は誘成体基板、　　ｒｇａ）げマイクロ
ストリップ線路、（８ａ）、（８ｂ）　ｉ磁性体薄膜を
示す。 なお、図中、同一符号は同一　又は相当部分を不才０

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 所定の入出力インピーダンスを有する１個以上のトラン
    ジスタと、このトランジスタの入出力インピーダンスを
    ある所定のインピーダンスに整合するオープンスタブ方
    式の整合回路と、この整合回路の一部を磁性体薄膜で覆
    つたことを特徴とする混成集積回路装置。
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