JPH0350732A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0350732A JPH0350732A JP18535589A JP18535589A JPH0350732A JP H0350732 A JPH0350732 A JP H0350732A JP 18535589 A JP18535589 A JP 18535589A JP 18535589 A JP18535589 A JP 18535589A JP H0350732 A JPH0350732 A JP H0350732A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measuring electrode
- integrated circuit
- cutting
- measurement electrode
- cutting line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置、特に集積回路の製造において、
回路中に使用されるトランジスタ、抵抗器などの素子革
体の電気的特性を試験するための試験用回路の第４造に
関する。
回路中に使用されるトランジスタ、抵抗器などの素子革
体の電気的特性を試験するための試験用回路の第４造に
関する。
［従来の技術］
集積回路の集積度が太き（なり、素子サイズが小さ（な
るにつれて、試験、評価すべき項目が多（なり、前記試
験用回路も複雑化する傾向にある複雑化、大型化した試
駆用回路は、集積回路本体の高集積度を保つため、集積
回路本体の外にあるスクライブ領域、即ち完成した集積
回路チップを切断する際の「切りしろ」領域内に設置す
ることが多い。
るにつれて、試験、評価すべき項目が多（なり、前記試
験用回路も複雑化する傾向にある複雑化、大型化した試
駆用回路は、集積回路本体の高集積度を保つため、集積
回路本体の外にあるスクライブ領域、即ち完成した集積
回路チップを切断する際の「切りしろ」領域内に設置す
ることが多い。
評価が終了して不要になったスクライブ領域内の試験用
回路は、集積回路チップを切断する際に切り屑と化して
消滅するから、上記の方法によって、集積回路チップ本
体のサイズをいたずらに太き（すること無（、大型の試
験用回路を設置することが可能になる。
回路は、集積回路チップを切断する際に切り屑と化して
消滅するから、上記の方法によって、集積回路チップ本
体のサイズをいたずらに太き（すること無（、大型の試
験用回路を設置することが可能になる。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、従来の技術によって前記スクライブ領域内に試
験用回路を設置した場合、試°験測定時に測定用の探針
を受けるための大型の測定用電極を設置しなければなら
ず、この測定用電極がアルミニウムなどの柔らかい金属
で形成されることが一般的であるため、集積回路チップ
を切断する際に測定電極の切り屑が「ひげ状」にめ（れ
上がって集積回路本体に接触するなどして、故障の原因
になる危険があった。
験用回路を設置した場合、試°験測定時に測定用の探針
を受けるための大型の測定用電極を設置しなければなら
ず、この測定用電極がアルミニウムなどの柔らかい金属
で形成されることが一般的であるため、集積回路チップ
を切断する際に測定電極の切り屑が「ひげ状」にめ（れ
上がって集積回路本体に接触するなどして、故障の原因
になる危険があった。
本発明は、このような従来の半導体集積回路の試験用回
路測定用電極の「ひげ状」めくれあがりの問題を解決す
るもので、その目的とするところは、半導体集積回路の
故障率の低減、及び信頼性の向上を提供するところにあ
る。
路測定用電極の「ひげ状」めくれあがりの問題を解決す
るもので、その目的とするところは、半導体集積回路の
故障率の低減、及び信頼性の向上を提供するところにあ
る。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置は、半導体基板表面に完成品チップ
切断用の「切りしろ」、即ちスクライブ領域を有し、前
記スクライブ領域に素子特性試験のための試験用回路と
、前記試験用回路を測定する除の探針を受けるための測
定用電極とを有する半導体装置において、前記測定用電
極に切り欠きを有することを特徴とする。
切断用の「切りしろ」、即ちスクライブ領域を有し、前
記スクライブ領域に素子特性試験のための試験用回路と
、前記試験用回路を測定する除の探針を受けるための測
定用電極とを有する半導体装置において、前記測定用電
極に切り欠きを有することを特徴とする。
［作用コ
本発明の上記の＋４成によれば、前記測定用電極に適切
な切り欠きを設けることによって、測定用電極が切断線
に沿って細かく分断された形となり、集積回路チップを
切断するｌｉＫ測定電極の切り屑が「ひげ状」にめくれ
上がる現象を防止することができる。
な切り欠きを設けることによって、測定用電極が切断線
に沿って細かく分断された形となり、集積回路チップを
切断するｌｉＫ測定電極の切り屑が「ひげ状」にめくれ
上がる現象を防止することができる。
［実施例］
第１図は、本発明の実施例における半導体装置の試験用
回路の測定用電極を示す平面図であって切り欠きの形状
を例示する。また第２図は、第１図に示した電極の切断
線にそった断面図である１はアルミニウムで形成された
測定用電極、２は測定用電極に設けられた切υ欠き、３
は半導体基板、４は二酸化硅素膜、５は集積回路本体チ
ップとの境界線、６は本体チップを切断する際の切断線
である。
回路の測定用電極を示す平面図であって切り欠きの形状
を例示する。また第２図は、第１図に示した電極の切断
線にそった断面図である１はアルミニウムで形成された
測定用電極、２は測定用電極に設けられた切υ欠き、３
は半導体基板、４は二酸化硅素膜、５は集積回路本体チ
ップとの境界線、６は本体チップを切断する際の切断線
である。
測定用電極１及び切り欠き２は、半導体基板３の上に形
成した絶縁膜である二酸化硅素膜４の上にスパッタ快ン
グなどの方法で形成した均一なアルミニウム膜を、フォ
ト・エツチングなどの方゛法で選択的に除去して一度に
形成する。
成した絶縁膜である二酸化硅素膜４の上にスパッタ快ン
グなどの方法で形成した均一なアルミニウム膜を、フォ
ト・エツチングなどの方゛法で選択的に除去して一度に
形成する。
このような構造により、測定用電極１が切断線６に沿っ
て細かく分断之れた形となり、集憧回路チップを切断す
る際に測定電極１の切り屑が「ひげ状」にめ（れ上がる
現象を防止することができる。
て細かく分断之れた形となり、集憧回路チップを切断す
る際に測定電極１の切り屑が「ひげ状」にめ（れ上がる
現象を防止することができる。
［発明の効果］
以上述へたように本発明によれば、スクライブ領域に設
置した試験用回路測定用電極を集積回路チップ切断時の
切断線に沿って細かく分断することにより、測定電極の
切り屑が「ひげ状」にめくれ上がって集積回路本体に接
触し品質が低下するのを防止する効果を有する。
置した試験用回路測定用電極を集積回路チップ切断時の
切断線に沿って細かく分断することにより、測定電極の
切り屑が「ひげ状」にめくれ上がって集積回路本体に接
触し品質が低下するのを防止する効果を有する。
第１図は、本発明の実施例における半導体装置の試験用
回路の測定用電極を示す平面図である。 第２図は、第１図に示した電極の切断線に沿った断面図
である。 １・・・・・・−・・アルミニウムで形成された測定用
電極２・・・・・・・・・測定用電極に設けられた切り
欠き３・・・・・・・・・半導体基板 ４・・・・・・〜・・二酸化硅素膜 ５・・・・・・・・・集積回路本体チップとの境界線６
・・・・・・・・・本体チップを切断する際の切断線以
上
回路の測定用電極を示す平面図である。 第２図は、第１図に示した電極の切断線に沿った断面図
である。 １・・・・・・−・・アルミニウムで形成された測定用
電極２・・・・・・・・・測定用電極に設けられた切り
欠き３・・・・・・・・・半導体基板 ４・・・・・・〜・・二酸化硅素膜 ５・・・・・・・・・集積回路本体チップとの境界線６
・・・・・・・・・本体チップを切断する際の切断線以
上
Claims (1)
- 半導体基板表面に完成品チップ切断用の「切りしろ」、
即ちスクライブ領域を有し、前記スクライブ領域に素子
特性試験のための試験用回路と、前記試験用回路を測定
する際の探針を受けるための測定用電極とを有する半導
体装置において、前記測定用電極に切り欠きを有するこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18535589A JPH0350732A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18535589A JPH0350732A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350732A true JPH0350732A (ja) | 1991-03-05 |
Family
ID=16169339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18535589A Pending JPH0350732A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0350732A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0621188A (ja) * | 1991-12-13 | 1994-01-28 | Yamaha Corp | 半導体ウェハ |
| US9406571B2 (en) | 2014-01-31 | 2016-08-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device including inline inspection |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP18535589A patent/JPH0350732A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0621188A (ja) * | 1991-12-13 | 1994-01-28 | Yamaha Corp | 半導体ウェハ |
| US9406571B2 (en) | 2014-01-31 | 2016-08-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device including inline inspection |
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