JPH0332053A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0332053A JPH0332053A JP16821589A JP16821589A JPH0332053A JP H0332053 A JPH0332053 A JP H0332053A JP 16821589 A JP16821589 A JP 16821589A JP 16821589 A JP16821589 A JP 16821589A JP H0332053 A JPH0332053 A JP H0332053A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polysilicon
- capacitor
- electrode
- oxide film
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 9
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体基板上に形成され絶縁物を誘電体とし
て用いたコンデンサに関し、特に、絶縁１勿にノンドー
プポリシリコンを用いたコンデンサを有する半導体装置
に関する。
て用いたコンデンサに関し、特に、絶縁１勿にノンドー
プポリシリコンを用いたコンデンサを有する半導体装置
に関する。
従来の技術
従来、この種の半導体基板上に形成されるコンデンサは
、第３図に示すように、半導体基板１１に不純物をイオ
ン注入または熱拡散によって導入することで形成された
拡散層１２とアルミニウム（以下アルミと略記する）電
極１５ではさまれた熱酸化またはＣＶＤにより形成され
た酸化１１１１３を誘電体として用いていた。
、第３図に示すように、半導体基板１１に不純物をイオ
ン注入または熱拡散によって導入することで形成された
拡散層１２とアルミニウム（以下アルミと略記する）電
極１５ではさまれた熱酸化またはＣＶＤにより形成され
た酸化１１１１３を誘電体として用いていた。
発明が解決しようとする課題
上述した従来の半導体基板上に形成されるコンデンサは
、誘電体として酸化膜を用いているので、誘電率が３．
９と小さい為に単位面積当たりのキャパシタンス（Ｃ）
は小さくなり、例えばｌ０ＰＦのコンデンサを酸化膜厚
１０００人で形成しようとした場合にはコンデンサの面
積は約３０００１ｍ２となり、ベレットのかなり大きな
面積を占めていた。
、誘電体として酸化膜を用いているので、誘電率が３．
９と小さい為に単位面積当たりのキャパシタンス（Ｃ）
は小さくなり、例えばｌ０ＰＦのコンデンサを酸化膜厚
１０００人で形成しようとした場合にはコンデンサの面
積は約３０００１ｍ２となり、ベレットのかなり大きな
面積を占めていた。
本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであり、
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記欠点
を解消し、ベレットを小さくすることを可能とした新規
な半導体装置を提供することにある。
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記欠点
を解消し、ベレットを小さくすることを可能とした新規
な半導体装置を提供することにある。
発明の従来技術に対する相違点
上述した従来の酸化膜を誘電体として用い半導体基板上
に形成された半導体集積回路の一要素であるコンデンサ
に対し、本発明は、誘電体としてノンドープポリシリコ
ンを使用したという相違点を有する。
に形成された半導体集積回路の一要素であるコンデンサ
に対し、本発明は、誘電体としてノンドープポリシリコ
ンを使用したという相違点を有する。
課題を解決するための手段
前記目的を達成する為に、本発明に係る絶縁物を誘電体
として用い半導体基板上に形成された半導体集積回路の
一要素であるコンデンサは、絶縁物にノンドープポリシ
リコンを用いたことを特徴として有している。
として用い半導体基板上に形成された半導体集積回路の
一要素であるコンデンサは、絶縁物にノンドープポリシ
リコンを用いたことを特徴として有している。
実施例
次に、本発明をその好ましい各実施例について図面を参
照して具体的に説明する。
照して具体的に説明する。
第１図は本発明による第１の実施例を示す縦断面図であ
る。
る。
第１図を参照するに、ｎ型半導体基板１にＰ型不純物を
イオン注入または熱拡散によって導入し、先ず一方の電
！（Ｐ型拡散層）を形成し、その後薄いフィールド酸化
ＪＩＩ３を形成した後にスパッタ法によってノンドープ
ポリシリコン４を堆積する０次にポリシリコン４の側面
酸化を行い、最後にアルミを極５を形成する。
イオン注入または熱拡散によって導入し、先ず一方の電
！（Ｐ型拡散層）を形成し、その後薄いフィールド酸化
ＪＩＩ３を形成した後にスパッタ法によってノンドープ
ポリシリコン４を堆積する０次にポリシリコン４の側面
酸化を行い、最後にアルミを極５を形成する。
第２図は本発明による第２の実施例を示す縦断面図であ
る。
る。
第２図を参照するに、半導体基板１に形成されたフィー
ルド酸化Ｈ３上に、第１の電極としてポリシリコン電極
６を形成し、上記第１の実施例と同様に薄い酸化膜を形
成し、ノンドープポリシリコン４を堆積させ、側面酸化
の後にポリシリコン電極６を形成する。
ルド酸化Ｈ３上に、第１の電極としてポリシリコン電極
６を形成し、上記第１の実施例と同様に薄い酸化膜を形
成し、ノンドープポリシリコン４を堆積させ、側面酸化
の後にポリシリコン電極６を形成する。
この第２の実施例では、拡散層を第１の成極として用い
ずに基板とは絶縁されたポリシリコン電極を用いている
為に、拡散層に他の素子を形成でき、−層ペレットの縮
小化に効果がある。
ずに基板とは絶縁されたポリシリコン電極を用いている
為に、拡散層に他の素子を形成でき、−層ペレットの縮
小化に効果がある。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、半導体基板上に形
成されたコンデンサの誘電体としてノンドープポリシリ
コンを用いることにより、ノンドープポリシリコンの誘
電率が約１２である為に単位面積当たりのキャパシタン
ス（Ｃ）を酸化膜でコンデンサを形成した場合の約３倍
にすることができ、例えば１０ｐＦのコンデンサを膜厚
１０００人のポリシリコンで形成しようとした場合にコ
ンデンサの面積は約９４０＃＋１”となり、酸化膜でコ
ンデンサを形成した場合の約１／３となり、ベレットを
縮小できる効果が得られる。
成されたコンデンサの誘電体としてノンドープポリシリ
コンを用いることにより、ノンドープポリシリコンの誘
電率が約１２である為に単位面積当たりのキャパシタン
ス（Ｃ）を酸化膜でコンデンサを形成した場合の約３倍
にすることができ、例えば１０ｐＦのコンデンサを膜厚
１０００人のポリシリコンで形成しようとした場合にコ
ンデンサの面積は約９４０＃＋１”となり、酸化膜でコ
ンデンサを形成した場合の約１／３となり、ベレットを
縮小できる効果が得られる。
第１図は本発明による第１の実施例を示す縦断面図、第
２図は本発明による第２の実施例を示す縦断面図、第３
図は従来におけるこの種のコンデンサを示す縦断面図で
ある。 １．１１・・・ｎ型半導体基板、２，１２・・・Ｐ型拡
散層、３，１３・・・フィールド酸化膜、４・・・ノン
ドープポリシリコン、５．１５・・・アルミ電極、６・
・・ポリシリコン電極
２図は本発明による第２の実施例を示す縦断面図、第３
図は従来におけるこの種のコンデンサを示す縦断面図で
ある。 １．１１・・・ｎ型半導体基板、２，１２・・・Ｐ型拡
散層、３，１３・・・フィールド酸化膜、４・・・ノン
ドープポリシリコン、５．１５・・・アルミ電極、６・
・・ポリシリコン電極
Claims (1)
- 絶縁物を誘電体として用い半導体基板上に形成された
半導体集積回路の一要素であるコンデンサにおいて、絶
縁物にノンドープポリシリコンを用いたことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16821589A JPH0332053A (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16821589A JPH0332053A (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0332053A true JPH0332053A (ja) | 1991-02-12 |
Family
ID=15863923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16821589A Pending JPH0332053A (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0332053A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7023038B2 (en) * | 2004-06-08 | 2006-04-04 | Fuh-Cheng Jong | Silicon barrier capacitor device structure |
-
1989
- 1989-06-28 JP JP16821589A patent/JPH0332053A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7023038B2 (en) * | 2004-06-08 | 2006-04-04 | Fuh-Cheng Jong | Silicon barrier capacitor device structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3207110B2 (ja) | コンデンサとその形成方法 | |
| JPH0736437B2 (ja) | 半導体メモリの製造方法 | |
| JP3287038B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3095462B2 (ja) | 誘電素子、キャパシタ及びｄｒａｍ | |
| JPH0332053A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2690067B2 (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
| JPH0472769A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH04367828A (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法 | |
| JPH01257364A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2532471B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0456264A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2000228494A (ja) | キャパシタ | |
| JPH0138375B2 (ja) | ||
| JPH0339722A (ja) | 画像表示装置 | |
| JPH046867A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0213465B2 (ja) | ||
| JPS59125654A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6190455A (ja) | キヤパシタ | |
| JPS61232656A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2661297B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2000036565A (ja) | 強誘電体装置 | |
| JPS63244770A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| KR970077668A (ko) | Pzt 박막 메모리 및 그 제조 방법 | |
| JPH02226755A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0577291B2 (ja) |