JPH0340504A - 包絡線検波回路 - Google Patents
包絡線検波回路Info
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- JPH0340504A JPH0340504A JP1174720A JP17472089A JPH0340504A JP H0340504 A JPH0340504 A JP H0340504A JP 1174720 A JP1174720 A JP 1174720A JP 17472089 A JP17472089 A JP 17472089A JP H0340504 A JPH0340504 A JP H0340504A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は移動体通信機器などの無線通信機器で用いられ
る包絡線検波回路に関するものである。
る包絡線検波回路に関するものである。
従来の技術
第６図に従来の包絡線検波回路の構成を示す。
第６図において、包絡線検波回路６１は高周波入力、端
子６２と検波電圧端子６３を持ち、ダイオード検波器６
５と固定抵抗負荷７０から構成される。ダイオード検波
器６５は、ＤＣブロック用コンデンサ６９と検波用ダイ
オード６６、６７と高周波接地用コンデンサ６８から構
成される。固定抵抗負荷７０は固定抵抗器６０から構成
される。
子６２と検波電圧端子６３を持ち、ダイオード検波器６
５と固定抵抗負荷７０から構成される。ダイオード検波
器６５は、ＤＣブロック用コンデンサ６９と検波用ダイ
オード６６、６７と高周波接地用コンデンサ６８から構
成される。固定抵抗負荷７０は固定抵抗器６０から構成
される。
高周波入力端子６２より入力した高周波信号はダイオー
ド検波器６５で検波され、入力電力に比例した検波電流
１ｄが接地端子６４に発生する。この検波電流（Ｉｄ）
は、抵抗負荷７０の固定抵抗器６０（ＲΩ）に流れ、検
波電圧（Ｖｄ）が検波電圧端子６３から出力される。
ド検波器６５で検波され、入力電力に比例した検波電流
１ｄが接地端子６４に発生する。この検波電流（Ｉｄ）
は、抵抗負荷７０の固定抵抗器６０（ＲΩ）に流れ、検
波電圧（Ｖｄ）が検波電圧端子６３から出力される。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のような構成では、ある決められた
範囲の検波電圧に対する高周波入力電力のダイナ逅ツク
・レンジが大きくとれないという問題点がある。その理
由は、抵抗負荷７０を構成する固定抵抗器６０の値が固
定であるために、検波電圧（Ｖｄ）は、高周波入力電力
の平方根にほぼ比例した値になるからである。例えば、
検波電圧の範囲を１０ｄＢに限定すると、この範囲に対
する高周波入力電力のダイナミンクレンジは、たかだか
２０ｄＢＬかとれないことになる。
範囲の検波電圧に対する高周波入力電力のダイナ逅ツク
・レンジが大きくとれないという問題点がある。その理
由は、抵抗負荷７０を構成する固定抵抗器６０の値が固
定であるために、検波電圧（Ｖｄ）は、高周波入力電力
の平方根にほぼ比例した値になるからである。例えば、
検波電圧の範囲を１０ｄＢに限定すると、この範囲に対
する高周波入力電力のダイナミンクレンジは、たかだか
２０ｄＢＬかとれないことになる。
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、高周波入力電力の
ダイナミックレンジの広い包絡線検波回路を提供するこ
とを目的としている。
ダイナミックレンジの広い包絡線検波回路を提供するこ
とを目的としている。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明の包絡線検波回路は、
負荷回路に非直線抵抗負荷を用いたものである。
負荷回路に非直線抵抗負荷を用いたものである。
作用
本発明は上記した構成により、非直線抵抗負荷に流れる
検波電流にともない抵抗値が変化し、その結果、広範囲
の高周波入力に対し検波電圧の変化量を小さくすること
が可能となる。
検波電流にともない抵抗値が変化し、その結果、広範囲
の高周波入力に対し検波電圧の変化量を小さくすること
が可能となる。
実施例
以下、本発明の実施例の構成について、図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第１図は本発明の第１の実施例における包絡線検波回路
のブロック図である。第１図において、１１は包絡線検
波回路、１２は高周波入力端子、１３は検波電圧端子、
１４は接続端子、１５はダイオード検波器、１６は非直
線抵抗負荷である。高周波入力端子１２より入力した高
周波信号はダイオード検波器１５で検波され、入力電力
に比例した検波電流１ｄが接続端子１４に発生する。こ
の検波電流１ｄは、非直線抵抗負荷１６に流れるが、こ
の時、非直線抵抗負荷１６は流れる電流によって抵抗値
が変化する。
のブロック図である。第１図において、１１は包絡線検
波回路、１２は高周波入力端子、１３は検波電圧端子、
１４は接続端子、１５はダイオード検波器、１６は非直
線抵抗負荷である。高周波入力端子１２より入力した高
周波信号はダイオード検波器１５で検波され、入力電力
に比例した検波電流１ｄが接続端子１４に発生する。こ
の検波電流１ｄは、非直線抵抗負荷１６に流れるが、こ
の時、非直線抵抗負荷１６は流れる電流によって抵抗値
が変化する。
そして、検波電圧端子１３には非直線抵抗負荷１６に流
れる電流とその電流値によって決まる抵抗値に従った検
波電圧が発生する。すなわち、高周波入力電力が小さい
場合には、検波電流Ｉｄが小さく、非直線抵抗負荷１６
の抵抗値は大きくなり、検波電圧端子１３に発生する検
波電圧も比較的大きな値となる。さらに、高周波入力電
力が大きくなると、検波電流１ｄが増加するが、非直線
抵抗負荷１６の抵抗値は小さくなり、検波電圧端子１３
に発生する検波電圧が大きく変化しない様に抑えられる
。この特性を第２図に示す。
れる電流とその電流値によって決まる抵抗値に従った検
波電圧が発生する。すなわち、高周波入力電力が小さい
場合には、検波電流Ｉｄが小さく、非直線抵抗負荷１６
の抵抗値は大きくなり、検波電圧端子１３に発生する検
波電圧も比較的大きな値となる。さらに、高周波入力電
力が大きくなると、検波電流１ｄが増加するが、非直線
抵抗負荷１６の抵抗値は小さくなり、検波電圧端子１３
に発生する検波電圧が大きく変化しない様に抑えられる
。この特性を第２図に示す。
第２図において、横軸は高周波入力端子１２に入力され
る高周波入力電力、縦軸は検波電圧端子１３に発生する
検波電圧、２１は本発明の包絡線検波回路の特性、２２
．２３．２４は従来の包絡線検波回路の特性で、それぞ
れ固定の負荷抵抗値が大、中、小の場合を示している。
る高周波入力電力、縦軸は検波電圧端子１３に発生する
検波電圧、２１は本発明の包絡線検波回路の特性、２２
．２３．２４は従来の包絡線検波回路の特性で、それぞ
れ固定の負荷抵抗値が大、中、小の場合を示している。
第２図より、ある検波電圧範囲Δ■に対する高周波入力
電力範囲ΔＰが本発明によって拡大されていることは明
らかである。
電力範囲ΔＰが本発明によって拡大されていることは明
らかである。
次に本発明の第２の実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第３図は本発明の第２の実施例における包絡線検波回路
のブロック図である。第３図において、３１は包絡線検
波回路、３２は高周波入力端子、３３は検波電圧端子、
３４は接続端子、３５はダイオード検波器、３６は非直
接抵抗負荷、３７はバイアス端子である。高周波入力端
子３２より入力した高周波信号はダイオード検波器３５
で検波され、入力電力に比例した検波電流１ｄが接続端
子３４に発生する。この検波電流１ｄは、非直線抵抗負
荷３６に流れるが、この時、非直線抵抗負荷３６は流れ
る電流によって抵抗値が変化する。そして、検波電圧端
子３３には非直線抵抗負荷３６に流れる電流とその電流
値によって決まる抵抗値に従った検波電圧が発生する。
のブロック図である。第３図において、３１は包絡線検
波回路、３２は高周波入力端子、３３は検波電圧端子、
３４は接続端子、３５はダイオード検波器、３６は非直
接抵抗負荷、３７はバイアス端子である。高周波入力端
子３２より入力した高周波信号はダイオード検波器３５
で検波され、入力電力に比例した検波電流１ｄが接続端
子３４に発生する。この検波電流１ｄは、非直線抵抗負
荷３６に流れるが、この時、非直線抵抗負荷３６は流れ
る電流によって抵抗値が変化する。そして、検波電圧端
子３３には非直線抵抗負荷３６に流れる電流とその電流
値によって決まる抵抗値に従った検波電圧が発生する。
すなわち、高周波入力電力が小さい場合には、検波電流
Ｉｄが小さく、非直線抵抗負荷３６の抵抗値は大きくな
り、検波電圧端子３３に発生する検波電圧も比較的大き
な値となる。さらに、高周波入力電力が大きくなると、
検波を流Ｉｄが増加するが、非直線抵抗負荷３６の抵抗
値は小さくなり、検波電圧端子３３に発生する検波電圧
が大きく変化しない様に抑えられる。また、ダイオード
の検波器３５はバイアス端子３７を有しており、このバ
イアス端子３７に外部よりバイアス電圧を加えることに
よりダイオード検波器３５のダイオードにバイアス電流
が流れる。このバイアス電流を流すことにより、高周波
入力端子３２より入力される高周波電力が小さい場合に
もより大きな検波電圧が発生するようになる。この特性
を第４図に示す。
Ｉｄが小さく、非直線抵抗負荷３６の抵抗値は大きくな
り、検波電圧端子３３に発生する検波電圧も比較的大き
な値となる。さらに、高周波入力電力が大きくなると、
検波を流Ｉｄが増加するが、非直線抵抗負荷３６の抵抗
値は小さくなり、検波電圧端子３３に発生する検波電圧
が大きく変化しない様に抑えられる。また、ダイオード
の検波器３５はバイアス端子３７を有しており、このバ
イアス端子３７に外部よりバイアス電圧を加えることに
よりダイオード検波器３５のダイオードにバイアス電流
が流れる。このバイアス電流を流すことにより、高周波
入力端子３２より入力される高周波電力が小さい場合に
もより大きな検波電圧が発生するようになる。この特性
を第４図に示す。
第４図において、横軸は高周波入力端子３２に入力され
る高周波人力電力、縦軸は検波電圧端子３３に発生する
検波電圧、４１は本発明の包絡線検波回路の特性、４２
．４３．４４はは従来の包絡線検波回路の特性でそれぞ
れ固定の負荷抵抗値が大、中、小の場合を示している。
る高周波人力電力、縦軸は検波電圧端子３３に発生する
検波電圧、４１は本発明の包絡線検波回路の特性、４２
．４３．４４はは従来の包絡線検波回路の特性でそれぞ
れ固定の負荷抵抗値が大、中、小の場合を示している。
第４図より、ある検波電圧範囲ΔＶに対する高周波入力
電力範囲ΔＰが本発明によって拡大されていることは明
らかである。
電力範囲ΔＰが本発明によって拡大されていることは明
らかである。
次に本発明の第３の実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第５図は、本発明の第３の実施例における包絡線検波回
路のブロック図である。第５図において、５１は包絡線
検波回路、５２は高周波入力端子、５３は検波電圧端子
、５４は接続端子、５５はダイオード検波器、５６は非
直線抵抗負荷、５７はバイアス端子、５５１、５５２は
検波用ダイオード、５５３はＤＣブロック用コンデンサ
、５５４．５５５は高周波接地用コンデンサ、５５６は
バイアス用チョークコイル、ｓｅｔ。
路のブロック図である。第５図において、５１は包絡線
検波回路、５２は高周波入力端子、５３は検波電圧端子
、５４は接続端子、５５はダイオード検波器、５６は非
直線抵抗負荷、５７はバイアス端子、５５１、５５２は
検波用ダイオード、５５３はＤＣブロック用コンデンサ
、５５４．５５５は高周波接地用コンデンサ、５５６は
バイアス用チョークコイル、ｓｅｔ。
５６２は非直線抵抗としてのダイオード、５６３．５６
４゜５６５は固定抵抗器である。高周波入力端子５２よ
り入力した高周波信号はダイオード検波器５５で検波さ
れ、入力電力に比例した検波電流１ｄが接続端子５４に
発生する。この検波電流１ｄは、非直線抵抗負荷５６に
流れるが、この時、非直線抵抗負荷５６の中のダイオー
ド５６Ｌ ５６２は流れる電流によってその抵抗値が変
化する。そして、検波電圧端子５３には・非直線抵抗５
６に流れるこむ電流と電流値によって決まるダイオード
５６１．５６２の抵抗値と固定抵抗器５６３．５６４．
５６５の抵抗値に従った検波電圧が発生する。すなわち
、高周波入力電力が小さい場合には、検波電流１ｄが小
さく、非直線抵抗負荷５６の抵抗値は大きくなり、検波
電圧端子５３に発生する検波電圧も比較的大きな値とな
る。さらに、高周波入力電力が大きくなると、検波電流
ｒｄが増加するが、非直線抵抗負荷５６の抵抗値は小さ
くなり、検波電圧端子５３に発生する検波電圧が大きく
変化しない様に抑えられる。また、ダイオード検波器５
５はバイアス端子５７を有しており、このバイアス端子
５７に外部よりバイアス電圧を加えることにより、ダイ
オード検波器５５のダイオード５５１゜５５２にバイア
ス電流が流れる。このバイアス電流を流すことにより、
高周波入力端子５２より入力される高周波電力が小さい
場合にも、より大きな検波電圧が発生するようになる。
４゜５６５は固定抵抗器である。高周波入力端子５２よ
り入力した高周波信号はダイオード検波器５５で検波さ
れ、入力電力に比例した検波電流１ｄが接続端子５４に
発生する。この検波電流１ｄは、非直線抵抗負荷５６に
流れるが、この時、非直線抵抗負荷５６の中のダイオー
ド５６Ｌ ５６２は流れる電流によってその抵抗値が変
化する。そして、検波電圧端子５３には・非直線抵抗５
６に流れるこむ電流と電流値によって決まるダイオード
５６１．５６２の抵抗値と固定抵抗器５６３．５６４．
５６５の抵抗値に従った検波電圧が発生する。すなわち
、高周波入力電力が小さい場合には、検波電流１ｄが小
さく、非直線抵抗負荷５６の抵抗値は大きくなり、検波
電圧端子５３に発生する検波電圧も比較的大きな値とな
る。さらに、高周波入力電力が大きくなると、検波電流
ｒｄが増加するが、非直線抵抗負荷５６の抵抗値は小さ
くなり、検波電圧端子５３に発生する検波電圧が大きく
変化しない様に抑えられる。また、ダイオード検波器５
５はバイアス端子５７を有しており、このバイアス端子
５７に外部よりバイアス電圧を加えることにより、ダイ
オード検波器５５のダイオード５５１゜５５２にバイア
ス電流が流れる。このバイアス電流を流すことにより、
高周波入力端子５２より入力される高周波電力が小さい
場合にも、より大きな検波電圧が発生するようになる。
さらに検波用ダイオード５５１．５５２と非直線抵抗と
してのダイオード５６１、５６２に同特性のダイオード
を用いることにより、ダイオードのばらつきによる特性
の変化を抑えることができる。
してのダイオード５６１、５６２に同特性のダイオード
を用いることにより、ダイオードのばらつきによる特性
の変化を抑えることができる。
発明の効果
以上のように本発明は、ダイオード検波器と非直線抵抗
負荷により包絡線検波回路を構成することにより、高周
波入力電力のダイナ壽ツク・レンジを大きくすることが
できる。
負荷により包絡線検波回路を構成することにより、高周
波入力電力のダイナ壽ツク・レンジを大きくすることが
できる。
第１図は本発明の第１の実施例における包絡線検波回路
のブロック図、第２図は本発明の第１の実施例における
包絡線検波回路の特性図、第３図は本発明の第２の実施
例における包絡線検波回路のプロ・ンク図、第４図は本
発明の第２の実施例における包絡線検波回路の特性図、
第５図は本発明の第３の実施例における包絡線検波回路
のブロック図、第６図は従来の包絡線検波回路のブロッ
ク図である。 １１、３１．５１・・・・・・包絡線検波回路、１２＋
３２＋ ５２・・・・・・高周波入力端子、１３．３
３．５３・・・・・・検波電圧端子、１４、３４．５４
・・・・・・接続端子、１５．３５．５５・・・・・・
ダイオード検波回路、１６．３６．５６・・・・・・非
直線抵抗負荷、５５１、５５２・・・・・・検波用ダイ
オード、５６１．５６２・・・・・・非直線抵抗負荷用
ダイオード、５５３・・・・・・ＤＣブロック用コンデ
ンサ、５５４．５５５・・・・・・高周波接地用コンデ
ンサ、５５６・・・・・・バイアス用チョークコイル、
５６３１ ５６４゜ ５６５・・・・・・固定抵抗器。
のブロック図、第２図は本発明の第１の実施例における
包絡線検波回路の特性図、第３図は本発明の第２の実施
例における包絡線検波回路のプロ・ンク図、第４図は本
発明の第２の実施例における包絡線検波回路の特性図、
第５図は本発明の第３の実施例における包絡線検波回路
のブロック図、第６図は従来の包絡線検波回路のブロッ
ク図である。 １１、３１．５１・・・・・・包絡線検波回路、１２＋
３２＋ ５２・・・・・・高周波入力端子、１３．３
３．５３・・・・・・検波電圧端子、１４、３４．５４
・・・・・・接続端子、１５．３５．５５・・・・・・
ダイオード検波回路、１６．３６．５６・・・・・・非
直線抵抗負荷、５５１、５５２・・・・・・検波用ダイ
オード、５６１．５６２・・・・・・非直線抵抗負荷用
ダイオード、５５３・・・・・・ＤＣブロック用コンデ
ンサ、５５４．５５５・・・・・・高周波接地用コンデ
ンサ、５５６・・・・・・バイアス用チョークコイル、
５６３１ ５６４゜ ５６５・・・・・・固定抵抗器。
Claims (5)
- （１）ダイオードとコンデンサから成り入力した高周波
信号に比例した検波電流を出力するダイオード検波器と
、前記ダイオード検波器の出力電流を入力とし流れる電
流によって抵抗値が変化する特性をもち、その特性に従
って検波電圧を出力する非直線抵抗負荷とから構成され
ることを特徴とする包絡線検波回路。 - （２）ダイオード検波器はバイアス端子を持ち、外部バ
イアス電圧によりダイオードにバイアス電流を流すこと
を特徴とする請求項（１）記載の包絡線検波回路。 - （３）非直線抵抗負荷はダイオードで構成されることを
特徴とする請求項（１）または（２）に記載の包絡線検
波回路。 - （４）非直線抵抗負荷はダイオードと固定抵抗器の組合
せで構成されることを特徴とする請求項（１）または（
２）に記載の包絡線検波回路。 - （５）ダイオード検波器を構成するダイオードと非直線
抵抗負荷を構成するダイオードが同特性のダイオードか
ら構成されることを特徴とする請求項（３）または（４
）に記載の包絡線検波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1174720A JPH0340504A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 包絡線検波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1174720A JPH0340504A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 包絡線検波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0340504A true JPH0340504A (ja) | 1991-02-21 |
Family
ID=15983473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1174720A Pending JPH0340504A (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 包絡線検波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0340504A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000025383A1 (en) * | 1998-10-27 | 2000-05-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Detector |
| US7237738B2 (en) | 2002-08-06 | 2007-07-03 | Nippon Pneumatic Manufacturing Co., Ltd. | Demolishing and cutting machine |
| JP2013126187A (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-24 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 電力検波回路 |
-
1989
- 1989-07-06 JP JP1174720A patent/JPH0340504A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000025383A1 (en) * | 1998-10-27 | 2000-05-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Detector |
| US6476614B1 (en) | 1998-10-27 | 2002-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Detector for detecting frequencies in more than one band |
| JP3610904B2 (ja) * | 1998-10-27 | 2005-01-19 | 松下電器産業株式会社 | 検波器 |
| US7237738B2 (en) | 2002-08-06 | 2007-07-03 | Nippon Pneumatic Manufacturing Co., Ltd. | Demolishing and cutting machine |
| JP2013126187A (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-24 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 電力検波回路 |
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