JPH0647015Y2 - 育成結晶冷却用具 - Google Patents
育成結晶冷却用具Info
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- JPH0647015Y2 JPH0647015Y2 JP1990100581U JP10058190U JPH0647015Y2 JP H0647015 Y2 JPH0647015 Y2 JP H0647015Y2 JP 1990100581 U JP1990100581 U JP 1990100581U JP 10058190 U JP10058190 U JP 10058190U JP H0647015 Y2 JPH0647015 Y2 JP H0647015Y2
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- shaft
- crystal
- pulling
- pull
- hole
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- Expired - Lifetime
Links
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- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 ［考案の目的］ （産業上の利用分野） 本考案は引上げ法によって単結晶を製造するに際し、結
晶の上方からガスを吹付ける場合に使用する育成結晶冷
却用具に関する。
晶の上方からガスを吹付ける場合に使用する育成結晶冷
却用具に関する。
（従来の技術） 引上げ法とは単結晶を作成するための手法であり、とり
わけ第２図ではチョクラルスキー法（以下CZ法と称す）
が示されている。第２図に示すように単結晶育成炉１内
にるつぼ２を設け、この内部に原料を入れる。そして外
部から高周波加熱コイル３により加熱して融液４をつく
り、この融液内に種結晶５を浸し、この結晶を上方に引
上げることにより単結晶を製造する方法である。
わけ第２図ではチョクラルスキー法（以下CZ法と称す）
が示されている。第２図に示すように単結晶育成炉１内
にるつぼ２を設け、この内部に原料を入れる。そして外
部から高周波加熱コイル３により加熱して融液４をつく
り、この融液内に種結晶５を浸し、この結晶を上方に引
上げることにより単結晶を製造する方法である。
この場合、結晶にガスを吹付けて放熱を促進させること
が結晶育成上有効であると言われており、吹付手段とし
ては単結晶育成炉に固定して設けられたガス吹付口６を
介して結晶の横方向から吹付けていた。
が結晶育成上有効であると言われており、吹付手段とし
ては単結晶育成炉に固定して設けられたガス吹付口６を
介して結晶の横方向から吹付けていた。
（考案が解決しようとする課題） 上記従来装置によれば、ガスの吹付けは結晶の横方向か
らであるため、温度環境の不均一が生じやすい、又育成
結晶の径の大小によって放熱効果が異なること、及び融
液表面にも影響が及ぼされる欠点を有している。
らであるため、温度環境の不均一が生じやすい、又育成
結晶の径の大小によって放熱効果が異なること、及び融
液表面にも影響が及ぼされる欠点を有している。
本考案は上記問題を解決するためになされたものであ
り、放熱効率を上げると同時に融液表面への影響を少な
くした育成結晶冷却用具を提供することを目的としてい
る。
り、放熱効率を上げると同時に融液表面への影響を少な
くした育成結晶冷却用具を提供することを目的としてい
る。
［考案の構成］ （課題を解決するための手段及び作用） 上記目的を達成するため、本考案は単結晶育成炉内にあ
るるつぼの上方に設けた筒状側壁を有するガイドと、前
記ガイド底面の中心穴に上下動可能に挿通した引上軸シ
ャフトと、前記引上軸シャフト下端に連結具を介して接
続した種結晶を固定するアルミナ管とを有し、前記ガイ
ド内にある引上軸シャフトにはその周縁に連結穴を穿っ
て当該引上軸シャフトの内部に設けた穴と連通させると
共に、前記引上軸シャフトの内部に設けた穴はこの引上
軸シャフトと接続する連続具及びアルミナ管を貫通して
種結晶固定位置にまで至るように構成した。
るるつぼの上方に設けた筒状側壁を有するガイドと、前
記ガイド底面の中心穴に上下動可能に挿通した引上軸シ
ャフトと、前記引上軸シャフト下端に連結具を介して接
続した種結晶を固定するアルミナ管とを有し、前記ガイ
ド内にある引上軸シャフトにはその周縁に連結穴を穿っ
て当該引上軸シャフトの内部に設けた穴と連通させると
共に、前記引上軸シャフトの内部に設けた穴はこの引上
軸シャフトと接続する連続具及びアルミナ管を貫通して
種結晶固定位置にまで至るように構成した。
したがってガイド内を通ったガスは連通穴を介して引上
軸内に入り、更にアルミナ管の穴を流下して種結晶の囲
りを冷却する。
軸内に入り、更にアルミナ管の穴を流下して種結晶の囲
りを冷却する。
一方、引上軸に沿って流下したガスも種結晶の囲りを冷
却する。
却する。
（実施例） 以下図面を参照して実施例を説明する。
第１図は本考案による育成結晶冷却用具の一実施例の構
成図であり、要部のみを示す。７はガイドであって、こ
の内部には引上軸シャフト８（以後シャフトと称す）が
挿通され、このシャフト８は上部においてロードセル
（図示せず）に接続されている。９はアルミナ管であっ
て下部において種結晶５を保持し、このアルミナ管９と
シャフト８とは連結具10を介して接続されている。11は
締結具,12はネジである。13はシャフト８に設けた連結
穴であり、内部に設けた穴14につながっている。
成図であり、要部のみを示す。７はガイドであって、こ
の内部には引上軸シャフト８（以後シャフトと称す）が
挿通され、このシャフト８は上部においてロードセル
（図示せず）に接続されている。９はアルミナ管であっ
て下部において種結晶５を保持し、このアルミナ管９と
シャフト８とは連結具10を介して接続されている。11は
締結具,12はネジである。13はシャフト８に設けた連結
穴であり、内部に設けた穴14につながっている。
次に作用について説明する。
シャフト８は上部にある図示しない制御装置によって上
方へ引上げられる。この場合はアルミナ管の先端に種結
晶５が固定され、図示しない融液に浸された状態にあ
る。この時、ガイド７内を上方から吹付けるガス流は図
示矢印にしたがってシャフト内に入り、更にこれが穴14
を貫通して種結晶５の囲りを冷却する。
方へ引上げられる。この場合はアルミナ管の先端に種結
晶５が固定され、図示しない融液に浸された状態にあ
る。この時、ガイド７内を上方から吹付けるガス流は図
示矢印にしたがってシャフト内に入り、更にこれが穴14
を貫通して種結晶５の囲りを冷却する。
一方、シャフト８とガイド７との間の下方の隙間15から
吹出したガス流も、併て種結晶を上方から冷却すること
になる。
吹出したガス流も、併て種結晶を上方から冷却すること
になる。
［考案の効果］ 以上説明したように、本考案によれば結晶上端部に直接
ガスを吹付けるようにしたため、結晶からの放熱効率を
上げられ、その結果ガス流量を少なくできるため、融液
表面への影響が少なくなり、結晶を安定して育成でき
る。また、CZ法の高温育成ではるつぼにIr製を用いるこ
とから、育成雰囲気の酸素分圧が０〜1or2％と限られる
が、本用具を用いれば、炉内に導入されるガス系統とは
別個に酸素分圧を設定できるため、るつぼに対する影響
が少なくなり、酸素分圧の使用範囲を広げることができ
る。したがって、酸素欠損し易い酸化物単結晶の育成に
おいて、より高品質な酸化物結晶を育成することが可能
となる。
ガスを吹付けるようにしたため、結晶からの放熱効率を
上げられ、その結果ガス流量を少なくできるため、融液
表面への影響が少なくなり、結晶を安定して育成でき
る。また、CZ法の高温育成ではるつぼにIr製を用いるこ
とから、育成雰囲気の酸素分圧が０〜1or2％と限られる
が、本用具を用いれば、炉内に導入されるガス系統とは
別個に酸素分圧を設定できるため、るつぼに対する影響
が少なくなり、酸素分圧の使用範囲を広げることができ
る。したがって、酸素欠損し易い酸化物単結晶の育成に
おいて、より高品質な酸化物結晶を育成することが可能
となる。
第１図は本考案による育成結晶冷却用具の一実施例の構
成図、第２図は従来装置を説明する図である。 １……単結晶育成炉、２……るつぼ ３……高周波加熱コイル、４……融液 ５……種結晶、６……ガス吹付口 ７……ガイド、８……引上軸シャフト ９……アルミナ管、10……連結具 11……締結具、12……ネジ 13……連結穴、14……穴
成図、第２図は従来装置を説明する図である。 １……単結晶育成炉、２……るつぼ ３……高周波加熱コイル、４……融液 ５……種結晶、６……ガス吹付口 ７……ガイド、８……引上軸シャフト ９……アルミナ管、10……連結具 11……締結具、12……ネジ 13……連結穴、14……穴
Claims (1)
- 【請求項１】引上げ法により単結晶を製造する場合に使
用する育成結晶冷却用具において、単結晶育成炉内にあ
るるつぼの上方に設けた筒状側壁を有するガイドと、前
記ガイド底面の中心穴に上下動可能に挿通した引上軸シ
ャフトと、前記引上軸シャフト下端に連結具を介して接
続した種結晶を固定するアルミナ管とを有し、前記ガイ
ド内にある引上軸シャフトにはその周縁に連結穴を穿っ
て当該引上軸シャフトの内部に設けた穴と連通させると
共に、前記引上軸シャフトの内部に設けた穴はこの引上
軸シャフトと接続する連結具及びアルミナ管を貫通して
種結晶固定位置にまで至ることを特徴とする育成結晶冷
却用具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990100581U JPH0647015Y2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 育成結晶冷却用具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990100581U JPH0647015Y2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 育成結晶冷却用具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456765U JPH0456765U (ja) | 1992-05-15 |
| JPH0647015Y2 true JPH0647015Y2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=31843343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990100581U Expired - Lifetime JPH0647015Y2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 育成結晶冷却用具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0647015Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS538374A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-25 | Hitachi Ltd | Growing method for single crystal of semiconductor |
-
1990
- 1990-09-26 JP JP1990100581U patent/JPH0647015Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0456765U (ja) | 1992-05-15 |
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