JPH0341733A - 陽極酸化を用いた立体配線法 - Google Patents
陽極酸化を用いた立体配線法Info
- Publication number
- JPH0341733A JPH0341733A JP17638189A JP17638189A JPH0341733A JP H0341733 A JPH0341733 A JP H0341733A JP 17638189 A JP17638189 A JP 17638189A JP 17638189 A JP17638189 A JP 17638189A JP H0341733 A JPH0341733 A JP H0341733A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist
- conductive film
- conductor
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 160
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 12
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、お互いに交差する電極を配線する方法の内、
ある深さまで陽極酸化された導電体膜Ａと陽極酸化され
なかった導電体膜Ｂとの上に第三の導電体膜Ｃを付着さ
せ、導電体ＭＣと導電体膜Ａ、Ｂとの接続がＣとＡは誘
電体膜で分離し、ＣとＢとは接続し、かつ導電体膜Ｃが
導電体膜Ａ、Ｂの凹凸のにより断線するのを防ぐ方法に
関する。
ある深さまで陽極酸化された導電体膜Ａと陽極酸化され
なかった導電体膜Ｂとの上に第三の導電体膜Ｃを付着さ
せ、導電体ＭＣと導電体膜Ａ、Ｂとの接続がＣとＡは誘
電体膜で分離し、ＣとＢとは接続し、かつ導電体膜Ｃが
導電体膜Ａ、Ｂの凹凸のにより断線するのを防ぐ方法に
関する。
弾性表面波変換器の高性能化、集積回路の高性能化のた
めには、複雑な電極構造が要求される。
めには、複雑な電極構造が要求される。
特に同一平面上でお互いに交差する電極構成が必要にな
ってきている。その一つの方法として、陽極酸化電源に
接続されている導電体膜が表面からある深さ迄選択的に
誘電体化されるのに対し、陽極酸化電源に接続されてい
ない導電体膜の表面は変化しないこと、及び誘電体化の
方法として、導電体膜の膜厚の全体にわったて誘電体化
するのでなく、必ず導電体膜の一部が残るように誘電体
化して、誘電体膜の前後での導電体膜が電気的に接続さ
れるよう１こ、ある深さ迄誘電体化を行う方法を用いて
、単純な構造のマスクと粗いマスク合わせで、陽極酸化
された導電体膜と陽極酸化されなかった導電体膜上に交
差する導電体膜を付着させ、交差する導電体膜との接続
が、一方は誘電体膜で分離され、他方は交差導電体膜と
接続するように作製することが可能である。
ってきている。その一つの方法として、陽極酸化電源に
接続されている導電体膜が表面からある深さ迄選択的に
誘電体化されるのに対し、陽極酸化電源に接続されてい
ない導電体膜の表面は変化しないこと、及び誘電体化の
方法として、導電体膜の膜厚の全体にわったて誘電体化
するのでなく、必ず導電体膜の一部が残るように誘電体
化して、誘電体膜の前後での導電体膜が電気的に接続さ
れるよう１こ、ある深さ迄誘電体化を行う方法を用いて
、単純な構造のマスクと粗いマスク合わせで、陽極酸化
された導電体膜と陽極酸化されなかった導電体膜上に交
差する導電体膜を付着させ、交差する導電体膜との接続
が、一方は誘電体膜で分離され、他方は交差導電体膜と
接続するように作製することが可能である。
しかし一方、既に作製された陽極酸化された導電体膜及
び陽極酸化されなかった導電体膜の凹凸のため、交差す
る導電体膜が断線する現象が生ずる。
び陽極酸化されなかった導電体膜の凹凸のため、交差す
る導電体膜が断線する現象が生ずる。
本発明は、上記のような誘電体膜による導電体膜間の分
離、及び断線を防ぐ方法に関する。
離、及び断線を防ぐ方法に関する。
絶縁性基板、圧電性基板、圧電性薄膜をもつ基板、半絶
縁性の基板、或いは半導体基板などの上に、目的とする
種々のパターンからなる導電体膜を作製する第１の工程
と、第１の工程で作製された種々の構造の導電体膜の内
、陽極酸化用の電源に接続される導電体膜と接続されな
い導電体膜とに分けて接続を行う第２の工程と、陽極酸
化用の電源に接続されている導電体膜のみを表面からあ
る深さ迄、陽極酸化により誘電体化を行う第３の工程と
、第１の工程の導電体膜の膜厚より厚い膜厚の導電体膜
を付着させる第４の工程からなる、第１の工程の導電体
膜と第４の工程の導電体膜との接続が、第３の工程の陽
極酸化により、表面からある深さ迄誘電体化した導電体
膜には陽極酸化した誘電体膜で分離されているため直流
の電気的には接続されていないが、陽極酸化されなかっ
た第１の工程の導電体膜と第４の工程の金属電極膜とは
直流の電気的に接続されるようにした立体配線法を用い
ることにより、第４の工程の導電体膜が、既に付着して
いる導電体膜の凹凸による生ずる断線を防ぐことが出来
る。
縁性の基板、或いは半導体基板などの上に、目的とする
種々のパターンからなる導電体膜を作製する第１の工程
と、第１の工程で作製された種々の構造の導電体膜の内
、陽極酸化用の電源に接続される導電体膜と接続されな
い導電体膜とに分けて接続を行う第２の工程と、陽極酸
化用の電源に接続されている導電体膜のみを表面からあ
る深さ迄、陽極酸化により誘電体化を行う第３の工程と
、第１の工程の導電体膜の膜厚より厚い膜厚の導電体膜
を付着させる第４の工程からなる、第１の工程の導電体
膜と第４の工程の導電体膜との接続が、第３の工程の陽
極酸化により、表面からある深さ迄誘電体化した導電体
膜には陽極酸化した誘電体膜で分離されているため直流
の電気的には接続されていないが、陽極酸化されなかっ
た第１の工程の導電体膜と第４の工程の金属電極膜とは
直流の電気的に接続されるようにした立体配線法を用い
ることにより、第４の工程の導電体膜が、既に付着して
いる導電体膜の凹凸による生ずる断線を防ぐことが出来
る。
また、上記の作製法において、第３の工程の後、陽極酸
化されなかった第１の工程の導電体膜をある深さ迄エツ
チングなどにより薄い膜厚にする第５の工程の後、新た
に目的とする導電体にする第５の工程とからなる立体配
線法を用いることにより、第１の工程の導電体膜のエツ
ジ部の形状をなだらかにすることが出来るので、断線を
防ぐことか出来る。
化されなかった第１の工程の導電体膜をある深さ迄エツ
チングなどにより薄い膜厚にする第５の工程の後、新た
に目的とする導電体にする第５の工程とからなる立体配
線法を用いることにより、第１の工程の導電体膜のエツ
ジ部の形状をなだらかにすることが出来るので、断線を
防ぐことか出来る。
第１図に示すように、絶縁性の基板、圧電性の基板、圧
電性薄膜をもつ基板、半絶縁性の基板、或いは半導体基
板２などの上に目的とする種々のパターンからなる導電
体膜３．４．５ａ、５ｂなどを作製する第７の工程と、
その上にレジスト膜を塗布し、リソグラフィー法などを
用いてレジストの一部を除去して、レジストの無い窓８
を作製する第８の工程と、第７の工程の導電体膜の内、
陽極酸化電源ｌに電気的に接続される導電体ＩＩ３．４
と接続されない導電体膜５ａ、５ｂに分けて接続を行う
第９の工程と、陽極酸化電源１に接続されているレジス
トの窓の部分の導電体膜３．４を、表面からある深さ迄
、陽極酸化により誘電体化を行う第１０の工程と、第７
の工程で付着させた導電体膜の膜厚より厚い膜厚で新た
に導電体膜を付着させた導電体膜の工程と、レジスト及
びレジスト上の導電体膜を除去する第１２の工程とによ
り、窓の部分に付着した導電体膜９との接続が、第１０
の工程による表面が誘電体化した第７の工程の導電体！
Ｉ３．４とは誘電体膜で分離されているため直流の電気
的には接続されないが、陽極酸化されなかった第７の工
程の導電体膜９とは直流の電気的に接続されようにした
立体配線法を用いることにより、先の場合と同様、導電
体膜９の導電体膜３．４，５ａ、５ｂの凹凸による断線
を防ぐことが出来る。また、この場合、第８の工程のレ
ジストのエツジ部の構造をオーバーハング構造と収るこ
とにより、リフトオフ法が容易になると同時に、陽極酸
化された導電体膜と第１１の工程の導電体膜との短絡を
防ぐことが出来る。更に、この構造とすることにより、
導電体＠３．５と導電体Ｈ９との間の耐圧を増加させる
ことが出来る。
電性薄膜をもつ基板、半絶縁性の基板、或いは半導体基
板２などの上に目的とする種々のパターンからなる導電
体膜３．４．５ａ、５ｂなどを作製する第７の工程と、
その上にレジスト膜を塗布し、リソグラフィー法などを
用いてレジストの一部を除去して、レジストの無い窓８
を作製する第８の工程と、第７の工程の導電体膜の内、
陽極酸化電源ｌに電気的に接続される導電体ＩＩ３．４
と接続されない導電体膜５ａ、５ｂに分けて接続を行う
第９の工程と、陽極酸化電源１に接続されているレジス
トの窓の部分の導電体膜３．４を、表面からある深さ迄
、陽極酸化により誘電体化を行う第１０の工程と、第７
の工程で付着させた導電体膜の膜厚より厚い膜厚で新た
に導電体膜を付着させた導電体膜の工程と、レジスト及
びレジスト上の導電体膜を除去する第１２の工程とによ
り、窓の部分に付着した導電体膜９との接続が、第１０
の工程による表面が誘電体化した第７の工程の導電体！
Ｉ３．４とは誘電体膜で分離されているため直流の電気
的には接続されないが、陽極酸化されなかった第７の工
程の導電体膜９とは直流の電気的に接続されようにした
立体配線法を用いることにより、先の場合と同様、導電
体膜９の導電体膜３．４，５ａ、５ｂの凹凸による断線
を防ぐことが出来る。また、この場合、第８の工程のレ
ジストのエツジ部の構造をオーバーハング構造と収るこ
とにより、リフトオフ法が容易になると同時に、陽極酸
化された導電体膜と第１１の工程の導電体膜との短絡を
防ぐことが出来る。更に、この構造とすることにより、
導電体＠３．５と導電体Ｈ９との間の耐圧を増加させる
ことが出来る。
上記の方法にいて、陽極酸化による誘電体化を行う第１
０の工程の後、第８の工程のレジストの無い窓の部分の
第７の工程の導電体膜の内、第１０の工程の陽極酸化に
より誘電体化されなかった導電体膜を表面からある深さ
迄をエツチングなどにより、膜厚を薄くする第１３の工
程と、新たに導電体膜を付着させる第１４の工程と、レ
ジスト及びレジスト上の導電体膜を除去する第１２の工
程とにより、窓の部分に付着した導電体膜との接続が、
第１０の工程による表面が誘電体化した第７の工程の導
電体膜とは誘電体膜で分離されているため直流の電気的
には接続されないが、陽極酸化されなかった第７の工程
の導電体膜とは直流の電気的に接続されようにした立体
配線法を用いることにより、断線を防ぐことが出来る。
０の工程の後、第８の工程のレジストの無い窓の部分の
第７の工程の導電体膜の内、第１０の工程の陽極酸化に
より誘電体化されなかった導電体膜を表面からある深さ
迄をエツチングなどにより、膜厚を薄くする第１３の工
程と、新たに導電体膜を付着させる第１４の工程と、レ
ジスト及びレジスト上の導電体膜を除去する第１２の工
程とにより、窓の部分に付着した導電体膜との接続が、
第１０の工程による表面が誘電体化した第７の工程の導
電体膜とは誘電体膜で分離されているため直流の電気的
には接続されないが、陽極酸化されなかった第７の工程
の導電体膜とは直流の電気的に接続されようにした立体
配線法を用いることにより、断線を防ぐことが出来る。
この場合も、第８の工程のレジストのエツジ部の構造を
オーバーハング構造となることにより、先と同様の特性
を得ることが出来る。
オーバーハング構造となることにより、先と同様の特性
を得ることが出来る。
上記の方法において、第８の工程の後、レジストの無い
窓の部分の第７の工程の導電体膜の表面からある深さ迄
をエツチングなどにより膜厚を薄くする第１５の工程と
、第７の工程の導電体膜の内、陽極酸化電源に電気的に
接続される導電体膜と接続されていな導電体膜に分け接
続を行う第９の工程と、陽極酸化電源に接続されている
レジストの窓の部分の導電体膜を、表面からある深さ迄
、陽極酸化により誘電体化を行う第１０の工程と、新た
に導電体膜を付着させる第１４の工程と、レジスト及び
レジスト上の導電体膜を除去する第１２の工程とにより
、窓の部分に付着した導電体膜との接続が、第１Ｑの工
程による表面が誘電体化した第７の工程の導電体膜とは
誘電体膜で分離されているため直流の電気的には接続さ
れないが、陽極酸化されなかった第７の工程の導電体膜
とは直流の電気的に接続されようにした立体配線法を用
いることにより、第１４の工程の導電体膜の断線を防ぐ
ことが出来る。この場合も第８の工程のレジストのエツ
ジ部の構造をオーバーハング構造となるようにした方法
も本特許に含まれるものとする。
窓の部分の第７の工程の導電体膜の表面からある深さ迄
をエツチングなどにより膜厚を薄くする第１５の工程と
、第７の工程の導電体膜の内、陽極酸化電源に電気的に
接続される導電体膜と接続されていな導電体膜に分け接
続を行う第９の工程と、陽極酸化電源に接続されている
レジストの窓の部分の導電体膜を、表面からある深さ迄
、陽極酸化により誘電体化を行う第１０の工程と、新た
に導電体膜を付着させる第１４の工程と、レジスト及び
レジスト上の導電体膜を除去する第１２の工程とにより
、窓の部分に付着した導電体膜との接続が、第１Ｑの工
程による表面が誘電体化した第７の工程の導電体膜とは
誘電体膜で分離されているため直流の電気的には接続さ
れないが、陽極酸化されなかった第７の工程の導電体膜
とは直流の電気的に接続されようにした立体配線法を用
いることにより、第１４の工程の導電体膜の断線を防ぐ
ことが出来る。この場合も第８の工程のレジストのエツ
ジ部の構造をオーバーハング構造となるようにした方法
も本特許に含まれるものとする。
第３の工程或いは第１０の工程の陽極酸化膜の膜厚が、
導電体膜の膜厚に対する比率で、０．０５から０．９５
の範囲の間にあるようにした立体配線法とすることによ
り、電極間の絶縁が十分であり、かつ誘電体化したこと
による誘電体膜がある部分の前後での電極の抵抗の増加
がそれほど大きくないような誘電体膜の膜厚の機能素子
を得ることが出来る。
導電体膜の膜厚に対する比率で、０．０５から０．９５
の範囲の間にあるようにした立体配線法とすることによ
り、電極間の絶縁が十分であり、かつ誘電体化したこと
による誘電体膜がある部分の前後での電極の抵抗の増加
がそれほど大きくないような誘電体膜の膜厚の機能素子
を得ることが出来る。
以上についての基礎実験の結果、導電体膜の膜厚が０．
２μｍで陽極酸化誘電体膜の膜厚が０．０５μ園の場合
、２５ボルト以上、０．１μ−では８０ボルト以上の耐
圧が得られている。また、表面からある深さ迄を陽極酸
化した後の金属電極膜の抵抗の増加についての実験結果
、最初の金属膜が０．２μ厘の場合、陽極酸化後の誘電
体膜の厚さが０．０５μ−では陽極酸化前の約１．２倍
、０．１μｍで１．５倍とその抵抗の増加も小さく、し
かも陽極酸化膜の導電体膜の長さ方向の幅も非常に狭い
ので、機能素子の特性の劣化はほとんど無いと言える。
２μｍで陽極酸化誘電体膜の膜厚が０．０５μ園の場合
、２５ボルト以上、０．１μ−では８０ボルト以上の耐
圧が得られている。また、表面からある深さ迄を陽極酸
化した後の金属電極膜の抵抗の増加についての実験結果
、最初の金属膜が０．２μ厘の場合、陽極酸化後の誘電
体膜の厚さが０．０５μ−では陽極酸化前の約１．２倍
、０．１μｍで１．５倍とその抵抗の増加も小さく、し
かも陽極酸化膜の導電体膜の長さ方向の幅も非常に狭い
ので、機能素子の特性の劣化はほとんど無いと言える。
また、陽極酸化されなかった導電体膜と新たに付着させ
た導電体膜との接触抵抗は、はとんど零であった。
た導電体膜との接触抵抗は、はとんど零であった。
上記の方法を用いて、半導体集積回路の三次元配線、集
積化した回路のコンデンサーの作製なども可能であり、
本特許に含まれるものとする。
積化した回路のコンデンサーの作製なども可能であり、
本特許に含まれるものとする。
第１ｍは、本発明の方法により作製する立体配線法の平
面図及びＡ−Ａ’面の断面図である。 ■・・・陽極酸化用の電源、２・・・基板、３・・・導
電体膜、４・・・導電体膜、５ａ、５ｂ・・・取り出し
電極に接続されていない導電体膜、６・・・陽極酸化に
より得られた誘電体膜、７・・・レジスト膜の境界線、
８・・・レジストを除去した窓の部分、９・・・８の窓
の部分に付着した導電体膜、１０・−・導電体、１ｉ５
ａ、５ｂと導電体膜９が電気的に接続された部分。
面図及びＡ−Ａ’面の断面図である。 ■・・・陽極酸化用の電源、２・・・基板、３・・・導
電体膜、４・・・導電体膜、５ａ、５ｂ・・・取り出し
電極に接続されていない導電体膜、６・・・陽極酸化に
より得られた誘電体膜、７・・・レジスト膜の境界線、
８・・・レジストを除去した窓の部分、９・・・８の窓
の部分に付着した導電体膜、１０・−・導電体、１ｉ５
ａ、５ｂと導電体膜９が電気的に接続された部分。
Claims (8)
- （１）絶縁性基板、圧電性基板、圧電性薄膜をもつ基板
、半絶縁性の基板、或いは半導体基板などの上に、目的
とする種々のパターンからなる導電体膜を作製する第１
の工程と、第１の工程で作製された種々の構造の導電体
膜の内、陽極酸化用の電源に接続される導電体膜と接続
されない導電体膜とに分けて接続を行う第２の工程と、
陽極酸化用の電源に接続されている導電体膜のみを表面
からある深さ迄、陽極酸化により誘電体化を行う第３の
工程と、第１の工程の導電体膜の膜厚より厚い膜厚の導
電体膜を付着させる第４の工程からなる、第１の工程の
導電体膜と第４の工程の導電体膜との接続が、第３の工
程の陽極酸化により、表面からある深さ迄誘電体化した
導電体膜には陽極酸化した誘電体膜で分離されているた
め直流の電気的には接続されていないが、陽極酸化され
なかった第１の工程の導電体膜と第４の工程の導電体膜
とは直流の電気的に接続されるようにした立体配線法。 - （２）特許請求の範囲第１項において、第３の工程の後
、陽極酸化されなかった第１の工程の導電体膜をある深
さ迄エッチングなどにより薄い膜厚にする第５の工程の
後、新たに目的とする導電体膜を付着させる第６の工程
とからなる立体配線法。 - （３）絶縁性の基板、圧電性の基板、圧電性薄膜をもつ
基板、半絶縁性の基板、或いは半導体基板などの上に目
的とする種々のパターンからなる導電体膜を作製する第
７の工程と、その上にレジスト膜を塗布し、リソグラフ
ィー法などを用いてレジストの一部を除去して、レジス
トの無い窓を作製する第８の工程と、第７の工程の導電
体膜の内、陽極酸化電源に電気的に接続される導電体膜
と接続されていな導電体膜に分けて接続を行う第９の工
程と、陽極酸化電源に接続されているレジストの窓の部
分の導電体膜を、表面からある深さ迄、陽極酸化により
誘電体化を行う第１０の工程と、第７の工程で付着させ
た導電体膜の膜厚より厚い膜厚で新たに付着させる第１
１の工程と、レジスト及びレジスト上の導電体膜を除去
する第１２の工程とにより、窓の部分に付着した導電体
膜との接続が、第１０の工程による表面が誘電体化した
第７の工程の導電体膜とは誘電体膜で分離されているた
め直流の電気的には接続されないが、陽極酸化されなか
った第７の工程の導電体膜とは直流の電気的に接続され
ようにした立体配線法であって、第８の工程のレジスト
のエッジ部の構造が、オーバーハング構造となるように
した方法も含まれるようにした立体配線法。 - （４）特許請求の範囲第３項にいて、第１０の工程の後
、第８の工程のレジストの無い窓の部分の第７の工程の
導電体膜の内、第１０の工程の陽極酸化により誘電体化
されなかった導電体膜を表面からある深さ迄をエッチン
グなどにより膜厚を薄くする第１３の工程と、新たに導
電体膜を付着させる第１４の工程と、レジスト及びレジ
スト上の導電体膜を除去する第１２の工程とにより、窓
の部分に付着した導電体膜との接続が、第１０の工程に
よる表面が誘電体化した第７の工程の導電体膜とは誘電
体膜で分離されているため直流の電気的には接続されな
いが、陽極酸化されなかった第７の工程の導電体膜とは
直流の電気的に接続されようにした立体配線法であって
、第８の工程のレジストのエッジ部の構造が、オーバー
ハング構造となるようにした方法も含まれるようにした
立体配線法。 - （５）特許請求の範囲第３項において、第８の工程の後
、レジストの無い窓の部分の第７の工程の導電体膜の表
面からある深さ迄をエッチングなどにより膜厚を薄くす
る第１５の工程と、第７の工程の導電体膜の内、陽極酸
化電源に電気的に接続される導電体膜と接続されていな
導電体膜に分け接続を行う第９の工程と、陽極酸化電源
に接続されているレジストの窓の部分の導電体膜を、表
面からある深さ迄、陽極酸化により誘電体化を行う第１
０の工程と、新たに導電体膜を付着させる第１４の工程
と、レジスト及びレジスト上の導電体膜を除去する第１
２の工程とにより、窓の部分に付着した導電体膜との接
続が、第１０の工程による表面が誘電体化した第７の工
程の導電体膜とは誘電体膜で分離されているため直流の
電気的には接続されないが、陽極酸化されなかった第７
の工程の導電体膜とは直流の電気的に接続されようにし
た立体配線法であって、第８の工程のレジストのエッジ
部の構造が、オーバーハング構造となるようにした方法
も含まれるようにした立体配線法。 - （６）特許請求の範囲第１項或いは第２項或いは第３項
或いは第４項或いは第５項において、第３の工程或いは
第１０の工程の陽極酸化膜の膜厚が、導電体膜の膜厚に
対する比率で、０．０５から０．９５の範一の間にある
ようにした立体配線法。 - （７）特許請求の範囲第３項或いは第４項或いは第５項
或いは第６項において、第８の工程のレジストのエッジ
部の構造が、オーバーハング構造となるようにした立体
配線法。 - （８）特許請求の範囲第３項において、第７の工程の導
電体膜の形状を滑らかな構造とし、第１１の工程の導電
体膜の膜厚を必ずしも第７の工程の膜厚より厚くしなく
てもよい立体配線法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17638189A JPH0341733A (ja) | 1989-07-08 | 1989-07-08 | 陽極酸化を用いた立体配線法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17638189A JPH0341733A (ja) | 1989-07-08 | 1989-07-08 | 陽極酸化を用いた立体配線法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0341733A true JPH0341733A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=16012645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17638189A Pending JPH0341733A (ja) | 1989-07-08 | 1989-07-08 | 陽極酸化を用いた立体配線法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0341733A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6167225A (en) * | 1994-01-10 | 2000-12-26 | Research Laboratories Of Australia Pty Ltd | Liquid developing method of electrostatic latent image and liquid developing apparatus |
| JP2009299251A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-12-24 | Teruyoshi Fukuyama | 通気性のウエア |
-
1989
- 1989-07-08 JP JP17638189A patent/JPH0341733A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6167225A (en) * | 1994-01-10 | 2000-12-26 | Research Laboratories Of Australia Pty Ltd | Liquid developing method of electrostatic latent image and liquid developing apparatus |
| JP2009299251A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-12-24 | Teruyoshi Fukuyama | 通気性のウエア |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4357577B2 (ja) | コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3535014B2 (ja) | 電解コンデンサ用電極 | |
| CN104022073B (zh) | 微电子器件的制造方法 | |
| US4681666A (en) | Planarization of a layer of metal and anodic aluminum | |
| JPH0341733A (ja) | 陽極酸化を用いた立体配線法 | |
| US4496435A (en) | Method of manufacturing thin film circuits | |
| US11271074B2 (en) | Capacitor and method for manufacturing the same | |
| JPH0247862A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| US10490622B2 (en) | Semiconductor capacitor | |
| DE2725858A1 (de) | Vorrichtung fuer magnetische zylinderdomaenen | |
| JPS61185952A (ja) | 半導体素子製造方法 | |
| JPH0380610A (ja) | 多層電極配線法を用いたインターディジタル電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の作製法 | |
| JPS61174757A (ja) | 集積回路チツプ上に集積した容量性素子とその製造方法 | |
| JPH0316309A (ja) | 陽極酸化を用いた三次元配線法 | |
| JPS63299307A (ja) | 電解コンデンサ | |
| JPS5816560A (ja) | 集積化コンデンサの形成方法 | |
| JPS63174417A (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
| JPS62122277A (ja) | 半導体素子空間配線法 | |
| JPH0669084A (ja) | 積層型固体電解コンデンサ | |
| JPS6119148A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2674339B2 (ja) | 超伝導集積回路の製造方法 | |
| JPS628947B2 (ja) | ||
| JPH0113405Y2 (ja) | ||
| JPH02301119A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2736362B2 (ja) | マイクロ波集積回路のキャパシタ製造方法 |