JPH033333A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH033333A JPH033333A JP1137866A JP13786689A JPH033333A JP H033333 A JPH033333 A JP H033333A JP 1137866 A JP1137866 A JP 1137866A JP 13786689 A JP13786689 A JP 13786689A JP H033333 A JPH033333 A JP H033333A
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- insulating film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造方法、特にクロムシリサイドオキシ（
ＣｒＳｉＯ） 薄膜抵抗を有する半導体装置の製造方法
に関し、 Ｃｒ５ｉＯ薄膜抵抗の表面に形成される三酸化クロム（
ｃｒｚｏｚ）等の不導体膜を上記薄膜抵抗を損傷させず
に完全に除去し低いコンタクト抵抗を得ることを目的と
し、 半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程、該第１の
絶縁膜上に抵抗体となる金属シリサイド膜を形成する工
程、該金属シリサイド膜上に第２の絶縁膜を形成する工
程、該第２の絶縁膜と金属シリサイド膜を抵抗パターン
の形状に同時にパターニングする工程、全面に第３の絶
縁膜を形成する工程、該第３及び第２の絶縁膜を貫通し
て該金属シリサイド膜パターンの上面を表出するコンタ
クト窓を形成する工程、過酸化水素とアンモニアを含む
水溶液による煮沸処理により該コンタクト窓内に表出す
る該金属シリサイド面を清浄化する工程、該コンタクト
窓内に表出する金属シリサイド面から該第３の絶縁膜上
に延在する金属配線を形成する工程を含んで構成する。
ＣｒＳｉＯ） 薄膜抵抗を有する半導体装置の製造方法
に関し、 Ｃｒ５ｉＯ薄膜抵抗の表面に形成される三酸化クロム（
ｃｒｚｏｚ）等の不導体膜を上記薄膜抵抗を損傷させず
に完全に除去し低いコンタクト抵抗を得ることを目的と
し、 半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程、該第１の
絶縁膜上に抵抗体となる金属シリサイド膜を形成する工
程、該金属シリサイド膜上に第２の絶縁膜を形成する工
程、該第２の絶縁膜と金属シリサイド膜を抵抗パターン
の形状に同時にパターニングする工程、全面に第３の絶
縁膜を形成する工程、該第３及び第２の絶縁膜を貫通し
て該金属シリサイド膜パターンの上面を表出するコンタ
クト窓を形成する工程、過酸化水素とアンモニアを含む
水溶液による煮沸処理により該コンタクト窓内に表出す
る該金属シリサイド面を清浄化する工程、該コンタクト
窓内に表出する金属シリサイド面から該第３の絶縁膜上
に延在する金属配線を形成する工程を含んで構成する。
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体装置の製造方法、特にクロムシリサイド
オキシ薄膜抵抗体を有する半導体装置の製造方法に関す
る。
オキシ薄膜抵抗体を有する半導体装置の製造方法に関す
る。
近年集積度の向上に伴ってＤＡ、ＡＤコンバータ、ハイ
ブリッドＩＣ等の半導体装置においては、ＩＫΩ以上の
高いシート抵抗を有し、且つ温度係数の小さい薄膜抵抗
が要求されている。そのため薄膜抵抗の材料も限定され
、現状では比較的高シート抵抗を有し、且つ２００ｐ、
ｐ、Ｉ１１／’Ｃ程度の小さい抵抗温度係数を有する酸
素を含んだクロムシリサイド即ちクロムシリサイドオキ
シ（ＣｒＳｉＯ）が用いられるようになってきている。
ブリッドＩＣ等の半導体装置においては、ＩＫΩ以上の
高いシート抵抗を有し、且つ温度係数の小さい薄膜抵抗
が要求されている。そのため薄膜抵抗の材料も限定され
、現状では比較的高シート抵抗を有し、且つ２００ｐ、
ｐ、Ｉ１１／’Ｃ程度の小さい抵抗温度係数を有する酸
素を含んだクロムシリサイド即ちクロムシリサイドオキ
シ（ＣｒＳｉＯ）が用いられるようになってきている。
しかしこのＣｒ５ｉＯ薄膜抵抗には金属配線とのコンタ
クト抵抗が低くできず、そのために抵抗値が不安定にな
るという問題があり、コンタクト抵抗を低減する方法が
望まれている。
クト抵抗が低くできず、そのために抵抗値が不安定にな
るという問題があり、コンタクト抵抗を低減する方法が
望まれている。
従来Ｃｒ５ｉＯ薄膜抵抗を有する半導体装置は、以下に
第３図（ａ）〜（ｄ）に示す工程により製造されていた
。
第３図（ａ）〜（ｄ）に示す工程により製造されていた
。
第３図（ａ）参照
即ち、例えば半導体素子の機能領域であるｎ０型領域２
が形成されたｐ−型シリコン（Ｓｔ）基板１上に、先ず
第１の絶縁膜３を形成し、次いでこの絶縁膜上に抵抗体
となるＣｒ５ｉＯ膜１０４を形成し、次いでＣｒ５ｉＯ
膜１０４上に抵抗体の保護層となる例えば燐珪酸ガラス
（ＰＳＧ）等の第２の絶縁膜５を形成する。なお上記被
覆層は、Ｃｒ５ｉＯ膜１０４を抵抗パターン形状にパタ
ーニングする際に、Ｃｒ５ｉＯ膜１０４の残留部（Ｃｒ
ＳｉＯ膜抵抗パターン４）を保護する役目を有する。
が形成されたｐ−型シリコン（Ｓｔ）基板１上に、先ず
第１の絶縁膜３を形成し、次いでこの絶縁膜上に抵抗体
となるＣｒ５ｉＯ膜１０４を形成し、次いでＣｒ５ｉＯ
膜１０４上に抵抗体の保護層となる例えば燐珪酸ガラス
（ＰＳＧ）等の第２の絶縁膜５を形成する。なお上記被
覆層は、Ｃｒ５ｉＯ膜１０４を抵抗パターン形状にパタ
ーニングする際に、Ｃｒ５ｉＯ膜１０４の残留部（Ｃｒ
ＳｉＯ膜抵抗パターン４）を保護する役目を有する。
第３図（６）参照
次いで、通常のフォトリソグラフィにより上記第２の絶
縁膜５とＣｒ５ｉＯ膜１０４を同時にパターニングして
第２の絶縁膜５を上部に有するＣｒ５ｉＯ膜抵抗パター
ン４を形成する。
縁膜５とＣｒ５ｉＯ膜１０４を同時にパターニングして
第２の絶縁膜５を上部に有するＣｒ５ｉＯ膜抵抗パター
ン４を形成する。
第３図（Ｃ）参照
次いで上記Ｃｒ５ｉＯ膜抵抗パターン４が形成されてい
る基板上に例えばＰＳＧ等よりなる第３の絶縁［１８を
形成した後、通常のフォトリソグラフィによりＣｒ５ｉ
Ｏ膜抵抗パターン４上に第３、第２の絶縁膜８．５を貫
いてＣｒ５ｉＯ面を表出する第１のコンタクト窓１１Ａ
及びＩＩＢを形成し、且つ同時にＳｉ基板１面上に第３
、第１の絶縁膜８．３を貫いてｎｏ型領領域２面表出す
る第２のコンタクト窓１４を形成する。
る基板上に例えばＰＳＧ等よりなる第３の絶縁［１８を
形成した後、通常のフォトリソグラフィによりＣｒ５ｉ
Ｏ膜抵抗パターン４上に第３、第２の絶縁膜８．５を貫
いてＣｒ５ｉＯ面を表出する第１のコンタクト窓１１Ａ
及びＩＩＢを形成し、且つ同時にＳｉ基板１面上に第３
、第１の絶縁膜８．３を貫いてｎｏ型領領域２面表出す
る第２のコンタクト窓１４を形成する。
第３図（ｄ）参照
そして、上記基板上に配線金属である例えばアルミニウ
ム（ＡＩ）層を形成し、通常のフォトリソグラフィによ
りパターニングを行って、前記第１のコンタクト窓１１
Ａ 、１１Ｂ及び１４上からそれぞれ第３の絶縁膜８上
に延在し、図示しない領域で回路接続がなされるＡＩ配
線１５Ａ 、 １５Ｂ 、 １５Ｃを形成する方法であ
る。
ム（ＡＩ）層を形成し、通常のフォトリソグラフィによ
りパターニングを行って、前記第１のコンタクト窓１１
Ａ 、１１Ｂ及び１４上からそれぞれ第３の絶縁膜８上
に延在し、図示しない領域で回路接続がなされるＡＩ配
線１５Ａ 、 １５Ｂ 、 １５Ｃを形成する方法であ
る。
［発明が解決しようとする課Ｂ］
しかし上記従来方法によると、Ｃ？ＳｉＯが４００’Ｃ
程度の温度で容易に酸化或いは窒化される性質を有する
ために、前記Ｃｒ５ｉＯ膜１０４上にＰＳＧ等の保護用
の第２の絶縁膜５を形成する際の４００〜５００°Ｃに
おける化学気相成長工程において、反応ガスに含まれる
酸素（０□）等によってＣｒ５ｉＯ膜１０４の表面に酸
化クロム（Ｃｒｚ０３）等からなる不導体膜６が形成さ
れ（第３図（ａ）参照）、この不導体膜６が前記コンタ
クト窓 １１＾、ＩＩＢ等の形成に際してのフォトリソ
グラフィにおけるドライエツチング処理、或いはコンタ
クト窓内のレジスト残渣除去に用いる製部酸処理等によ
って除去できず、配線形成時にそのままＡ１配線１５Ａ
、１５ＢとＣｒ５ｉＯ抵抗パターン４との接続部に介
在して（第３図（ｄ）参照）非常に高いコンタクト抵抗
を形成していた。
程度の温度で容易に酸化或いは窒化される性質を有する
ために、前記Ｃｒ５ｉＯ膜１０４上にＰＳＧ等の保護用
の第２の絶縁膜５を形成する際の４００〜５００°Ｃに
おける化学気相成長工程において、反応ガスに含まれる
酸素（０□）等によってＣｒ５ｉＯ膜１０４の表面に酸
化クロム（Ｃｒｚ０３）等からなる不導体膜６が形成さ
れ（第３図（ａ）参照）、この不導体膜６が前記コンタ
クト窓 １１＾、ＩＩＢ等の形成に際してのフォトリソ
グラフィにおけるドライエツチング処理、或いはコンタ
クト窓内のレジスト残渣除去に用いる製部酸処理等によ
って除去できず、配線形成時にそのままＡ１配線１５Ａ
、１５ＢとＣｒ５ｉＯ抵抗パターン４との接続部に介
在して（第３図（ｄ）参照）非常に高いコンタクト抵抗
を形成していた。
そのために、Ｃｒ５ｉＯ抵抗パターン５４の抵抗値が設
計値から外れた高く且つ不安定な値になって、半導体装
置の性能が劣化するという問題を生じていた。
計値から外れた高く且つ不安定な値になって、半導体装
置の性能が劣化するという問題を生じていた。
そこで上記不導体膜６を除去するためにアルゴンガスに
よる高周波（ＲＦ）スパッタ処理も行われていたが、こ
の方法によるとＣｒ５ｉＯ抵抗パターン６の膜厚が２０
０〜５００人程度と非常変度いために膜が剥離してＣｒ
５ｉＯ抵抗パターン６が破壊されるという問題があり、
この破壊を避けるためにスパッタ処理の強度を弱めるた
めに、十分なコンタクト抵抗の減少が得られないという
問題があった。
よる高周波（ＲＦ）スパッタ処理も行われていたが、こ
の方法によるとＣｒ５ｉＯ抵抗パターン６の膜厚が２０
０〜５００人程度と非常変度いために膜が剥離してＣｒ
５ｉＯ抵抗パターン６が破壊されるという問題があり、
この破壊を避けるためにスパッタ処理の強度を弱めるた
めに、十分なコンタクト抵抗の減少が得られないという
問題があった。
そこで本発明は、Ｃｒ５ｉＯＦＪ膜抵抗の表面に形成さ
れるＣｒ ２０ 、等の不導体膜を上記薄膜抵抗を損傷
させずに完全に除去し低いコンタクト抵抗を得ることを
目的とする。
れるＣｒ ２０ 、等の不導体膜を上記薄膜抵抗を損傷
させずに完全に除去し低いコンタクト抵抗を得ることを
目的とする。
〔課題を解決するための手段］
上記課題は、半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工
程、該第１の絶縁膜上に抵抗体となる金属シリサイド膜
を形成する工程、該金属シリサイド膜上に第２の絶縁膜
を形成する工程、該第２の絶縁膜と金属シリサイド膜を
抵抗パターンの形状に同時にパターニングする工程、全
面に第３の絶縁膜を形成する工程、該第３及び第２の絶
縁膜を貫通して該金属シリサイド膜パターンの上面を表
出する第１のコンタクト窓を形成する工程、過酸化水素
とアンモニアを含む水溶液による煮沸処理により該第１
のコンタクト窓内に表出する該金属シリサイド面を清浄
化する工程、該第１のコンタクト窓内に表出する金属シ
リサイド面から該第３の絶縁膜上に延在する金属配線を
形成する工程を含む本発明による半導体装置の製造方法
、若しくは、前記金属シリサイド面を清浄化する工程の
後、該第３の絶縁膜と第１の絶縁膜を貫いて半導体基板
面を表出する第２のコンタクト窓を形成する工程、該第
１のコンタクト窓内に表出する該金属シリサイド面及び
該第２のコンタクト窓内に表出する半導体基板面からそ
れぞれ第３の絶縁膜上に延在する金属配線を形成する工
程を施す本発明による半導体装置の製造方法により解決
される。
程、該第１の絶縁膜上に抵抗体となる金属シリサイド膜
を形成する工程、該金属シリサイド膜上に第２の絶縁膜
を形成する工程、該第２の絶縁膜と金属シリサイド膜を
抵抗パターンの形状に同時にパターニングする工程、全
面に第３の絶縁膜を形成する工程、該第３及び第２の絶
縁膜を貫通して該金属シリサイド膜パターンの上面を表
出する第１のコンタクト窓を形成する工程、過酸化水素
とアンモニアを含む水溶液による煮沸処理により該第１
のコンタクト窓内に表出する該金属シリサイド面を清浄
化する工程、該第１のコンタクト窓内に表出する金属シ
リサイド面から該第３の絶縁膜上に延在する金属配線を
形成する工程を含む本発明による半導体装置の製造方法
、若しくは、前記金属シリサイド面を清浄化する工程の
後、該第３の絶縁膜と第１の絶縁膜を貫いて半導体基板
面を表出する第２のコンタクト窓を形成する工程、該第
１のコンタクト窓内に表出する該金属シリサイド面及び
該第２のコンタクト窓内に表出する半導体基板面からそ
れぞれ第３の絶縁膜上に延在する金属配線を形成する工
程を施す本発明による半導体装置の製造方法により解決
される。
即ち本発明の方法においては、前記Ｃｒ５ｉＯ膜上に形
成されるＣｒ２Ｏ，等からなる不導体膜が、〔過酸化水
素（Ｈ２０□）＋アンモニア（ＮＨ４０Ｈ） ）混液に
よる煮沸処理によって選択的に容易且つ完全に溶解除去
されることを実験により検知し、Ｃｒ５ｉＯ膜抵抗パタ
ーン上の絶縁膜に通常のドライエツチング手段でコンタ
クト窓を形成した後、上記〔Ｈ２０□十ＮＨ，０１１）
混液による煮沸処理を行って前記コンタクト窓内に表出
するＣｒ５ｉＯ膜抵抗パターン上の前記不導体膜を選択
的に溶解除去する。なおこの際、Ｃｒ５ｉＯ膜は殆どエ
ツチングされない。
成されるＣｒ２Ｏ，等からなる不導体膜が、〔過酸化水
素（Ｈ２０□）＋アンモニア（ＮＨ４０Ｈ） ）混液に
よる煮沸処理によって選択的に容易且つ完全に溶解除去
されることを実験により検知し、Ｃｒ５ｉＯ膜抵抗パタ
ーン上の絶縁膜に通常のドライエツチング手段でコンタ
クト窓を形成した後、上記〔Ｈ２０□十ＮＨ，０１１）
混液による煮沸処理を行って前記コンタクト窓内に表出
するＣｒ５ｉＯ膜抵抗パターン上の前記不導体膜を選択
的に溶解除去する。なおこの際、Ｃｒ５ｉＯ膜は殆どエ
ツチングされない。
以上により、Ｃｒ５ｉＯ膜抵抗パターンの抵抗値変動（
厚さ変動）を生ぜしめずにＣｒ５ｉＯ膜抵抗パターンと
金属配線層との良好な電気的接続を得ることができる。
厚さ変動）を生ぜしめずにＣｒ５ｉＯ膜抵抗パターンと
金属配線層との良好な電気的接続を得ることができる。
なお、（Ｈ２０□十ＮＨ４ＯＨ） ｆｉ液による煮沸処
理はＳｉを溶解する機能をも有するので、Ｓｔ基板面を
表出するコンタクト窓は前記抵抗パターン上のコンタク
ト窓と同時に形成せずに、上記不導体膜の除去処理即ち
〔Ｈ２０□＋ＮＨ，ＯＨ）混液処理を終わってから開孔
するようにし、これによって、〔Ｈ２Ｏ。十ＮＨ４０）
１ ）混液による煮沸処理による接合破壊等の素子劣化
は防止される。
理はＳｉを溶解する機能をも有するので、Ｓｔ基板面を
表出するコンタクト窓は前記抵抗パターン上のコンタク
ト窓と同時に形成せずに、上記不導体膜の除去処理即ち
〔Ｈ２０□＋ＮＨ，ＯＨ）混液処理を終わってから開孔
するようにし、これによって、〔Ｈ２Ｏ。十ＮＨ４０）
１ ）混液による煮沸処理による接合破壊等の素子劣化
は防止される。
以下本発明を、図示実施例により具体的に説明する。
第１図（ａ）〜げ）は本発明の方法の一実施例の工程断
面図、第２図は本発明の一実施例に用いた（Ｈ１！０２
＋ＮＨ４０Ｆ！ ）混液処理浴の模式図である。
面図、第２図は本発明の一実施例に用いた（Ｈ１！０２
＋ＮＨ４０Ｆ！ ）混液処理浴の模式図である。
全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
第１図（ａ）参照
本発明の方法を用いてＣｒ５ｉＯＴＲ膜抵抗を有する半
導体装置を形成するに際しては、例えば従来同様に半導
体素子のｎ゛型領領域２形成されたｐ−型Ｓｉ基板１上
に二酸化シリコ（Ｓ３０□）等からなる厚さ４０００〜
６０００人程度の第１の絶変度３を熱酸化或いは気相成
長により形成し、次いで従来通り上記第１の絶縁膜３上
に直流（ＤＣ）スパッタ法により厚さ例えば２００〜３
００人程度のＣｒ変度Ｏ膜１０４を形成し、次いで従来
同様、モノシラン（ＳｉＨ２）とフォスフイン（ＰＨ３
）と酸素（０２）の混合ガスを用いて４００〜ｓｏｏ
’ｃの温度で行われる化学気相成長（ＣＶＤ）法により
、上記Ｃｒ５ｉＯ膜１０４上にエツチング保護層として
厚さ２０００人程度０ＰＳＧ膜からなる第２の絶縁膜５
を形成する。
導体装置を形成するに際しては、例えば従来同様に半導
体素子のｎ゛型領領域２形成されたｐ−型Ｓｉ基板１上
に二酸化シリコ（Ｓ３０□）等からなる厚さ４０００〜
６０００人程度の第１の絶変度３を熱酸化或いは気相成
長により形成し、次いで従来通り上記第１の絶縁膜３上
に直流（ＤＣ）スパッタ法により厚さ例えば２００〜３
００人程度のＣｒ変度Ｏ膜１０４を形成し、次いで従来
同様、モノシラン（ＳｉＨ２）とフォスフイン（ＰＨ３
）と酸素（０２）の混合ガスを用いて４００〜ｓｏｏ
’ｃの温度で行われる化学気相成長（ＣＶＤ）法により
、上記Ｃｒ５ｉＯ膜１０４上にエツチング保護層として
厚さ２０００人程度０ＰＳＧ膜からなる第２の絶縁膜５
を形成する。
なお、上記第２の絶縁膜５おＣＶＤ工程において、Ｃｒ
５ｉＯ膜１０４の表面には従来同様に厚さ数１０人のＣ
ｒ２Ｏ，等からなる不導体膜６が形成される。
５ｉＯ膜１０４の表面には従来同様に厚さ数１０人のＣ
ｒ２Ｏ，等からなる不導体膜６が形成される。
第１図（ロ）参照
次いで従来同様のフォトリソグラフィ技術を用い、鎖線
で示すような第１のレジストパターン７をマスクにし、
例えば３弗化メタン（Ｃ）Ｉｈ）ガスによるリアクティ
ブイオンエツチング（ＲＩＥ）処理によって第２の絶縁
膜５をパターニングし、続いて〔４塩化珪素 （ＳｉＣ
１４）十塩素（ＣＩり ）ガスによるＲＩＥ処理によっ
てＣｒ５ｉＯ膜１０４をパターニングして、前記第２の
絶縁膜５を上部に有するＣｒ５ｉＯ膜抵抗パターン４を
形成する。
で示すような第１のレジストパターン７をマスクにし、
例えば３弗化メタン（Ｃ）Ｉｈ）ガスによるリアクティ
ブイオンエツチング（ＲＩＥ）処理によって第２の絶縁
膜５をパターニングし、続いて〔４塩化珪素 （ＳｉＣ
１４）十塩素（ＣＩり ）ガスによるＲＩＥ処理によっ
てＣｒ５ｉＯ膜１０４をパターニングして、前記第２の
絶縁膜５を上部に有するＣｒ５ｉＯ膜抵抗パターン４を
形成する。
第１図（Ｃ）参照
次いで前記第１のレジストパターン７を除去した後、上
記基板上に従来同様のＣＶＤ法によりＰＳＧ等からなる
厚さ１０００人程度０第３の絶縁膜８を形成し、通常の
フォトリソグラフィ技術を用い、上記基板上のＣｒ５ｉ
Ｏ膜抵抗パターン４上に、コンタクト窓に対応する開孔
９Ａ及び９Ｂを有する鎖線で示されるような第２のレジ
スト膜１０を形成し、Ｃ）ＩＦｆｆによるＲＩＥ処理に
より前記レジスト膜１０の開孔９Ａ及び９Ｂ内に表出す
る第３の絶縁膜８及びその下部の第２の絶縁膜５を選択
的にエツチング除去し、第１のコンタクト窓１１＾及び
ＩＩＢを形成する。
記基板上に従来同様のＣＶＤ法によりＰＳＧ等からなる
厚さ１０００人程度０第３の絶縁膜８を形成し、通常の
フォトリソグラフィ技術を用い、上記基板上のＣｒ５ｉ
Ｏ膜抵抗パターン４上に、コンタクト窓に対応する開孔
９Ａ及び９Ｂを有する鎖線で示されるような第２のレジ
スト膜１０を形成し、Ｃ）ＩＦｆｆによるＲＩＥ処理に
より前記レジスト膜１０の開孔９Ａ及び９Ｂ内に表出す
る第３の絶縁膜８及びその下部の第２の絶縁膜５を選択
的にエツチング除去し、第１のコンタクト窓１１＾及び
ＩＩＢを形成する。
なお、第１のコンタクト窓１１Ａ及びＩＩＢ内に表出す
るＣｒ５ｉＯ膜抵抗パターン４上には前記不導体膜６が
形成されている。
るＣｒ５ｉＯ膜抵抗パターン４上には前記不導体膜６が
形成されている。
第１図（ｄ）参照
次いで第２のレジストパターン１０を除去した後、この
基板を、〔Ｈ２０□＋ＮＨ，ＯＨ）混液、例えば Ｈ！
（ｈ（１５０ｃｃ）とＮＨ，ＯＨ（３００ｃｃ）とＨｚ
Ｏ（３，６１） の混合液中において８０℃で１０分
間煮沸処理する。第２図はこの煮沸処理に用いた（Ｈｚ
Ｏｚ ＋ Ｎ）１４０）１ ）混液処理浴の模式図で、
５１は処理槽、５２はヒータ、５３はごみよけのフィル
タ、５４はウェーハキャリヤ、５５は上記被処理基板、
５６は前記（）！ｔ０２＋Ｎ！１４０Ｈ＋１４．０ ）
混合液を示す。
基板を、〔Ｈ２０□＋ＮＨ，ＯＨ）混液、例えば Ｈ！
（ｈ（１５０ｃｃ）とＮＨ，ＯＨ（３００ｃｃ）とＨｚ
Ｏ（３，６１） の混合液中において８０℃で１０分
間煮沸処理する。第２図はこの煮沸処理に用いた（Ｈｚ
Ｏｚ ＋ Ｎ）１４０）１ ）混液処理浴の模式図で、
５１は処理槽、５２はヒータ、５３はごみよけのフィル
タ、５４はウェーハキャリヤ、５５は上記被処理基板、
５６は前記（）！ｔ０２＋Ｎ！１４０Ｈ＋１４．０ ）
混合液を示す。
この〔Ｈ２０□＋ＮＨ，ＯＨ＋ＨｚＯ）混合液煮沸処理
によりコンタクト窓１１Ａ及び１１Ｂ内に表出する不導
体膜６は完全に溶解除去されて、図示のようにコンタク
ト窓１１Ａ及びＩＩＢの底面にはＣｒ５ｉＯ膜抵抗パタ
ーン４の表面が直に表出される。
によりコンタクト窓１１Ａ及び１１Ｂ内に表出する不導
体膜６は完全に溶解除去されて、図示のようにコンタク
ト窓１１Ａ及びＩＩＢの底面にはＣｒ５ｉＯ膜抵抗パタ
ーン４の表面が直に表出される。
第１図（ｅ）参照
次いで上記基板上に通常のフォトプロセスにより基板上
に形成した能動領域即ちｎ゛型領領域２上部にコンタク
ト窓形成用開孔１３を有する第３のレジスト膜１２（鎖
線で図示）をマスクにし、通常通り例えばＣＩ（Ｆ、ガ
スによるＲＩＥ処理を行い、第３、第１の絶縁膜８及び
３を貫通してｎ゛型領領域２面表出する第２のコンタク
ト窓１４を形成する。
に形成した能動領域即ちｎ゛型領領域２上部にコンタク
ト窓形成用開孔１３を有する第３のレジスト膜１２（鎖
線で図示）をマスクにし、通常通り例えばＣＩ（Ｆ、ガ
スによるＲＩＥ処理を行い、第３、第１の絶縁膜８及び
３を貫通してｎ゛型領領域２面表出する第２のコンタク
ト窓１４を形成する。
第１図（ｆ）参照
次いで第３のレジスト膜１２を除去した後、従来通り上
記基板上に、例えばスパッタ法により配線金属である例
えばＡｔ膜を形成し、従来同様のフォトリソグラフィに
よりパターニングを行って、第１のコンタクト窓１１Ａ
、 ＩＩＢを介してＣｒ５ｉＯ膜抵抗パターン４から
第３の絶縁膜Ｓ上にそれぞれ導出されたＡ！配線１５Ａ
、 １５Ｂ 、及び第２のコンタクト窓１４を介して
ｎ＋型領領域２ら第３の絶縁膜８上に導出されたＡＩ配
線１５Ｃを形成し、以後図示しないが被覆絶縁膜の形成
等がなされて本発明の方法によるＣｒ５ｉＯ膜抵抗を有
する半導体装置が完成する。
記基板上に、例えばスパッタ法により配線金属である例
えばＡｔ膜を形成し、従来同様のフォトリソグラフィに
よりパターニングを行って、第１のコンタクト窓１１Ａ
、 ＩＩＢを介してＣｒ５ｉＯ膜抵抗パターン４から
第３の絶縁膜Ｓ上にそれぞれ導出されたＡ！配線１５Ａ
、 １５Ｂ 、及び第２のコンタクト窓１４を介して
ｎ＋型領領域２ら第３の絶縁膜８上に導出されたＡＩ配
線１５Ｃを形成し、以後図示しないが被覆絶縁膜の形成
等がなされて本発明の方法によるＣｒ５ｉＯ膜抵抗を有
する半導体装置が完成する。
の方法によるものと比較して示した表である。
前述のようにコンタクト窓内に表出するＣｒ５ｉＯ膜抵
抗の表面に形成されているＣｒ２Ｏ３等よりなる不導体
膜は、〔Ｈ２０□＋Ｎ）１４０８ ＋ｔ（ｚｏ ］混合
液煮沸処理によりほぼ完全に除去される。従って表１に
示すように本発明の方法によればＣｒ５ｉＯ膜抵抗のコ
ンタクト抵抗を従来に比べて１０００分の１以下に減少
せしめることができる。
抗の表面に形成されているＣｒ２Ｏ３等よりなる不導体
膜は、〔Ｈ２０□＋Ｎ）１４０８ ＋ｔ（ｚｏ ］混合
液煮沸処理によりほぼ完全に除去される。従って表１に
示すように本発明の方法によればＣｒ５ｉＯ膜抵抗のコ
ンタクト抵抗を従来に比べて１０００分の１以下に減少
せしめることができる。
なお本発明の方法は、抵抗体に酸素を含まないクロムシ
リサイド（ＣｒＳｉＸ）、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ
ｘ ） 、配線材料にＡ１合金、タングステン、モリブ
デン、チタン等の純ＡＩ以外の金属を用いる際にも勿論
同様な効果を生ずる。
リサイド（ＣｒＳｉＸ）、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ
ｘ ） 、配線材料にＡ１合金、タングステン、モリブ
デン、チタン等の純ＡＩ以外の金属を用いる際にも勿論
同様な効果を生ずる。
表 １
表１は上記実施例に示す本発明の方法によるＣｒ５ｉＯ
膜抵抗パターン５とＡＩ配線１５＾、１５Ｂとのケルビ
ン法で測定したコンタクト抵抗値を、（ＨｚＯｚ＋ＮＨ
４０）１ ＋ＨｚＯ）混合液煮沸処理を行わない従来［
発明の効果］ 以上説明のように本発明の方法によれば、半導体装置内
に配設されるＣｒ５ｉＯ膜抵抗に対する配線のコンタク
ト抵抗を大幅に減少できるので、Ｃｒ５ｉＯＪｌ！抵抗
の抵抗値の変動が防止されると同時に、低抵抗値から高
抵抗値にわたってＣｒ５ｉＯ膜抵抗の抵抗値を高精度で
設計及び製造することが可能になる。
膜抵抗パターン５とＡＩ配線１５＾、１５Ｂとのケルビ
ン法で測定したコンタクト抵抗値を、（ＨｚＯｚ＋ＮＨ
４０）１ ＋ＨｚＯ）混合液煮沸処理を行わない従来［
発明の効果］ 以上説明のように本発明の方法によれば、半導体装置内
に配設されるＣｒ５ｉＯ膜抵抗に対する配線のコンタク
ト抵抗を大幅に減少できるので、Ｃｒ５ｉＯＪｌ！抵抗
の抵抗値の変動が防止されると同時に、低抵抗値から高
抵抗値にわたってＣｒ５ｉＯ膜抵抗の抵抗値を高精度で
設計及び製造することが可能になる。
従って本発明は、ＤＡ、ＡＤコンバータ、ハイブリッド
ＩＣ等のＣｒ５ｉＯＦｉｌ膜抵抗を内蔵する半導体装置
の性能及び歩留りの向上に有効である。
ＩＣ等のＣｒ５ｉＯＦｉｌ膜抵抗を内蔵する半導体装置
の性能及び歩留りの向上に有効である。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例の工程断面図
、第２図は本発明の一実施例に用いた ［Ｈ２０□＋Ｎ）ｌａＯＨ）混液処理浴の模式図、第３
図（ａ）〜（ｄ）は従来方法の工程断面図である。 ７は第１のレジストパターン、 ８は第３の絶縁膜、 ９Ａ、 ９Ｂはコンタクト窓に対応する開孔、１０は第
２のレジスト膜、 １１＾、１１Ｂは第１のコンタクト窓、１２は第３のレ
ジスト膜、 １３は開孔、 １４は第２のコンタクト窓、 １５Ａ 、 １５Ｂ 、 １５ＣはＡ１配線１０４ は
Ｃｒ５ｉＯ膜 を示す。 図において、 １はｐ”型Ｓｉ基板、 ２はｎ゛型領領域 ３は第１のｗＡ縁膜、 ４はＣｒ５ｉＯ膜抵抗パターン、 ５は第２の絶縁膜、 ６は不導体膜、 第 図（ｆの１〕 第 図（ｆの２）
、第２図は本発明の一実施例に用いた ［Ｈ２０□＋Ｎ）ｌａＯＨ）混液処理浴の模式図、第３
図（ａ）〜（ｄ）は従来方法の工程断面図である。 ７は第１のレジストパターン、 ８は第３の絶縁膜、 ９Ａ、 ９Ｂはコンタクト窓に対応する開孔、１０は第
２のレジスト膜、 １１＾、１１Ｂは第１のコンタクト窓、１２は第３のレ
ジスト膜、 １３は開孔、 １４は第２のコンタクト窓、 １５Ａ 、 １５Ｂ 、 １５ＣはＡ１配線１０４ は
Ｃｒ５ｉＯ膜 を示す。 図において、 １はｐ”型Ｓｉ基板、 ２はｎ゛型領領域 ３は第１のｗＡ縁膜、 ４はＣｒ５ｉＯ膜抵抗パターン、 ５は第２の絶縁膜、 ６は不導体膜、 第 図（ｆの１〕 第 図（ｆの２）
Claims (2)
- （１）半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程、 該第１の絶縁膜上に抵抗体となる金属シリサイド膜を形
成する工程、 該金属シリサイド膜上に第２の絶縁膜を形成する工程、 該第２の絶縁膜と金属シリサイド膜を抵抗パターンの形
状に同時にパターニングする工程、全面に第３の絶縁膜
を形成する工程、 該第３及び第２の絶縁膜を貫通して該金属シリサイド膜
パターンの上面を表出する第１のコンタクト窓を形成す
る工程、 過酸化水素とアンモニアを含む水溶液による煮沸処理に
より該第１のコンタクト窓内に表出する該金属シリサイ
ド面を清浄化する工程、 該第１のコンタクト窓内に表出する金属シリサイド面か
ら該第３の絶縁膜上に延在する金属配線を形成する工程
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）請求項１記載の該金属シリサイド面を清浄化する
工程の後、 該第３の絶縁膜と第１の絶縁膜を貫いて半導体基板面を
表出する第２のコンタクト窓を形成する工程、 該第１のコンタクト窓内に表出する該金属シリサイド面
及び該第２のコンタクト窓内に表出する半導体基板面か
らそれぞれ第３の絶縁膜上に延在する金属配線を形成す
る工程 を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1137866A JPH033333A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1137866A JPH033333A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH033333A true JPH033333A (ja) | 1991-01-09 |
Family
ID=15208565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1137866A Pending JPH033333A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH033333A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261237A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP1137866A patent/JPH033333A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261237A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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