JPH0345971U - - Google Patents

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JPH0345971U
JPH0345971U JP10603089U JP10603089U JPH0345971U JP H0345971 U JPH0345971 U JP H0345971U JP 10603089 U JP10603089 U JP 10603089U JP 10603089 U JP10603089 U JP 10603089U JP H0345971 U JPH0345971 U JP H0345971U
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material melt
compound semiconductor
single crystal
semiconductor single
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JP10603089U
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  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例に係る化合物半導体
単結晶の製造装置を示す平面図、第2図は従来装
置の放熱量特性図、第3図は従来型の放熱孔を用
いた装置で化合物半導体単結晶を育成した場合の
固液界面の形状を示す平面図、第4図は本実施例
の石英製反応容器の上視図、第5図は同じく放熱
孔と石英ボートの位置関係を示した平面図、第6
図は第1図の−線断面図、第7図は本実施例
による放熱孔を用いた場合の放熱量特性図、第8
図は同じく放熱孔を用いた装置例で化合物半導体
単結晶を育成した場合の固液界面形状を示す平面
図、第9図は本考案の他の実施例を示す平面図で
ある。 5……加熱炉、10……原料融液、6……上方
の炉壁、7……放熱孔、9……複数に分割された
小放熱孔である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 加熱炉によつて形成する結晶成長に必要な温度
    分布を、上記加熱炉内に帯状に配置された原料融
    液に対し相対的に移動することによつて、上記原
    料融液を冷却して結晶化させる化合物半導体単結
    晶の製造装置において、 上記原料融液の上方の炉壁に、上記原料融液の
    幅方向に沿つて複数に分割された放熱孔を形成し
    たことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造装
    置。
JP10603089U 1989-09-08 1989-09-08 Pending JPH0345971U (ja)

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