JPH0380610A - 多層電極配線法を用いたインターディジタル電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の作製法 - Google Patents

多層電極配線法を用いたインターディジタル電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の作製法

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JPH0380610A
JPH0380610A JP21692489A JP21692489A JPH0380610A JP H0380610 A JPH0380610 A JP H0380610A JP 21692489 A JP21692489 A JP 21692489A JP 21692489 A JP21692489 A JP 21692489A JP H0380610 A JPH0380610 A JP H0380610A
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JP
Japan
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film
resist
conductor
conductive
acoustic wave
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JP21692489A
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Kazuhiko Yamanouchi
和彦 山之内
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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、交差する電極の配線法に関する。
圧電基板上に設けたインターディジタル電極弾性表面波
変換器及び電子機能素子において、一方向性変換器など
高性能化のためには、お互いに交差する電極構造が必要
である。
陽極酸化法を用いた、陽極酸化電源に接続された導電膜
の表面からある深さ迄が誘電体化されるのに対し、接続
されなかった導電膜が変化しないことを用いた多層電極
配線法は既に考案されている。
本発明は、上記の方法の内、レジストの窓を作成する前
に、陽極酸化電源に接続された導電膜の全体の表面から
ある深さ迄を誘電体化した後、レジストの窓を作製し、
誘電体化されなかった導電体膜同士を接続する方法、及
び二段の陽極酸化法に関する。
第1図のように、絶縁性基板或は圧電性基板或は圧電性
薄膜をもつ基板或は半絶縁性の基板或いは半導体基板l
の上に、目的とする種々のパターンからなる導電体膜2
.3.4を作製する第1の工程と、第1の工程で作製さ
れた種々の構造の導電体膜の内、陽極酸化用の電源に接
続される導電体膜2.3と接続されない導電体膜4とに
分けて接続を行う第2の工程と、陽極酸化用の電源に接
続されている導電体膜のみを表面からある深さ迄、陽極
酸化により誘電体膜5を得る第3の工程と、その上にレ
ジスト膜を塗布し、リソグラフィー法などを用いてレジ
ストの一部を除去して、導電体膜2.3.4に交差する
ようなレジストの無い窓6を作製する第4の工程と、導
電体膜を新たに付着させる第5の工程と、レジスト及び
レジスト上の導電体膜を除去する第6の工程とにより、
窓の部分に付着した導電体膜7との接続が、第3の工程
による表面が誘電体化した第1の工程の導電体膜2.3
とは誘電体膜5で分離されているため直流の電気的には
接続されないが、陽極酸化されなかった第1の工程の導
電体膜4とは直流の電気的に接続されようにした多層電
極配線法であって、第4の工程のレジストのエツジ部の
構造が、オーバーハング構造となるようにした方法も含
む方法であって、陽極酸化法として、まず、最初に多孔
質膜を作製し、その後無孔膜質を作製する2段階の陽極
酸化法を用いた多層電極配線法も含むインターディジタ
ル電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の作製法を用
いることにより、より電極間の絶縁耐圧の大きな、変換
器及び機能素子が得られる。
また、特許請求の範囲第1項において、陽極酸化膜の膜
厚が、導電体膜の膜厚に対する比率で、0.05から0
.95の範囲の間にあるようにした陽極酸化を用いたイ
ンターディジタル電極弾性表面波変換器の作製法を用い
ることにより、高性能化の機能素子が得られる。
誘電体膜の耐圧実験の結果、誘電体膜厚0.05μnの
場合、多孔質膜では15v、無孔質膜では30Vが得
【図面の簡単な説明】
第1図は、圧電体基板或いは半導体機能基板上に設けら
れた浮き電極をもつインターディジタル変換器或いは電
子機能素子の平面図(a)、及び断面図(b)、レジス
トの窓及び浮き電極を接続する電極をもつ素子の平面図
(c)及びA−A’の断面図(d)である。 ■、・・・基板、2.3、・・・導電性膜、4.・・・
取り出し電極を持たない導電性膜、5.・・・陽極酸化
により得られる誘電体膜、6.・・・枠の内側にはレジ
ストが無い窓の部分の枠、7.・・・レジストの無い部
分にリフトオフ法で付着した導電性膜、

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絶縁性基板或は圧電性基板或は圧電性薄膜をもつ
    基板或は半絶縁性の基板或いは半導体基板1の上に、目
    的とする種々のパターンからなる導電体膜2、3、4を
    作製する第1の工程と、第1の工程で作製された種々の
    構造の導電体膜の内、陽極酸化用の電源に接続される導
    電体膜2、3と接続されない導電体膜4とに分けて接続
    を行う第2の工程と、陽極酸化用の電源に接続されてい
    る導電体膜のみを表面からある深さ迄、陽極酸化により
    誘電体膜5を得る第3の工程と、その上にレジスト膜を
    塗布し、リソグラフィー法などを用いてレジストの一部
    を除去して、導電体膜2、3、4に交差するようなレジ
    ストの無い窓6を作製する第4の工程と、導電体膜を新
    たに付着させる第5の工程と、レジスト及びレジスト上
    の導電体膜を除去する第6の工程とにより、窓の部分に
    付着した導電体膜7との接続が、第3の工程による表面
    が誘電体化した第1の工程の導電体膜2、3とは誘電体
    膜5で分離されているため直流の電気的には接続されな
    いが、陽極酸化されなかった第1の工程の導電体膜4と
    は直流の電気的に接続されようにした多層電極配線法で
    あって、第4の工程のレジストのエッジ部の構造が、オ
    ーバーハング構造となるようにした方法も含む方法であ
    って、陽極酸化法として、まず、最初に多孔質膜を作製
    し、その後無孔膜質を作製する2段階の陽極酸化法を用
    いた多層電極配線法も含むインターディジタル電極弾性
    表面波変換器及び電子機能素子の作製法。
  2. (2)特許請求の範囲第1項において、陽極酸化膜の膜
    厚が、導電体膜の膜厚に対する比率で、0.05から0
    .95の範囲の間にあるようにした陽極酸化を用いたイ
    ンターディジタル電極弾性表面波変換器の作製法。
JP21692489A 1989-08-23 1989-08-23 多層電極配線法を用いたインターディジタル電極弾性表面波変換器及び電子機能素子の作製法 Pending JPH0380610A (ja)

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