JPH0332216A - フィルタ回路 - Google Patents
フィルタ回路Info
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- JPH0332216A JPH0332216A JP1167609A JP16760989A JPH0332216A JP H0332216 A JPH0332216 A JP H0332216A JP 1167609 A JP1167609 A JP 1167609A JP 16760989 A JP16760989 A JP 16760989A JP H0332216 A JPH0332216 A JP H0332216A
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- channel
- mos transistor
- transistor
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- Manipulation Of Pulses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はMOS)ランジスタにより構成されたフィルタ
回路に関し、特に動消費電流を低減したフィルタ回路に
関する。
回路に関し、特に動消費電流を低減したフィルタ回路に
関する。
[従来の技術]
第6図は従来のこの種のフィルタ回路を示す回路図であ
る。
る。
PチャネルMO8I−ランジスタP1とNチャネルMO
8)ランデスタN1とにより第1のインバータ6aが構
成されている。このPチャネルMOSトランジスタP1
のソースは電源(VDD)3に接続されており、Nチャ
ネルMO8I−ランデスタN1のソースは接地(GND
)4に接続されている。
8)ランデスタN1とにより第1のインバータ6aが構
成されている。このPチャネルMOSトランジスタP1
のソースは電源(VDD)3に接続されており、Nチャ
ネルMO8I−ランデスタN1のソースは接地(GND
)4に接続されている。
この第1のインバータ6aの人力、つまりPチャネルM
OSトランジスタP1のゲート及びNチャネルMO8)
ランデスタN1のゲートの接続部は入力端子1に接続さ
れている。また、このインバータ6aの出力、つまりP
チャネルMO8+・ランジスタP1のドレイン及びNチ
ャネルMOSトランジスタN1のドレインの接続部は第
2のインバータ(シュミットトリガ)7の入力に接続さ
れている。更に、この第1のインバータ6aの出力と接
地4との間にはコンデンサ5が介押されている。そして
、第2のインバータ7の出力は出力端子2に接続されて
いる。
OSトランジスタP1のゲート及びNチャネルMO8)
ランデスタN1のゲートの接続部は入力端子1に接続さ
れている。また、このインバータ6aの出力、つまりP
チャネルMO8+・ランジスタP1のドレイン及びNチ
ャネルMOSトランジスタN1のドレインの接続部は第
2のインバータ(シュミットトリガ)7の入力に接続さ
れている。更に、この第1のインバータ6aの出力と接
地4との間にはコンデンサ5が介押されている。そして
、第2のインバータ7の出力は出力端子2に接続されて
いる。
入力端子1から入力された信号は第1のインバータ6a
により反転された信号となり、コンデンサ5により高周
波(ノイズ)成分が除去されて、第2のインバータ7に
入力される。そして、この第2のインバータ7により反
転されて出力端子2に出力される。
により反転された信号となり、コンデンサ5により高周
波(ノイズ)成分が除去されて、第2のインバータ7に
入力される。そして、この第2のインバータ7により反
転されて出力端子2に出力される。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、」二連した従来のフィルタ回路は入力ス
レッショルド(しきい値)電圧V TN+ V TRが
低いため、入力信号が反転する際に、PチャネルMOS
トランジスタP1及びNチャネルMOSトランジスタN
lが同時にオン状態になる時間が長く、電源3と接地4
との間に流れる電流が多い。
レッショルド(しきい値)電圧V TN+ V TRが
低いため、入力信号が反転する際に、PチャネルMOS
トランジスタP1及びNチャネルMOSトランジスタN
lが同時にオン状態になる時間が長く、電源3と接地4
との間に流れる電流が多い。
このため、従来のフィルタ回路には、動消費電流が多い
という欠点がある。以下に、この詐細を説明する。
という欠点がある。以下に、この詐細を説明する。
第7図は横軸に入力電圧をとり、縦軸に電流をとって、
従来のフィルタ回路の動消費電流をシミュレーションし
た結果を示すグラフ図である。なお、このシミュレーシ
ョンでは、電源重圧を5Vとしている。
従来のフィルタ回路の動消費電流をシミュレーションし
た結果を示すグラフ図である。なお、このシミュレーシ
ョンでは、電源重圧を5Vとしている。
例えば、入力信号がOVから5vに変化するときには、
入力信号の電位がOV近傍ではPチャネルMOSトラン
ジスタP1はオン状態であるが、NチャネルMO8I−
ランジスタN1はオフ状態である。このため、第Iのイ
ンバータ6aには殆ど電流は流れない。入力信号の電位
がNチャネルMOSトランジスタN1のしきい値V。N
を超えると、NチャネルMOSトランジスタN1がオン
状態になり、第1のインバータ6aに多量の電流が流れ
る。そして、入力信号の電位が5V V’rp(Pチ
ャネルMOSトランジスタP1のしきい値)を超えると
、Pチャ・ネルMOSトランジスタP1がオフ状態にな
る。従って、第1のインバータには殆ど電流は流れない
。
入力信号の電位がOV近傍ではPチャネルMOSトラン
ジスタP1はオン状態であるが、NチャネルMO8I−
ランジスタN1はオフ状態である。このため、第Iのイ
ンバータ6aには殆ど電流は流れない。入力信号の電位
がNチャネルMOSトランジスタN1のしきい値V。N
を超えると、NチャネルMOSトランジスタN1がオン
状態になり、第1のインバータ6aに多量の電流が流れ
る。そして、入力信号の電位が5V V’rp(Pチ
ャネルMOSトランジスタP1のしきい値)を超えると
、Pチャ・ネルMOSトランジスタP1がオフ状態にな
る。従って、第1のインバータには殆ど電流は流れない
。
このように、従来のフィルタ回路においては、入力信号
が反転する際にVTNからVDD−vTpまでの比較的
大きい電位差領域でPチャネルMOSトランジスタとN
チャネルMOSトランジスタとが同時にオン状態となる
ため、動消費電流が多い。
が反転する際にVTNからVDD−vTpまでの比較的
大きい電位差領域でPチャネルMOSトランジスタとN
チャネルMOSトランジスタとが同時にオン状態となる
ため、動消費電流が多い。
本実施例はかかる問題点に鑑みてなされたものであって
、動消費電流が少ないフィルタ回路を提供することを目
的とする。
、動消費電流が少ないフィルタ回路を提供することを目
的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明に係るフィルタ回路は、そのゲートが入力端子に
共通接続されそのドレイン同士が相互に接続された第1
のPチャネルMOSトランジスタ及び第1のNチャネル
MO3)ランジスタと、前記第1のPチャネルMO3)
ランジスタのソースと電源との間に接続された第2のP
チャネルMOSトランジスタと、前記第1のNチャネル
MOSトランジスタのソースと接地との間に接続された
第2のNチャネルMO3)ランジスタと、前記入力端子
と前記第2のPチャネルMO8)ランジス5− 夕のゲート及び第2のNチャネルMos+・ランジスタ
のゲートとの間に夫々接続された抵抗と、前記第1のP
チャネルMOSトランジスタ及び第1のNチャネルMO
8+−ランジスタのドレインに接続された負荷回路とを
有することを特徴とする。
共通接続されそのドレイン同士が相互に接続された第1
のPチャネルMOSトランジスタ及び第1のNチャネル
MO3)ランジスタと、前記第1のPチャネルMO3)
ランジスタのソースと電源との間に接続された第2のP
チャネルMOSトランジスタと、前記第1のNチャネル
MOSトランジスタのソースと接地との間に接続された
第2のNチャネルMO3)ランジスタと、前記入力端子
と前記第2のPチャネルMO8)ランジス5− 夕のゲート及び第2のNチャネルMos+・ランジスタ
のゲートとの間に夫々接続された抵抗と、前記第1のP
チャネルMOSトランジスタ及び第1のNチャネルMO
8+−ランジスタのドレインに接続された負荷回路とを
有することを特徴とする。
[作用]
本発明においては、第1のPチャネルMO8)ランジス
、夕のソースと電源との間に第2のPチャネルMOSト
ランジスタが接続されおり、第1のNチャネルMOSト
ランジスタのソースと接地との間に第2のMOS)ラン
ジスタが接続されている。これにより、入力信号が反転
する際にこの4個のMOS)ランジスタがオン状態にな
る電位は2個のNチャネルMOSトランジスタのしきい
値を加算した電位と電源電圧から2個のPチャネルMO
8+−ランジスタのしきい値を減算した電位との間の極
めて小さい電、位差領域になる。従って、信号の反転時
に大量に電流が流れる時間が極めて短いため、従来に比
して動消費電流を著しく低減することができる。
、夕のソースと電源との間に第2のPチャネルMOSト
ランジスタが接続されおり、第1のNチャネルMOSト
ランジスタのソースと接地との間に第2のMOS)ラン
ジスタが接続されている。これにより、入力信号が反転
する際にこの4個のMOS)ランジスタがオン状態にな
る電位は2個のNチャネルMOSトランジスタのしきい
値を加算した電位と電源電圧から2個のPチャネルMO
8+−ランジスタのしきい値を減算した電位との間の極
めて小さい電、位差領域になる。従って、信号の反転時
に大量に電流が流れる時間が極めて短いため、従来に比
して動消費電流を著しく低減することができる。
6一
[実施例コ
次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。
明する。
第1図は本発明の第1の実施例に係るフィルタ回路を示
す回路図である。
す回路図である。
PチャネルMO8+−ランジスタPl及びNチャネルM
OS)ランデスタN1のドレインは相互に接続されてお
り、各ゲートは入力端子1に接続されている。
OS)ランデスタN1のドレインは相互に接続されてお
り、各ゲートは入力端子1に接続されている。
PチャネルMOSトランジスタPlのソースと電源(V
DD)3との間には第2のPチャネルMOSトランジス
タP2が介押されており、この第2のPチャネルMOS
トランジスタP2のゲートと入力端子1との間には第3
のPチャネルMOsトランジスタP3が接続されている
。この第3のPチャネルMOSトランジスタP3のゲー
トも入力端子1に接続されている。一方、第1のNチャ
ネルMOS)ランデスタN1と接地4との間には第2の
NチャネルMOS)ランデスタN2が介押されており、
この第2のNチャネルMOS)ランデスタN2のゲート
と入力端子lとの間には、第3のNチャネルMOS)ラ
ンジスタN3が接続されている。この第3のNチャネル
MO8+−ランジスタN3のゲートも入力端子1に接続
されている。
DD)3との間には第2のPチャネルMOSトランジス
タP2が介押されており、この第2のPチャネルMOS
トランジスタP2のゲートと入力端子1との間には第3
のPチャネルMOsトランジスタP3が接続されている
。この第3のPチャネルMOSトランジスタP3のゲー
トも入力端子1に接続されている。一方、第1のNチャ
ネルMOS)ランデスタN1と接地4との間には第2の
NチャネルMOS)ランデスタN2が介押されており、
この第2のNチャネルMOS)ランデスタN2のゲート
と入力端子lとの間には、第3のNチャネルMOS)ラ
ンジスタN3が接続されている。この第3のNチャネル
MO8+−ランジスタN3のゲートも入力端子1に接続
されている。
このようにして、6個のMOSトランジスタP↓。
P2.P3.N1.N2及びN3により、第1のインバ
ータ6が構成されている。
ータ6が構成されている。
この第1のインバータ6の出力は、従来と同様に、第2
のインバータ7の入力に接続されている。
のインバータ7の入力に接続されている。
また、第1のインバータ6の出力と接畑4との間には、
負荷回路としてコンデンサ5が介押されている。そして
・、第2のインバータ7の出力は出力端子2に接続され
ている。
負荷回路としてコンデンサ5が介押されている。そして
・、第2のインバータ7の出力は出力端子2に接続され
ている。
上述の如く構成された本実施例のフィルタ回路において
、入力端子1の電位がOVのときはPチャネルMO8I
−ランジスタP1及びP2はオン状態であり、Nチャネ
ルMOS)ランデスタN1及びN2はいずれもオフ状態
である。このため、第1のインバータ6には殆ど電流が
流れない。入力端子1の電位がNチャネルMOSトラン
ジスタN2のしきい値VTN2よりも僅かに高くなると
、NチャネルMOS)ランデスタN2及びN3がオン状
態になるが、NチャネルMOSトランジスタN1はオフ
状態のままであるため、第1のインバータ6には殆ど電
流は流れない。入力端子1の電位がNチャネルMOS)
ランデスタN1のしきい値VTNI及びN2のしきい値
VTN2を加算した電位、即チ(VTNI + VTN
2 )を超えると、NチャネルMOS)ランデスタN1
もオン状態になる。このときに、比較的大きな電流が流
れる。入力端子1の電位が更に上昇して、電源電圧VD
DからPチャネルMOSトランジスタP1のしきい値V
TpI及びP2のしきい値VTpQを減算した電位、即
ち(V DD VTPI VTp2 )を僅かに超
えると、PチャネルMO3)ランジスタP1がオフ状態
になる。
、入力端子1の電位がOVのときはPチャネルMO8I
−ランジスタP1及びP2はオン状態であり、Nチャネ
ルMOS)ランデスタN1及びN2はいずれもオフ状態
である。このため、第1のインバータ6には殆ど電流が
流れない。入力端子1の電位がNチャネルMOSトラン
ジスタN2のしきい値VTN2よりも僅かに高くなると
、NチャネルMOS)ランデスタN2及びN3がオン状
態になるが、NチャネルMOSトランジスタN1はオフ
状態のままであるため、第1のインバータ6には殆ど電
流は流れない。入力端子1の電位がNチャネルMOS)
ランデスタN1のしきい値VTNI及びN2のしきい値
VTN2を加算した電位、即チ(VTNI + VTN
2 )を超えると、NチャネルMOS)ランデスタN1
もオン状態になる。このときに、比較的大きな電流が流
れる。入力端子1の電位が更に上昇して、電源電圧VD
DからPチャネルMOSトランジスタP1のしきい値V
TpI及びP2のしきい値VTpQを減算した電位、即
ち(V DD VTPI VTp2 )を僅かに超
えると、PチャネルMO3)ランジスタP1がオフ状態
になる。
このため、第1のインバータには殆ど電流は流れない。
更に入力端子1の電位が上昇して電源電圧V[lDから
第2のPチャンネルMOSトランジスタのしきい値電圧
V。、2を減算した電位、即ち(Voo VTp−)
を超えると、PチャネルMO8〜9− トランジスタP2もオフ状態になる。
第2のPチャンネルMOSトランジスタのしきい値電圧
V。、2を減算した電位、即ち(Voo VTp−)
を超えると、PチャネルMO8〜9− トランジスタP2もオフ状態になる。
第2図は横軸に入力電圧をとり、縦軸に出力電圧をとっ
て、本実施例のフィルタ回路の入出力特性を示すグラフ
図である。本実施例のフィルタ回路においては、入力信
号の電位が所定の電位以下である場合は出力電圧はOV
であるが、この電位を超えると所定の電圧が出力される
。このとき、インバータ6に貫通電流が流れるのは、V
TN2 +V TN l 〜V DD V’TP2
V Tptの極めて短い時間である。
て、本実施例のフィルタ回路の入出力特性を示すグラフ
図である。本実施例のフィルタ回路においては、入力信
号の電位が所定の電位以下である場合は出力電圧はOV
であるが、この電位を超えると所定の電圧が出力される
。このとき、インバータ6に貫通電流が流れるのは、V
TN2 +V TN l 〜V DD V’TP2
V Tptの極めて短い時間である。
第3図は、横軸に入力電圧をとり、縦軸に電流をとって
、電源電圧が5Vのときの本実施例に係るフィルタ回路
の動消費電流をシミュレーションした結果を示すグラフ
図である。
、電源電圧が5Vのときの本実施例に係るフィルタ回路
の動消費電流をシミュレーションした結果を示すグラフ
図である。
この第3図から明らかなように、電源3と接地4との間
に接続された4個のMOS)ランジスタが全てオン状態
になり、電流が多量に流れるのは、入力信号がOVから
5■になる間の高々0.25V程度の間である。このた
め、本実施例のフィルタ回路は動消費電流は極めて少な
く、従来のフィルタ10− 回路比して、動消費電流を約50%低減することが可能
である。
に接続された4個のMOS)ランジスタが全てオン状態
になり、電流が多量に流れるのは、入力信号がOVから
5■になる間の高々0.25V程度の間である。このた
め、本実施例のフィルタ回路は動消費電流は極めて少な
く、従来のフィルタ10− 回路比して、動消費電流を約50%低減することが可能
である。
第4図は本発明の第2の実施例に係るフィルタ回路を示
す回路図である。
す回路図である。
本実施例が第1の実施例と具なる点は第2のPチャネル
MOSトランジスタP2及び第2のNチャネルMOSト
ランジスタN2の各ゲートと入力端子1との間に接続さ
れている抵抗としてのMOSトランジスタの導電をが異
なることにあり、その他の構成は基本的には第1の実施
例と同様であるので、第4図において第1図と同一物に
は同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
MOSトランジスタP2及び第2のNチャネルMOSト
ランジスタN2の各ゲートと入力端子1との間に接続さ
れている抵抗としてのMOSトランジスタの導電をが異
なることにあり、その他の構成は基本的には第1の実施
例と同様であるので、第4図において第1図と同一物に
は同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
本実施例においては、上述の如く、第2のPチャネルM
OSトランジスタP2のゲートと入力端子1との間に第
3のNチャネルMOSトランジスタN3aが介押されて
おり、この第3のNチャネルMOSトランジスタN3a
のゲートは第2のPチャネルMOSトランジスタP2の
ゲートに接続されている。一方、第2のNチャネルMO
SトランジスタN2のゲートと入力端子1との間には第
3のPチャネルMO3+−ランンスタP3aが接続され
ており、この第3のPチャネルMO9+−ランジスタP
3aのゲートは第2のNチャネルMOSトランジスタN
2のゲートと接続されている。
OSトランジスタP2のゲートと入力端子1との間に第
3のNチャネルMOSトランジスタN3aが介押されて
おり、この第3のNチャネルMOSトランジスタN3a
のゲートは第2のPチャネルMOSトランジスタP2の
ゲートに接続されている。一方、第2のNチャネルMO
SトランジスタN2のゲートと入力端子1との間には第
3のPチャネルMO3+−ランンスタP3aが接続され
ており、この第3のPチャネルMO9+−ランジスタP
3aのゲートは第2のNチャネルMOSトランジスタN
2のゲートと接続されている。
第5図は、横軸に入力電圧をとり、縦紬に7d流をとっ
て、電源電圧が5Vのときの本実施例に係るフィルタ回
路の動消費電流をシミュレーションした結果を示すグラ
フ図である。
て、電源電圧が5Vのときの本実施例に係るフィルタ回
路の動消費電流をシミュレーションした結果を示すグラ
フ図である。
この第5図から明らかなように、本実施例に係るフィル
タ回路は、信号の反転に伴って4個のMOSトランジス
タが全てオン状態になる時間が従来に比して極めて短い
。このため、第1の実施例と同様に、動消費電流が極め
て少ない。
タ回路は、信号の反転に伴って4個のMOSトランジス
タが全てオン状態になる時間が従来に比して極めて短い
。このため、第1の実施例と同様に、動消費電流が極め
て少ない。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、フィルタ回路を構
成する第1のPチャネルMO8I−ランノスタのソース
と電源との間に第2のPチャネルMOSトランジスタが
接続されており、第1のNチャネルMOSトランジスタ
のソースと接地との第2のNチャネルMOSトランジス
タが接続され、これら4つのMOS)ランジスタを入力
信号によって駆動するようにしたから、第1のPチャネ
ルMOSトランジスタ及び第1のNチャネルMOSトラ
ンジスタの実質的なしきい値電圧が高くなる。
成する第1のPチャネルMO8I−ランノスタのソース
と電源との間に第2のPチャネルMOSトランジスタが
接続されており、第1のNチャネルMOSトランジスタ
のソースと接地との第2のNチャネルMOSトランジス
タが接続され、これら4つのMOS)ランジスタを入力
信号によって駆動するようにしたから、第1のPチャネ
ルMOSトランジスタ及び第1のNチャネルMOSトラ
ンジスタの実質的なしきい値電圧が高くなる。
このため、信号の反転時にインバータに大量に電流が流
れる時間が極めて短くなるため、動消費電流を低減する
ことができる。
れる時間が極めて短くなるため、動消費電流を低減する
ことができる。
第1図は本発明の第1の実施例に係るフィルタ回路を示
す回路図、第2図は同じくその入出力特性を示すグラフ
図、第3図は同じくその動消費電流をシミュレーション
した結果を示すグラフ図、第4図は本発明の第2の実施
例に係るフィルタ回路を示す回路図、第5図は同じくそ
の動消費電流をシミユレーシヨンした結果を示すグラフ
図、第6図は従来のフィルタ回路を示す回路図、第7図
は同じくその動消費電流をシミュレーションした結果を
示すグラフ図である。 に入力端子、2;出力端子、3;電源、4;接地、5;
コンデンサ、8.6a;第1のインノく13 一タ、 ;第2のインバータ
す回路図、第2図は同じくその入出力特性を示すグラフ
図、第3図は同じくその動消費電流をシミュレーション
した結果を示すグラフ図、第4図は本発明の第2の実施
例に係るフィルタ回路を示す回路図、第5図は同じくそ
の動消費電流をシミユレーシヨンした結果を示すグラフ
図、第6図は従来のフィルタ回路を示す回路図、第7図
は同じくその動消費電流をシミュレーションした結果を
示すグラフ図である。 に入力端子、2;出力端子、3;電源、4;接地、5;
コンデンサ、8.6a;第1のインノく13 一タ、 ;第2のインバータ
Claims (1)
- (1)そのゲートが入力端子に共通接続されそのドレイ
ン同士が相互に接続された第1のPチャネルMOSトラ
ンジスタ及び第1のNチャネルMOSトランジスタと、
前記第1のPチャネルMOSトランジスタのソースと電
源との間に接続された第2のPチャネルMOSトランジ
スタと、前記第1のNチャネルMOSトランジスタのソ
ースと接地との間に接続された第2のNチャネルMOS
トランジスタと、前記入力端子と前記第2のPチャネル
MOSトランジスタのゲート及び第2のNチャネルMO
Sトランジスタのゲートとの間に夫々接続された抵抗と
、前記第1のPチャネルMOSトランジスタ及び第1の
NチャネルMOSトランジスタのドレインに接続された
負荷回路とを有することを特徴とするフィルタ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1167609A JPH0332216A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | フィルタ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1167609A JPH0332216A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | フィルタ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0332216A true JPH0332216A (ja) | 1991-02-12 |
Family
ID=15852951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1167609A Pending JPH0332216A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | フィルタ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0332216A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005194099A (ja) * | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Xerox Corp | 用紙ピックローラの改良された交換方法およびアセンブリ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5241318U (ja) * | 1975-09-19 | 1977-03-24 | ||
| JPS6310913A (ja) * | 1986-07-02 | 1988-01-18 | Toshiba Corp | 雑音除去回路 |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP1167609A patent/JPH0332216A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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