JPH03501670A - 炭化珪素製ｍｏｓｆｅｔ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 炭化珪素製ＭＯ３ＦＥＴ 発明の分野 本発明は、金属酸化物半導体電界効果トランジスター（ＭＯＳＦＥＴ　’）、特 に炭化珪素製金属酸化物半導体電界効果トランジスターに関する。

発明の背景 半導体を電気的利用に使用する面での発展は、回路と電気部品の創作において特 別の適用分野を有する種々の装置を生み出した。装置の１個の型は、その３個の 主要部品の名前を取って命名された金属酸化物半導体電界効果トランジスター（ ＭＯＳＦＥＴ）として既知である。より広い意味では、そのような装置は、金属 絶縁膜半導体電界効果トランジスター（ＭＩＳＦＥＴ）と呼称できるが、大抵の 場合絶縁層として酸化物を使用するので、この出願明細書の全体を通して主とし て酸化物指定を使用する。しかし、他の絶縁材料を適宜使用し、それに言及する こともある。

電界効果トランジスターは、多少接合トランジスターとは異なる。２個のｐ−ｎ 接合部を相互に近接して位置させ、ベースとして知られる半導体材料の小さな部 分を共有する場合に、接合トランジスターが形成される。尚、接合トランジスタ ーは、歴史的には最初に開発されたトランジスターである。接合トランジスター は、一方の接合部（コレクター）に隣接する半導体材料の部分からベースを経由 して他方の接合部（エミッター）に隣接する半導体部分に入りかつ出る電流を、 ベースに印加された電圧を制御することにより制御する。

電界効果トランジスターは、多少異なる原理で作動する。典型的には、電流はソ ースとして知られる半導体材料の領域を通って電界効果トランジスターに入り、 かつドレーンとして知られる半導体材料の別の領域から半導体材料を出る。ソー スとドレーンとは、ゲートして知られる半導体材料の更に別の領域により相互に 分離されている。正又は負バイアス（トランジスターの型式に応じて）のいずれ かの適当な電圧をゲートを通して作用領域に印加する時、電流は制御される。特 に、ゲー）・の半導体材料が、通常電流が流れるｎ−型材料である場合、ゲート に負バイアスを印加すると、作用領域から電子を空乏化させて、導通チャンネル を細（し、かつそれによりソースからドレーンに流れる電子の流れを妨害する。

このような装置をデプレッションモードＭＯ３ＦＥＴと呼称する。それとは又別 に、ゲートの半導体材料が、通常非導電性であるｐ−型材料である場合、ゲーＩ ・に正バイアス電圧を印加すると、その領域から正孔を空乏化させて、その領域 をさらに導電性にし、電子キャリヤが過剰となる。

ソースとドレーンの面を不活性化し、かつゲート半導体部分からゲート接点を絶 縁するために、絶縁膜材料をこれらそれぞれの部分の間に位置させる。珪素は現 在λ（Ｏ３ＦＥＴに最も普通に使用する半導体材料であるから、最も一般的な絶 縁体材料は、２酸化珪素から形成される。金属又は他の導電性材料で製作できる ゲート接点と、絶縁体（通常２酸化珪素）と、半導体材料と、並びに装置の動作 方法に由来して、その名前がＭＯＳＦＥＴと呼称されている。

ＭＯＳＦＥＴはその導入以来適当な装置として広く受け入れられている。しかし 、他の全ての半導体装置と同じく、ＭＯＳＦＥＴのいくつかの特性は、それが形 成されている半導体材料の特性により制限される。珪素は、ある種の適用分野に 対し本来的制限を有しているので、珪素から形成された対応するＭＯＳＦＥＴも 同じく本来的制限を有する。

従って、装置の性能を改善する一つの方法は、より優れた特性を有する材料で半 導体を形成することを試みることであると認識されて来た。種々の優れた特性を 有する材料の１種は、炭化珪素（ＳｉＣ）である。炭化珪素はい（っかの優秀な 半導体性状を有している。即ち、広いバンドギャブと、高い熱伝導性と、高い融 点と、高いブＩ／−クダウン電界強度と、高い飽和電子ドリフト速度である。広 いバンドギャプは狭いバンドギャグの半導体材料に較べて、有利性を炭化珪素に 与える。加えて、その高い熱伝導性とより良好な温度安定性は、次のことを意味 する。

即ち、発散した熱エネルギーのために相互に破壊すると言う危険を冒すことなく 、炭化珪素から構成される装置をより密に詰めることができ、並びに炭化珪素か ら構成される装置は、狭いバンドギャプ半導体で形成された装置より顕著に高い 温度で動作することができることを意味する。

従って、装置、特にＭＯＳＦＥＴを炭化珪素から形成する多数の試み行われてき た。しかし、適当な化学的不純物の混入と低い欠陥水準の結晶性炭化珪素の製造 は、なかなか達成できないゴールであり、単一の結晶薄フィルムと大きい結晶の 成長を達成することは、今まで困難であった。加えて、装置製造のために、必要 なドーパントイオンを炭化珪素に成功裏に導入し、活性化することは同じように 困難であることが、判明していた。

本発明の承継人に承継されたいくつかの米国特許出願に記載されているように、 最近これらの問題に対し成功裏に取組みが行われている。これらは、１９８７年 １０月２６日に出願された第１１３゜９２１号の０ベータＳｉＣ薄フイルムの成 長及びその上に加工された半導体装置”、１９８７年１０月２６日に８願された 第１１３．５７３号の“アルファＳｉＣ薄フィルムのホモエピタキシャル成長及 びその上に加工された半導体装置”、並びに１９８７年１０月２６日に出願され た第１１３．５６１号の“単結晶炭化珪素へのドーパントのインプランテーショ ンと電気的活性化”を含む。炭化珪素薄層フィルムと炭化珪素単一結晶の形成及 びこれらの方法に従って炭化珪素を成功裏にドーピングすることに関する進歩は 、炭化珪素製トランジスターを含む商業的品質の装置を生産することに対する関 心に再び火を付けた。

炭化珪素の上に種々の接合部、ダイオード、整流器、及び他の接点を作る試みが 多数なされて来た。更に特定すれば、特許文献のワラス第３．２５４．２８０号 は炭化珪素製接合トランジスターの形成方法を議論している。ワラスによると、 当業者に既知の適当な方法を使って、必要な炭化珪素の単一結晶を成長させるこ とができる。かつ、当業者に既知の適当な方法を使用して、ドーピングを行うこ とができる。ド・−ピングされた単一結晶炭化珪素の製造について、ワラスは議 論していないが、実際上、不純物と欠陥とが適当な水準にあるドーピングされた 単一結晶を形成することは非常に難しく、ワラスの教示に基づく商業的装置は未 だ出現していない。

ハルは、特許第２．９１８．３９６号において、炭化珪素製接合型トランジスタ ーの形成方法を開示している。そこに、開示された主要技術は、炭化珪素の単一 結晶の表面の活性成分（ドーパント）に沿って珪素で形成された合金を配置し、 炭化珪素の温度ををその融点以下の温度であるがその合金を溶融させかつ炭化珪 素の表面部分を溶解させるに充分な温度に上昇させる、技術である。材料が冷却 した時、うまく行けばｐ−ｎ接合が形成している。ハルによれば、適当な結晶を ラージ手法を用いて調製することができる。しかし、炭化珪素に関する技術につ いて精通している者には既知であるように、シーり手法は、デバイス級の品質の 炭化珪素の単一結晶を製造することに関する本来的困難を克服することに大雑把 に言って失敗したアンシーデッドサブリメーション　（Ｕｎｓｅｅｄｅｄ　Ｓｕ ｂｌｉｍａｔｉｏｎ）手法を代表している。

他の研究者は炭化珪素の上に機能するＭＯＳＦＥＴ５を製造する特定の試みをな して来た。例えば、Ｊａｐ、Ｊ、Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　２３．１８６２（１ ９８４）”珪素の上にＣＶＤ成長させた炭化珪素立方体を使用する反転型ＭＯ３ 電界効果トランジスター”において、柴原等は、化学的蒸着法（ＣＶＤ）による 珪素の（１００）面に成長させた炭化珪素立方体で反転型ローチャンネルＭＯ３ ＦＥＴを製造する彼らの試みを議論している。柴原の業績は、同じくティー・ア セラージ、ディー・エミン及びシー・ラード（Ｔ、ＡｓｅｌａＨｅ、　Ｄ、Ｅｍ ｉｎ、　Ｃ，Ｗｏｏｄ）により編纂された“新規なリフラクトリ半導体材料研究 会シンポジウム議事録”（材料研究会、１９７８年のペンシルベニアのピッツバ ーグにおいて）の第９７巻の２４７頁において議論されている。これら記載の方 法にもかかわらず、柴原等により製作された装置が、室温以上の温度で成功裏に 作動することは公開されなかった。先に議論したように、非常に高い温度での装 置の動作は、炭化珪素の上に装置を形成しようとする試みの特定の理由のうちの 一つである。炭化珪素の上に形成された装置が、珪素の上に形成された装置の動 作する温度と異なる温度では動作することのできないのならば、炭化珪素製の装 置は何らの特定的利点を提供しないことになる。

近藤等は、同じく”実験的３Ｃ−ＳｉＣＭＯ３ＦＥＴ″ＩＥＥＥ電子装置Ｌｅｔ ｔ、、ＥＤＬ−７，４０４（１９８６）にベータ炭化珪素で製造した実験的ＭＯ ＳＦＥＴを記載している。この論文によると、近藤は、ｐ−型珪素（１００）基 体の上にＣＶＤを使用してベータ炭化珪素フィルムをエピタキシャル状に成長さ せた。近藤は、デプレッションモードＭＯ３ＦＥＴを製作した。それにもかかわ らず、その結果となる装置は、電流飽和、しきい値カットオフ、及び高温動作可 能性を何ら示さなかった。従って、近藤の論文において開示された手法は、不成 功と見なさざるえない。

従って、本発明の目的は、炭化珪素から製作された、金属酸化物半導体電界効果 トランジスター（ＭＯＳＦＥＴ　）を製造することである。

本発明の別の目的は、炭化珪素から製作された反転モード及びデプレッション型 ＭＯＳＦＥＴを提供することである。

本発明の更に別の目的は、６５０°Ｃの温度で動作できる、炭化珪素の上に形成 されたＭＯＳＦＥＴを提供することである。

本発明の別の目的は、少な（とも６５０°Ｃの温度て動作できかつ高い放射密度 の金属酸化物半導体電界効果トランジスターを提供することである。それは、第 １導電型の炭化珪素基体を酸化して２酸化珪素表面層を形成し、選択的に２酸化 珪素表面層にゲート接点材料を被着し、イオンをドーピングする高温インプラン テーションにより所望の導電型のドープソース（ドーピングされたソース）とド ープドレーン（ドーピングされたドレーン）を形成し、更にソース接点とドレー ン接点とを被着することによりＭＯＳＦＥＴを形成する。

本発明の別の目的は、少なくとも６５０　’　Ｃの温度で動作できかつ高い放射 密度の反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスターを提供することであ る。それは、イオンをドーピングするソースとドレーンの高温インプランテーシ ョンにより、第２導電型の炭化珪素のドープ部分に第１導電型のドープソースと ドープドレーンを形成する反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスター を形成する。

本発明の更に別の目的は、少なくとも６５０°Ｃの温度で動作できかつ高い放射 密度のデプレッションモード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスターを提供す ることである。それは、イオンをドーピングするソースとドレーンの高温インプ ランテーションにより、ドープソース及びドープドレーンと同じ導電型の炭化珪 素半導体部分に一層濃厚にドーピングされたソースと一層濃厚にドーピングされ たドレーンを形成することにより、デプレッションモード金属絶縁膜半導体電界 効果トランジスターを形成する。

本発明により達成された発明の他の目的及び利点は、実施例に記載する以下の詳 細な説明及び添付図面において明らかにされる。

図面の簡単な説明 第１図から第５図は、本発明に係るｎ−チャンネル反転モード金属絶縁膜半導体 電界効果トランジスターのいくつかの工程とその結果生じる構造を示している。

第６図は、本発明に係るｎ−チャンネルデプレッションモード金属絶縁膜半導体 電界効果トランジスターの断面図である。

第７図は、本発明に係るｎ−チャンネルデプレッションモードＭＯＳＦＥＴの２ ９６にの温度でのドレーン電流対ドレーン電圧の相関線図である。

第８図は、本発明に係る第７図と同じＭＯＳＦＥＴの５７３　Ｋの温度でのドレ ーン電流対ドレーン電圧の相関線図である。

第９図は、本発明に係る第７図及び第８図と同じλＩＯ３ＦＥＴの９２３にの温 度でのドレーン電流対ドレーン電圧の相関線図である。

発明の概要 本発明は、少なくとも６５０°Ｃの温度で、かつ高い放射密度及び高いパワーレ ベルでの動作が可能な金属酸化物半導体電界効果トランジスターを形成する方法 である。この方法は、第１導電型の炭化珪素基体を酸化して２酸化珪素表面層を 形成し、更に選択的に２酸化珪素表面層にゲート接点材料を被着する工程を含む 。所望の導電型のドープソースとドープドレーンは、ドーピングイオンの高温イ ンプランテーションにより形成し、それに続いてソース接点とドレーン接点とを 被着させる。

本発明の例として、デプＩ／ツションモードｎ−チャンネル金属酸化物半導体電 界効果トランジスターが、６Ｈアルフア炭化珪素単一結晶の（０００１）面に化 学蒸着させることにより、エビタキシャアル状に成長したｎ−型ベータ炭化珪素 （Ｉｌｌ）薄フィルムの上に製作された。ゲート酸化物を炭化珪素の上に熱的に 成長させ、８２３にで窒素イオンインプランテーションによりソースとドレーン とのｎ＋トド−ングを行った。安定な飽和とサブしきい電流は２５Ｖを超えるド レーン電圧（ｖｏ）において達成された。

１１、９ｍｓ／ｍ１Ｉｌの高いトランスコンダクタンスを達成した。安定したト ランジスター動作を９２３にの高い温度で観察できた。その温度は、材料のいか んを問わず、製作されたトランジスターについて今までに報告されたデータの中 で最も高い温度であった。

詳細な説明 歴史的に見て、炭化珪素の上に形成された電気的装置についての研究は、主とし て高い品質の炭化珪素フィルムを得る点での困難性の故にかなりの制限を受けて きた。しかし、先に記載した同じ承継人に承継された特許出願に記載したように 、最近炭化珪素基体にアルファ及びベータ炭化珪素薄フィルムを成長させる点、 並びに炭化珪素の大きい単一結晶を成長させる点での成功は、従来に比べて、装 置研究に対する良好な基盤を提供している。ここに記載したＭＯ３ＦＥＴ装置は 、これらの成功した新しい技法を使用することにより形成された。

加えて、先に言及したように、炭化珪素にドーパントイオンを添加する新規でか つ良好な結果を得た方法が最近開発された。

イオンインプランテーション技法で室温（例えば、２９８Ｋ）並びに低い温度（ 例えば、７７Ｋ）の両者で炭化珪素をドーピングする試みがなされたが、アニー リングに続いて行ってさえ、成功しなかったこと見出されている。上の応用で議 論した通り、しかし、イオンインプランテーションを比較的高い温度（例えば、 ６２３　Ｋ、　８２３　Ｋ、　１０２３　Ｋ　）で実行すると、格子に対する初 期損傷は最小限化され、通常充分に必要な温度より一層温和な温度（１２００Ｋ 　）でのアニーリング工程はドーパントイオンを活性化する。

第１図から第５図は、本発明及びそれにより生じた構造に係るｎ−チャンネル反 転モードＭＯ３ＦＥＴを形成するために使用されたいくつかの工程を示す。第５ 図は、ここで更に説明する閘心リング構造を有する仕上済装置の断面図である。

第５図では、ソースはｌＯで示され、ロー型である。ドレーンは１１て示され、 ｎ〜型である。その両者ともＰ−型炭化珪素基体１２に高温インプランテーショ ンにより形成された。ゲートは１３で示しである。２酸化珪素の絶縁体層は１４ で示され、ソース接点は１５で、ドレーン接点は１６で示され、ソース接点とド レーン接点ともタンタルシリサイド（ＴａＳｉｚ）で形成されている。尚、これ は、この材料の新規な用途である。既に明らかにしたように、ゲート１３はポリ シリコンで形成されたゲート接点１７を有する。本発明の好適実施例では、同心 ゲートリングは、２０マイクロメータ（ｕｍ）幅の連結ストリップを有し、その ストリップは、１００　ｕｍＸ１００ｔ＋ｏ＋接点パッドに伸びていた。ソース 接点１５は、ゲート連結ストリップを除いたゲートリング１３とゲート接点を取 り囲む外側同心半円形である。ソースリングは同じり１００マイクロメータ直径 の接点パッド１５に連結する連結ストリップを有する。

第１図は、本発明に係るＭＯＳＦＥＴを形成する場合の最初の工程のいくつかを 示している。２酸化珪素層１４はＰ−型炭化珪素基体１２に通常の酸化手順によ り積層される。リンドープポリシリコンの１層１７は酸化物層１４の上に堆積さ れる。ホトレジスト材料２０を被着し、図示のようにパターン化する。露出した ポリシリコンをエツチングして取り除き、かつホトレジストを取り除くと、その 後炭化珪素基体１２と酸化物層１４は、残留しているポリシリコンのみがゲート 接点１７を形成するものである第２図に示す外観を有する。Ｐ−型炭化珪素基体 １２に酸化物層１４を介して高温イオンインプランテーション（８２３Ｋ）によ り窒素を添加し、ソース１０とド１ノーン１１のためのｎ−型ウェルを形成する 。

第３図において、追加のホトレジスト２０を積層し、かつパターン化してソース とドレーンの上の露出酸化物層１４にウィンドウをエツチングする。第４図では 、ホトレジストの上及び、酸化物の開口により露出した露出炭化珪素面の上に、 タンタルシリサイドをスパッター被着させた。ホトレジスト２０を取り除いた時 、残留しているタンタルシリサイドのみが、ソースとドレーンに隣接している、 以前に露出した炭化珪素面に存在するものである（第５図）。

第６図は、本発明により形成されたデプレッションモードλｌ０ｓＦＥＴを示す 。第６図において、Ｐ−型アルファ炭化珪素基体２１は、Ｐ−型ベータ炭化珪素 層２２とｎ−型ベータ炭化珪素層２３とを保持する。断面図である第６図に示す ように、一層濃厚にｎ−ドーピングしたソース２４と一層濃厚にロード−ピング したドレーン２５はゲート２６に沿って図示しである。既に記載した反転モード ＭＯ３ＦＥＴにおいて同様に、ソース接点２７とドレーン接点３０をタンタルシ リサイドで形成し、一方ゲート接点３１は、ポリシリコンで形成され、かつ酸化 物層３２の上に重複して積層される。

特定の実施例において、炭化珪素フィルムを先ず０．１ｕｍダイヤモンドペース トを用いて磨き、酸化して磨傷部分を取り除き、更にフッ化水素酸でエツチング して酸化物フィルムを取り除いた。ゲート酸化物を続いて成長させ、５分間熱濃 硫酸（ト１□５０４）を、５分間熱アンモニヤ水（ＮＨ，ＯＨ）と過酸化水素（ Ｈ２０□）との１対１混合物を、更に１分間フッ化水素酸（ＨＦ）を使用した３ 段階洗浄プロセスを実施し、続いて脱イオン水で濯いだ。

５分間１１７３　Ｋ　でリン（Ｐ）拡散によりドーピングされ、次いで図面に示 すようにパターン化してゲート接点を形成して調製した酸化物の上にポリシリコ ンの５００　ｎｍ厚フィルムを８９３にで低圧化学蒸着法で被着させた。

酸化物を介して窒素の高温イオンインプランテーションによりロー型ドープソー ス領域とｎ−型ドープドレーン領域を形成した。

イオンインプランテーションは、５．　ＯＸ　１０”　ｃｍ”の線量で７７３Ｋ 　、７０　ＫｅＶで実施された。

第７図は、本発明に係るベータ炭化珪素製ＭＯ３ＦＥＴに対する２９６にの温度 で測定したドレーン電流対ドレーン電圧特性を示す。測定した特定の装置は、７ ．２ｕｍのゲート長さと３９０　ｕｎのゲート幅と、２４ｕｍのソース接点から ドレーン接点までの距離を有した。第７図に示すように、この装置は、２５Ｖの ドレーンソース電圧に対し非常に安定なドレーン電流飽和を示した。この傾向は 、酸化物が破壊し始める３０Ｖのソースドレーン電圧の点まで現実に継続した。

従って、これは、ベータ炭化珪素で形成された電界効果トランジスターに対して ５Ｖ以上のドレーンソース電圧で安定な飽和が報告された最初の事例である。

ドレーン−ソース電圧の平方根対Ｖ。（ゲート電圧）の線図から決定されるよう に、しきい電圧は、−１２，９Ｖのゲート電圧（Ｖａ）であった。この装置の２ ５Ｖのｖｂｓでの漏洩電流は、オフ状態（Ｖａ　＝　１５Ｖ）で３．７５マイク ロアンプ（ｕＡ）であった。

２０Ｖに固定されたＶＤｓと室温でのこの装置のトランスコンダクタンスは、Ｖ ａ　＝２．５　Ｖで５．３２ｍ５／ｍｍてあった。

第８図は、同じ装置に対するものであるが５７３Ｋに加熱されその温度で１５分 間安定している装置のドレーン電流対ドレーン電圧の別の線図である。温度の上 昇にもかかわらず、ドレーン電流飽和は、２５Ｖまて非常に安定であった。２５ Ｖのドレ−ンソース電圧と一１５Ｖのゲート電圧での漏洩電流は２５ｕＡてあっ て、しきい電圧は反対に■。＝−１３，３Ｖに移行した。

第９図は、同じ装置の９２３にの温度で測定したドレーン電流対ドレーン電圧の 別の線図である。トランスコンダクタンスは温度のこの一層の増加と共に減少し た。第９図において、９−２３にで測定した装置の低いトランスコンダクタンス は、第７図と第８図とに比較して零ゲート■での低い電流により示される。

９２３にでのトランスコンダクタンスは、ＩＶのゲート電圧より上で不規則にな ったけれども、トランスコンダクタンスは、８Ｖのゲート電圧と２０Ｖのドレー ンソース電圧で約４．８ｍｓ／ｍｍの最大値に到達した。より高い温度でのトラ ンスコンダクタンスのこの減少は、より高い温度での格子スキャタリングの増加 に由来する。

第９図において、しきい電圧は、９２３にで反対に−１４，８Ｖのゲート電圧に 移行した。漏洩電流は、−１５Ｖのゲート電圧と２５Ｖのドレ−ンソース電圧で １２８　ｕＡに増加した。９７３にで、装置は、同様の電流飽和を示したが、ゲ ート酸化物は破壊を経験した。従って、電流はゲートに注入され、装置を遮断す ることはできなかった。

説明と図面において、本発明の好適かつ例示的実施例を明らかにした。その実施 例は、例であって制限的なものではなく、本発明の範囲は、次の請求の範囲に明 らかにされている。

浄書（内容に変更なし） 浄書（内容に変更なし） （ｂ）　ドレン電圧（Ｖン 補正書の写しく翻訳文）提出書（特許法第１８４条の８）平成２年４月２６日 特許庁長官　吉　１）　文　毅　殿 １、特許８願の表示 ＰＣＴ／ＵＳ　８８１０３７９３ ２発明の名称 炭化珪素製ＭＯ３ＦＥＴ ３、特許出願人 名　称　ノース　カロライナ　ステート　ユニバーシティ４、代　理　人 ５、補正書の提出年月日 １９８９年１０月２６日 ６、添付書類の目録 第１図は、本発明に係るＭＯＳＦＥＴを形成する場合の最初の工程のいくつかを 示している。２酸化珪素層１４はＰ−型炭化珪素基体１２に通常の酸化手順によ り積層される。リンドープポリシリコンの１層１７は酸化物層１４の上に堆積さ れる。ホトレジスト材料２０を被着し、図示のようにパターン化する。露出した ポリシリコンをエツチングして取り除き、かつホトレジストを取り除くと、その 後炭化珪素基体１２と酸化物層１４は、残留しているポリシリコンのみがゲート 接点１７を形成するものである第２図に示す外観を有する。Ｐ−型炭化珪素基体 １２に酸化物層１４を介して高温イオンインプランテーション（８２３Ｋ）によ り窒素を添加し、ソース１０とドレーン１１のためのｎ−型ウェルを形成する。

第３図において、追加のホトレジスト２０を積層し、かつパターン化してソース とドレーンの上の露出酸化物層１４にウィンドウをエツチングする。第４図では 、ホトレジストの上及び、酸化物の開口により露出した露出炭化珪素面の上に、 タンタルシリサイド１５をスパッター被着させた。ホトレジスト２０を取り除い た時、残留しているタンタルシリサイドのみが、ソースとドレーンに隣接してい る、以前に露出した炭化珪素面に存在するものである（第５図）。

第６図は、本発明により形成されたデプレッションモードλ（ＯＳＦＥＴを示す 。第６図において、Ｐ−型アルファ炭化珪素基体２１は、Ｐ−型ベータ炭化珪素 層２２とｎ−型ベータ炭化珪素層２３とを保持する。断面図である第６図に示す ように、一層濃厚にｎ−ドーピングしたソース２４と一層濃厚にｎ−ドーピング したドレーン２５はチャンネル２６に沿って図示しである。既に記載した反転モ ードＭＯＳＦＥＴと同様に、ソース接点２７とドレーン接点３０をタンタルシリ サイドで形成し、一方ゲート接点３１は、ポリシリコンで形成され、かつ酸化物 層３２の上に重複して積層される。

特定の実施例において、炭化珪素フィルムを先ず０．１ｕｍダイヤモンドベース トを用いて磨き、酸化して磨傷部分を取り除き、更にフッ化水素酸でエツチング して酸化物フィルムを取り除いた。ゲート酸化物を続いて成長させ、５分間熱濃 硫酸（Ｈ２ＳＯ４）を、５分間熱アンモニヤ水（ＮＨ，ＯＨ）と過酸化水素（８ ２０２）との１対１混合物を、更に１分間フッ化水素酸（ＨＦ）を使用した３段 階洗浄プロセスを実施し、続いて脱イオン水で濯いだ。

５分間１１７３Ｋ　でリン（Ｐ）拡散によりドーピングされ、次いで図面に示す ようにパターン化してゲート接点を形成して調製した酸化物の上にポリシリコン の５００　ｎｍ厚フィルムを８９３にで低圧化学蒸着法で被着させた。

酸化物を介して窒素の高温イオンインプランテーションによりロー型ドープソー ス領域とｎ−型ドープドレーン領域を形成した。

イオンインプランテーションは、５．ＯＸ１０１４ｃｍ−’の線量で７７３Ｋ　 、　７０　ＫｅＶで実施された。

第７図は、本発明に係るベータ炭化珪素製ＭＯ３ＦＥＴに対する２９６にの温度 で測定したドレーン電流対ドレーン電圧特性を示す。

測定した特定の装置は、７゜２マイクロメータのゲート長さと３９０マイクロメ ータのゲート幅と、２４マイクロメータのソース接点からドレ−ン接点までの距 離を有した。第７図に示すように、この装置は、２５Ｖのドレーンソース電圧に 対し非常に安定なドレーン電流飽和を示した。この傾向は、酸化物が破壊し始め る３０Ｖのソースドレーン電圧の点まで現実に継続した。

、請求の範囲 １．少なくとも６５０°Ｃの温度と高い放射密度において動作可能な金属酸化物 半導体電界効果トランジスターの形成方法であって、その方法は、 ａ）第１導電型を有する単一結晶炭化珪素基体を酸化して、２酸化珪素表面層を 形成する工程と、 ｂ）前記２酸化珪素表面層にゲート接点材料を選択的に被着させる工程と、 Ｃ）約６００にと約１１００　Ｋとの間の温度に維持されている前記単一結晶炭 化珪素基体にドーパントイオンのイオンビームを指向させることにより、所望の 導電型のドープソースとドープドレーンとを形成する工程と、 ｄ）ソース接点とドレーン接点とを被着させる工程とを、備える金属酸化物半導 体電界効果トランジスター形成方法。

２、　前記炭化珪素基体を磨く工程と、前記磨き工程により前記炭化珪素基体の 損傷した部分を酸化させる工程と、 前記炭化珪素表面層を酸化して前記２酸化珪素表面層を形成する前に、前記炭化 珪素基体の酸化した損傷部分を取り除く工程とを、実施することにより、酸化の ために表面を調製する工程を更に備える、ことを特徴とする請求項１に記載の金 属酸化物半導体電界効果トランジスター形成方法。

３、　ゲート接点材料を被着させる前記工程は、前記２酸化珪素表面層に導電性 ポリシリコンゲート接点材料を付加する工程を含む、ことを特徴とする請求項１ に記載の金属酸化物半導体電界効果トランジスター形成方法。

４、　ソース接点及びドレーン接点を被着させる前記工程は、タンタルシリサイ ドソース接点及びタンタルシリサイドドレーン接点を被着させる工程を含む、こ とを特徴とする請求項１に記載の金属酸化物半導体電界効果トランジスター形成 方法。

６、　少なくとも６５０°Ｃの温度と高い放射密度において動作可能な反転モー ド金属絶縁膜半導体電界効果トランジスターの形成方法であって、その方法は、 約６００にと約１１００にの間の温度に維持されている炭化珪素基体にドーパン トイオンのイオンビームを指向させることにより、−導電型のドープソースとド ープドレーンを反対導電型の炭化珪素のドープ部分に形成する工程を備える、こ とを特徴とする反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスター形成方法。

７、　ドープソースとドープドレーンを形成する前記工程は、ｎ−ドープソース とｎ−ドープドレーンを炭化珪素のＰ−ドープ部分に形成する工程を備える、こ とを特徴とする請求項６に記載の反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジ スター形成方法。

８、　ドープソースとドープドレーンを形成する前記工程は、ｐ−ドープソース とｐ−ドープドレーンを炭化珪素のｎ−ドープ部分に形成する工程を備える、こ とを特徴とする請求項６に記載の反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジ スター形成方法。

９゜　少な（とも６５０°Ｃの温度と高い放射密度において動作可能なデプレッ ションモード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスターの形成方法であって、そ の方法は、約６００にと約１１００にの間の温度に維持されている炭化珪素基体 にドーパントイオンのイオンビームを指向させることにより、ドープソース及び ドープドレーンと同じ導電型の炭化珪素半導体部分にドープソースとドープドレ ーンとを形成する工程を備える、ことを特徴とするデプレッションモ・−ド金属 絶縁膜半導体電界効果トランジスター形成方法。

１０、　ドープソースとドープドレーンを形成する前記工程は、ｎ−型ドープソ ースとｎ−型ドープド１ノーンをｎ−型化炭化珪素半導体部分に形成する工程を 備え、並びに前記ソースは前記半導体部分より高いキャリヤ濃度を有し、かつ前 記ドレーンは前記半導体部分より高いキャリヤ濃度を有する、ことを特徴とする 請求項９に記載のデプレッションモード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスタ ーの形成方法。

１１、　ドープソースとドープドレーンを形成する前記工程は、Ｐ−型ドープソ ースとＰ−型ドープドレーンをＰ−型炭化珪素半導体部分に形成する工程を備え 、並びに前記ソースは前記半導体部分より高いキャリヤ濃度を有し、かつ前記ド レーンは前記半導体部分より高いキャリヤ濃度を有する１、ことを特徴とする請 求項９に記載のデプレッションモード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスター の形成方法。

１２、Ｐ−型炭化珪素単一結晶基体と、前記Ｐ−型炭化珪素単−結晶基体にｎ− 型炭化珪素のウェルで形成されたソースと、 前記Ｐ−型炭化珪素単−結晶基体に存在し、前記Ｐ−型炭化珪素単−結晶基体の 領域により前記ソースから分離されているｎ−型炭化珪素のウェルで形成された ドレーンと、前記ソースと前記ドレーンとを分離する前記Ｐ−型炭化珪素単−結 晶基体の領域の上の絶縁体の層と、前記ソースと前記ドレーンとを分離する前記 Ｐ−型炭化珪素単−結晶基体の領域に活性チャンネルを形成する、前記絶縁体層 の上のゲート接点と、並びに ソースオーム接点及びドレーンオーム接点とを、備える、ことを特徴とする反転 モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスター。

１３、更に、導電性多結晶質珪素で形成されたゲート接点を備える、ことを特徴 とする請求項１２に記載の反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスター 。

１４、前記ドレーンは前記ゲートにより取り囲まれ、かつ前記ゲートは前記ソー スにより取り囲まれている、ことを特徴とする請求項１２に記載の反転モード金 属絶縁膜半導体電界効果トランジスター。

１５、前記ソースと前記ゲートは前記ドレーンを取り囲む同心円を構成する、こ とを特徴とする請求項１４に記載の反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トラン ジスター。

１６゜　Ｐ−型アルファ炭化珪素単一結晶基体と、前記Ｐ−型アルファ炭化珪素 単一結晶基体の上にＰ−型ベータ炭化珪素層と、 前記Ｐ−型ベータ炭化珪素層の上にｎ−型ベータ炭化珪素の活性層と、 前記ロー型ベータ炭化珪素の活性層の残余のキャリヤ濃度より高いキャリヤ濃度 により限定された前記ｎ−型ベータ炭化珪素の活性層にｎ−型ソース領域と、 前記ｎ−型ベータ炭化珪素の活性層の残余のキャリヤ濃度より高いキャリヤ濃度 により限定された前記ｎ−型ベータ炭化珪素の活性層にｎ−型ドレーン領域と、 前記ソース領域の部分と前記ドレーン領域の部分との間に位置しかつ前記Ｐ−型 ベータ炭化珪素層により境界付けされた前記ｎ−型ベータ炭化珪素の活性層にチ ャンネル領域とを備え、前記Ｐ−型ベータ炭化珪素層は、前記ｎ−型ベータ炭化 珪素の活性層に電子的に境するための境界を前記ロー型ベータ炭化珪素の活性層 に対し構成し、 前記ソース領域と前記ドレーン領域は前記ロー型ベータ炭化珪素の活性層の中で 相互に分離されており、前記チャンネル領域に負バイアスを適用すると、ｎ−型 キャリヤの前記チャンネル領域を空乏化し、かつ前記ソース領域と前記ドレーン 領域との間にある前記ｎ−型ベータ炭化珪素の活性層に生じる電流の流れを妨害 する、ことを特徴とするデプレッションモード金属酸化物半導体電界効果トラン ジスタ１７゜　更に、導電性ポリシリコンで形成されたゲート接点を備える、こ とを特徴とする請求項１６に記載のデプレッションモード金属酸化物半導体電界 効果トランジスター。

１８゜　前記ドレーン領域は前記ゲート領域により取り囲まれ、かつ前記ゲート 領域は前記ソース領域により取り囲まれている、ことを特徴とする請求項１６に 記載のデプレッションモード金属酸化物半導体電界効果トランジスター。

１９、　前記ソース領域と前記ゲート領域は前記ドレーンを取り囲む同心円を構 成する、ことを特徴とする請求項１８に記載のデプレッションモード金属酸化物 半導体電界効果トランジスター。

２０、Ｐ−型炭化珪素単一結晶基体と、前記Ｐ−型炭化珪素単−結晶基体の上に ｎ−型ベータ炭化珪素の活性層と、 前記ｎ−型ベータ炭化珪素の活性層にｎ−型ベータ炭化珪素ソース領域と、並び に 前記ｎ−型ベータ炭化珪素の活性層にｎ−型ベータ炭化珪素ドレーン領域とを備 え、 前記ロー型ベータ炭化珪素の活性層の部分が、ゲート領域とデプレッション領域 とを構成し、 約２９６にの温度で次の動作特性を有するデプレッションモード金属酸化物半導 体電界効果トランジスターであって、次の特性とは、 少なくとも２５Ｖのドレーン−ソース電圧、かつ−１５Ｖのゲート電圧での安定 なドレーン−電流飽和と、２５Ｖまでのドレーン　ソース電圧で４マイクロアン プ（ｍｉ　ｃｒｏａｍｐ）より小さい漏洩電流と、２．５Ｖのゲート電圧、かつ ２０Ｖのドレーン−ソース電圧で少なくとも５．３２ｍ５．／ｍｍのトランスコ ンダクタンスとである、ことを特徴とするデプレッションモード金属酸化物半導 体電界効果トランジスター。

２１、Ｐ−型炭化珪素単一結晶基体と、前記Ｐ−型炭化珪素単−結晶基体の上に ｎ−型ベータ炭化珪素の活性層と、 前記ｎ−型ベータ炭化珪素の活性層にｎ−型ベータ炭化珪素ソース領域と、並び に 前記ｎ−型ベータ炭化珪素の活性層にｎ−型ベータ炭化珪素ドレーン領域とを備 え、 前記ｎ−型ベータ炭化珪素の活性層の部分が、ゲート領域とデプレッション領域 とを構成し、 約５７３にの温度で次の動作特性を有するデプレッションモード金属酸化物半導 体電界効果トランジスターであって、次の特性とは、 少なくとも２５Ｖのドレーン−ソース電圧、かつ−１５Ｖのゲート電圧での安定 なドレーン−電流飽和と、２５Ｖまでのドレーン　ソース電圧で２３マイクロア ンプより小さい漏洩電流と、 ５．５Ｖのゲート電圧、かつ２０Ｖのドレーン−ソース電圧で少なくとも６．０ ０ｍ５／ｍｍのトランスコンダクタンスとである、ことを特徴とするデプレッシ ョンモード金属酸化物半導体電界効果トランジスター。

２２．２−型炭化珪素単一結晶基体と、前記Ｐ−型炭化珪素単−結晶基体の上に ロー型ベータ炭化珪素の活性層と、 前記ロー型ベータ炭化珪素の活性層にｎ−型ベータ炭化珪素ソース領域と、並び に 前記ロー型ベータ炭化珪素の活性層にｎ−型ベータ炭化珪素ドレーン領域とを備 え、 前記ロー型ベータ炭化珪素の活性層の部分が、ゲート領域とデプレッション領域 とを構成し、 約９２３にの温度で次の動作特性を有するデプレッションモード金属酸化物半導 体電界効果ｌ・ランシスターであって、次の特性とは、 少なくとも２５Ｖのドレーン−ソース電圧、かつ−１５Ｖのゲート電圧での安定 なドレーン−電流飽和と、２５Ｖまでのドレーン　ソース電圧で１３０マイクロ アンプより小さい漏洩電流と、 ８ｖのゲート電圧、かつ２０Ｖのドレーン−ソース電圧で少なくとも４．８ｍＳ ／ｍｍのトランスコンダクタンスとである、ことを特徴とするデプレッションモ ード金属酸化物半導体電界効果トランジスター。

２３、少なくとも６５０°Ｃの温度と高い放射密度において動作可能な金属酸化 物半導体電界効果トランジスターの形成する方法であって、その方法は、 ａ）単一結晶炭化珪素基体の上に絶縁体表面層を形成する工程と、 ｂ）前記絶縁体表面層にゲート接点材料を選択的に被着させる工程と、 Ｃ）約６００にと約１１００　Ｋとの間の温度に維持されている前記炭化珪素基 体にドーパントイオンのイオンビームを指向させることにより、前記炭化珪素基 体に所望の導電型のドープソースとドープドレーンとを形成する工程と、並びに ｄ）ソース接点とドレーン接点とを被着させる工程とを、備える金属酸化物半導 体電界効果トランジスター形成方法。

２４、絶縁体表面の前記形成工程は前記炭化珪素基体の上に窒化珪素の層を形成 する工程を備える、ことを特徴とする請求項２３に記載の金属酸化物半導体電界 効果トランジスター形成方法。

２５、絶縁体層を形成する前記工程は前記炭化珪素基体の上に２酸化珪素表面層 を形成する、ことを特徴とする請求項２３に記載の金属酸化物半導体電界効果ト ランジスター形成方法。

手　続　補　正　書（方式） 平成　３年　１月３０日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．少なくとも６５０℃の温度と高い放射密度において動作可能な金属酸化物半 導体電界効果トランジスターの形成方法であって、その方法は、 ａ）第１導電型を有する炭化珪素基体を酸化して、２酸化珪素表面層を形成する 工程と、 ｂ）前記２酸化珪素表面層にゲート接点材料を選択的に被着させる工程と、 ｃ）ドーピングイオンの高温インプランテーションにより所望の導電型のドープ ソースとドープドレーンとを形成する工程と、 ｄ）ソース接点とドレーン接点とを被着させる工程とを、備える金属酸化物半導 体電界効果トランジスター形成方法。 ２．前記炭化珪素基体を磨く工程と、 前記磨き工程により前記炭化珪素基体の損傷した部分を酸化させる工程と、 前記炭化珪素表面層を酸化して前記２酸化珪素表面層を形成する前に、前記炭化 珪素基体の酸化した損傷部分を取り除く工程とを、実施することにより、酸化の ために表面を調製する工程を更に備える、ことを特徴とする請求項１に記載の金 属酸化物半導体電界効果トランジスター形成方法。 ３．ゲート接点材料を被着させる前記工程は、前記２酸化珪素表面層に導電性ポ リシリコンゲート接点材料を付加する工程を含む、ことを特徴とする請求項１に 記載の金属酸化物半導体電界効果トランジスター形成方法。 ４．ソース接点及びドレーン接点を被着させる前記工程は、タンタルシリサイド ソース接点及びタンタルシリサイドドレーン接点を被着させる工程を含む、こと を特徴とする請求項１に記載の金属酸化物半導体電界効果トランジスター形成方 法。 ５．ドープソースとドープドレーンを形成する前記工程は、約６００Ｋと約１１ ００Ｋ間の温度に維持されている炭化珪素基体にドーパントイオンのイオンビー ムを指向させる工程を備える、ことを特徴とする請求項１に記載の金属酸化物半 導体電界効果トランジスター形成方法。 ６．少なくとも６５０℃の温度と高い放射密度において動作可能な反転モード金 属絶縁膜半導体電界効果トランジスターの形成方法であって、その方法は、 炭化珪素部分にイオンをドーピングするソースとドレーンの高温イオンプランテ ーションにより、一導電型のドープソースとドープドレーンを反対導電型の炭化 珪素のドープ部分に形成する工程を備える、ことを特徴とする反転モード金属絶 縁膜半導体電界効果トランジスター形成方法。 ７．ドープソースとドープドレーンを形成する前記工程は、ｎ−ドープソースと ｎ−ドープドレーンを炭化珪素のＰ−ドープ部分に形成する工程を備える、こと を特徴とする請求項６に記載の反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジス ター形成方法。 ８．ドープソースとドープドレーンを形成する前記工程は、ｐ−ドープソースと ｐ−ドープドレーンを炭化珪素のｎ−ドープ部分に形成する工程を備える、こと を特徴とする請求項６に記載の反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジス ター形成方法。 ９．少なくとも６５０℃の温度と高い放射密度において動作可能なデプレッショ ンモード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスターの形成方法であって、その方 法は、前記炭化珪素部分にイオンをドーピングするソース部分とドレーン部分の 高温イオンプランテーションにより、ドープソース及びドープドレーンと同じ導 電型の炭化珪素半導体部分にドープソースとドープドレーンとを形成する工程を 備える、ことを特徴とするデプレッションモード金属絶縁膜半導体電界効果トラ ンジスター形成方法。 １０．ドープソースとドープドレーンを形成する前記工程は、一層濃厚なｎ−型 ドープソースと一層濃厚なｎ−型ドープドレーンをｎ−型化炭化珪素半導体部分 に形成する工程を備える、ことを特徴とする請求項９に記載のデプレッションモ ード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスター形成方法。 １１．ドープソースとドープドレーンを形成する前記工程は、一層濃厚なＰ−型 ドープソースと一層濃厚なＰ−型ドープドレーンをＰ−型炭化珪素半導体部分に 形成する工程を備える、ことを特徴とする請求項９に記載のデプレッションモー ド金属絶縁膜半電体電界効果トランジスター形成方法。 １２．Ｐ−型炭化珪素基体と、 ｎ−型炭化珪素で形成されたソースと、ｎ−型炭化珪素で形成されたドレーンと 、Ｐ−型炭化珪素ゲートと、並びに タンタルシリサイドで形成されたソース接点とドレーン接点とを備える、ことを 特徴とする反転モード金属酸化物半導体電界効果トランジスター。 １３．更に、導電性多結晶質珪素で形成されたゲート接点を備える、ことを特徴 とする請求項１２に記載の反転モード金属絶縁膜半導体電界効果トランジスター 。 １４．前記ドレーンは前記ゲートにより取り囲まれ、かつ前記ゲートは前記ソー スにより取り囲まれている、ことを特徴とする請求項１２に記載の反転モード金 属酸化物半導体電界効果トランジスター。 １５．前記ソースと前記ゲートは前記ドレーンを取り囲む同心円を構成する、こ とを特徴とする請求項１４に記載の反転モード金属酸化物半導体電界効果トラン ジスター。 １６．Ｐ−型アルファ炭化珪素基体と、デプレッション領域を電子的に境界付け るために前記Ｐ−型アルファ炭化珪素層の上にＰ−型ベータ炭化珪素層と、前記 Ｐ−型ベータ炭化珪素層の上にｎ−型ベータ炭化珪素の活性層と、 前記ｎ−型ベータ炭化珪素の活性層に一層濃密にドーピンッグされたｎ−型ソー ス領域と、 前記ｎ−型ベータ炭化珪素の活性層に一層濃密にドーピンッグされたｎ−型ドレ ーン領域と、 前記ｎ−型ベータ炭化珪素の活性層に存在し、かつ前記一層濃密にドーピンッグ されたｎ−型ソース領域と、一層濃密にドーピンッグされたｎ−型ドレーン領域 との間に位置する前記活性層の部分により形成されたゲート領域とを、備えるこ とを特徴とするデプレッションモード金属酸化物半導体電界効果トランジスター 。 １７．更に、導電性ポリシリコンで形成されたゲート接点を備える、ことを特徴 とする請求項１６に記載のデプレッションモード金属酸化物半導体電界効果トラ ンジスター。 １８．前記ドレーン領域は前記ゲート領域により取り囲まれ、かつ前記ゲート領 域は前記ソース領域により取り囲まれている、ことを特徴とする請求項１６に記 載のデプレッションモード金属酸化物半導体電界効果トランジスター。 １９．前記ソース領域と前記ゲート領域は前記ドレーンを取り囲む同心円を構成 する、ことを特徴とする請求項１８に記載のデプレッションモード金属酸化物半 導体電界効果トランジスター。 ２０．ｎ−型ベータ炭化珪素ゲートとデプレッション領域と、ｎ−型ベータ炭化 珪素ソースと、 ｎ−型ベータ炭化珪素ドレーンとを備えて、並びに約２９６Ｋの温度で次の動作 特性を有するデプレッションモード金属酸化物半導体電界効果トランジスターで あって、次の特性とは、 少なくとも２５Ｖのドレーン−ソース電圧、かつ−１５Ｖのゲート電圧での安定 なドレーン−電流飽和と、２５Ｖまでのドレーンソース電圧で４マイクロアンプ （ｍｉｃｒｏａｍＰ）より小さい漏洩電流と、２．５Ｖのゲート電圧かつ２０Ｖ のドレーン−ソース電圧で少なくとも５．３２ｍＳ／ｍｍのトランスコンダクタ ンスとである、ことを特徴とするデプレッションモード金属酸化物半導体電界効 果トランジスター。 ２１．ｎ−型ベータ炭化珪素ゲート及びデプレッション領域と、ｎ−型ベータ炭 化珪素ソースと、 ｎ−型ベータ炭化珪素ドレーンとを備え、並びに約５７３Ｋの温度で次の動作特 性を有するデプレッションモード金属酸化物半導体電界効果トランジスターであ って、次の特性とは、 少なくとも２５Ｖのドレーン−ソース電圧、かつ−１５Ｖのゲート電圧での安定 なドレーン−電流飽和と、２５Ｖまでのドレーンソース電圧で２３マイクロアン プより小さい漏洩電流と、 ５．５Ｖのゲート電圧、かつ２０Ｖのドレーン−ソース電圧で少なくとも６．０ ０ｍＳ／ｍｍのトランスコンダクタンスとである、ことを特徴とするデプレッシ ョンモード金属酸化物半導体電界効果トランジスター。 ２２．ｎ−型ベータ炭化珪素ゲート及びデプレッション領域と、ｎ−型ベータ炭 化珪素ソースと、 ｎ−型ベータ炭化珪素ドレーンとを備え、並びに約９２３Ｋの温度で次の動作特 性を有するデプレッションモード金属酸化物半導体電界効果トランジスターであ って、次の特性とは、 少なくとも２５Ｖのドレーン−ソース電圧、かつ−１５Ｖのゲート電圧での安定 なドレーン−電流飽和と、２５Ｖまでのドレーンソース電圧で１３０マイクロア ンプより小さい漏洩電流と、 ８Ｖのゲート電圧、かつ２０Ｖのドレーン−ソース電圧で少なくとも４．８ｍＳ ／ｍｍのトランスコンダクタンスとである、ことを特徴とするデプレッションモ ード金属酸化物半導体電界効果トランジスター。 ２３．少なくとも６５０℃の温度と高い放射密度において動作可能な金属酸化物 半導体電界効果トランジスターの形成する方法であって、その方法は、 ａ）炭化珪素基体の上に絶縁体表面層を形成する工程と、ｂ）前記絶縁体表面層 にゲート接点材料を選択的に被着させる工程と、 ｃ）イオンをドーピングする高温インプランテーションにより、所望の導電型の ドープソースとドープドレーンとを前記炭化珪素基体に形成する工程と、並びに ｄ）ソース接点とドレーン接点とを被着させる工程とを、備える金属酸化物半導 体電界効果トランジスター形成方法。 ２４．絶縁体表面の前記形成工程は前記炭化珪素基体の上に窒化珪素の層を形成 する工程を備える、ことを特徴とする請求項２３に記載の金属酸化物半導体電界 効果トランジスター形成方法。 ２５．絶縁体層を形成する前記工程は前記炭化珪素基体の上に２酸化珪素表面層 を形成する、ことを特徴とする請求項２３に記載の金属酸化物半導体電界効果ト ランジスター形成方法。