JPH0334065Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0334065Y2 JPH0334065Y2 JP13891784U JP13891784U JPH0334065Y2 JP H0334065 Y2 JPH0334065 Y2 JP H0334065Y2 JP 13891784 U JP13891784 U JP 13891784U JP 13891784 U JP13891784 U JP 13891784U JP H0334065 Y2 JPH0334065 Y2 JP H0334065Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- bias
- wire
- connector
- Prior art date
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- Expired
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
この考案は、多極コネクタから半導体素子まで
のバイアス系の一部を、金またはアルミニウムの
ワイヤで接続し、このワイヤに電気ヒユーズの機
能を持たせたマイクロ波集積回路に関するもので
ある。
のバイアス系の一部を、金またはアルミニウムの
ワイヤで接続し、このワイヤに電気ヒユーズの機
能を持たせたマイクロ波集積回路に関するもので
ある。
従来この種の装置として、例えば第１図に示す
ものがあつた。図において、１はマイクロ波基
板、２はこの基板１に形成された導体パターン、
３は電界効果トランジスタ、４は上記基板１を筐
体５に実装、固定するためのキヤリア、５は筐
体、６はRF信号入出力用の同軸コネクタ、７は
上記電界効果トランジスタ３にバイアスを印加す
るための多極コネクタ、８はこの多極コネクタ７
と上記導体パターン２とを接続するリード線であ
る。
ものがあつた。図において、１はマイクロ波基
板、２はこの基板１に形成された導体パターン、
３は電界効果トランジスタ、４は上記基板１を筐
体５に実装、固定するためのキヤリア、５は筐
体、６はRF信号入出力用の同軸コネクタ、７は
上記電界効果トランジスタ３にバイアスを印加す
るための多極コネクタ、８はこの多極コネクタ７
と上記導体パターン２とを接続するリード線であ
る。
次に動作について説明する。多極コネクタ７か
らゲート用バイアス及びドレイン用バイアスが、
リード線８を経て、基板１上に形成された導体パ
ターン２のバイアス端子に供給され、電界効果ト
ランジスタのゲート端子およびドレイン端子にそ
れぞれ印加される。こうして電界効果トランジス
タを動作させることによつて、同軸コネクタ６ａ
より入力されたRF信号を増幅し、同軸コネクタ
６ｂより出力する。
らゲート用バイアス及びドレイン用バイアスが、
リード線８を経て、基板１上に形成された導体パ
ターン２のバイアス端子に供給され、電界効果ト
ランジスタのゲート端子およびドレイン端子にそ
れぞれ印加される。こうして電界効果トランジス
タを動作させることによつて、同軸コネクタ６ａ
より入力されたRF信号を増幅し、同軸コネクタ
６ｂより出力する。
従来のマイクロ波集積回路は以上のように構成
されているので、外部から規定値以上のバイアス
が多極コネクタに供給されると、それがそのまゝ
電界効果トランジスタに印加され、破損もしくは
劣化を生ずるという欠点があつた。
されているので、外部から規定値以上のバイアス
が多極コネクタに供給されると、それがそのまゝ
電界効果トランジスタに印加され、破損もしくは
劣化を生ずるという欠点があつた。
この考案は上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、リード線の代りに
金又はアルミニウムのワイヤで接続することによ
り、規定値以上のバイアス入力に対し電界効果ト
ランジスタを保護することができるマイクロ波集
積回路を提供するものである。
去するためになされたもので、リード線の代りに
金又はアルミニウムのワイヤで接続することによ
り、規定値以上のバイアス入力に対し電界効果ト
ランジスタを保護することができるマイクロ波集
積回路を提供するものである。
以下、この考案の一実施例を図について説明す
る。第２図において、第１図と同一符号のものは
同一又は相当部分を示す。
る。第２図において、第１図と同一符号のものは
同一又は相当部分を示す。
８は金ワイヤである。
次に動作について説明する。動作は従来のもの
と同じであるが、外部から規定値以上のバイアス
が多極コネクタに供給された場合、金ワイヤが溶
融しバイアス回路は開放となる。即ち、金ワイヤ
が電気ヒユーズと同じ役目をすることによつて、
電界効果トランジスタを保護できるものである。
と同じであるが、外部から規定値以上のバイアス
が多極コネクタに供給された場合、金ワイヤが溶
融しバイアス回路は開放となる。即ち、金ワイヤ
が電気ヒユーズと同じ役目をすることによつて、
電界効果トランジスタを保護できるものである。
なお、上記実施例では多極コネクタと導体パタ
ーンとを金ワイヤを用いて接続した場合について
説明したが、アルミニウムあるいは他の金属のワ
イヤでもよく、上記実施例と同様の効果を奏す
る。
ーンとを金ワイヤを用いて接続した場合について
説明したが、アルミニウムあるいは他の金属のワ
イヤでもよく、上記実施例と同様の効果を奏す
る。
以上のように、この考案によれば多極コネクタ
から半導体素子に到るバイアス系の一部を金又は
アルミニウムのワイヤで接続し、このワイヤに電
気ヒユーズの役目をも持たせるようにしたので、
構成が簡単で、しかも安価な保護機能を備えたマ
イクロ波集積回路を提供することができる効果を
有する。
から半導体素子に到るバイアス系の一部を金又は
アルミニウムのワイヤで接続し、このワイヤに電
気ヒユーズの役目をも持たせるようにしたので、
構成が簡単で、しかも安価な保護機能を備えたマ
イクロ波集積回路を提供することができる効果を
有する。
第１図は従来のマイクロ波集積回路の外観図、
第２図はこの考案の一実施例によるマイクロ波集
積回路の外観図である。 １……基板、２……導体パターン、３……電界
効果トランジスタ、４……キヤリア、５……筐
体、６……同軸コネクタ、７……多極コネクタ、
８……金ワイヤ。なお、図中、同一符号は同一、
又は相当部分を示す。
第２図はこの考案の一実施例によるマイクロ波集
積回路の外観図である。 １……基板、２……導体パターン、３……電界
効果トランジスタ、４……キヤリア、５……筐
体、６……同軸コネクタ、７……多極コネクタ、
８……金ワイヤ。なお、図中、同一符号は同一、
又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 電界効果トランジスタを含む電子部品が内蔵さ
れたマイクロ波集積回路において、その外部コネ
クタを介して上記電界効果トランジスタに内部接
続されるバイアス印加用リードを金ワイヤで形成
したことを特徴とするマイクロ波集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13891784U JPH0334065Y2 (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13891784U JPH0334065Y2 (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6153947U JPS6153947U (ja) | 1986-04-11 |
| JPH0334065Y2 true JPH0334065Y2 (ja) | 1991-07-18 |
Family
ID=30697308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13891784U Expired JPH0334065Y2 (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0334065Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7554742B2 (ja) | 2018-07-03 | 2024-09-20 | マレンゴ・セラピューティクス，インコーポレーテッド | 抗ｔｃｒ抗体分子およびその使用 |
-
1984
- 1984-09-13 JP JP13891784U patent/JPH0334065Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6153947U (ja) | 1986-04-11 |
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