JPS63236292A - 薄膜ｅｌパネルおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ；この１ 本発明は文字１図形等の情報をドツトマトリクス表示す
る薄膜ＥＬパネルおよびその製造方法に関するものであ
る。

え米些皮直 情報のディスプレイパネルとして、薄膜ＥＬマトリクス
型ディスプレイパネルがあり、この薄膜ＥＬマトリクス
型ディスプレイパネルに使用される薄膜ＥＬ素子の構造
例を、第６図を参照しながら説明する。なお、第６図の
右半分はＸ方向の断面図、左半分はＸ方向と直交するＹ
方向の断面図である。第６図に示す薄膜ＥＬ素子１にお
いて、２は透光性基板であるガラス基板、３は上記ガラ
ス基板２上に１．Ｔ、Ｏ等を蒸着法等によりＹ方向に定
ピツチで多数のストライプ状に形成した透明電極、４は
透明電極３およびガラス基板２上に、Ａｌ２Ｏ３やＹ２
Ｏ３等を蒸着またはスパッタ法で形成した透明な第１の
絶縁層、５はこの第１の絶縁層４上にＺｎＳ　：　Ｍｎ
等を蒸着法等で形成した発光層、６はこの発光層５上に
、Ａ夕２０３やＹ２Ｏ３等を蒸着やスパッタ法により形
成した透明な第２の絶縁層、７は第２の絶縁層６上にＸ
方向に定ピツチで多数のストライプ状に形成したｋｌ蒸
着膜による背面電極である。

なお、図示しないが上記薄膜ＥＬ素子１を囲繞するよう
に、凹板状のカバーガラスをガラス基板２上に接着材を
介して固着することにより、薄膜ＥＬマトリクス型ディ
スプレイパネルが構成され、更に上記ガラス基板２とカ
バーガラスからなる外囲器内に、薄膜ＥＬ素子１の耐湿
性を向上させるため、シリコンオイル等の絶縁性保護流
体が封入される（特開昭５７−７０８Ｇ号公報）。

この薄膜ＥＬマトリクス型ディスプレイパネルにおける
薄膜ＥＬ素子１では、透明電極３と背面電極７が第７図
に示すように行列状に交差して、多数のマトリクス状の
画素ｍ＋　ｍ＋　・・・が形成される。この透明電極３
と背面電極７の各一端部は、１本おきにガラス基板２の
反対側の周辺部上間で延設され、この両電極３，７の延
設端部間に駆動電圧を選択的に印加すると、発光層５の
画素部分が選択的に発光して、所望の情報のドツトマト
リクス表示が行われる。

０　（よ゛　　、′１【− ところで、上記薄膜ＥＬ素子１の製造時、第１の絶縁層
４、発光層５および第２の絶縁層６の膜厚が均一になる
ように積層形成するのは困難で、上記各層４．５．６の
膜厚が薄い箇所でピンホールが発生し易かった。この結
果、上記薄膜ＥＬ素子１の駆動時に、透明電極３と背面
電極７間に駆動電圧を印加した際、第１の絶縁層４９発
光層５及び第２の絶縁層６に発生したピンホールを介し
て、上記透明電極３と背面電極７間で放電現象が生じて
両電極３，７が絶縁破壊される。ここで、従来の薄膜Ｅ
Ｌ素子１における背面電極７は、導電性や第２の絶縁層
６に対する接着性が良好で、（島状構造をとりにくい）
熱伝導率が高く、比較的高融点（６６０℃）を有する成
製のものであるため、上述のように透明電極３と背面電
極７間て絶縁破壊か発生すると高熱伝導性で高融点のＡ
Ｒて蒸発飛散機能か乏しい故に、その破壊域ａがスポッ
ト状となる自己回復型絶縁破壊（第８図参照）に留まら
ず、第９図に示すように、破壊域すが背面電極７の全面
に亘って急速に拡がる伝播型絶縁破壊へと至る。このよ
うに伝播型絶縁破壊が発生して、背面電極７の全面に亘
って破壊域すが形成されると、その背面電極７の画素ｍ
の断線により、その画素ｍから給電点とは逆方向の全画
素ｍ、ｍｌ・・・かすべて発光不能となって、その表示
機能が大幅に低下するという問題点があった。

そこで、本発明の目的は絶縁破壊発生時に背面電極７で
の破壊域の拡がりを抑止した自己回復機能を仔する薄膜
ＥＬパネルと、その製造方法を提供することにある。

・Ｊｎ　′″　　　１゛　　　　た　　の　　、４本発
明は前記問題点に鑑みて提案されたもので、上記目的を
達成するための第１の技術的手段は、透光性基板上に透
明電極、第１の絶縁層９発光層。

第２の絶縁層、並びに背面電極を順次積層配置してなる
薄膜ＥＬパネルにおいて、前記背面電極を疑似゛島状構
造した錫を用いて形成したことを特徴とする。

上記目的を達成するための第２の技術的手段は、上記錫
による背面電極形成時の条件を 基板温度：　５０〜１００°Ｃ 膜　　厚：　　２０００〜３０００Ａ 蒸着レート：　５〜８Å／Ｓ としたことを特徴とする。

１皿 本発明に係る薄膜ＥＬパネルによれば、背面電極を疑似
島状構造した錫で形成したから、透明電極と背面電極間
で絶縁破壊が発生して放電現象が生じた場合、上記背面
電極では破壊が伝播しにくく、破壊域がスポット状とな
る自己回復型絶縁破壊となる。

天」１例一 本発明に係る薄膜ＥＬパネルの実施例を以下に説明する
。本発明における薄膜ＥＬ素子１は、第６図に示す従来
パネルと同様に、透光性を有するガラス基板２上に、１
．Ｔ、Ｏ等からなる多数のストライブ状の透明電極３、
Ａｇ１２０３やＹ２Ｏ３等からなる透明な第１の絶縁層
４、ＺｎＳ：Ｍｎ等からなる発光層５、Ａｌ２Ｏ３やＹ
２Ｏ３等からなる透明な第２の絶縁層６及び−上記透明
電極３と直交する多数のストライブ状の背面電極７を順
次積層形成したものである。本発明の特徴は上記背面電
極７を、第１図に示すように、疑似島状構造した錫を用
いて形成したことにある。

なお、本発明において「疑似島状構造」とは、錫の粒子
が、第２図に示すように独立して完全な島状構造をして
おり、膜として導電性がない状態と、錫の粒子同士が隙
間なく一体化して導電性の高い状態との中間状態、すな
わち、錫の粒子同士がその一部で一体化しており、一部
に隙間が残っている状態をいう。

この疑似島状構造により、面抵抗が比較的小さく、シか
も絶縁破壊時に、第８図に示すような、自己回復型絶縁
破壊モードとなる。

第３図は！（、空蒸若法により成膜した錫の膜厚と面抵
抗の関係を、第４図は錫成膜時の基板温度と面抵抗の関
係を、第５図は錫成膜速度と面抵抗の関係を示したもの
である。

上記の第３図ないし第５図から、本発明では、第１図に
示すような疑似島状構造をした錫の背面電極を形成する
ために、 基板温度：　４０〜７０″Ｃ 膜　　　厚：　　２５００〜３０００人蒸着レート＝　
５〜８Å／Ｓ しいう成膜条件により形成する。

ここで、基板温度が４０°Ｃ未満では、錫の蒸発量が小
さくて、疑似島状構造が得られないし、７０℃を超える
と、錫の粒子同士の接触が弱くなり、面抵抗が大きくな
りすぎる。また、錫の膜厚が２５００Ａ未満では、完全
島状構造に近くなって、面抵抗が太き（なるし、３５ｏ
ｏＡを超えると、錫の粒子同士が完全に接触して、疑似
島状構造が得られな（なる。さら、蒸着レートが５Å／
Ｓ未満では、基板に付着した錫の蒸発のために面抵抗が
大きくなるし、８Å／Ｓを超えると、錫の粒子同士が完
全に接触して、疑似島状構造が得られな（なる。したが
って、背面電極７の形成時の錫の蒸着条件は、前述の範
囲に限定される。

これにより、導通はあり、しかも絶縁破壊が伝播しない
、すなわち自己回復型となる、背面電極が得られる。

発刊ｊμ「程 本発明に係る薄膜ＥＬパネルによれば、透明電極と背面
電極間で絶縁破壊が発生しても、破壊は伝播しに（く、
上記背面電極の断線までには至らず、信頼性の高い薄膜
ＥＬパネルが提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の薄膜ＥＬパネルの疑似島状構造 の電子顕微鏡写真、第３図は真空蒸着法により成膜した
錫の膜厚と面抵抗の関係特性図、第４図は錫成膜時の基
板温度と面抵抗の関係特性図、第５図は錫成模速度と面
抵抗の関係特性図である。 第６図は薄膜ＥＬ素子の断面図で、右半分はＸ方向の断
面図、左半分はＹ方向の断面図である。 第７図は第６図の薄膜ＥＬ素子での画素部分を示す部分
平面図、第８図は背面電極での自己回復型絶縁破壊を示
す部分平面図、第９図は背面電極での伝播型絶縁破壊を
示す部分平面図である。 １・・・薄膜ＥＬ素子、　２・・・透光性基板、３・・
・透明電極、　　　４・・・第１の絶縁層、５・・・発
光層、　　　　　６・・・第２の絶縁層、７・・・背面
電極。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）　透光性基板上に、透明電極、第１絶縁層、発光
   層、第２絶縁層および背面電極を順次積層してなる薄膜
   ＥＬパネルにおいて、 前記背面電極を、疑似島状構造にした錫で形成したこと
   を特徴とする薄膜ＥＬパネル。
2. （２）　透光性基板上に、透明電極、第１絶縁層、発光
   層、第２絶縁層および背面電極を順次積層してなる薄膜
   ＥＬパネルの製造方法であって、 前記背面電極を、錫を材料として 基板温度：４０〜７０℃ 膜厚：２５００〜３５００Å 蒸着レート：５〜８Å／Ｓ の条件で形成することを特徴とする薄膜ＥＬパネルの製
   造方法。