JPH0351242B2 - - Google Patents
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- JPH0351242B2 JPH0351242B2 JP59228557A JP22855784A JPH0351242B2 JP H0351242 B2 JPH0351242 B2 JP H0351242B2 JP 59228557 A JP59228557 A JP 59228557A JP 22855784 A JP22855784 A JP 22855784A JP H0351242 B2 JPH0351242 B2 JP H0351242B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 25
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 241000202943 Hernandia sonora Species 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N magnesium nitrate Chemical compound [Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高周波用誘電体磁器の製法に関し、
特に無負荷Ｑが高い低損失の高周波用誘電体磁器
の製法に関する。 〔従来技術〕 一般に、マイクロ波やミリ波などの高周波領域
の信号回路に使用される誘電体共振器や誘電体基
板には、高い無負荷Ｑを有する誘電体磁器を用い
ることが望まれる。ところで、近年、通信に使用
される周波数の高周波化がとみに進み、SHF帯
を用いた衛星放送も実用化の段階に入りつつある
ため、一層高い無負荷Ｑを有する低損失誘電体磁
器の開発が強く求められている。 従来、高周波用の低損失誘電体磁器として用い
られているものの無負荷Ｑは、3000〜7000程度で
あり、ようやく近年になつて10000以上のものが
製造されるようになつた。 BaO−MgO−Ta2O5系誘電体磁器においては、
従来知られている、特に他の添加物を含まない
BaO−MgO−Ta2O5系磁器は無負荷Ｑが4000程
度と低い（特開昭53−60544号公報）。さらに別の
添加元素を配合したBaO−MgO−Ta2O5系磁器
でも、無負荷Ｑは、例えば特開昭54−77000号公
報に開示の3BaO・xMagO・（１−ｘ）ZnO・
Ta2O5の組成の磁器が4360、特開昭54−71400号
公報に開示の3BaO・xMgO・（１−ｙ）Nb2O5・
yTa2O5の組成の磁器が4090と低くて、これらの
磁器はSHF帯通信用材料としては適当でない。 BaO−MgO−Ta2O5系磁器の無負荷Ｑを高め
るために、Ba（Mg1/3Ta2/3）O3を主成分とするペ
ロブスカイト構造酸化物に少量のMnを添加して
焼結する方法が提案されている（特開昭58−
206003号公報）。この方法によれば確かに無負荷
Ｑが10000以上の誘電体磁器が得られるが、Mn
のような異種元素を添加することは、製造工程の
複雑化を招く上に、添加工程において不要なさら
には磁器特性に悪影響を及ぼす不純物が混入する
恐れを伴なう。さらに、製品の品質管理上、添加
量の制御や添加物の均一分布などに特別の注意が
必要となる不利があり、量産に適しない方法であ
る。 さて、上述のBaO−MgO−Ta2O5系誘電体磁
器の製造はいずれも通常の焼成方法、すなわち所
定の組成を有する加圧成形物をおよそ1000〜1500
℃の温度で焼成する方法により行われ、その場合
焼成温度までの昇温過程は特に重要とはされず、
急速な加熱により磁器が破損するのを恐れて、炉
内に加圧成形体を入れ炉の温度を室温から所望温
度まで徐々に上げるため、大体２〜20゜／分の昇
温速度で加熱が行われるのが普通であつた。この
従来の焼成方法自体、昇温過程に数時間という長
い時間を必要とし、生産能率向上の妨げとなると
いう欠点を有するものであつた。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述のように、従来の製法によるMnのような
添加元素を配合しない限り高い無負荷Ｑを有する
BaO−MgO−Ta2O5系誘電体磁器を得ることは
困難であり、一方Mnのような添加元素を使用す
る方法には製造工程の複雑化を初めとする種々の
欠点が伴なつた。また、従来の焼成法には、昇温
過程が長時間要し不能率で生産性を低下させてい
るという問題が存在した。 そこで、本発明の目的は、他のいずれの添加元
素を配合することなく、高い無負荷Ｑを有する高
周波用低損失のBaO−MgO−Ta2O5系誘電体磁
器の製法であつて、生産能率が高くかつ品質管理
の容易な製法を提供することにある。 本発明者らは、焼成過程の研究の結果、次に示
す方法により上記目的を達成し得ることを見出し
た。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、一般式：xBaO・yMgO・zTa2O5で
表わされ、ただし、0.5≦ｘ≦0.7、0.15≦ｙ≦
0.25、0.15≦ｚ≦0.25で、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である
組成を有する加圧成形物を、1500〜1700℃の温度
まで100〜1600℃／分の昇温速度で加熱し、次い
で該温度に30分以上保持することからなる高周波
用誘電体磁器の製造方法を提供する。 本発明の方法に用いられる加圧成形物は、常法
にしたがつて、所要組成BaO−MgO−Ta2O5磁
器が得られるような割合で、例えば、炭酸バリウ
ム、酸化マグネシウムおよび五酸化二タンタルを
配合し、仮焼によりすべて酸化物に転化したもの
を加圧成形したものである。加圧成形方法には特
に制限はないが、等方圧加圧による方法が好まし
い。また、加圧成形の圧力は特に限定はしないが
1000Kg／cm2以上が好ましい。 前記加圧成形物の組成は前記一般式で表わさ
れ、ｘ、ｙおよびｚは前記に定義のとおりでなけ
ればならず、ｘ、ｙおよびｚのいずれか１つでも
前記の範囲内にない場合には、得られる磁器は、
緻密でなく、機械的強度が低くかつ無負荷Ｑも低
い。ｘ、ｙおよびｚは、好ましくは、それぞれ
0.56≦ｘ≦0.64、0.18≦ｙ≦0.22および0.18≦ｚ≦
0.22の範囲である。 本発明の方法における昇温速度は、100゜〜1600
℃／分、好ましくは200〜1600℃／分であること
が必要である。昇温速度が100℃／分未満では、
焼結が不十分であるために得られる磁器の無負荷
Ｑが低く、また1600℃／分を越えると磁器が割れ
てしまう。 また、本発明における焼成温度は1500〜1700
℃、好ましくは1550〜1650℃の間でなければなら
ない。この温度が1500℃未満であると焼結が不十
分であるため、得られる磁器の機械的強度が低
く、無負荷Ｑも低い。焼成温度が1700℃を超える
と、処理される磁器が、高温安定性が高いために
焼成工程に磁器の保持容器としてよく使用される
白金製容器と反応して得られる磁器の特性が低下
する。 本発明の方法では被処理体を上記の焼成温度に
30分以上保持する必要がある。焼成時間が30分未
満では、得られる磁器は焼結が不十分で、機械的
強度も無負荷Ｑも低くなることが多い。 本発明の方法は、窒素ガス、アルゴン等の不活
性雰囲気または空気、酸素ガス等の酸化性雰囲気
において行うことが好ましい。 本発明の特徴のひとつは前述のとおり、100〜
1600℃／分という大きな速度で急速昇温すること
であるが、これは種々の方法により実施すること
ができる。例えば、縦型炉の加熱された炉芯管内
へ耐熱衝撃性を有する白金製支持体（例、カゴ）
を用いて上方から加圧成形物を吊り下げ降ろす方
法、同じく炉芯管内へ白金製支持台に載せて下方
から押し上げ入れる方法、赤外線もしくはキセノ
ンランプもしくは太陽光線などを用いたイメージ
炉により急速加熱する方法等を挙げることができ
る。最初に挙げた、加熱された炉心管内へ吊り下
げ降す方法が簡単で好適な方法である。 〔実施例〕 以下、本発明を実施例により具体的に説明する
が、本発明の範囲をこれらに限定するものではな
い。 以下の実施例および比較例では、加圧成形体の
加熱、焼成を第１図に概略的に示す装置を用いて
行つた。第１図において、炉芯管１は円筒状の抵
抗加熱炉２の中央部に配置されている。炉芯管１
の蓋３は耐熱衝撃性のある白金線４により吊るさ
れ、該白金線４はケーブル５に接続され、ケーブ
ル５は駆動部６に導びかれ、ケーブル５の他端に
はバランサー７が取付けられている。蓋３の底部
には白金製カゴ８を吊す白金線９が取付けられて
いる。駆動部６には、速度可変のインジエクシヨ
ンモータ１０が備わつていて、ケーブル５、およ
び白金線４，９を介して白線製カゴ８の昇降速度
を変えることができるようになつている。また、
蓋３が下降して炉芯管１を閉じた段階で白金製カ
ゴ８は炉芯管の灼熱部で停止するようになつてい
る。なお、駆動部６の下方には遮熱アルミ板１１
が設けられ、炉の高温から保護されるようになつ
ている。 この装置を用いて本発明の方法を実施する際に
は、炉芯管１の灼熱部の温度を予め所望の焼成温
度に設定しておき、処理すべき加圧成形物を入れ
た白金製カゴ８を炉芯管上端からその灼熱部へと
降下、挿入してゆく。加圧成形物の昇温速度は、
白金製カゴ８の降下速度をモータ１０により変え
ることにより制御することができる。 実施例 原料として、それぞれ純度99.9％である炭酸バ
リウム、酸化マグネシウムおよび五酸化二タンタ
ルの粉末を使用し、まずこれら３種の物質を所定
の割合で混合した。すなわち、実施例１〜13の各
実施例においては、得られる磁器の組成を表わす
一般式xBaO・yMgO・zTa2O5におけるｘ、ｙお
よびｚがそれぞれ第１表に示す数値となるように
秤取し（ｘ、ｙ、ｚは、それぞれ0.5≦ｘ≦0.7、
0.15≦ｙ≦0.25、0.15≦ｚ≦0.25の範囲である）、
表面を樹脂コートしたボールを用いて、純水とと
もにポリエチレン製ポツトに入れ、16時間湿式混
合した。この混合物をポツトより取出し、120℃
で12時間乾燥した後、700Kg／cm2の圧力で加圧成
形して塊とし、混合物中の炭酸塩を酸化物とする
ために、白金板上で空気中900℃〜1300℃で２時
間仮焼した。仮焼後、アルミナ乳鉢で塊を粉砕
し、42メツシユの篩を通して粒度を整えた。得ら
れた粉末を圧力500Kg／cm2で直径10mm、厚さ約５
mmの円板状に一次成形した後、圧力2000Kg／cm2の
等方圧で圧縮し成形体とした。これ白金線で吊る
された白金製のカゴに入れ、前述の第１図に示す
装置の炉芯管の灼熱部へ上方から挿入した。各実
施例において、炉芯管の灼熱部は予め第１表に示
すように1500〜1700℃の範囲内の焼成温度に保持
されており、白金製カゴの降下速度を制御するこ
とにより成形体の昇温速度が各実施例について第
１表に示した100〜1600℃／分の範囲内の値とな
るようにした。成形体の温度が焼成温度に達した
後30分〜４時間その温度で焼成を行つた。なお、
焼成中の雰囲気は炉芯管の下部から酸素ガス、窒
素ガスまたは空気を400c.c.（STP）／分の流量で
送入して調製した。各実施例における雰囲気は、
実施例１〜11が空気、実施例12が酸素、そして実
施例13が窒素であつた。 得られた磁器の比誘電率（ε）および無負荷Ｑ
（Qu）を誘電体共振器法により11GHz付近の周波
数において測定した。得られた結果を第１表に示
す。 比較例 第１表に示すように、磁器の組成または焼成条
件が本発明の範囲からはずれる以外は実施例と同
様にして比較例１〜７の磁器を製造した。比較例
１、２は磁器の組成が、比較例３、４は昇温速度
が、比較例５、６は焼成温度が、そして比較例７
は焼成温度における保持時間がそれぞれ本発明の
範囲外にある場合である。なお、焼成雰囲気はす
べて空気であつた。 得られた磁器の比誘電率および無負荷Ｑを実施
例と同様に測定した結果を第１表に示す。なお、
比較例３では磁器に割れが生じ、比較例５では焼
成物が白金製カゴと反応したため測定は行わなか
つた。
特に無負荷Ｑが高い低損失の高周波用誘電体磁器
の製法に関する。 〔従来技術〕 一般に、マイクロ波やミリ波などの高周波領域
の信号回路に使用される誘電体共振器や誘電体基
板には、高い無負荷Ｑを有する誘電体磁器を用い
ることが望まれる。ところで、近年、通信に使用
される周波数の高周波化がとみに進み、SHF帯
を用いた衛星放送も実用化の段階に入りつつある
ため、一層高い無負荷Ｑを有する低損失誘電体磁
器の開発が強く求められている。 従来、高周波用の低損失誘電体磁器として用い
られているものの無負荷Ｑは、3000〜7000程度で
あり、ようやく近年になつて10000以上のものが
製造されるようになつた。 BaO−MgO−Ta2O5系誘電体磁器においては、
従来知られている、特に他の添加物を含まない
BaO−MgO−Ta2O5系磁器は無負荷Ｑが4000程
度と低い（特開昭53−60544号公報）。さらに別の
添加元素を配合したBaO−MgO−Ta2O5系磁器
でも、無負荷Ｑは、例えば特開昭54−77000号公
報に開示の3BaO・xMagO・（１−ｘ）ZnO・
Ta2O5の組成の磁器が4360、特開昭54−71400号
公報に開示の3BaO・xMgO・（１−ｙ）Nb2O5・
yTa2O5の組成の磁器が4090と低くて、これらの
磁器はSHF帯通信用材料としては適当でない。 BaO−MgO−Ta2O5系磁器の無負荷Ｑを高め
るために、Ba（Mg1/3Ta2/3）O3を主成分とするペ
ロブスカイト構造酸化物に少量のMnを添加して
焼結する方法が提案されている（特開昭58−
206003号公報）。この方法によれば確かに無負荷
Ｑが10000以上の誘電体磁器が得られるが、Mn
のような異種元素を添加することは、製造工程の
複雑化を招く上に、添加工程において不要なさら
には磁器特性に悪影響を及ぼす不純物が混入する
恐れを伴なう。さらに、製品の品質管理上、添加
量の制御や添加物の均一分布などに特別の注意が
必要となる不利があり、量産に適しない方法であ
る。 さて、上述のBaO−MgO−Ta2O5系誘電体磁
器の製造はいずれも通常の焼成方法、すなわち所
定の組成を有する加圧成形物をおよそ1000〜1500
℃の温度で焼成する方法により行われ、その場合
焼成温度までの昇温過程は特に重要とはされず、
急速な加熱により磁器が破損するのを恐れて、炉
内に加圧成形体を入れ炉の温度を室温から所望温
度まで徐々に上げるため、大体２〜20゜／分の昇
温速度で加熱が行われるのが普通であつた。この
従来の焼成方法自体、昇温過程に数時間という長
い時間を必要とし、生産能率向上の妨げとなると
いう欠点を有するものであつた。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述のように、従来の製法によるMnのような
添加元素を配合しない限り高い無負荷Ｑを有する
BaO−MgO−Ta2O5系誘電体磁器を得ることは
困難であり、一方Mnのような添加元素を使用す
る方法には製造工程の複雑化を初めとする種々の
欠点が伴なつた。また、従来の焼成法には、昇温
過程が長時間要し不能率で生産性を低下させてい
るという問題が存在した。 そこで、本発明の目的は、他のいずれの添加元
素を配合することなく、高い無負荷Ｑを有する高
周波用低損失のBaO−MgO−Ta2O5系誘電体磁
器の製法であつて、生産能率が高くかつ品質管理
の容易な製法を提供することにある。 本発明者らは、焼成過程の研究の結果、次に示
す方法により上記目的を達成し得ることを見出し
た。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、一般式：xBaO・yMgO・zTa2O5で
表わされ、ただし、0.5≦ｘ≦0.7、0.15≦ｙ≦
0.25、0.15≦ｚ≦0.25で、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である
組成を有する加圧成形物を、1500〜1700℃の温度
まで100〜1600℃／分の昇温速度で加熱し、次い
で該温度に30分以上保持することからなる高周波
用誘電体磁器の製造方法を提供する。 本発明の方法に用いられる加圧成形物は、常法
にしたがつて、所要組成BaO−MgO−Ta2O5磁
器が得られるような割合で、例えば、炭酸バリウ
ム、酸化マグネシウムおよび五酸化二タンタルを
配合し、仮焼によりすべて酸化物に転化したもの
を加圧成形したものである。加圧成形方法には特
に制限はないが、等方圧加圧による方法が好まし
い。また、加圧成形の圧力は特に限定はしないが
1000Kg／cm2以上が好ましい。 前記加圧成形物の組成は前記一般式で表わさ
れ、ｘ、ｙおよびｚは前記に定義のとおりでなけ
ればならず、ｘ、ｙおよびｚのいずれか１つでも
前記の範囲内にない場合には、得られる磁器は、
緻密でなく、機械的強度が低くかつ無負荷Ｑも低
い。ｘ、ｙおよびｚは、好ましくは、それぞれ
0.56≦ｘ≦0.64、0.18≦ｙ≦0.22および0.18≦ｚ≦
0.22の範囲である。 本発明の方法における昇温速度は、100゜〜1600
℃／分、好ましくは200〜1600℃／分であること
が必要である。昇温速度が100℃／分未満では、
焼結が不十分であるために得られる磁器の無負荷
Ｑが低く、また1600℃／分を越えると磁器が割れ
てしまう。 また、本発明における焼成温度は1500〜1700
℃、好ましくは1550〜1650℃の間でなければなら
ない。この温度が1500℃未満であると焼結が不十
分であるため、得られる磁器の機械的強度が低
く、無負荷Ｑも低い。焼成温度が1700℃を超える
と、処理される磁器が、高温安定性が高いために
焼成工程に磁器の保持容器としてよく使用される
白金製容器と反応して得られる磁器の特性が低下
する。 本発明の方法では被処理体を上記の焼成温度に
30分以上保持する必要がある。焼成時間が30分未
満では、得られる磁器は焼結が不十分で、機械的
強度も無負荷Ｑも低くなることが多い。 本発明の方法は、窒素ガス、アルゴン等の不活
性雰囲気または空気、酸素ガス等の酸化性雰囲気
において行うことが好ましい。 本発明の特徴のひとつは前述のとおり、100〜
1600℃／分という大きな速度で急速昇温すること
であるが、これは種々の方法により実施すること
ができる。例えば、縦型炉の加熱された炉芯管内
へ耐熱衝撃性を有する白金製支持体（例、カゴ）
を用いて上方から加圧成形物を吊り下げ降ろす方
法、同じく炉芯管内へ白金製支持台に載せて下方
から押し上げ入れる方法、赤外線もしくはキセノ
ンランプもしくは太陽光線などを用いたイメージ
炉により急速加熱する方法等を挙げることができ
る。最初に挙げた、加熱された炉心管内へ吊り下
げ降す方法が簡単で好適な方法である。 〔実施例〕 以下、本発明を実施例により具体的に説明する
が、本発明の範囲をこれらに限定するものではな
い。 以下の実施例および比較例では、加圧成形体の
加熱、焼成を第１図に概略的に示す装置を用いて
行つた。第１図において、炉芯管１は円筒状の抵
抗加熱炉２の中央部に配置されている。炉芯管１
の蓋３は耐熱衝撃性のある白金線４により吊るさ
れ、該白金線４はケーブル５に接続され、ケーブ
ル５は駆動部６に導びかれ、ケーブル５の他端に
はバランサー７が取付けられている。蓋３の底部
には白金製カゴ８を吊す白金線９が取付けられて
いる。駆動部６には、速度可変のインジエクシヨ
ンモータ１０が備わつていて、ケーブル５、およ
び白金線４，９を介して白線製カゴ８の昇降速度
を変えることができるようになつている。また、
蓋３が下降して炉芯管１を閉じた段階で白金製カ
ゴ８は炉芯管の灼熱部で停止するようになつてい
る。なお、駆動部６の下方には遮熱アルミ板１１
が設けられ、炉の高温から保護されるようになつ
ている。 この装置を用いて本発明の方法を実施する際に
は、炉芯管１の灼熱部の温度を予め所望の焼成温
度に設定しておき、処理すべき加圧成形物を入れ
た白金製カゴ８を炉芯管上端からその灼熱部へと
降下、挿入してゆく。加圧成形物の昇温速度は、
白金製カゴ８の降下速度をモータ１０により変え
ることにより制御することができる。 実施例 原料として、それぞれ純度99.9％である炭酸バ
リウム、酸化マグネシウムおよび五酸化二タンタ
ルの粉末を使用し、まずこれら３種の物質を所定
の割合で混合した。すなわち、実施例１〜13の各
実施例においては、得られる磁器の組成を表わす
一般式xBaO・yMgO・zTa2O5におけるｘ、ｙお
よびｚがそれぞれ第１表に示す数値となるように
秤取し（ｘ、ｙ、ｚは、それぞれ0.5≦ｘ≦0.7、
0.15≦ｙ≦0.25、0.15≦ｚ≦0.25の範囲である）、
表面を樹脂コートしたボールを用いて、純水とと
もにポリエチレン製ポツトに入れ、16時間湿式混
合した。この混合物をポツトより取出し、120℃
で12時間乾燥した後、700Kg／cm2の圧力で加圧成
形して塊とし、混合物中の炭酸塩を酸化物とする
ために、白金板上で空気中900℃〜1300℃で２時
間仮焼した。仮焼後、アルミナ乳鉢で塊を粉砕
し、42メツシユの篩を通して粒度を整えた。得ら
れた粉末を圧力500Kg／cm2で直径10mm、厚さ約５
mmの円板状に一次成形した後、圧力2000Kg／cm2の
等方圧で圧縮し成形体とした。これ白金線で吊る
された白金製のカゴに入れ、前述の第１図に示す
装置の炉芯管の灼熱部へ上方から挿入した。各実
施例において、炉芯管の灼熱部は予め第１表に示
すように1500〜1700℃の範囲内の焼成温度に保持
されており、白金製カゴの降下速度を制御するこ
とにより成形体の昇温速度が各実施例について第
１表に示した100〜1600℃／分の範囲内の値とな
るようにした。成形体の温度が焼成温度に達した
後30分〜４時間その温度で焼成を行つた。なお、
焼成中の雰囲気は炉芯管の下部から酸素ガス、窒
素ガスまたは空気を400c.c.（STP）／分の流量で
送入して調製した。各実施例における雰囲気は、
実施例１〜11が空気、実施例12が酸素、そして実
施例13が窒素であつた。 得られた磁器の比誘電率（ε）および無負荷Ｑ
（Qu）を誘電体共振器法により11GHz付近の周波
数において測定した。得られた結果を第１表に示
す。 比較例 第１表に示すように、磁器の組成または焼成条
件が本発明の範囲からはずれる以外は実施例と同
様にして比較例１〜７の磁器を製造した。比較例
１、２は磁器の組成が、比較例３、４は昇温速度
が、比較例５、６は焼成温度が、そして比較例７
は焼成温度における保持時間がそれぞれ本発明の
範囲外にある場合である。なお、焼成雰囲気はす
べて空気であつた。 得られた磁器の比誘電率および無負荷Ｑを実施
例と同様に測定した結果を第１表に示す。なお、
比較例３では磁器に割れが生じ、比較例５では焼
成物が白金製カゴと反応したため測定は行わなか
つた。
実施例の結果から明らかなように、本発明によ
り得られるBaO−MgO−Ta2O5系誘電体磁器は、
Mnのような元素の添加を行わずに、高い無負荷
Ｑを有し、特に衛星通信等に好適な周波数11GHz
附近において比誘電率が約22を超え、無負荷Ｑが
7900以上と高く高周波用低損失誘電体磁器として
優れている。また、本発明の製造方法は製造工程
が簡単であり、しかも急速昇温焼成に依つている
ため、昇温時間が従来数時間を要していたところ
を数分間に短縮でき、焼成工程を極めて簡便なも
のとし、かつ迅速化できる効果がある。このため
に本発明の製造方法は、添加物を要する方法と比
して、工程の簡略、品質管理、能率向上等に優れ
ている。
り得られるBaO−MgO−Ta2O5系誘電体磁器は、
Mnのような元素の添加を行わずに、高い無負荷
Ｑを有し、特に衛星通信等に好適な周波数11GHz
附近において比誘電率が約22を超え、無負荷Ｑが
7900以上と高く高周波用低損失誘電体磁器として
優れている。また、本発明の製造方法は製造工程
が簡単であり、しかも急速昇温焼成に依つている
ため、昇温時間が従来数時間を要していたところ
を数分間に短縮でき、焼成工程を極めて簡便なも
のとし、かつ迅速化できる効果がある。このため
に本発明の製造方法は、添加物を要する方法と比
して、工程の簡略、品質管理、能率向上等に優れ
ている。
第１図は、本発明の方法を実施するのに使用す
る焼成装置例である。 １……炉芯管、２……抵抗加熱炉、４，９……
白金線、５……ケーブル、６……駆動部、８……
白金製カゴ。
る焼成装置例である。 １……炉芯管、２……抵抗加熱炉、４，９……
白金線、５……ケーブル、６……駆動部、８……
白金製カゴ。
Claims (1)
- １ 一般式：xBaO・yMgO・zTa2O5で表わさ
れ、ただし、0.5≦ｘ≦0.7、0.15≦ｙ≦0.25、0.15
≦ｚ≦0.25で、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である組成を有す
る加圧成形物を、1500〜1700℃の温度まで100〜
1600℃／分の昇温速度で加熱し、次いで該温度に
30分以上保持することからなる高周波用誘電体磁
器の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59228557A JPS61107609A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 高周波用誘電体磁器の製造方法 |
| GB08526273A GB2166431B (en) | 1984-10-30 | 1985-10-24 | Dielectric ceramics |
| US06/793,108 US4731207A (en) | 1984-10-30 | 1985-10-30 | Method for manufacture of high-frequency dielectric ceramics |
| DE19853538631 DE3538631A1 (de) | 1984-10-30 | 1985-10-30 | Verfahren zur herstellung von hochfrequenzdielektrikum-keramiken |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59228557A JPS61107609A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 高周波用誘電体磁器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61107609A JPS61107609A (ja) | 1986-05-26 |
| JPH0351242B2 true JPH0351242B2 (ja) | 1991-08-06 |
Family
ID=16878238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59228557A Granted JPS61107609A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 高周波用誘電体磁器の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4731207A (ja) |
| JP (1) | JPS61107609A (ja) |
| DE (1) | DE3538631A1 (ja) |
| GB (1) | GB2166431B (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0252668B1 (en) * | 1986-02-21 | 1992-01-29 | Sumitomo Metal Mining Company Limited | Dielectric ceramics |
| CA1296177C (en) * | 1986-07-09 | 1992-02-25 | Kazutoshi Matsumoto | Dielectric ceramics |
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| JPH0732323B2 (ja) * | 1989-05-30 | 1995-04-10 | 住友金属鉱山株式会社 | 共振周波数の温度係数を調整可能な共振器 |
| JPH0625025B2 (ja) * | 1989-05-30 | 1994-04-06 | 住友金属鉱山株式会社 | 誘電体磁器の製造方法 |
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| KR100487204B1 (ko) * | 2001-08-30 | 2005-05-03 | (주)에어링크테크놀로지 | 고주파용 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조방법 |
| US8851894B1 (en) * | 2008-03-18 | 2014-10-07 | Leslie Siegel | Double-sided, front-to-back-aligned, tactile learning aid |
| JP6172706B2 (ja) * | 2013-01-23 | 2017-08-02 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ２Ｏ５系酸化物を基盤とする誘電性磁器組成物、および、当該組成物から製造された高いＱ値を有するマイクロ波誘電共振器 |
| US9567263B2 (en) * | 2014-10-27 | 2017-02-14 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| JP6565377B2 (ja) * | 2015-06-29 | 2019-08-28 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物および電子部品 |
| US10486332B2 (en) | 2015-06-29 | 2019-11-26 | Corning Incorporated | Manufacturing system, process, article, and furnace |
| JP6455343B2 (ja) * | 2015-06-29 | 2019-01-23 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物および電子部品 |
| JP6845814B2 (ja) | 2015-06-29 | 2021-03-24 | コーニング インコーポレイテッド | 製造ライン、プロセス及び焼結済み物品 |
| DE102024120547A1 (de) * | 2024-07-19 | 2026-01-22 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | System zum solarbetriebenen Sintern von Material |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5923048B2 (ja) * | 1976-11-11 | 1984-05-30 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体共振器 |
| US4121941A (en) * | 1977-11-10 | 1978-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Low microwave loss ceramics and method of manufacturing the same |
| JPS5951084B2 (ja) * | 1977-11-17 | 1984-12-12 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器材料 |
| JPS5951086B2 (ja) * | 1977-11-30 | 1984-12-12 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器材料 |
| JPS58206003A (ja) * | 1982-05-26 | 1983-12-01 | 日本放送協会 | 低損失マイクロ波誘電材料 |
| US4490319A (en) * | 1983-10-26 | 1984-12-25 | General Electric Company | Rapid rate sintering of ceramics |
-
1984
- 1984-10-30 JP JP59228557A patent/JPS61107609A/ja active Granted
-
1985
- 1985-10-24 GB GB08526273A patent/GB2166431B/en not_active Expired
- 1985-10-30 US US06/793,108 patent/US4731207A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-10-30 DE DE19853538631 patent/DE3538631A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8526273D0 (en) | 1985-11-27 |
| US4731207A (en) | 1988-03-15 |
| DE3538631C2 (ja) | 1988-12-15 |
| JPS61107609A (ja) | 1986-05-26 |
| GB2166431B (en) | 1988-05-05 |
| GB2166431A (en) | 1986-05-08 |
| DE3538631A1 (de) | 1986-05-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |