JPH0353502A - 酸化亜鉛形避雷器素子の製造方法 - Google Patents
酸化亜鉛形避雷器素子の製造方法Info
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- JPH0353502A JPH0353502A JP18966289A JP18966289A JPH0353502A JP H0353502 A JPH0353502 A JP H0353502A JP 18966289 A JP18966289 A JP 18966289A JP 18966289 A JP18966289 A JP 18966289A JP H0353502 A JPH0353502 A JP H0353502A
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- zinc oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、酸化亜鉛形避雷器用素子の表面部を緻密に
して、歩止１りを向上させるための製造方法に関するも
のである。
して、歩止１りを向上させるための製造方法に関するも
のである。
第６図は例えば特開昭６１−１１５２１０５号公報に示
された従来の避雷器用素子を示す所而図であｌ． ８． り、図において、、田は酸化亜鉛形の非直線抵抗体、＋
２１ ｉｊ側面抵抗層、＋４１ ｎ ＭＥ極， （５ａ
）（５ｂ）は１致密な層である。′また、第７図は非直
線抵抗体Ｉｌｌ金製造する工程金示す説明図である。
された従来の避雷器用素子を示す所而図であｌ． ８． り、図において、、田は酸化亜鉛形の非直線抵抗体、＋
２１ ｉｊ側面抵抗層、＋４１ ｎ ＭＥ極， （５ａ
）（５ｂ）は１致密な層である。′また、第７図は非直
線抵抗体Ｉｌｌ金製造する工程金示す説明図である。
次に製造方法について説明する。酸化亜鉛金王阪分とし
，副添加物としてそれぞれ０．１〜２． ０モル％の酸
化ビスマス．＃１化アンチモン．酸化コバルト．酸化マ
ンガン，酸化クロム．酸化シリコン及び０．００１〜０
．１モル％の硝酸アルミニウムを添加し，粉砕．混合．
造粒，成形する。この或形体を過飽和な硼酸（ Ｈ．
ＢＯ．）水溶液に１分間浸漬後９５０℃で１次焼Ｆｉｉ
．倉行なう。この焼成体に側面高抵抗膚形成用のＺｎＯ
−ＳｉＯ，−Ｂｉ＠Ｏ，ｓｂ．ｏ，系混合物を付着し１
１９０℃で２次焼成体全行なって、研磨．！極付けする
。
，副添加物としてそれぞれ０．１〜２． ０モル％の酸
化ビスマス．＃１化アンチモン．酸化コバルト．酸化マ
ンガン，酸化クロム．酸化シリコン及び０．００１〜０
．１モル％の硝酸アルミニウムを添加し，粉砕．混合．
造粒，成形する。この或形体を過飽和な硼酸（ Ｈ．
ＢＯ．）水溶液に１分間浸漬後９５０℃で１次焼Ｆｉｉ
．倉行なう。この焼成体に側面高抵抗膚形成用のＺｎＯ
−ＳｉＯ，−Ｂｉ＠Ｏ，ｓｂ．ｏ，系混合物を付着し１
１９０℃で２次焼成体全行なって、研磨．！極付けする
。
このようにして製造された素子は，素体と側曲高抵抗Ｉ
−の間にＢ，Ｏ，とｚｎｏが反応して緻密な肋が形成さ
れ、耐環境性に優れる。
−の間にＢ，Ｏ，とｚｎｏが反応して緻密な肋が形成さ
れ、耐環境性に優れる。
〔発明が解決しようとする課題］
従来の避雷器用素子は以上のように、改化亜船形避雷器
素子の成形体１ｋ岬ｊ酸を含む溶液に浸漬した後、１次
！！Ａ或するためＶＣ ，水分の蒸発やＨｓＢＯ．分解
ガスｒ′Ｃよって素体に割れが生じて素子の歩止１９倉
悪化させるという問題点があった。
素子の成形体１ｋ岬ｊ酸を含む溶液に浸漬した後、１次
！！Ａ或するためＶＣ ，水分の蒸発やＨｓＢＯ．分解
ガスｒ′Ｃよって素体に割れが生じて素子の歩止１９倉
悪化させるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、素体の割れを抑制し、高歩止１りの酸化亜鉛
形礎雷器素子の製造方法を提供すること金目的とする。
たもので、素体の割れを抑制し、高歩止１りの酸化亜鉛
形礎雷器素子の製造方法を提供すること金目的とする。
この発明に係る酸化亜鉛形ｉ！Ｎ器素子の製造方法は、
酸化亜鉛形避雷器素子の成形体を硼酸金含む溶液に浸漬
した後、所定の温度乾燥してから乾燥温度より高い温度
で仮焼し，仮焼した成形体全１次焼成し，尚抵抗層形或
用材料を側四に被覆して２次・焼成金行なうものである
。
酸化亜鉛形避雷器素子の成形体を硼酸金含む溶液に浸漬
した後、所定の温度乾燥してから乾燥温度より高い温度
で仮焼し，仮焼した成形体全１次焼成し，尚抵抗層形或
用材料を側四に被覆して２次・焼成金行なうものである
。
この発明に釦ける酸化亜鉛形避雷器素子の製造方法は、
鋤酸を含む浴液に浸漬後，１次焼戚する前に乾燥・仮焼
することにより，この何ｊ酸及び水分を予め分解した後
，昇温して焼成でるので、硼酸と戒形体がゆっくり反心
し、灰形体の表面ｔｍ密化することになる。
鋤酸を含む浴液に浸漬後，１次焼戚する前に乾燥・仮焼
することにより，この何ｊ酸及び水分を予め分解した後
，昇温して焼成でるので、硼酸と戒形体がゆっくり反心
し、灰形体の表面ｔｍ密化することになる。
以下この発明の一実施例について説明する。
第ｌ図Ｋも・いて，酸化亜鉛金主収分とし、添加物とし
てそれぞれ０．１〜２．０モル％のｄ化ビスマス．酸化
アンテモン．酸化コパル｝．ｒｆ化マンガン．酸化クロ
ム．酸化シリコン及び０．００１〜０．１モル％の硝酸
アルミニウム金添加して，粉砕，混合，造粒かよび或形
した。これ金過飽和な硼酸（ＨｓＢＯ●）水溶液に１分
間浸漬し１００゜Ｃで２時間乾燥し，８００’Ｃで２時
間仮焼後， １０１０゜Ｃで１次焼成倉行なった。次
に側面高抵抗層形成用のＺｎＯ−Ｓｉ○，−Ｂｉ．Ｏ，
−８１），Ｏ，系混合物ｔＰｉ覆し，１１９０℃で２次
焼戚を行ない、研時，電極付け金して実験品金得た。
てそれぞれ０．１〜２．０モル％のｄ化ビスマス．酸化
アンテモン．酸化コパル｝．ｒｆ化マンガン．酸化クロ
ム．酸化シリコン及び０．００１〜０．１モル％の硝酸
アルミニウム金添加して，粉砕，混合，造粒かよび或形
した。これ金過飽和な硼酸（ＨｓＢＯ●）水溶液に１分
間浸漬し１００゜Ｃで２時間乾燥し，８００’Ｃで２時
間仮焼後， １０１０゜Ｃで１次焼成倉行なった。次
に側面高抵抗層形成用のＺｎＯ−Ｓｉ○，−Ｂｉ．Ｏ，
−８１），Ｏ，系混合物ｔＰｉ覆し，１１９０℃で２次
焼戚を行ない、研時，電極付け金して実験品金得た。
筐た、成形体を硼酸水溶戒に己漬し，９５Ｇ”Ｃで１次
焼１戊し，池の工８は上記実験品と１『ｊ１様にして対
照品金作製した。
焼１戊し，池の工８は上記実験品と１『ｊ１様にして対
照品金作製した。
これら実験品と対照品を９２多相対湿度中に放置して耐
湿試験七行なった。
湿試験七行なった。
１次焼成後の実験品と対照品の側面のひび割れ発生率乞
第２図に示丁。素子にｌｍＡを流すのＶＣ必要な厄圧を
Ｖｌ ｍＡとして．ＶＩＯＩＡの放置時間による変化率
金第３図に示す〇 第３園から夷験品及び１次焼成後ひび割れのなカ・つた
肘照品ＡのＶＩＩ！ＩＡ Ｆｉ、９２優相対湿度中に７
００Ｈｒ 放置しても低下しない。一方、１次・蝿威
鏝ひび副れのあった対照品ＢのＶＩＬＩＩＡは７００Ｈ
ｒ後，約２５俤も低下している。これは、１次・ｒ＃戊
によってひび割れた素体部で、Ｂ１０，とＺｎＯの反Ｌ
Ｉ５が不均一かつ不十分であったため、緻密な通が形成
されず、ここが劣化したためと推測釦Ｉ賃金２７Ｄ熱す
ると、Ｈ，ＢＯ，−一→ＨＢＯｍ −−→酸化硼素は酸
化亜鉛．＃ｌ化ピスマスと共晶反心倉し％酸化ビスマス
の活動倉活発化し液相成長を促進させ、酸化亜鉛とも反
心し酸化亜鉛の粒或長を促進する。
第２図に示丁。素子にｌｍＡを流すのＶＣ必要な厄圧を
Ｖｌ ｍＡとして．ＶＩＯＩＡの放置時間による変化率
金第３図に示す〇 第３園から夷験品及び１次焼成後ひび割れのなカ・つた
肘照品ＡのＶＩＩ！ＩＡ Ｆｉ、９２優相対湿度中に７
００Ｈｒ 放置しても低下しない。一方、１次・蝿威
鏝ひび副れのあった対照品ＢのＶＩＬＩＩＡは７００Ｈ
ｒ後，約２５俤も低下している。これは、１次・ｒ＃戊
によってひび割れた素体部で、Ｂ１０，とＺｎＯの反Ｌ
Ｉ５が不均一かつ不十分であったため、緻密な通が形成
されず、ここが劣化したためと推測釦Ｉ賃金２７Ｄ熱す
ると、Ｈ，ＢＯ，−一→ＨＢＯｍ −−→酸化硼素は酸
化亜鉛．＃ｌ化ピスマスと共晶反心倉し％酸化ビスマス
の活動倉活発化し液相成長を促進させ、酸化亜鉛とも反
心し酸化亜鉛の粒或長を促進する。
第４図（Ｙｕ．Ｓ．Ｌ８０ｎＯＶ．Ｚｈｕｒ．Ｎ８０ｒ
ｙ．３＠１２４６（１９５８）） Ｋ酸化硼素と酸化亜
鉛の状悟図，第５図（ＬＭ Ｌｅｖｉｎ ａｎｄ ＋／
ｙｄｅ Ｍｃ Ｄａｎｉｓｈ， ．Ｔ−Ａｍ．（ｅｒａ
ｍ．ｓｏｏ，４５（Ｂ）．！３５６（ １９６２１）に
酸化硼素と酸化ピスマスの状ｇ図金示す。
ｙ．３＠１２４６（１９５８）） Ｋ酸化硼素と酸化亜
鉛の状悟図，第５図（ＬＭ Ｌｅｖｉｎ ａｎｄ ＋／
ｙｄｅ Ｍｃ Ｄａｎｉｓｈ， ．Ｔ−Ａｍ．（ｅｒａ
ｍ．ｓｏｏ，４５（Ｂ）．！３５６（ １９６２１）に
酸化硼素と酸化ピスマスの状ｇ図金示す。
よって，硼酸溶液に１！！漬した後、ｌ００’ｃで乾慄
し８００℃の温度で仮焼することによって予め硼醜を分
解した後昇渥すれば、Ｂ！０３と素体との焼結反応がよ
り一層進み、緻密な層が形成されるので水分によるＶ一
工持性劣化は生じない。
し８００℃の温度で仮焼することによって予め硼醜を分
解した後昇渥すれば、Ｂ！０３と素体との焼結反応がよ
り一層進み、緻密な層が形成されるので水分によるＶ一
工持性劣化は生じない。
なか、上記実凡列では，硼酸溶液を水を用いて作製した
場合について示したが、アルコール金用いて作製しても
よい。
場合について示したが、アルコール金用いて作製しても
よい。
以上のように，この発明によれば僕化亜鉛形・畔Ｊ！器
素子の成形体を岬１酸溶液に浸漬し，乾燥仮焼した後，
１次焼成し，高抵抗層形戚用材料金側而に被覆して２次
焼成したので，高歩止まりで緻密な層が形成され，耐環
境性が向上するという効果がある。
素子の成形体を岬１酸溶液に浸漬し，乾燥仮焼した後，
１次焼成し，高抵抗層形戚用材料金側而に被覆して２次
焼成したので，高歩止まりで緻密な層が形成され，耐環
境性が向上するという効果がある。
第１図にこの発明の一実施例による酸化亜鉛形避雷器素
子の製造方法を示す工程図，第２図＃′１１次暁成後の
側面のひび割れ発生率を示す説明図、第３図は耐湿性試
験結果を示す説明図、第４図Ｌｒｉ ＺｎＯ Ｂ，０，
系の状態図、第５図はＢｉ，Ｏｒ１３ｔｏｓ系の状態図
，第６図は従来素子の断面図，第７図は従来の酸化亜鉛
形避雷器素子の製造方法倉示す工程図である。 図において，…は酸化亜鉛形の非直線抵抗体％ｌｔｌ［
側面高低抗層、＋４１Ｉｒｉ電極、（ｌｓａ）（５ｂ）
は緻密な層である。
子の製造方法を示す工程図，第２図＃′１１次暁成後の
側面のひび割れ発生率を示す説明図、第３図は耐湿性試
験結果を示す説明図、第４図Ｌｒｉ ＺｎＯ Ｂ，０，
系の状態図、第５図はＢｉ，Ｏｒ１３ｔｏｓ系の状態図
，第６図は従来素子の断面図，第７図は従来の酸化亜鉛
形避雷器素子の製造方法倉示す工程図である。 図において，…は酸化亜鉛形の非直線抵抗体％ｌｔｌ［
側面高低抗層、＋４１Ｉｒｉ電極、（ｌｓａ）（５ｂ）
は緻密な層である。
Claims (1)
- 酸化亜鉛を主体とする成形体を硼酸を含む溶液に浸した
後、所定温度で１次焼成し、さらに高抵抗層形成材料を
側面に被覆して２次焼成を行う酸化亜鉛形避雷器素子の
製造方法において、上記成形体を上記溶液に浸した後、
所定の温度で乾燥してから乾燥温度より高い温度で仮焼
し、仮焼した成形体を上記１次焼成することを特徴とす
る酸化亜鉛形避雷器素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18966289A JPH0353502A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 酸化亜鉛形避雷器素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18966289A JPH0353502A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 酸化亜鉛形避雷器素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353502A true JPH0353502A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16245076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18966289A Pending JPH0353502A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 酸化亜鉛形避雷器素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353502A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105810378A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-07-27 | 安徽大山电气有限公司 | 一种避雷器及其制造方法 |
| TWI585793B (zh) * | 2015-11-18 | 2017-06-01 | Prosperity Dielectrics Co Ltd | 低溫共燒陶瓷微波介電陶瓷及其製造方法 |
-
1989
- 1989-07-21 JP JP18966289A patent/JPH0353502A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI585793B (zh) * | 2015-11-18 | 2017-06-01 | Prosperity Dielectrics Co Ltd | 低溫共燒陶瓷微波介電陶瓷及其製造方法 |
| CN105810378A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-07-27 | 安徽大山电气有限公司 | 一种避雷器及其制造方法 |
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