JPH0574895A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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Publication number
JPH0574895A
JPH0574895A JP3230538A JP23053891A JPH0574895A JP H0574895 A JPH0574895 A JP H0574895A JP 3230538 A JP3230538 A JP 3230538A JP 23053891 A JP23053891 A JP 23053891A JP H0574895 A JPH0574895 A JP H0574895A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test
shift registers
semiconductor integrated
integrated circuit
circuit device
Prior art date
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Pending
Application number
JP3230538A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Matsumaru
賢一 松丸
Naoto Yamada
直人 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPH0574895A publication Critical patent/JPH0574895A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】自己試験回路を内蔵してなるLSIに関し、良
否判定のみならず、不良が生じた際の原因解析をも容易
に行うことができるようにする。 【構成】LFSR51〜514の出力を、素子形成面2の
周辺部内側に設けられたパッド92〜94、96〜98、9
10〜912、914〜916、919、920を介して得るように
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置
(以下、LSIという)中、自己試験回路を内蔵してな
る、いわゆるBIST(Built In Self Test)方式を採
用するLSIに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のLSIとして、図3にそ
の平面図を示すようなものが広く知られている。
【0003】図中、1はLSI本体、2は素子形成面、
3は素子形成面2の周辺部に形成された入出力回路、4
1〜48は素子形成面2の周辺部内側に形成された被試験
回路である機能ブロックである。
【0004】また、51〜514は試験用のシフトレジス
タであるリニア・フィードバック・シフトレジスタ(li
near feedback shift register.以下、LFSRとい
う)、6はマルチプレクサ、7は試験を制御する試験制
御回路(BIST制御回路)である。
【0005】ここに、LFSR51〜514は、5個のグ
ループに区分され、シフトレジスタ列81〜85を構成し
ている。シフトレジスタ列81は、LFSR51〜53
直列回路からなるものであり、シフトレジスタ列8
2は、LFSR54〜56の直列回路からなるものであ
る。
【0006】また、シフトレジスタ列83は、LFSR
7〜59の直列回路からなるものであり、シフトレジス
タ列84は、LFSR510〜512の直列回路からなるも
のである。また、シフトレジスタ列85は、LFSR5
13、514の直列回路からなるものである。
【0007】このLSIは、試験制御回路7に対して、
外部から、種々の試験モードを指定するモード指定信
号、試験データ、試験に必要なスキャン・クロックを供
給し、シフトレジスタ列81〜85から出力される圧縮さ
れたテスト結果をマルチプレクサ6を介して外部に出力
するというものである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】かかる従来のLSIに
おいては、シフトレジスタ列81〜85ごとに圧縮された
試験結果を得ることができるので、良否判定を容易に行
うことができるが、見方を変えれば、シフトレジスタ列
1〜85ごとに圧縮されたテスト結果しか得られないた
め、不良が生じた際の原因解析が困難であるという問題
点があった。
【0009】本発明は、かかる点に鑑み、良否判定のみ
ならず、不良が生じた際の原因解析をも容易に行うこと
ができるようにしたLSIを提供することを目的とす
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明によるLSIは、
基板の素子形成面の周辺部内側に被試験回路と共に試験
用の複数のシフトレジスタを形成してなる半導体集積回
路装置を改良するものであり、試験用の複数のシフトレ
ジスタに対応させて素子形成面の周辺部内側の所望位置
に外部回路との接続を図るためのパッドを設け、試験用
の複数のシフトレジスタの出力端子を、それぞれ、対応
するパッドに接続して構成するというものである。
【0011】
【作用】本発明においては、試験用の複数のシフトレジ
スタの出力端子を、それぞれ、対応するパッドに接続す
るとしているので、これらパッドを介して、試験中に、
試験用の複数のシフトレジスタの出力を観測することが
できる。
【0012】
【実施例】以下、図1及び図2を参照して、本発明の第
1実施例及び第2実施例について説明する。なお、これ
ら図1及び図2において、図3に対応する部分には同一
符号を付し、その重複説明は省略する。
【0013】第1実施例・・図1 図1は本発明の第1実施例を示す平面図である。この第
1実施例においては、LFSR51〜514によって構成
されているシフトレジスタ列81〜85は、試験制御回路
7によってパラレルスキャンできるようにされている。
【0014】また、この第1実施例においては、素子形
成面2の周辺部内側にLFSR51〜514に対応させて
外部回路との接続を図るためのパッド91〜920をマト
リクス状に設け、LFSR51〜514の出力端子を、そ
れぞれ、パッド92〜94、96〜98、910〜912、914
〜916、919、920に接続し、LFSR51〜514の出
力を、それぞれ、パッド92〜94、96〜98、910〜9
12、914〜916、919、920を介して得られるように構
成されている。
【0015】したがって、この第1実施例においては、
図3に示す従来のLSIが備えているマルチプレクサ6
を設けていない。その他については、図3に示す従来の
LSIと同様に構成されている。
【0016】かかる第1実施例によれば、LFSR51
〜514をパラレルスキャンすると、試験中に、LFSR
1〜514の出力を得、これを観測することができるの
で、良否判定のみならず、不良が生じた際の原因解析を
も容易に行うことができる。
【0017】第2実施例・・図2 図2は本発明の第2実施例を示す平面図である。この第
2実施例においては、LFSR51〜514は、直列接続
されており、試験制御回路7によって、これらLFSR
1〜514をシリアルスキャンできるように構成されて
いる。
【0018】また、この第2実施例においても、素子形
成面2の周辺部内側にLFSR51〜514に対応させて
外部回路との接続を図るためのパッド91〜920がマト
リクス状に設けられている。
【0019】但し、この第2実施例においては、LFS
R51〜514の出力端子は、それぞれ、パッド92
7 、910〜915、919、920に接続され、LFSR5
1〜514の出力を、それぞれ、パッド92〜97 、910
15、919、920を介して得られるように構成されてい
る。その他については、第1実施例と同様に構成されて
いる。
【0020】かかる第2実施例によれば、LFSR51
〜514をシリアルスキャンすると、試験中に、LFSR
1〜514の出力を得、これを観測することができるの
で、第1実施例の場合と同様、良否判定のみならず、不
良が生じた際の原因解析をも容易に行うことができる。
【0021】
【発明の効果】本発明によれば、試験用の複数のシフト
レジスタに対応させて素子形成面の周辺部内側の所望位
置に外部回路との接続を図るためのパッドを設け、試験
用の複数のシフトレジスタの出力端子を、それぞれ、対
応するパッドに接続するという構成を採用したことによ
り、試験中に、試験用の複数のシフトレジスタの出力を
観測することができるので、良否判定のみならず、不良
が生じた際の原因解析をも容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示す平面図である。
【図2】本発明の第2実施例を示す平面図である。
【図3】従来の半導体集積回路装置の一例を示す平面図
である。
【符号の説明】
1 LSI本体 2 素子形成面 3 入出力回路 41〜48 機能ブロック 51〜514 リニア・フィードバック・シフトレジスタ
(LFSR) 7 試験制御回路(BIST制御回路) 91〜920 パッド

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板の素子形成面の周辺部内側に被試験回
    路と共に試験用の複数のシフトレジスタを形成してなる
    半導体集積回路装置において、 前記試験用の複数のシフトレジスタに対応させて前記素
    子形成面の周辺部内側の所望位置に外部回路との接続を
    図るためのパッドを設け、前記試験用の複数のシフトレ
    ジスタの出力端子を、それぞれ、対応するパッドに接続
    して構成されていることを特徴とする半導体集積回路装
    置。
  2. 【請求項2】前記試験用の複数のシフトレジスタは、一
    又は直列接続された複数のシフトレジスタからなる複数
    のシフトレジスタ列を構成しており、該複数のシフトレ
    ジスタ列をパラレルスキャンできるように構成されてい
    ることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装
    置。
  3. 【請求項3】前記試験用の複数のシフトレジスタは、直
    列接続され、前記試験用の複数のシフトレジスタをシリ
    アルスキャンできるように構成されていることを特徴と
    する請求項1記載の半導体集積回路装置。
JP3230538A 1991-09-10 1991-09-10 半導体集積回路装置 Pending JPH0574895A (ja)

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JP3230538A JPH0574895A (ja) 1991-09-10 1991-09-10 半導体集積回路装置

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JP3230538A JPH0574895A (ja) 1991-09-10 1991-09-10 半導体集積回路装置

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JPH0574895A true JPH0574895A (ja) 1993-03-26

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ID=16909325

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JP3230538A Pending JPH0574895A (ja) 1991-09-10 1991-09-10 半導体集積回路装置

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Effective date: 20010703