JPH0341981B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0341981B2
JPH0341981B2 JP57094090A JP9409082A JPH0341981B2 JP H0341981 B2 JPH0341981 B2 JP H0341981B2 JP 57094090 A JP57094090 A JP 57094090A JP 9409082 A JP9409082 A JP 9409082A JP H0341981 B2 JPH0341981 B2 JP H0341981B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capillary
ball
wire
bonding
gas supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP57094090A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58212145A (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP57094090A priority Critical patent/JPS58212145A/ja
Publication of JPS58212145A publication Critical patent/JPS58212145A/ja
Publication of JPH0341981B2 publication Critical patent/JPH0341981B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
    • H10W72/01551—Changing the shapes of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07351—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
    • H10W72/07355—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting changes in materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07511—Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07521—Aligning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H10W72/07555—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/351—Materials of die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は、ボンデイング材としてアルミニウム
ワイヤを用いる方法に係り、真円に近い状態を呈
するアルミニウム溶融ボールを形成して行なうワ
イヤーボンデイング方法に関する。
［発明の技術的背景］ 従来から実施されていたワイヤーボンデイング
方法は、次のように行なわれている。即ち第１図
に示すような位置にキヤピラリー５、電気トーチ
７及びガス形成管８を配置し、キヤピラリー５の
中心からワイヤ１を引き出す。次に第２図に示す
ようにアルゴンを主体とするボール形成ガス９を
そのワイヤ１の先端に集中的に噴出させて、電気
トーチ７からアークを飛ばすことにより溶融ボー
ル１Ｂを形成する。しかる後に溶融ボール１Ｂ
を、第３図に示す半導体ペレツト３上に設けられ
たペレツト電極２に当てがつて、上からキヤピラ
リー５でもつて押圧し接合する熱圧着ボンデイン
グを行なう。そして第４図に示すようにペレツト
側のボンデイング（以下第１ボンドと称する）を
終了すると、ワイヤ１の他端を外部引出電極４′
の上に当てがつて、上からキヤピラリー５でもつ
て超音波ボンデイングを施こして接合する。そし
て外部引出電極側のボンデイング（以下第２ボン
ドを称す）を終了すると、第５図に示すようにク
ランパー６でワイヤ１をクランプし、キヤピラリ
ー５を上昇させてテイルができないようにワイヤ
１を引きちぎつてワイヤボンデイングを終了す
る。
［背景技術の問題点］ しかしながら従来のワイヤーボンデイング方法
によれば、電気トーチ７から溶融ボールへ飛ぶパ
ーク１０が、ボール形成ガス９の供給方向によつ
て影響を受け、方向性を持つようになる。その結
果溶融ボールは、第６図で示す１Ｂのように偏心
したり、第７図で示す１Ｃのように長円となつた
りする。又著しい場合には第８図で示す１Ｄのよ
うにネツク細となり、溶融ボール表面にクレータ
ー等の穴が出来て、溶融ボール周辺のワイヤー組
織も変化し、ワイヤー側に約0.1〜0.2mm程度の損
傷を受ける等して実用に耐えられない等の問題を
有していた。
［発明の目的］ 本発明は、電気トーク及びキヤピラリーをガス
供給管の内部に設置し、ボール形成ガスをキヤピ
ラリーの方向に流出させ、電気トーチからのスパ
ークをキヤピラリーに沿わせることによつて、真
円に近い溶融ボールを形成してワイヤボンデイン
グするワイヤボンデイング方法を提供することを
目的とする。
［発明の概要］ 本発明方法においては、管路の上部を端部から
切欠いたガス供給管の内部にキヤピラリーおよび
これに対峙された電気トーチを収納して、不活性
ガスを前記キヤピラリ方向に流出すうように供給
し、前記キヤピラリー先端に導出されたワイヤに
前記トーチで溶融ボールを形成してこれを半導体
ペレツトの電極に押圧してボールボンデイング
し、続いて前記ペレツトから引き出されたワイヤ
を前記ペレツトの周囲に形成された外部引出し電
極に押圧してステツチボンデイングすることを特
徴とする。
［発明の実施例］ 本発明の好ましい実施例を第９図、第１０図、
第１１図、第１２図、第１３図に基づいて詳述す
る。まず第９図、第１０図は、溶融ボール形成前
後の状態を示す本発明のワイヤボンデイング方法
に供する装置構成を示したものであり、硬質ガラ
スで作られられたパイプ状のキヤピラリー５と、
溶融ボール１Ａを形成する電気トーチ７とボール
形成ガス９を供給するガス供給管８Ａ，８Ｂと、
超音波振動の媒体となる超音波ホーン１１とから
なつている。ここでガス供給管８Ｂはその上部が
端部から切欠されていて、端部の反対側から端部
に向かつて電気トーチ７を進入させ、切欠いた部
分の上部からキヤピラリー５を垂下されるように
してある。次に本発明のワイヤボンデイング方法
について詳述すると、まず管路の上部を端部から
切欠いたガス供給管８Ｂの内部にキヤピラリー５
およびこれに対峙された電気トーチ７を収納す
る。即ちガス供給管８Ｂの上部を端部から切欠い
て、端部の反対側から端部に向つて電気トーチ７
を進入させる。更に切欠いた部分の上部からキヤ
ピラリー５を垂下させ、電気トーチ７と位置させ
る。それで以上のように配設すると、キヤピラリ
ー５と電気トーチ７はガス供給管８Ｂで包み込ま
れ、外気から遮蔽されるようになる。それから不
活性ガス（ボール形成ガス）９を前記キヤピラリ
ー方向に流出するように供給する。即ちアルゴン
ガスか還元性ガスを10〜15％含んだアルゴンガス
から成るボール形成ガス９を、ガス供給管８Ａ，
８Ｂよりキヤピラリー方向に流出するように供給
する。次いで前記キヤピラリー５の先端に導出さ
れたワイヤ１に前記トーチ７で溶融ボール１Ａを
形成して、これを半導体ペレツト３の電極２に押
圧してボールボンデイングする。即ち硬質カスで
作られたパイプ状のキヤピラリー５の中心からワ
イヤ１を送り出し、その先端を電気トーチ７から
スパーク１０を飛ばして溶融させて、溶融ボール
１Ａを形成する。しかる後に一体化されたガス供
給管８Ｂと電気トーチ７を移動させる。それから
溶融ボール１Ａをペレツト電極２に押圧し、キヤ
ピラリー５の先端でもつて熱圧着ボンデイングし
て第１ボンドを終了する。続いて前記ペレツト３
から引き出されたワイヤ１を前記ペレツト３の周
囲に形成された外部引出し電極に押圧してステツ
チボンドする。即ち引き出されたワイヤ１を外部
引出し電極４′に押圧し、その上からキヤピラリ
ー５を当てがつて、超音波振動媒体である超音波
ホーン１１からの振動を与える。すると極めて小
さな振幅で超音波振動を加えられるので、ワイヤ
１はややつぶれて外部引出し電極４′に強固に接
着する。そして以上のように超音波ボンデイング
した後、ワイヤ１をクランパー６でクランプした
ままキヤピラリー５を引き上げて、ワイヤ１を引
きちぎりテイルが残らないようにする。このよう
にして第２ボンドを終了する。
［発明の効果］ 本発明のワイヤボンデイング方法によれば、溶
融ボール形成時にキヤピラリー先端は常にガス供
給源内にあるので、その先の溶融ボール周辺も又
ボール形成ガス雰囲気に包まれている。その結果
充分に空気と遮断ができ、ボール形成ガスのガス
量を大幅に節減できる。又ボール形成ガスの流出
方向をキヤピラリーの上下方向にとることが出来
るので、電気トーチとワイヤとの間でのスパーク
もまたキヤピラリー方向に沿うようになる。その
為に溶融ボールが偏心することもなく、長円溶融
ボールも出来にくくなり、かつ空気の混入による
溶融ボール内部の空洞形成もなくなり、品質的に
も向上する等の効果が生じる。即ち本発明でのア
ルミニウムワイヤーによるワイヤーボンデイング
方法によれば、金線でワイヤーボンデイングする
のと相違ない程度に外観的にも品質的にも優れた
溶融ボールを形成することが出来、ひいては自動
的にワイヤーボンデイング出来るようになる。
【図面の簡単な説明】
第１図はアルミニウム溶融ボール形成前の状態
を示す従来のワイヤーボンデイング装置の構成
図、第２図はスパークによつて偏心したアルミニ
ウム溶融ボールが形成される状態を示す従来のワ
イヤボンデイング装置の構成図、第３図は従来法
の偏心したアルミニウム溶融ボールが熱圧着ボン
デイングされた状態を示す１ポンド部の断面図、
第４図は１ポンド部を熱圧着ボンデイングした後
２ボンド部を超音波ボンデイングしている状態を
示す１ボンド部と２ボンド部の断面図、第５図は
熱圧着ボンデイング及び超音波ボンデイング終了
後アルミニウムワイヤーを引きちぎつた状態を示
す１ボンド部と２ボンド部の断面図、第６図は従
来法のアルミニウム溶融ボールが偏心した状態を
示す図、第７図は従来法のアルミニウム溶融ボー
ルが長円になつた状態を示す図、第８図は従来法
のアルミニウム溶融ボールのワイヤー組織が変化
して損傷を受けた状態を示す図、第９図はアルミ
ニウム溶融ボール形成前の状態を示す本発明のワ
イヤボンデイング装置の構成図、第１０図はアル
ミニウム溶融ボール形成状態を示す本発明のワイ
ヤボンデイング装置の構成図、第１１図は第１０
図の一部を拡大した正面断面図、第１２図は第１
０図の一部を拡大した側面断面図、第１３図は本
発明の形成されたアルミニウム溶融ボールが真円
に近い状態を示す図である。 １……アルミニウム線（ワイヤ）、１Ａ……真
円に近いアルミニウムボール、１Ｂ……偏心した
アルミニウムボール、１Ｃ……長円になつたアル
ミニウムボール、１Ｄ……ワイヤ組織が変化した
アルミニウムボール、２……ペレツト電極、３…
…半導体ペレツト、４……フレーム等、４′……
外部引出し電極、５……キヤピラリー、６……ク
ランパー、７……電気トーチ、８……従来のガス
供給管、８Ａ，８Ｂ……本発明のガス供給管、９
……不活性ガス（ボール形成ガス）、１０……ス
パーク、１１……超音波ホーン、Ｅ……電源。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 管路の端部が開放され、この端部の上部を切
    欠いたガス供給管の内部にキヤピラリーおよびこ
    れに対峙された電気トーチを収納し、不活性ガス
    を前記キヤピラリー方向に流出するように供給
    し、さらに前記キヤピラリー側から前記ガス供給
    管方向にガスを流入するガス供給手段を設けガス
    を供給し、前記キヤピラリー先端に導出されたワ
    イヤに前記トーチで溶融ボールを形成してこれを
    半導体ペレツトの電極に押圧してボールボンデイ
    ングし、続いて前記ペレツトから引き出されたワ
    イヤを前記ペレツトの周囲に形成された外部引出
    し電極に押圧してステツチボンデイングすること
    を特徴とするワイヤボンデイング方法。
JP57094090A 1982-06-03 1982-06-03 ワイヤボンデイング方法 Granted JPS58212145A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57094090A JPS58212145A (ja) 1982-06-03 1982-06-03 ワイヤボンデイング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57094090A JPS58212145A (ja) 1982-06-03 1982-06-03 ワイヤボンデイング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58212145A JPS58212145A (ja) 1983-12-09
JPH0341981B2 true JPH0341981B2 (ja) 1991-06-25

Family

ID=14100752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57094090A Granted JPS58212145A (ja) 1982-06-03 1982-06-03 ワイヤボンデイング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58212145A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61296731A (ja) * 1985-06-26 1986-12-27 Toshiba Corp ワイヤボンデイング装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1600021A (en) * 1977-07-26 1981-10-14 Welding Inst Electrical inter-connection method and apparatus
JPS5789232A (en) * 1980-11-26 1982-06-03 Hitachi Ltd Forming device of spherical lump
JPS58103146A (ja) * 1981-12-15 1983-06-20 Nec Corp 半導体装置
JPS58111331A (ja) * 1981-12-25 1983-07-02 Hitachi Ltd ワイヤボンデイング用金属ボ−ルの形成方法および装置
JPS58118122A (ja) * 1982-01-06 1983-07-14 Hitachi Ltd 金属ワイヤのボ−ル形成法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58212145A (ja) 1983-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4387283A (en) Apparatus and method of forming aluminum balls for ball bonding
JP2004221257A (ja) ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置
GB1363042A (en) Tailless wedge bonding of gold wire to palladium-silver cermets
JPS60227432A (ja) ボンデイング用ワイヤのボ−ル形成装置
JPH0341981B2 (ja)
JPH0225044A (ja) ワイヤーボンダーの酸化防止システム
JPS60244034A (ja) ワイヤボンデイング用雰囲気形成装置
JPS5889833A (ja) ワイヤボンデイング方法
JP2586679B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3391234B2 (ja) バンプ形成用キャピラリおよびバンプ形成装置およびバンプ形成方法
JPS62152142A (ja) バンプ形成方法
JPS61172343A (ja) ワイヤボンデイング方法及び装置
JPS6146034A (ja) ワイヤポンダ
JPH0536748A (ja) ワイヤボンデイング装置
JPS59150437A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPS6298629A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPS5917254A (ja) ワイヤボンダにおけるボ−ル形成方法
JPH0218582B2 (ja)
JPH0310228B2 (ja)
JP3067567B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPS62276841A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPS61119053A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPS57132335A (en) Wire bonding method
JPS59193037A (ja) ワイヤボンダ
JPS59150440A (ja) ワイヤボンデイング方法