JPH03294182A - 電鋳砥石 - Google Patents
電鋳砥石Info
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- JPH03294182A JPH03294182A JP25932490A JP25932490A JPH03294182A JP H03294182 A JPH03294182 A JP H03294182A JP 25932490 A JP25932490 A JP 25932490A JP 25932490 A JP25932490 A JP 25932490A JP H03294182 A JPH03294182 A JP H03294182A
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- abrasive
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、複数の砥粒層を有する電鋳紙に係り、特に
、切断もしくは溝切り加工用の砥石であって、切れ味の
良い砥粒層で刃先部を構成し、チッピングが少なく、良
い仕上げ面を得ることができる砥粒層で前記刃先部の側
部を構成した複数層の砥粒層を有する電鋳砥石に関する
。
、切断もしくは溝切り加工用の砥石であって、切れ味の
良い砥粒層で刃先部を構成し、チッピングが少なく、良
い仕上げ面を得ることができる砥粒層で前記刃先部の側
部を構成した複数層の砥粒層を有する電鋳砥石に関する
。
「従来の技術」
従来の切断もしくは溝切用の砥石は、1種類の砥粒層で
構成された1層構造を有するものであり、その刃先部と
該刃先部の側部とは同一の砥粒層によって形成されてい
た。
構成された1層構造を有するものであり、その刃先部と
該刃先部の側部とは同一の砥粒層によって形成されてい
た。
「発明が解決しようとする問題点J
この従来の砥石で、たとえば高い加工精度が要求される
ビデオの磁気ヘッドに用いられるフェライトに溝入れ加
工を行うには以下の工程が必要であった。
ビデオの磁気ヘッドに用いられるフェライトに溝入れ加
工を行うには以下の工程が必要であった。
すなわち、まず、加工速度を重視した溝入れ加工用砥石
で溝入れ加工を行い、次に、微細砥粒からなる仕上げ用
砥石を用いてこの溝入れ加工により生じたチッピングを
除去するとともに該溝の側面に仕上げ加工を施して目的
とする磁気ヘッドの溝を得ていた。
で溝入れ加工を行い、次に、微細砥粒からなる仕上げ用
砥石を用いてこの溝入れ加工により生じたチッピングを
除去するとともに該溝の側面に仕上げ加工を施して目的
とする磁気ヘッドの溝を得ていた。
このため、迅速な加工が困難であるとともに、加工コス
トもかさむという欠点があった。
トもかさむという欠点があった。
この発明の目的は、このような溝入れ加工を1工程で行
うことができる複数の砥粒層を有する新規な電鋳砥石を
提供することを目的としている。
うことができる複数の砥粒層を有する新規な電鋳砥石を
提供することを目的としている。
「問題点を解決するための手段及び作用」この発明は、
砥粒を分散させた複数種類のめつき液を用いた分散めっ
き処理により、複数の砥粒層を層状に形成してなるもの
である。
砥粒を分散させた複数種類のめつき液を用いた分散めっ
き処理により、複数の砥粒層を層状に形成してなるもの
である。
そして、上記のような電鋳砥石において、例えば、第1
の砥粒層の表面に、該第1の砥粒層に含まれる砥粒より
相対的に小さい粒径の砥粒を含む第2の砥粒層を形成し
、主たる研削を大きい粒径の砥粒を含む第1の砥粒層で
行い、切断面との接触部近傍のわずかな研削を小さい粒
径の砥粒を含む第2の砥粒層で行うことにより、チッピ
ングが小さくかつ良好な切断面粗さを保持しつつ高速度
な研削加工を行うことができる。
の砥粒層の表面に、該第1の砥粒層に含まれる砥粒より
相対的に小さい粒径の砥粒を含む第2の砥粒層を形成し
、主たる研削を大きい粒径の砥粒を含む第1の砥粒層で
行い、切断面との接触部近傍のわずかな研削を小さい粒
径の砥粒を含む第2の砥粒層で行うことにより、チッピ
ングが小さくかつ良好な切断面粗さを保持しつつ高速度
な研削加工を行うことができる。
また、第1の砥粒層の表面に、該第1の砥粒層より砥粒
含有量の低い第2の砥粒層を形成し、主たる研削を第1
の砥粒層で行い、切断面との接触部近傍のわずかな研削
を第2の砥粒層で行うことにより、チッピングが小さく
かつ良好な切断面粗さを保持しつつ高速度な研削加工を
行うことができる。
含有量の低い第2の砥粒層を形成し、主たる研削を第1
の砥粒層で行い、切断面との接触部近傍のわずかな研削
を第2の砥粒層で行うことにより、チッピングが小さく
かつ良好な切断面粗さを保持しつつ高速度な研削加工を
行うことができる。
さらに、第1の砥粒層の表面に、該第】の砥粒層に含ま
れる砥粒より機械的強度が低い砥粒を含む第2の砥粒層
を形成し、主たる研削を第1の砥粒層で行い、切断面と
の接触部近傍のわずかな研削を第2の砥粒層で行うこと
により、チッピングが小さくかつ良好な切断面粗さを保
持しつつ高速度な研削加工を行うことができる。
れる砥粒より機械的強度が低い砥粒を含む第2の砥粒層
を形成し、主たる研削を第1の砥粒層で行い、切断面と
の接触部近傍のわずかな研削を第2の砥粒層で行うこと
により、チッピングが小さくかつ良好な切断面粗さを保
持しつつ高速度な研削加工を行うことができる。
加えて、第1の砥粒層の表面に、該第1の砥粒層より結
合剤硬度及び強度が低い第2の砥粒層を形成し、主たる
研削を第1の砥粒層で行い、切断面との接触部近傍のわ
ずかな研削を第2の砥粒層で行うことにより、チッピン
グが小さくかつ良好な切断面粗さを保持しつつ高速度な
研削加工を行うことができる。
合剤硬度及び強度が低い第2の砥粒層を形成し、主たる
研削を第1の砥粒層で行い、切断面との接触部近傍のわ
ずかな研削を第2の砥粒層で行うことにより、チッピン
グが小さくかつ良好な切断面粗さを保持しつつ高速度な
研削加工を行うことができる。
「実施例」
第1図はこの発明の第1実施例を示すものであり、この
図において符号1は電鋳砥石を示す。この電鋳砥石1は
薄い円板状をなすものであり、中央部に位置する第1の
砥粒層3と、該第1の砥粒層3の両側部に形成された第
2の砥粒層4および5からなる3層構造をなしている。
図において符号1は電鋳砥石を示す。この電鋳砥石1は
薄い円板状をなすものであり、中央部に位置する第1の
砥粒層3と、該第1の砥粒層3の両側部に形成された第
2の砥粒層4および5からなる3層構造をなしている。
また、電鋳砥石lの半径RO=5011、第1の砥粒層
3の厚さt3士70μ履、第2の砥粒層4.5の厚さ1
.=7μlである。
3の厚さt3士70μ履、第2の砥粒層4.5の厚さ1
.=7μlである。
上記第1の砥粒層3は、相対的に大きい粒径の超砥粒を
含むものであり、第2の砥粒層4および5は、第1の砥
粒層3に含まれる超砥粒に比較して小さい粒径の超砥粒
を含むものである。
含むものであり、第2の砥粒層4および5は、第1の砥
粒層3に含まれる超砥粒に比較して小さい粒径の超砥粒
を含むものである。
なお、ここで言う超砥粒とは、タイヤモンド砥粒もしく
は立方晶窒化硼素(CBN)砥粒等を指す。
は立方晶窒化硼素(CBN)砥粒等を指す。
次に、上記構成の電鋳砥石を製造する方法について説明
する。
する。
まず、その工程の要点は、次の通りである。
a めつき金属に対して剥離性を有する基板の砥石原型
形状をなす部分を残して他の部分をマスキングする。
形状をなす部分を残して他の部分をマスキングする。
b 前記基板に脱脂等の清浄化処理を施す。
C砥粒を分散させた第1のめっき液を用いて前記基板に
分散めっきを施し、第2の砥粒層4を形成する。
分散めっきを施し、第2の砥粒層4を形成する。
d 前記基板にブラッシング等を含む水洗処理を施す。
e 砥粒を分散させた第2のめつき液を用いて前記基板
に分散めっきを施し、前記第2の砥粒層4に重ねて第2
の砥粒層3を形成する。
に分散めっきを施し、前記第2の砥粒層4に重ねて第2
の砥粒層3を形成する。
f 前記基板にブラッシング等を含む水洗処理を施す。
g 前記第1のめつき液を用いて前記基板に分散めっき
を施し、前記第2の砥粒層3に重ねて第1の砥粒層5を
形成する。
を施し、前記第2の砥粒層3に重ねて第1の砥粒層5を
形成する。
h 前記基板にブラッシングを含む水洗処理を施す。
前記基板から3層構造をなす砥粒層を剥離して、乾燥す
る。
る。
」 前記剥離した砥粒層にパンチング加工をして砥石形
状に整形する。
状に整形する。
k 前記砥粒層に真円出し加工、ドレッシング加工を加
え、仕上げ処理を施して本願発明に係る電鋳砥石を得る
。
え、仕上げ処理を施して本願発明に係る電鋳砥石を得る
。
上述の各工程における詳細は以下の通りである。
すなわち、前記基板はステンレス鋼の板材の表面に不動
態化皮膜を形成したものであり、この表面にめっき層を
形成した場合、該めっき層を容易に剥離することができ
る性質を有している。
態化皮膜を形成したものであり、この表面にめっき層を
形成した場合、該めっき層を容易に剥離することができ
る性質を有している。
また、これに施すマスキング及び脱脂等の清浄化処理も
しくは水洗処理は従来行われている公知の方法によって
行う。
しくは水洗処理は従来行われている公知の方法によって
行う。
また、前記砥粒を分散させた第1のめつき液の組成は下
記の通りである。
記の通りである。
スルファミン酸N i −−−−−−450g/(1塩
化Ni・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・10g/+2ホウ酸=−=−=−−−・−−−−−・
−30g / Q光沢剤・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・少量ビット防止剤・・・・・・・
・・・・・・・・・・・少量PH・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・40分分散
粒の種類・・・・・・・・・・・・・・・ダイヤ粒分散
砥粒の粒径・・・・・・・・・・・・・・・2〜4μ肩
分散砥粒の濃度・・・・・・・・・・・・・・・300
g/(1この第1のめつき液を用いた分散めっき処理
の手順を第2図を参照して説明する。
化Ni・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・10g/+2ホウ酸=−=−=−−−・−−−−−・
−30g / Q光沢剤・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・少量ビット防止剤・・・・・・・
・・・・・・・・・・・少量PH・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・40分分散
粒の種類・・・・・・・・・・・・・・・ダイヤ粒分散
砥粒の粒径・・・・・・・・・・・・・・・2〜4μ肩
分散砥粒の濃度・・・・・・・・・・・・・・・300
g/(1この第1のめつき液を用いた分散めっき処理
の手順を第2図を参照して説明する。
図中符号lOはめつき槽であり、該めつき槽10に前記
第1のめっき液12を収容する。
第1のめっき液12を収容する。
次に、このめっき液12に陽極を構成する電極板3、陰
極を構成する基板14および撹拌手設工5を浸ける。
極を構成する基板14および撹拌手設工5を浸ける。
なお、この場合、前記基板14の表面は砥石原型部16
を除いた他の部分をマスキング材17によって覆っであ
る。第3図はこのようにマスキングがなされた基板14
の正面図を示すものである。
を除いた他の部分をマスキング材17によって覆っであ
る。第3図はこのようにマスキングがなされた基板14
の正面図を示すものである。
次いで、前記めつき槽10に備え付けられている図示し
ない温度コントロール手段によって前記めっき液12の
温度をフントロールしつつ、前記撹拌手段15を図中矢
印pで示すように回転させつつ、前記電極板13にプラ
スの電気を、前記基板14にマイナスの電気をそれぞれ
通じて、分散めっきを施す。
ない温度コントロール手段によって前記めっき液12の
温度をフントロールしつつ、前記撹拌手段15を図中矢
印pで示すように回転させつつ、前記電極板13にプラ
スの電気を、前記基板14にマイナスの電気をそれぞれ
通じて、分散めっきを施す。
このときのめつき条件は以下の通りである。
浴温・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・50’C陰極電流密度・・・・・・・・・・
・・・・・・3 A / d m ’めっき時間・・・
・・・・・・・・・・・・10分これにより、前記基板
14の表面には以下の組成を有する第2の砥粒層4が形
成される。
・・・・・50’C陰極電流密度・・・・・・・・・・
・・・・・・3 A / d m ’めっき時間・・・
・・・・・・・・・・・・10分これにより、前記基板
14の表面には以下の組成を有する第2の砥粒層4が形
成される。
ダイヤ°含有量・・・・・・・・・・・・・・・・・・
1QVa1%めっき厚さ・−・・・・・・・・・・・・
・・・・・7μ刃次に、前記基板4にブラッシング等を
含む水洗処理を施し、然る後、前記めつき槽10のめっ
き液を入れ換えて該めっき槽10に第2のめっき液を収
容し、前記第2の砥粒層4を形成した場合と同様の方法
により分散めっき処理を行い、前記第2の砥粒層4に重
ねて第2の砥粒層3を形成する。
1QVa1%めっき厚さ・−・・・・・・・・・・・・
・・・・・7μ刃次に、前記基板4にブラッシング等を
含む水洗処理を施し、然る後、前記めつき槽10のめっ
き液を入れ換えて該めっき槽10に第2のめっき液を収
容し、前記第2の砥粒層4を形成した場合と同様の方法
により分散めっき処理を行い、前記第2の砥粒層4に重
ねて第2の砥粒層3を形成する。
この場合、第2のめっき液の組成、分散させる砥粒およ
びめっき条件は以下の通りである。
びめっき条件は以下の通りである。
めっき液の組成・・・・・・・・・・・・・・・前記第
1のめっき液と同じ 砥粒の種類・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ダイヤ粒砥粒の粒径・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・8〜20μl砥粒の濃度・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・150 g/Q浴温・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・5
0℃めっき時間・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・90分こうして形成された第1の砥粒層3の組成
は次の通りである。
1のめっき液と同じ 砥粒の種類・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ダイヤ粒砥粒の粒径・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・8〜20μl砥粒の濃度・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・150 g/Q浴温・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・5
0℃めっき時間・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・90分こうして形成された第1の砥粒層3の組成
は次の通りである。
ダイヤ含有量・・・・・・・・・・・・・・・・・25
Vo1%砥粒層の厚さ・・・・・・・・・・・・・・・
・・・70μlこのめっき処理が終了したら、再び水洗
処理を施す。
Vo1%砥粒層の厚さ・・・・・・・・・・・・・・・
・・・70μlこのめっき処理が終了したら、再び水洗
処理を施す。
然る後、再び、前記第1のめっき液を用いて前記基板1
4に分散めっき処理を施して前記第1の砥粒層3に重ね
て第1の砥粒層5を形成する。
4に分散めっき処理を施して前記第1の砥粒層3に重ね
て第1の砥粒層5を形成する。
このときのめつき条件、形成される砥粒層等は、前記第
1の砥粒層3を形成する場合と同じである。
1の砥粒層3を形成する場合と同じである。
次に、こうして得られた3層構造の砥粒層を前記基板1
4から剥離し、水洗乾燥処理を施してからパンチング加
工により砥石の形状に整形する。
4から剥離し、水洗乾燥処理を施してからパンチング加
工により砥石の形状に整形する。
更に、これに真円加工を施すとともに、前記剥離した面
および刃先を構成する部位にドレッシング加工を加え、
洗浄して第1図に示すような、本願発明に係る電鋳砥石
1を得る。
および刃先を構成する部位にドレッシング加工を加え、
洗浄して第1図に示すような、本願発明に係る電鋳砥石
1を得る。
この電鋳砥石1で、切断もしくは溝入れ研削を行う場合
、前記第1の砥粒層3の外周部が研削を行う刃先となる
が、この砥粒層3に含まれるダイヤ砥粒の粒径が8〜2
0μ!と大きく、かつ、含有量も25VOI%と多いの
で、極めて能率良く高速度の研削を行うことができる。
、前記第1の砥粒層3の外周部が研削を行う刃先となる
が、この砥粒層3に含まれるダイヤ砥粒の粒径が8〜2
0μ!と大きく、かつ、含有量も25VOI%と多いの
で、極めて能率良く高速度の研削を行うことができる。
一方、前記第1の砥粒層3の両側部は第2の砥粒層4お
よび5によって形成されており、これら第2の砥粒層4
および5に含まれるダイヤ砥粒の粒径が2〜4μ肩と小
さく、かつ、その含有量も1QVo1%と少ないので、
該第2の砥粒層4および5によって研削される切断部側
面もしくは溝部側面にはチッピングが生じないとともに
、仕上げ精度の高い仕上げ面が得られる。
よび5によって形成されており、これら第2の砥粒層4
および5に含まれるダイヤ砥粒の粒径が2〜4μ肩と小
さく、かつ、その含有量も1QVo1%と少ないので、
該第2の砥粒層4および5によって研削される切断部側
面もしくは溝部側面にはチッピングが生じないとともに
、仕上げ精度の高い仕上げ面が得られる。
この実施例の電鋳砥石1によって実際に研削加工を行っ
た結果、ダイヤ砥粒の粒径が8〜20μlを有する従来
の単層構造砥石に比べてチッピングが1/4で仕上げ面
粗さも良好でしかも加工速度は同等であった。
た結果、ダイヤ砥粒の粒径が8〜20μlを有する従来
の単層構造砥石に比べてチッピングが1/4で仕上げ面
粗さも良好でしかも加工速度は同等であった。
したがって、この実施例の電鋳砥石1では、溝入れ加工
を行う際に、溝の側面部に仕上げ加工を加える必要がな
く、例えば、従来2工程で行っていたビデオのフェライ
トへ、ドの溝入れ加工等の精密加工を1工程でしかも高
速度で行うことができる。
を行う際に、溝の側面部に仕上げ加工を加える必要がな
く、例えば、従来2工程で行っていたビデオのフェライ
トへ、ドの溝入れ加工等の精密加工を1工程でしかも高
速度で行うことができる。
また、この実施例の電鋳砥石1の製造方法によれば、前
記の通り極めて有用でかつ新規な砥石を比較的簡単かつ
迅速に得ることができる。
記の通り極めて有用でかつ新規な砥石を比較的簡単かつ
迅速に得ることができる。
さらに、前記各砥粒層の組成を加工目的に応じて変える
場合には、分散させる砥粒の種類、量もしくは粒径また
はめつき液の組成もしくはめっき条件を変えるだけで良
く、何等の設備の変更も必要としないから多品種の電鋳
砥石を効率よくローコストで製造できる。
場合には、分散させる砥粒の種類、量もしくは粒径また
はめつき液の組成もしくはめっき条件を変えるだけで良
く、何等の設備の変更も必要としないから多品種の電鋳
砥石を効率よくローコストで製造できる。
加えて、この方法では、前記基板14から剥離した面の
砥粒を露出させる工程を仕上げ工程におけるドレッシン
グ工程の際に兼ねて行っており、単独の砥粒露出工程を
省略しているから、工程が単純である。
砥粒を露出させる工程を仕上げ工程におけるドレッシン
グ工程の際に兼ねて行っており、単独の砥粒露出工程を
省略しているから、工程が単純である。
次に、この発明の電鋳砥石の第2実施例を説明する。こ
の害施例の電鋳砥石は、第1図における第1の砥粒層3
に含まれる砥粒(ダイヤ粒)の含有量を、第2の砥粒層
4および5に含まれるダイヤ粒の含有量より高く設定す
るとともに、その他の砥粒の種類、砥粒の粒径、砥粒の
機械的強度等は等しく設定したものである。
の害施例の電鋳砥石は、第1図における第1の砥粒層3
に含まれる砥粒(ダイヤ粒)の含有量を、第2の砥粒層
4および5に含まれるダイヤ粒の含有量より高く設定す
るとともに、その他の砥粒の種類、砥粒の粒径、砥粒の
機械的強度等は等しく設定したものである。
このような電鋳砥石は、分散めっき処理を行う際におい
て、上記第1実施例の製造方法における第2のめつき液
に分散させるダイヤ粒の濃度を、第1めっき液に分散さ
せるダイヤ粒の濃度よりも高く設定し、かつ第2めっき
液におけるめっき時間を第1めっき液におけるめっき時
間より長く設定するとともに、その他の条件を等しく設
定して行うことにより製造される。
て、上記第1実施例の製造方法における第2のめつき液
に分散させるダイヤ粒の濃度を、第1めっき液に分散さ
せるダイヤ粒の濃度よりも高く設定し、かつ第2めっき
液におけるめっき時間を第1めっき液におけるめっき時
間より長く設定するとともに、その他の条件を等しく設
定して行うことにより製造される。
具体的な分散めっき処理の条件は以下の通りである。
第1のめつき液に分散させる砥粒
ダイヤ粒径・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
8〜20μ肩濃度・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・50g/(!めっき時間・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・30分第2のめ
つき液に分散させる砥粒 ダイヤ粒径・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・前記と同じ濃度・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・150 g/ρめっき時間
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・90分これ
によって、得られる砥石の各砥粒層の組成は以下の通り
である。
8〜20μ肩濃度・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・50g/(!めっき時間・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・30分第2のめ
つき液に分散させる砥粒 ダイヤ粒径・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・前記と同じ濃度・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・150 g/ρめっき時間
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・90分これ
によって、得られる砥石の各砥粒層の組成は以下の通り
である。
第1の砥粒層
ダイヤ含有量・・・・・・・・・・・・・・・・・・2
5Vo 1%めっき厚さ・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・90μ璽第2の砥粒層 ダイヤ含有量・・・・・・・・・・・・・・・・l Q
Vo 1%めっき厚さ・・・・・ ・・・・・・・・−
・20μ裏上記構成の電鋳砥石によれば、第2の砥粒層
のみからなる従来の単層構造の砥石に比較してチッピン
グが10%少なく、切断面粗さも良好であった。
5Vo 1%めっき厚さ・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・90μ璽第2の砥粒層 ダイヤ含有量・・・・・・・・・・・・・・・・l Q
Vo 1%めっき厚さ・・・・・ ・・・・・・・・−
・20μ裏上記構成の電鋳砥石によれば、第2の砥粒層
のみからなる従来の単層構造の砥石に比較してチッピン
グが10%少なく、切断面粗さも良好であった。
次に、この発明の電鋳砥石の第3実施例を説明する。こ
の実施例の電鋳砥石は、第1図における第1の砥粒層3
に含まれる砥粒(ダイヤ粒)の破砕強度等の機械的強度
を、第2の砥粒層4および5に含まれるダイヤ粒の機械
的強度より高く設定するとともに、その他の砥粒の種類
、砥粒の粒径、砥粒の含有量等は等しく設定したもので
ある。
の実施例の電鋳砥石は、第1図における第1の砥粒層3
に含まれる砥粒(ダイヤ粒)の破砕強度等の機械的強度
を、第2の砥粒層4および5に含まれるダイヤ粒の機械
的強度より高く設定するとともに、その他の砥粒の種類
、砥粒の粒径、砥粒の含有量等は等しく設定したもので
ある。
このような電鋳砥石は、分散めっき処理を行う際におい
て、上記第1実施例の製造方法における第2のめつき液
に分散させるダイヤ粒を、第1めっき液に分散させるダ
イヤ粒よりも機械的強度の高いものにするとともに、そ
の他の条件を等しく設定して行うことにより製造される
。
て、上記第1実施例の製造方法における第2のめつき液
に分散させるダイヤ粒を、第1めっき液に分散させるダ
イヤ粒よりも機械的強度の高いものにするとともに、そ
の他の条件を等しく設定して行うことにより製造される
。
具体的な分散めっき処理の条件は以下の通りである。
第1のめつき液に分散させる砥粒
ダイヤ粒径・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・4〜6μl濃度・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・200g/f!ダイヤ種・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・東名ダイヤIRM(商
品名) めっき時間・・・・・・・・・・・・・・15分第2の
めつき液に分散させる砥粒 ダイヤ粒径、濃度・・・・・・・、・・・前記と同じタ
イヤ種・・・・・・・・・・・・・・・・・・東名ダイ
ヤIMM(商品名) 上記構成の電鋳砥石によれば、IMM粒からなる従来の
単層構造の砥石に比較してチッピングが少なく、切断面
粗さも良好であった。
・4〜6μl濃度・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・200g/f!ダイヤ種・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・東名ダイヤIRM(商
品名) めっき時間・・・・・・・・・・・・・・15分第2の
めつき液に分散させる砥粒 ダイヤ粒径、濃度・・・・・・・、・・・前記と同じタ
イヤ種・・・・・・・・・・・・・・・・・・東名ダイ
ヤIMM(商品名) 上記構成の電鋳砥石によれば、IMM粒からなる従来の
単層構造の砥石に比較してチッピングが少なく、切断面
粗さも良好であった。
次に、この発明の電鋳砥石の第4実施例を説明する。こ
の実施例の電鋳砥石は、第1図における第1の砥粒層3
の結合剤硬度及び強度を、第2の砥粒層4および5の結
合剤硬度及び強度より高く設定するとともに、その他の
砥粒の種類、砥粒の粒径、砥粒の機械的強度等は等しく
設定したものである。
の実施例の電鋳砥石は、第1図における第1の砥粒層3
の結合剤硬度及び強度を、第2の砥粒層4および5の結
合剤硬度及び強度より高く設定するとともに、その他の
砥粒の種類、砥粒の粒径、砥粒の機械的強度等は等しく
設定したものである。
このような電鋳砥石は、分散めっき処理を行う際におい
て、第1のめつき液の組成およびめっき条件を第2めっ
き液と異ならしめることにより製造される。
て、第1のめつき液の組成およびめっき条件を第2めっ
き液と異ならしめることにより製造される。
具体的な分散めっき処理の条件は以下の通りである。
第1のめっき液組成
スルファミン酸Ni・・・・・・・・・450 g/(
1塩化Ni・・・・・・・・・・・・・・・・ ・10
g、Qホウ酸−= ・= ・= −= =−−−−−
= −=−30g / (!ビット防止剤・・・・・・
・・・・・・・・・・・少量PH・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・4. 0ダ
イヤ粒径・・・・・・・・・・・・・・・・・・4〜6
μlダイヤ粒濃度・・・・・・・・・・・・・・・・・
・300g/にの第1のめつき液によるめっき処理の条
件は以下の通りである。
1塩化Ni・・・・・・・・・・・・・・・・ ・10
g、Qホウ酸−= ・= ・= −= =−−−−−
= −=−30g / (!ビット防止剤・・・・・・
・・・・・・・・・・・少量PH・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・4. 0ダ
イヤ粒径・・・・・・・・・・・・・・・・・・4〜6
μlダイヤ粒濃度・・・・・・・・・・・・・・・・・
・300g/にの第1のめつき液によるめっき処理の条
件は以下の通りである。
浴温・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・50℃陰極電流密度・・・・・・・・・・
・・・・・・・3 A / d m ’めっき時間・・
・・・・・・・・・・・・・・15分第2のめっき液組
成 スルファミン酸Ni・・・・・・・450g/ρスルフ
ァミン酸CO・・・・・・50 g/f!塩化Ni・・
・・・・・・・・・・・・・・・・l Og/f2ホウ
酸−−−−−−−−−30g / (1ピ、ト防止剤・
・・・・・・・・・・・・・・・少量PH・・・・・・
・・・・・ ・・・・・・・・・・・・・4.0ダイヤ
粒、濃度・・・・・・・・・・・・・・第1のめつき液
と同じ この第2のめつき液によるめっき処理条件は、めっき時
間が120分である他は前記第1のめつき液によるめっ
き処理条件と同じである。
・・・・・・50℃陰極電流密度・・・・・・・・・・
・・・・・・・3 A / d m ’めっき時間・・
・・・・・・・・・・・・・・15分第2のめっき液組
成 スルファミン酸Ni・・・・・・・450g/ρスルフ
ァミン酸CO・・・・・・50 g/f!塩化Ni・・
・・・・・・・・・・・・・・・・l Og/f2ホウ
酸−−−−−−−−−30g / (1ピ、ト防止剤・
・・・・・・・・・・・・・・・少量PH・・・・・・
・・・・・ ・・・・・・・・・・・・・4.0ダイヤ
粒、濃度・・・・・・・・・・・・・・第1のめつき液
と同じ この第2のめつき液によるめっき処理条件は、めっき時
間が120分である他は前記第1のめつき液によるめっ
き処理条件と同じである。
この方法によって得られた電鋳砥石の各砥粒層の硬度は
下記の通りである。
下記の通りである。
第1の砥粒層・・・・・・・・・・・・・・・・・・H
V=500第2の砥粒層・・・・・・・・・・・・・・
Hv=200こうして得られた電鋳砥石によってフェラ
イトの切断加工試験を行った結果、HV=500の単層
の砥粒層からなる従来の砥石による場合に比較してチッ
ピングが30%少なく、かつ切断面粗さも良好であった
。
V=500第2の砥粒層・・・・・・・・・・・・・・
Hv=200こうして得られた電鋳砥石によってフェラ
イトの切断加工試験を行った結果、HV=500の単層
の砥粒層からなる従来の砥石による場合に比較してチッ
ピングが30%少なく、かつ切断面粗さも良好であった
。
なお、以上の第1〜第4実施例においては、第1の砥粒
層の両側面にそれぞれ第2の砥粒層を形成して3層構造
とする例について述べたが、加工用途によっては、第1
の砥粒層のいずれか一方の側面にのみ第2の砥粒層を形
成して2層構造としても良いし、4以上の砥粒層を層状
に形成してもよい。
層の両側面にそれぞれ第2の砥粒層を形成して3層構造
とする例について述べたが、加工用途によっては、第1
の砥粒層のいずれか一方の側面にのみ第2の砥粒層を形
成して2層構造としても良いし、4以上の砥粒層を層状
に形成してもよい。
さらに、上記各実施例では、電気めっきによる分散めっ
き処理により複数の砥粒層を有する電鋳砥石を製造する
場合について述べたが、無電解めっきによって製造して
もよい。無電解めっきでは、めっき時間を多く要するが
、砥粒層に多量の砥粒を含ませる等の場合に有利である
。
き処理により複数の砥粒層を有する電鋳砥石を製造する
場合について述べたが、無電解めっきによって製造して
もよい。無電解めっきでは、めっき時間を多く要するが
、砥粒層に多量の砥粒を含ませる等の場合に有利である
。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明の電鋳砥石は、砥粒を分
散させた複数種類のめつき液を用いた分散めっき処理に
より、複数の砥粒層を層状に形成したものであるので、
例えば、電鋳砥石を、第1の砥粒層と、該第1の砥粒層
の表面に形成された第2の砥粒層とにより構成し、第1
の砥粒層の表面に、該第1の砥粒層に含まれる砥粒より
相対的に小さい粒径の砥粒を含む第2の砥粒層を形成し
、主たる研削を大きい粒径の砥粒を含む第1の砥粒層で
行い、切断面との接触部近傍のわずかな研削を小さい粒
径の砥粒を含む第2の砥粒層で行うことにより、チッピ
ングが小さくかつ良好な切断面粗さを保持しつつ高速度
な研削加工を行うことができる。
散させた複数種類のめつき液を用いた分散めっき処理に
より、複数の砥粒層を層状に形成したものであるので、
例えば、電鋳砥石を、第1の砥粒層と、該第1の砥粒層
の表面に形成された第2の砥粒層とにより構成し、第1
の砥粒層の表面に、該第1の砥粒層に含まれる砥粒より
相対的に小さい粒径の砥粒を含む第2の砥粒層を形成し
、主たる研削を大きい粒径の砥粒を含む第1の砥粒層で
行い、切断面との接触部近傍のわずかな研削を小さい粒
径の砥粒を含む第2の砥粒層で行うことにより、チッピ
ングが小さくかつ良好な切断面粗さを保持しつつ高速度
な研削加工を行うことができる。
また、第1の砥粒層の表面に、該第1の砥粒層より砥粒
含有量の低い第2の砥粒層を形成したり、第1の砥粒層
の表面に、該第1の砥粒層に含まれる砥粒より機械的強
度が低い砥粒を含む第2の砥粒層を形成したり、第1の
砥粒層の表面に、該第1の砥粒層より結合剤硬度及び強
度が低い第2の砥粒層を形成し、主たる研削を第1の砥
粒層で行い、切断面との接触部近傍のわずかな研削を第
2の砥粒層で行うことにより、チッピングが小さくかつ
良好な切断面粗さを保持しつつ高速度な研削加工を行う
ことができる。
含有量の低い第2の砥粒層を形成したり、第1の砥粒層
の表面に、該第1の砥粒層に含まれる砥粒より機械的強
度が低い砥粒を含む第2の砥粒層を形成したり、第1の
砥粒層の表面に、該第1の砥粒層より結合剤硬度及び強
度が低い第2の砥粒層を形成し、主たる研削を第1の砥
粒層で行い、切断面との接触部近傍のわずかな研削を第
2の砥粒層で行うことにより、チッピングが小さくかつ
良好な切断面粗さを保持しつつ高速度な研削加工を行う
ことができる。
第1図はこの発明の実施例の電鋳砥石の断面図、第2図
は分散めっき処理を説明するための説明図、第3図は、
マスキングがなされた基板の正面図である。 l・・・・・電鋳砥石、3・・・・・・第1の砥粒層4
.5・・・・・第2の砥粒層、10・・・・・・めっき
槽、12・・・・第1のめつき液、13・・・・・電極
板、14・・・・・・基板、15・・・・・撹拌手段、
16・・・・・砥石原型形状をなす部位、17・・・・
・・マスキング材。
は分散めっき処理を説明するための説明図、第3図は、
マスキングがなされた基板の正面図である。 l・・・・・電鋳砥石、3・・・・・・第1の砥粒層4
.5・・・・・第2の砥粒層、10・・・・・・めっき
槽、12・・・・第1のめつき液、13・・・・・電極
板、14・・・・・・基板、15・・・・・撹拌手段、
16・・・・・砥石原型形状をなす部位、17・・・・
・・マスキング材。
Claims (5)
- (1)砥粒を分散させた複数種類のめつき液を用いた分
散めつき処理により、複数の砥粒層を層状に形成してな
ることを特徴とする電鋳砥石。 - (2)第1の砥粒層の表面に、該第1の砥粒層に含まれ
る砥粒より相対的に小さい粒径の砥粒を含む第2の砥粒
層を形成してなることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の電鋳砥石。 - (3)第1の砥粒層の表面に、該第1の砥粒層より砥粒
含有量の低い第2の砥粒層を形成してなることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の電鋳砥石。 - (4)第1の砥粒層の表面に、該第1の砥粒層に含まれ
る砥粒より機械的強度が低い砥粒を含む第2の砥粒層を
形成してなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の電鋳砥石。 - (5)第1の砥粒層の表面に、該第1の砥粒層より結合
剤硬度及び強度が低い第2の砥粒層を形成してなること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電鋳砥石。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25932490A JPH0825143B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 電鋳砥石 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25932490A JPH0825143B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 電鋳砥石 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22848885A Division JPS6288571A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 複数の砥粒層を有する研削砥石製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03294182A true JPH03294182A (ja) | 1991-12-25 |
| JPH0825143B2 JPH0825143B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=17332508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25932490A Expired - Lifetime JPH0825143B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 電鋳砥石 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0825143B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007524515A (ja) * | 2003-03-26 | 2007-08-30 | サンーゴバン アブレイシブズ,インコーポレイティド | 高精密多粒度スライシングブレード |
| CN107953224A (zh) * | 2016-10-18 | 2018-04-24 | 株式会社迪思科 | 切削刀具 |
| JP2021151673A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 三和研磨工業株式会社 | 超仕上げ砥石及び研削装置 |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP25932490A patent/JPH0825143B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007524515A (ja) * | 2003-03-26 | 2007-08-30 | サンーゴバン アブレイシブズ,インコーポレイティド | 高精密多粒度スライシングブレード |
| JP4927534B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2012-05-09 | サンーゴバン アブレイシブズ,インコーポレイティド | 高精密多粒度スライシングブレード |
| CN107953224A (zh) * | 2016-10-18 | 2018-04-24 | 株式会社迪思科 | 切削刀具 |
| JP2018065206A (ja) * | 2016-10-18 | 2018-04-26 | 株式会社ディスコ | 切削ブレード |
| JP2021151673A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 三和研磨工業株式会社 | 超仕上げ砥石及び研削装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0825143B2 (ja) | 1996-03-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |