JPH0335829B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0335829B2 JPH0335829B2 JP56165033A JP16503381A JPH0335829B2 JP H0335829 B2 JPH0335829 B2 JP H0335829B2 JP 56165033 A JP56165033 A JP 56165033A JP 16503381 A JP16503381 A JP 16503381A JP H0335829 B2 JPH0335829 B2 JP H0335829B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- circuit device
- characteristic detection
- contact
- bonding pads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集積回路装置のデータ集積方法に関
する。
する。
従来、集積回路装置は、第１図に示す如く、半
導体ウエハ１に形成された多数の集積回路素子チ
ツプ２とこれらの集積回路素子チツプ２間の所定
領域に形成されたモニター素子チツプ３とで構成
されている。而して、このような集積回路装置４
のIC特性と素子特性は次のようにして検査され
ている。IC特性のチエツクは、集積回路素子チ
ツプ２に形成された所定のボンデイングパツドに
当接されるIC特性検出針を備えたプローブカー
ドを、集積回路装置４上にこれを覆うように載置
し、IC特性検出針の当接された所定のボンデイ
ングパツドを利用して順次各々のボンデイングパ
ツドに通電を施して集積回路装置４ごとに行つて
いる。一方、素子特性の検査は、１ロツト内で製
造された集積回路装置４の幾つかを採り出し、
IC特性のチエツクとは別個に行つている。
導体ウエハ１に形成された多数の集積回路素子チ
ツプ２とこれらの集積回路素子チツプ２間の所定
領域に形成されたモニター素子チツプ３とで構成
されている。而して、このような集積回路装置４
のIC特性と素子特性は次のようにして検査され
ている。IC特性のチエツクは、集積回路素子チ
ツプ２に形成された所定のボンデイングパツドに
当接されるIC特性検出針を備えたプローブカー
ドを、集積回路装置４上にこれを覆うように載置
し、IC特性検出針の当接された所定のボンデイ
ングパツドを利用して順次各々のボンデイングパ
ツドに通電を施して集積回路装置４ごとに行つて
いる。一方、素子特性の検査は、１ロツト内で製
造された集積回路装置４の幾つかを採り出し、
IC特性のチエツクとは別個に行つている。
而して、IC特性が不良と判定された集積回路
装置４内、不良と判定された集積回路チツプ２
は、インク或いは瑕を印され後の工程で除去され
る。また、素子特性の結果は、工程管理用のフイ
ードバツクデータとして処理される。しかしなが
ら、このような集積回路装置のデータ集積方法で
は、IC特性チエツクと素子特性チエツクの二工
程を必要とし作業性が悪い。また、素子特性チエ
ツクは抜き取り検査であるため、十分な工程管理
データを得ることができない欠点があつた。
装置４内、不良と判定された集積回路チツプ２
は、インク或いは瑕を印され後の工程で除去され
る。また、素子特性の結果は、工程管理用のフイ
ードバツクデータとして処理される。しかしなが
ら、このような集積回路装置のデータ集積方法で
は、IC特性チエツクと素子特性チエツクの二工
程を必要とし作業性が悪い。また、素子特性チエ
ツクは抜き取り検査であるため、十分な工程管理
データを得ることができない欠点があつた。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、
IC特性のチエツクと素子特性のチエツクとを一
走査工程で行い作業性を向上することができると
共に、豊富な工程管理データを容易に得ることが
できる集積回路装置のデータ集積方法を見出だし
たものである。
IC特性のチエツクと素子特性のチエツクとを一
走査工程で行い作業性を向上することができると
共に、豊富な工程管理データを容易に得ることが
できる集積回路装置のデータ集積方法を見出だし
たものである。
以下、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
第２図Ａ，Ｂは、後述する集積回路装置の要部
をより詳しく示す説明図である。すなわち、第２
図Ａは、第３図の集積回路装置の１つの集積回路
素子チツプ１０を拡大して示す説明図、第２図Ｂ
は、第３図の集積回路装置の１つのモニター素子
チツプ１１を拡大して示す説明図である。この集
積回路素子チツプ１０に形成されたIC特性チエ
ツク用のボンデイングパツド１０ａの配列に対応
してIC特性検出針を有し、かつ、モニター素子
チツプ１１に形成された素子特性チエツク用のボ
ンデイングパツド１１ａの配列に対応して素子特
性検出針を有するプローブカードを用意する。
をより詳しく示す説明図である。すなわち、第２
図Ａは、第３図の集積回路装置の１つの集積回路
素子チツプ１０を拡大して示す説明図、第２図Ｂ
は、第３図の集積回路装置の１つのモニター素子
チツプ１１を拡大して示す説明図である。この集
積回路素子チツプ１０に形成されたIC特性チエ
ツク用のボンデイングパツド１０ａの配列に対応
してIC特性検出針を有し、かつ、モニター素子
チツプ１１に形成された素子特性チエツク用のボ
ンデイングパツド１１ａの配列に対応して素子特
性検出針を有するプローブカードを用意する。
このプローブカードには、予め所定の集積回路
素子チツプ１０の配列順に、順次IC特性のチエ
ツクを行い、かつ、所定のモニター素子チツプ１
１にきたところで素子特性のチエツクが行われる
ように特性チエツクのプログラムを組んでおく。
素子チツプ１０の配列順に、順次IC特性のチエ
ツクを行い、かつ、所定のモニター素子チツプ１
１にきたところで素子特性のチエツクが行われる
ように特性チエツクのプログラムを組んでおく。
次いで、このプローブカードを集積回路装置
に、IC特性検出針が所定の集積回路素子チツプ
１０のボンデイングバツド１０ａに当接されるよ
うに載置し、第３図に示す如く、前述のプログラ
ムに従つて所定のIC特性検出針から順次チエツ
クを開始し、IC特性のチエツクを行う。
に、IC特性検出針が所定の集積回路素子チツプ
１０のボンデイングバツド１０ａに当接されるよ
うに載置し、第３図に示す如く、前述のプログラ
ムに従つて所定のIC特性検出針から順次チエツ
クを開始し、IC特性のチエツクを行う。
次いで、プログラムに従つてモニター素子チツ
プ１１のボンデイングパツド１１ａに当接された
素子特性検出針のところにチエツクの順番がくる
と、素子特性のチエツクをこの素子特性検出針が
行う。
プ１１のボンデイングパツド１１ａに当接された
素子特性検出針のところにチエツクの順番がくる
と、素子特性のチエツクをこの素子特性検出針が
行う。
以下、同様の操作を繰り返して１枚の半導体ウ
エハに形成された集積回路のIC特性のチエツク
と素子特性のチエツクを１つのプローブカードに
形成された素子特性検出針とＩ特性検出針による
一走査工程で行うことができる。その結果、作業
性を向上させることができる。しかも、IC特性
及び素子特性のチエツクは、ロツトごとの集積回
路装置の全てについて行うことができるので、豊
富な工程管理データを得ることができる。
エハに形成された集積回路のIC特性のチエツク
と素子特性のチエツクを１つのプローブカードに
形成された素子特性検出針とＩ特性検出針による
一走査工程で行うことができる。その結果、作業
性を向上させることができる。しかも、IC特性
及び素子特性のチエツクは、ロツトごとの集積回
路装置の全てについて行うことができるので、豊
富な工程管理データを得ることができる。
なお、本発明における集積回路装置とは、チツ
プ自体の配線を組んで、入力を入れた場合に出力
がでてくる装置をいい、集積回路素子とは、配線
を組まない単体のトランジスタ等の能動領域をい
う。また、IC特性とは、実際の入力信号を入れ
て出力信号を見た場合の特性をいう。IC特性検
出針は、IC特性を測定するためのものであり、
素子特性検出針は、素子特性を測定するためのも
のである。
プ自体の配線を組んで、入力を入れた場合に出力
がでてくる装置をいい、集積回路素子とは、配線
を組まない単体のトランジスタ等の能動領域をい
う。また、IC特性とは、実際の入力信号を入れ
て出力信号を見た場合の特性をいう。IC特性検
出針は、IC特性を測定するためのものであり、
素子特性検出針は、素子特性を測定するためのも
のである。
以上説明した如く、本発明にかかる集積回路装
置にデータ集積方法によれば、集積回路装置の素
子特性チエツク工程とIC特性チエツク工程をプ
ローブカードによる一走査工程で行うことができ
るので、作業性を向上できると共に、全ての集積
回路装置素子特性のチエツクと集積回路特性のチ
エツクをして豊富な工程管理データを容易に得る
ことができる等顕著な効果を有するものである。
置にデータ集積方法によれば、集積回路装置の素
子特性チエツク工程とIC特性チエツク工程をプ
ローブカードによる一走査工程で行うことができ
るので、作業性を向上できると共に、全ての集積
回路装置素子特性のチエツクと集積回路特性のチ
エツクをして豊富な工程管理データを容易に得る
ことができる等顕著な効果を有するものである。
第１図は、従来の集積回路装置の集積回路素子
チツプとモニター素子チツプの配置を示す平面
図、第２図Ａは、本発明が適用される集積回路装
置の１つの集積回路素子チツプを拡大して示す説
明図、第２図Ｂは、同集積回路装置の１つのモニ
ター素子チツプを拡大して示す説明図、第３図
は、本発明が適用される集積回路装置の平面図で
ある。 １０……集積回路素子チツプ、１１……モニタ
ー素子チツプ、１２……素子特性検出針。
チツプとモニター素子チツプの配置を示す平面
図、第２図Ａは、本発明が適用される集積回路装
置の１つの集積回路素子チツプを拡大して示す説
明図、第２図Ｂは、同集積回路装置の１つのモニ
ター素子チツプを拡大して示す説明図、第３図
は、本発明が適用される集積回路装置の平面図で
ある。 １０……集積回路素子チツプ、１１……モニタ
ー素子チツプ、１２……素子特性検出針。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数個の集積回路素子チツプとモニター素子
チツプを半導体ウエハの所定領域に形成してなる
集積回路装置のIC特性及び素子特性をチエツク
する集積回路装置のデータ集積方法において、集
積回路素子チツプのボンデイングパツドと同じ配
置のIC特性検出針を有し、かつ、モニター素子
チツプのボンデイングパツドと同じ配置の素子特
性検出針を有するプローブカードを、前記集積回
路素子チツプと前記モニター素子チツプの配列に
沿つて走査し、 該走査の際に前記IC特性検出針は前記集積回
路素子チツプのボンデイングパツドに順次当接さ
せ、前記素子特性検出針は前記モニター素子チツ
プのボンデイングパツドに順次当接させて、 該一連の当接操作を経て前記集積回路装置の
IC特性及び素子特性を一走査工程でチエツクす
ること、 を特徴とする集積回路装置のデータ集積方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165033A JPS5866339A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 集積回路装置のデ−タ集積方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165033A JPS5866339A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 集積回路装置のデ−タ集積方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866339A JPS5866339A (ja) | 1983-04-20 |
| JPH0335829B2 true JPH0335829B2 (ja) | 1991-05-29 |
Family
ID=15804554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56165033A Granted JPS5866339A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 集積回路装置のデ−タ集積方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866339A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5240075A (en) * | 1975-09-26 | 1977-03-28 | Seiko Epson Corp | Wafer prober |
| JPS53141584A (en) * | 1977-05-17 | 1978-12-09 | Fujitsu Ltd | Measuring instrument of semiconductor device |
-
1981
- 1981-10-16 JP JP56165033A patent/JPS5866339A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5866339A (ja) | 1983-04-20 |
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