JPH0342074A - 乾燥方法 - Google Patents
乾燥方法Info
- Publication number
- JPH0342074A JPH0342074A JP17558189A JP17558189A JPH0342074A JP H0342074 A JPH0342074 A JP H0342074A JP 17558189 A JP17558189 A JP 17558189A JP 17558189 A JP17558189 A JP 17558189A JP H0342074 A JPH0342074 A JP H0342074A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic solvent
- article
- printed circuit
- present
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/227—Drying of printed circuits
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＩＣ実装後のプリント基板に代表される物品
の乾燥方法に関する。
の乾燥方法に関する。
〔従来技術及び発明が解決しようとする課題〕各種の電
子機器に用いられるプリント基板は、その製造工程中に
ハンダ付は工程を有している。ハンダ付は工程ではハン
ダの接着性を良好にするために通常ロジン等の７ラツク
スが用いられている。こりフラックスは、回路腐食やＩ
Ｃの誤動作の原因と々るためハンダ付は工程の後に洗浄
によって除去される。
子機器に用いられるプリント基板は、その製造工程中に
ハンダ付は工程を有している。ハンダ付は工程ではハン
ダの接着性を良好にするために通常ロジン等の７ラツク
スが用いられている。こりフラックスは、回路腐食やＩ
Ｃの誤動作の原因と々るためハンダ付は工程の後に洗浄
によって除去される。
プリント基板の洗浄は１通常、水又は有機溶媒が用いら
れている。例えは、プリント基板を純水又はトリクロロ
エタン若しくはフロン−１１３等の有機溶媒中に浸漬す
る方法が採用されている。これらの方法によって上記σ
ノフラツクスは比較的良好に除去し得る。しかしながら
、プリント基板を有機溶媒中に浸漬する方法を採用した
場合、有機溶媒中から引き上げた後のプリント基板の表
面にしみが発生することがあった。また、プリント基板
を純水中に浸漬する洗浄方法を採用した場合にも、洗浄
後に水切りのために用いられる有機溶媒中にプリント基
板を浸漬した後引き上げると、上記と同機の問題が生じ
た。
れている。例えは、プリント基板を純水又はトリクロロ
エタン若しくはフロン−１１３等の有機溶媒中に浸漬す
る方法が採用されている。これらの方法によって上記σ
ノフラツクスは比較的良好に除去し得る。しかしながら
、プリント基板を有機溶媒中に浸漬する方法を採用した
場合、有機溶媒中から引き上げた後のプリント基板の表
面にしみが発生することがあった。また、プリント基板
を純水中に浸漬する洗浄方法を採用した場合にも、洗浄
後に水切りのために用いられる有機溶媒中にプリント基
板を浸漬した後引き上げると、上記と同機の問題が生じ
た。
上記り問題の対策としては、有機溶媒中から引き上げた
プリント基板に、さらに有機溶媒による蒸気洗浄を施す
という方法が採用されている。しかしながら、蒸気洗浄
を行なうとなると、−工程増えるために作業が繁雑にな
る上、設備上のコスト高になるといった欠点があった。
プリント基板に、さらに有機溶媒による蒸気洗浄を施す
という方法が採用されている。しかしながら、蒸気洗浄
を行なうとなると、−工程増えるために作業が繁雑にな
る上、設備上のコスト高になるといった欠点があった。
〔１！１題を解決するためり手段〕
本発明者らは、上記した課題を解決するために穂々検討
を加えた結果、洗浄又は水切りに使用する有機溶媒の温
度とプリント基板の有機溶媒中からの引き上げ速度とを
適当１ｘ値に選択することによって、プリント基板の表
面にしみな発生させることなく容易に乾燥させ得ること
を見出し、本発明を完成させるに至った。
を加えた結果、洗浄又は水切りに使用する有機溶媒の温
度とプリント基板の有機溶媒中からの引き上げ速度とを
適当１ｘ値に選択することによって、プリント基板の表
面にしみな発生させることなく容易に乾燥させ得ること
を見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は、沸点より１０〜５０℃低い温度に保持
された有機溶媒中に物品を浸漬した後、該物品を５０α
／ａｍ以下の速度で有機溶媒中から引き上げることを特
徴とする物品の乾燥方法である。
された有機溶媒中に物品を浸漬した後、該物品を５０α
／ａｍ以下の速度で有機溶媒中から引き上げることを特
徴とする物品の乾燥方法である。
本発明で用いられる有機溶媒は、使用条件下で液体であ
れば公知りものが（ｌ’Ｊら制限なく採用される。有機
溶媒は、沸点より１０〜５０℃低い温度に保持され、そ
の中に乾燥の対象である物品が浸漬される。従って、乾
燥の対象である物品が熱をきらう場合には、沸点があま
り高くない有機溶媒を採用することが好ましい。通常は
、沸点が５０〜９０℃の範囲である有板溶媒が好適に採
用される。本発明において特に好適な有機溶媒を具体的
に例示すると、メタノール、エタノール、イソプロパツ
ール及びブタノール等のアルコール類ニジメチルエーテ
ル、ジエチルエーテル等のエーテル類；アセトン、メチ
ルイソブチルケトン等のケトン類；トリクロロエタン、
ジクロロエタン等の塩素化炭化水素類；フロン−１１３
等の塩素化フッ素化炭化水素類等が挙げられる。
れば公知りものが（ｌ’Ｊら制限なく採用される。有機
溶媒は、沸点より１０〜５０℃低い温度に保持され、そ
の中に乾燥の対象である物品が浸漬される。従って、乾
燥の対象である物品が熱をきらう場合には、沸点があま
り高くない有機溶媒を採用することが好ましい。通常は
、沸点が５０〜９０℃の範囲である有板溶媒が好適に採
用される。本発明において特に好適な有機溶媒を具体的
に例示すると、メタノール、エタノール、イソプロパツ
ール及びブタノール等のアルコール類ニジメチルエーテ
ル、ジエチルエーテル等のエーテル類；アセトン、メチ
ルイソブチルケトン等のケトン類；トリクロロエタン、
ジクロロエタン等の塩素化炭化水素類；フロン−１１３
等の塩素化フッ素化炭化水素類等が挙げられる。
本発明において、上記の有機溶媒は、沸点よりｌＯ〜５
０℃低温度に保持されていなければｋらない。この状態
は有機溶媒が比較的揮発しやすい状態である。有機溶媒
の温度が上記範囲よりも低い場合には、後述する特定の
速度で物品を引き上げることによっても十分に乾燥させ
ることができず、一方、上記範囲よりも高い場合には、
有機溶媒中に気泡が発生し、該気泡の物品への付着によ
って洗浄又は水切りが不十分とｋるために好ましく々い
Ｏ 本発明においては、上記の温度範囲に保持された有１ａ
溶媒中に、乾燥の対象とｋる物品がまず浸漬される。浸
漬の時間は特に制限されたいが、物品の洗浄又は水切り
を十分に行たつためには通常１２０秒以上浸漬すること
が好ましい。
０℃低温度に保持されていなければｋらない。この状態
は有機溶媒が比較的揮発しやすい状態である。有機溶媒
の温度が上記範囲よりも低い場合には、後述する特定の
速度で物品を引き上げることによっても十分に乾燥させ
ることができず、一方、上記範囲よりも高い場合には、
有機溶媒中に気泡が発生し、該気泡の物品への付着によ
って洗浄又は水切りが不十分とｋるために好ましく々い
Ｏ 本発明においては、上記の温度範囲に保持された有１ａ
溶媒中に、乾燥の対象とｋる物品がまず浸漬される。浸
漬の時間は特に制限されたいが、物品の洗浄又は水切り
を十分に行たつためには通常１２０秒以上浸漬すること
が好ましい。
その後、有機溶媒中から物品が引き上げられるが、本発
明においてはその引き上げ速度を５０ｃｍ／ｍｍ以下に
することが会費である。
明においてはその引き上げ速度を５０ｃｍ／ｍｍ以下に
することが会費である。
引き上げ速度が上記値よりも大きい場合には、乾燥が不
十分となり、物品の表面にしみが発生する。物品り引き
上げ速度は、有機溶媒の温度が低いときには遅くするこ
とが好ましく、有機溶媒の温度が高いときには連くする
ことができる。引き上げ速度があまりに遅い場合には、
単位時間当りの処理能力が低くなるため、十分な乾燥と
処理能力とを考慮すると、一般には、１〜４０傷／ＩＩ
Ｉｍ、さらには５〜３０ｃｓ／■の範囲となるように有
機溶媒の温度条件との関係で引き上げ速度を決定するこ
とが好ましい。
十分となり、物品の表面にしみが発生する。物品り引き
上げ速度は、有機溶媒の温度が低いときには遅くするこ
とが好ましく、有機溶媒の温度が高いときには連くする
ことができる。引き上げ速度があまりに遅い場合には、
単位時間当りの処理能力が低くなるため、十分な乾燥と
処理能力とを考慮すると、一般には、１〜４０傷／ＩＩ
Ｉｍ、さらには５〜３０ｃｓ／■の範囲となるように有
機溶媒の温度条件との関係で引き上げ速度を決定するこ
とが好ましい。
尚、本発明における上記の物品は、鉛直方向に引き上げ
るのが通常である。しかし、鉛直方向にある角度をなす
方向に引き上げてもよく、そり場合り引き上げ速度は、
鉛直方向の速度成分で表わされる。
るのが通常である。しかし、鉛直方向にある角度をなす
方向に引き上げてもよく、そり場合り引き上げ速度は、
鉛直方向の速度成分で表わされる。
本発明の乾燥方法は、前記したＩＣ実装のプリント基板
に適用できるほか、シリコンウェハー、セラ主ツタ基板
、ガラス基板等の乾燥にも適用することができる。
に適用できるほか、シリコンウェハー、セラ主ツタ基板
、ガラス基板等の乾燥にも適用することができる。
（効 果〕
本発明の乾燥方法によれば、有機溶媒中への浸漬及び引
き上げによって洗浄又は水切りされた物品を容易に乾燥
させることができ、有機溶媒中から引き上げた物品にし
みが発生することはない。こσノために、本発明によれ
は一槽で洗浄又は水９Ｊりと乾燥とを兼ねることができ
、従来のよった洗浄又は水切りりあとり蒸気洗浄は不要
とたり、工程の簡略化が可能とｋる。
き上げによって洗浄又は水切りされた物品を容易に乾燥
させることができ、有機溶媒中から引き上げた物品にし
みが発生することはない。こσノために、本発明によれ
は一槽で洗浄又は水９Ｊりと乾燥とを兼ねることができ
、従来のよった洗浄又は水切りりあとり蒸気洗浄は不要
とたり、工程の簡略化が可能とｋる。
以下に本発明の詳細な説明するために実施例及び比較例
を掲げるが、本発明はこれらの実施例に限定されるもり
ではない。
を掲げるが、本発明はこれらの実施例に限定されるもり
ではない。
実施例
プリント基板を表１に示した温度のインプロピルアルコ
ール中に３分間浸漬した後、表１に示した速度で鉛直方
向に引き上げ、光学ＷＪａｔｓにより表面のしみの有無
を観察した。
ール中に３分間浸漬した後、表１に示した速度で鉛直方
向に引き上げ、光学ＷＪａｔｓにより表面のしみの有無
を観察した。
その結果を表１に示した。また、インプロピルアルコー
ルに力１えてエタノールを使用した場合についても上記
と同様に行ない、そり結果を表１に併記した。
ルに力１えてエタノールを使用した場合についても上記
と同様に行ない、そり結果を表１に併記した。
表
（注）
・は比較例である。
特許出駄人
偉山口達株式会社
Claims (1)
- （１）沸点より１０〜５０℃低い温度に保持された有機
溶媒中に物品を浸漬した後、該物品を５０ｃｍ／ｍｍ以
下の速度で有機溶媒中から引き上げることを特徴とする
物品の乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17558189A JPH0342074A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17558189A JPH0342074A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0342074A true JPH0342074A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=15998589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17558189A Pending JPH0342074A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0342074A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020093211A (ja) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 株式会社ワールド機工 | 密閉型洗浄装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61270399A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-29 | Seiko Epson Corp | 水洗後の水切り方法 |
-
1989
- 1989-07-10 JP JP17558189A patent/JPH0342074A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61270399A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-29 | Seiko Epson Corp | 水洗後の水切り方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020093211A (ja) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 株式会社ワールド機工 | 密閉型洗浄装置 |
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