JPH0332745B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0332745B2 JPH0332745B2 JP57211164A JP21116482A JPH0332745B2 JP H0332745 B2 JPH0332745 B2 JP H0332745B2 JP 57211164 A JP57211164 A JP 57211164A JP 21116482 A JP21116482 A JP 21116482A JP H0332745 B2 JPH0332745 B2 JP H0332745B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- field strength
- mass
- ion
- computer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/022—Circuit arrangements, e.g. for generating deviation currents or voltages ; Components associated with high voltage supply
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁場型質量分析計における磁場強度設
定装置に関し、特に磁場型質量分析計でマスフラ
グメントグラフイを行う場合に適する磁場強度設
定装置に関する。
定装置に関し、特に磁場型質量分析計でマスフラ
グメントグラフイを行う場合に適する磁場強度設
定装置に関する。
磁場型質量分析計を用いてマスフラグメントグ
ラフイを行う場合、磁場強度を或る特定の質量の
イオンのピークが検出器スリツトの中心に来るよ
うに設定し、イオン加速電圧を切換えて、検出し
ようとする幾つかのフラグメントイオンが検出器
スリツトに到達するように段階的な質量走作を行
う。本発明はこのような場合に、磁場強度をデイ
ジタル方式で制御する装置において、特定質量の
イオンのピークが検出器スリツト位置に来るよう
に磁場強度を設定する装置を提供するものであ
る。
ラフイを行う場合、磁場強度を或る特定の質量の
イオンのピークが検出器スリツトの中心に来るよ
うに設定し、イオン加速電圧を切換えて、検出し
ようとする幾つかのフラグメントイオンが検出器
スリツトに到達するように段階的な質量走作を行
う。本発明はこのような場合に、磁場強度をデイ
ジタル方式で制御する装置において、特定質量の
イオンのピークが検出器スリツト位置に来るよう
に磁場強度を設定する装置を提供するものであ
る。
特定の質量のイオンのピークが検出器スリツト
位置に来るように磁場強度を設定するには磁場強
度を変えながら質量分析計に質量既知の標準試料
を導入し、その試料のイオンピークが検出器によ
り検出された所で磁場強度を固定（マスロツク）
する。このとき磁場強度がデイジタル方式で制御
されていると磁場強度は段階的に変化して行くた
め、イオンピークの中心と検出器スリツトの中心
がうまく一致すると云うことは希で通常は最大デ
イジタル制御の一ビツト分に相当するだけの磁場
強度のずれが出来、それに伴つて標準試料のイオ
ンピークも正しい位置よりずれる。標準試料のイ
オンピークに対してこのようなずれがあると、分
析しようとする試料のフラグメントイオンのピー
ク位置も同じずれを生じ、イオン強度の測定に誤
差を生ずる。
位置に来るように磁場強度を設定するには磁場強
度を変えながら質量分析計に質量既知の標準試料
を導入し、その試料のイオンピークが検出器によ
り検出された所で磁場強度を固定（マスロツク）
する。このとき磁場強度がデイジタル方式で制御
されていると磁場強度は段階的に変化して行くた
め、イオンピークの中心と検出器スリツトの中心
がうまく一致すると云うことは希で通常は最大デ
イジタル制御の一ビツト分に相当するだけの磁場
強度のずれが出来、それに伴つて標準試料のイオ
ンピークも正しい位置よりずれる。標準試料のイ
オンピークに対してこのようなずれがあると、分
析しようとする試料のフラグメントイオンのピー
ク位置も同じずれを生じ、イオン強度の測定に誤
差を生ずる。
本発明は磁場強度をデイジタル制御する場合に
上述したマスロツクにおいて生ずる磁場設定のず
れを補正する装置を提供しようとするものであ
る。以下実施例によつて本発明を説明する。
上述したマスロツクにおいて生ずる磁場設定のず
れを補正する装置を提供しようとするものであ
る。以下実施例によつて本発明を説明する。
図は本発明の一実施例を示す。１はガスクロマ
トグラフ、２はガスクロマトグラフと質量分析計
とを接続するためのインターフエイスで具体的に
はガスクロマトブラフの流出ガスからキヤリヤガ
スを除去して試料成分を濃縮するための分子セパ
レータ等である。３は質量分析計のイオン源で試
料イオン化室とイオン加速電極等より成つてい
る。４は質量分析用磁場を発生するマグネツト、
５はイオン検出器である。６はマグネツト４の励
磁電流供給電源で、コントローラ７によつて出力
電流が制御される。８は制御用コンピユータで、
同コンピユータから磁場制御信号が出され、Ｄ／
Ａ変換器Ｄ／Ａ２でアナログ信号に変換されてコ
ントローラ７に入力され、マグネツト４によつて
形成される磁場強度がコンピユータ８によつて指
示された値に制御される。９は磁場検出用センサ
でマグネツト４によつて形成される磁場強度い応
じた信号が出力され、この信号は増幅器Ａ１を経
てＡ／Ｄ変換器Ａ／Ｄ１でデイジタル化されコン
ピユータ８に入力される。コンピユータ８はこの
デイジタル信号を２乗して質量数の信号に変換す
る。センサ９の出力を質量数に応じた信号に変換
するための２乗手段は増幅器Ａ１からコンピユー
タ８まで間に介在させてもよい。何れの方式によ
る場合でもセンサ９の出力から換算された質量数
が表示装置１０に表示される。１１はラツチ回路
でコンピユータ８からラツチ信号が出されたとき
のＡ／Ｄ１の出力を読み込みホールドする。
トグラフ、２はガスクロマトグラフと質量分析計
とを接続するためのインターフエイスで具体的に
はガスクロマトブラフの流出ガスからキヤリヤガ
スを除去して試料成分を濃縮するための分子セパ
レータ等である。３は質量分析計のイオン源で試
料イオン化室とイオン加速電極等より成つてい
る。４は質量分析用磁場を発生するマグネツト、
５はイオン検出器である。６はマグネツト４の励
磁電流供給電源で、コントローラ７によつて出力
電流が制御される。８は制御用コンピユータで、
同コンピユータから磁場制御信号が出され、Ｄ／
Ａ変換器Ｄ／Ａ２でアナログ信号に変換されてコ
ントローラ７に入力され、マグネツト４によつて
形成される磁場強度がコンピユータ８によつて指
示された値に制御される。９は磁場検出用センサ
でマグネツト４によつて形成される磁場強度い応
じた信号が出力され、この信号は増幅器Ａ１を経
てＡ／Ｄ変換器Ａ／Ｄ１でデイジタル化されコン
ピユータ８に入力される。コンピユータ８はこの
デイジタル信号を２乗して質量数の信号に変換す
る。センサ９の出力を質量数に応じた信号に変換
するための２乗手段は増幅器Ａ１からコンピユー
タ８まで間に介在させてもよい。何れの方式によ
る場合でもセンサ９の出力から換算された質量数
が表示装置１０に表示される。１１はラツチ回路
でコンピユータ８からラツチ信号が出されたとき
のＡ／Ｄ１の出力を読み込みホールドする。
以下マスロツクの動作説明と併せて第１図の回
路構成を説明する。装置をスタートさせるとコン
ピユータ８から基準イオン加速電圧信号が出力さ
れ、Ｄ／Ａ変換器Ｄ／Ａ３を経てイオン加速高圧
電源制御回路１２に送られ、同回路はコンピユー
タ８からのこの指示によつてイオン加速高圧電源
１３を制御しイオン源３に基準イオン加速電圧を
印加させる。コンピユータ８に標準試料の質量を
指示すると、コンピユータ８はそれに応じた磁場
制御信号をＤ／Ａ２に出力しマグネツト４により
この磁場制御信号によつて指示された強度の磁場
が形成される。コンピユータ８から出力される磁
場制御信号によつて設定される磁場強度は第２図
に示すような段階的な飛びとびの値であり、標準
試料の質量Moに相当する磁場Boに最も近い磁場
強度B′になる。プログラムの作り方によつて常
にB′＜Bo或いはB′＞Boとなるようにすること
も、もつと進んだ形でBoが上下２つの磁場強度
の何れに近いかを判定して近い方の磁場強度に設
定されるようにすることもできる。次にイオン源
３に標準試料を導入する。標準試料のイオンがイ
オン検出器５で検出され、その検出出力は増幅器
１４、Ａ／Ｄ変換器１５を経て表示器１６により
表示されると共にコンピユータ８に入力される。
マグネツト４の磁場を検出するセンサ９の出力は
増幅器Ａ１を経て誤差増幅器Ｃに入力され、Ｃの
出力がＡ／Ｄ１、ラツチ回路１１、Ｄ／Ａ変換器
Ｄ／Aoを介してＣに負帰還されている。従つて
ラツチ回路１１にラツチ信号が印加される以前に
おいては誤差増幅器Ｃは単なるバツフア増幅器と
して機能しており、Ａ／Ｄ１の出力はマグネツト
４の磁場強度をデイジタルデータに変換したもの
である。そこでマニユアルコントローラ１７を操
作して±の適当な電圧を加算器Ad１に入力する
とマグネツト４の磁場強度が連続的に変化しイオ
ン検出強度が変るから、イオン検出強度が最大に
なるようにマニユアルコントローラ１７を調整す
る。このときのマグネツト４の磁場強度が標準試
料の質量に対応するものであるから、こゝでラツ
チ回路１１にラツチ信号を送り、そのときの磁場
強度のデータをホールドさせる。次にスイツチＳ
１を接点ｂ側に切換えると、マグネツト４、セン
サ９、誤差増幅器Ｃ、バツフア１８、スイツチＳ
１、コントローラ７、電源６、マグネツト４のフ
イードバツク回路により磁場強度はラツチ回路１
１にホールドされた値に保持されることになり、
マスロツクの動作が完了する。
路構成を説明する。装置をスタートさせるとコン
ピユータ８から基準イオン加速電圧信号が出力さ
れ、Ｄ／Ａ変換器Ｄ／Ａ３を経てイオン加速高圧
電源制御回路１２に送られ、同回路はコンピユー
タ８からのこの指示によつてイオン加速高圧電源
１３を制御しイオン源３に基準イオン加速電圧を
印加させる。コンピユータ８に標準試料の質量を
指示すると、コンピユータ８はそれに応じた磁場
制御信号をＤ／Ａ２に出力しマグネツト４により
この磁場制御信号によつて指示された強度の磁場
が形成される。コンピユータ８から出力される磁
場制御信号によつて設定される磁場強度は第２図
に示すような段階的な飛びとびの値であり、標準
試料の質量Moに相当する磁場Boに最も近い磁場
強度B′になる。プログラムの作り方によつて常
にB′＜Bo或いはB′＞Boとなるようにすること
も、もつと進んだ形でBoが上下２つの磁場強度
の何れに近いかを判定して近い方の磁場強度に設
定されるようにすることもできる。次にイオン源
３に標準試料を導入する。標準試料のイオンがイ
オン検出器５で検出され、その検出出力は増幅器
１４、Ａ／Ｄ変換器１５を経て表示器１６により
表示されると共にコンピユータ８に入力される。
マグネツト４の磁場を検出するセンサ９の出力は
増幅器Ａ１を経て誤差増幅器Ｃに入力され、Ｃの
出力がＡ／Ｄ１、ラツチ回路１１、Ｄ／Ａ変換器
Ｄ／Aoを介してＣに負帰還されている。従つて
ラツチ回路１１にラツチ信号が印加される以前に
おいては誤差増幅器Ｃは単なるバツフア増幅器と
して機能しており、Ａ／Ｄ１の出力はマグネツト
４の磁場強度をデイジタルデータに変換したもの
である。そこでマニユアルコントローラ１７を操
作して±の適当な電圧を加算器Ad１に入力する
とマグネツト４の磁場強度が連続的に変化しイオ
ン検出強度が変るから、イオン検出強度が最大に
なるようにマニユアルコントローラ１７を調整す
る。このときのマグネツト４の磁場強度が標準試
料の質量に対応するものであるから、こゝでラツ
チ回路１１にラツチ信号を送り、そのときの磁場
強度のデータをホールドさせる。次にスイツチＳ
１を接点ｂ側に切換えると、マグネツト４、セン
サ９、誤差増幅器Ｃ、バツフア１８、スイツチＳ
１、コントローラ７、電源６、マグネツト４のフ
イードバツク回路により磁場強度はラツチ回路１
１にホールドされた値に保持されることになり、
マスロツクの動作が完了する。
上の説明は標準試料のイオンの検出信号が最大
になるように手動調整する構成であるが、スイツ
チＳ２を接点ｂ側に切換え、コンピユータ８が第
２図のBoとB′との差に相当する磁場制御信号量
を演算し、このデータをＤ／Ａ変換器Ｄ／Ａ１を
通して加算器Ad１に送るようにしてもよい。
になるように手動調整する構成であるが、スイツ
チＳ２を接点ｂ側に切換え、コンピユータ８が第
２図のBoとB′との差に相当する磁場制御信号量
を演算し、このデータをＤ／Ａ変換器Ｄ／Ａ１を
通して加算器Ad１に送るようにしてもよい。
本発明によれば、磁場強度がコンピユータ制御
で段階的に設定される場合において、基準質量に
対応する磁場強度が段階的に設定される磁場強度
の中間にあつても、所定の磁場強度が精度よく設
定できるので、マスフラグメントグラフイの分析
精度が向上する。
で段階的に設定される場合において、基準質量に
対応する磁場強度が段階的に設定される磁場強度
の中間にあつても、所定の磁場強度が精度よく設
定できるので、マスフラグメントグラフイの分析
精度が向上する。
第１図は本発明の一実施例装置のブロツク図、
第２図はコンピユータにより設定される磁場強度
のグラフである。
第２図はコンピユータにより設定される磁場強度
のグラフである。
Claims (1)
- １ 質量分析用磁場強度を段階的に設定すると共
に、所定の質量に相当する磁場強度との差を検出
し、上記段階的に磁場強度を設定する磁場制御値
信号に上記差に相当する補正制御値信号を加えた
信号によつて磁場設定を行うことを特徴とする質
量分析計における磁場設定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57211164A JPS5999349A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 質量分析計における磁場設定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57211164A JPS5999349A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 質量分析計における磁場設定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5999349A JPS5999349A (ja) | 1984-06-08 |
| JPH0332745B2 true JPH0332745B2 (ja) | 1991-05-14 |
Family
ID=16601456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57211164A Granted JPS5999349A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 質量分析計における磁場設定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5999349A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5914861B2 (ja) * | 1979-12-20 | 1984-04-06 | 日本電子株式会社 | 質量分析装置 |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP57211164A patent/JPS5999349A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5999349A (ja) | 1984-06-08 |
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