JPH0354342B2 - - Google Patents
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- JPH0354342B2 JPH0354342B2 JP2778082A JP2778082A JPH0354342B2 JP H0354342 B2 JPH0354342 B2 JP H0354342B2 JP 2778082 A JP2778082 A JP 2778082A JP 2778082 A JP2778082 A JP 2778082A JP H0354342 B2 JPH0354342 B2 JP H0354342B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真感光体に関し、詳しくは感
度、繰り返し使用した際の暗部電位と明部電位の
変動や光メモリー効果などの電子写真特性を改善
した電子写真感光体に関する。 従来、ピリリウム系染料とアルギリデンジアリ
ーレン部分を含有する重合体との共晶錯体を光導
電体として用いた電子写真感光体は、例えば米国
特許第3684502号、オーストラリア公開第87757／
75号公報などに開示されている。特に、前述のオ
ーストラリア公開第87757／75号公報では、感光
層を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子
写真感光体における電荷発生層に前述の共晶錯体
を含有せしめ、且つ電荷輸送層にカルバゾール、
Ｎ−エチルカルバゾールなどのカルバゾール類、
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ
ビニルカルバゾールなどのポリビニルカルバゾー
ル類、モノアリールアミン、ジアリールアミン、
トリアリールアミンなどのアリールアミン類、ポ
リアリールアルカン類あるいはテトラフエニルピ
レン、ペリレン、フルオレン、フルオレノンなど
の強ルイス塩基材料やフタル酸無水物、２，４，
７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，
５，７−テトラニトロフルオレノン、トリニトロ
アントラセン、ジニトロアントラキノンなどの強
ルイス酸を含有せしめることが提案されている。 しかしながら、前述の如き従来の電子写真感光
体は、感度の点で十分なものとは言えず、しかも
電子写真特性のうち帯電−露光操作を繰り返し実
施した際の電位の変動、特に暗部電位と明部電位
の変動が大きいため、長期に亘つて安定した画像
を提供できない欠点を有している。 本発明の目的は、前述の欠点を解消した電子写
真感光体を提供することにある。 本発明の別の目的は、良好な電子写真特性を有
する電子写真感光体を提供することにある。 また、本発明の他の目的は、高感度特性、良好
な暗減衰特性と良好な初期電位特性を有する電子
写真感光体を提供することにある。 本発明のかかる目的は、ピリリウム系染料とア
ルキリデンアリーレン部分を含有する重合体との
共晶錯体とヒドラゾン化合物を含有する電子写真
感光体によつて達成される。 本発明の好ましい具体例では、導電層の上に形
成した前述の共晶錯体を含有する電荷発生層と、
該層と電気的に接続している電荷輸送層を有し、
この電荷輸送層における電荷輸送物質としてヒド
ラゾン化合物を用いることに特徴を有している。
電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、でき
る限り多くの前記共晶錯体を含有し、且つ発生し
た電荷キヤリアの飛程を短かくするために薄膜
層、例えば５ミクロン以下、好ましくは0.01ミク
ロン〜１ミクロンの膜厚をもつ薄膜層とすること
が好ましい。このことは、入射光量の大部分が電
荷発生層で吸収されて、多くの電荷キヤリアを生
成すること、さらに発生した電荷キヤリアを再結
合や補獲（トラツプ）により失活することなく電
荷輸送層に注入する必要があることに起因してい
る。 電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接
続されており、電界の存在下で電荷発生層から注
入された電荷キヤリアを受け取るとともに、これ
らの電荷キヤリアを表面まで輸送できる機能を有
している。この際、この電荷輸送層は、電荷発生
層の上に積層されていてもよく、またその下に積
層されていてもよい。しかし、電荷輸送層は、電
荷発生層の上に積層されていることが望ましい。 本発明で用いる電荷発生層は、ピリリウム系染
料とアルキリデンジアリーレンの繰り返し単位を
有する重合体をともに溶解する有機溶媒（例えば
ジクロルメタン、クロロホルム、四塩化炭素、
１，１−ジクロルエタン、１，２−ジクロルエタ
ン、１，１，２−トリクロルエタン、クロルベン
ゼン、ブロモベンゼン、１，２−ジクロルベンゼ
ンなどのハロゲン化炭化水素類）中で溶かして共
晶錯体を形成する条件下で反応させた後、非極性
液体（例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、ド
デカン、トルエン、２，２，４−トリメチルペン
タン、リグロインなどの炭化水素類）を加えるこ
とによつて得た共晶沈澱を適当なバインダー（例
えば、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタ
ール、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリア
ミド、ポリウレタン、フエノール樹脂）に分散さ
せて得た分散液を塗布して不連続層の被膜相を形
成するかあるいは前述の非極性液体を加えて沈澱
を生じさせる前の溶液を塗布することによつて連
続相のピリリウム系染料−アルキリデンアリーレ
ン単位を繰り返し有する重合体の組成物を塗布し
てから、トルエンを塗布して凝集状共晶被膜を形
成することができる。これら共晶錯体の形成法
は、米国特許第3684502号、オーストラリア公開
第87757／75号などに開示されている。 共晶錯体を含有する被膜層を形成する際、塗工
は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテイング
法、スピンナーコーテイング法、ビードコーテイ
ング法、マイヤーバーコーテイング法、ブレード
コーテイング法、押し出ホツパーコーテイング
法、ローラーコーテイング法、カーテンコーテイ
ング法などのコーテイング法を用いて行なうこと
ができる。乾燥は、室温における指触乾燥後、加
熱乾燥する方法が好ましい。加熱乾燥は、30℃〜
200℃の温度で５分〜２時間の範囲の時間で、静
止または送風下で行なうことができる。 本発明で用いる共晶錯体を形成するピリリウム
系染料は、特に下記一般式(1)〜(4)によつて示すこ
とができ、一般にピリリウム塩、チアピリリウム
塩、セレナピリリウム塩、ベンゾピリリウム塩、
ペンゾチアピリリウム塩、ペンゾセレナピリリウ
ム塩、ナフトピリリウム塩、ナフトチアピリリウ
ム塩、ナフトセレナピリリウム塩などのピリリウ
ム塩系列の染料を包含する。 一般式 式中、R1、R2、R3、R4およびR5は、各々 (a) 水素原子 (b) アルキル基、特に炭素原子数１〜15のアルキ
ル基：例えば、メチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、アミル、イ
ソアミル、ヘキシル、オクチル、ノニル、ドデ
シル (c) アルコキシ基：例えば、メトロキシ、エトキ
シ、プロポキシ、ブトキシ、アシロキシ、ヘキ
ソキシ、オクトキシ (d) アリール基：フエニル、α−ナフチル、β−
ナフチル (e) 置換アリール基：トリル、キシリル、ビフエ
ニル、エチルフエニル、メトキシフエニル、エ
トキシフエニル、アミロキシフエニル、ジメト
キシフエニル、ジエトキシフエニル、ヒドロキ
シフエニル、クロロフエニル、ジクロロフエニ
ル、ブロモフエニル、ジブロモフエニル、ニト
ロフエニル、ジエチルアミノフエニル、ジメチ
ルアミノフエニル、ジベンジルアミノフエニル (f) スチリル基又は４−フエニル−１，３−ブタ
ジエニル基：スチリル、４−フエニル−１，３
−ブタジエニル (g) 置換スチリル基又は４−フエニル−１，３−
ブタジエニル基：メトキシスチリル、ジメトキ
シスチリル、エトキシスチリル、ジエトキシス
チリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチルア
ミノスチリル、４−（Ｐ−ジメチルアミノフエ
ニル）−１，３−ブタジエニル、４−（Ｐ−ジエ
チルアミノフエニル）−１，３−ブタジエニル (h) R1とR2ならびにR4とR5は、結合してベンゼ
ン (i) 置換又は未置換の複素環基：例えば３−カル
バゾリル、９−メチル−３−カルバゾリル、９
−エチル−３−カルバゾイル、９−カルバゾリ
ル環を形成することができる。 Ｘは、酸素原子、硫黄原子、セレン原子を表わ
し、Ｚ は陰イオン例えばパークロレート、フル
オロボレート、アイオダイド、クロライド、ブロ
マイド、サルフエート、パーアイオダイド、Ｐ−
トルエンスルフオネートなどを表わす。Y1およ
びY2は、水素原子、アルキル基（例えば、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、アミルなど）又
はアリール基（例えば、フエニル、ナフチル）を
示す。ｍは、０、１又は２である。但し、ｍが２
の時Y1はそれぞれ同一か又は異なつていてもよ
い。 一般式(1)で示される代表的なピリリウム系染料
を下記に示す。 一般式(2)に示す代表的なピリリウム染料は、下
記のとおりである。 また、一般式(3)又は(4)で示されるピリリウム系
染料の代表例は、下記のとおりである。 これらピリリウム系染料と共晶錯体を形成する
アルキリデンジアリーレン部分の繰り返し単位を
有する重合体は、 例えば一般式(5) で示すことができる。式中、R7およびR8は、水
素原子、アルキル基（メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、オクチル、ノニル、デシル）、置
換アルキル基（トリフルオロメチル）、アリール
基（フエニル、ナフチル）、置換アリール（トリ
ル、キシリル、エチルフエニル、プロピルフエニ
ル、アミルフエニル、クロロフエニル、ジクロロ
フエニル、ブロモフエニル）を示し、またR7と
R8で結合してシクロヘキシルの如きシクロアル
カン類あるいはノルボルニルの如きポリシクロア
ルカン類を形成することができる。R6およびR9
は、水素原子、炭素原子数１〜５のアルキル基、
ハロゲン原子（クロロ、ブロモ、ヨード）を表わ
す。R10は、【式】【式】 【式】【式】 【式】【式】ある いは【式】からなる二価の残基から 選択された基である。 代表的な重合体は、下記のとおりである。重合体No. 例 １：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
−CO−１，４−シクロヘキシル−ジメチルカ
ーボネート） ２：
ポリ（３，3′−エチレンギオキシフエニレンチ
オカーボネート） ３：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
カルボネート−CO−テレフタレート） ４：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
カルボネート） ５：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンフエニレンチ
オカルボネート） ６：
ポリ（２，２−ブタンビス−４−フエニレンカ
ルボネート） ７：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
カルボネート−ブロツク−エチレンオキシド） ８：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
カルボネート−ブロツクテトラメチレンオキシ
ド） ９：
ポリ〔４，4′−イソプロピリデンビス（２−メ
チルフエニレン）−カルボネート〕 10：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンフエニレン−
CO−１，４−フエニレンカルボネート） 11：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
−CO−１，３−フエニレンカルボネート） 12：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
−CO−４，4′−ジフエニレンカルボネート） 13：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
−CO−４，4′−オキシジフエニレンカルボネ
ート） 14：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
−CO−４，4′−カルボニル−ジフエニレンカ
ルボネート） 15：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
−CO−４，4′−エチレンジフエニレンカルボ
ネート） 16：
ポリ〔４，4′−メチレンビス（２−メチルフエ
ニレン）カルボネート〕 17：
ポリ〔１，１−（Ｐ−ブロモフエニルエタン）
ビス（４−フエニレン）カルボネート〕 18：
ポリ〔４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
−CO−スルホニルビス−（４−フエニレン）カ
ルボネート〕 19：
ポリ〔４，4′−イソプロピリデンビス（２−ク
ロロフエニレン）−カルボネート〕 20：
ポリ（ヘキサフルオロイソプロピリデンジ−４
−フエニレンカルボネート） 21：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
−４，4′−イソプロピリデンジベンゾアート） 22：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジベンジル−
４，4′−イソプロピリデンジベンゾアート） 23：
ポリ〔２，２−（３−メチルブタン）ビス−４
−フエニレンカルボネート〕 24：
ポリ〔２，２−（３，３−ジメチルブタン）ビ
ス−４−フエニレンカルボネート〕 25：
ポリ（１，１−〔１−（ナフチル）〕ビス−４−
フエニレンカルボネート） 26：
ポリ〔２，２−（４−メチルペンタン）ビス−
４−フエニレンカルボネート〕 電荷輸送層におけるヒドラゾン化合物は、電界
の存在下で電荷発生層で生成し、注入された電荷
キヤリアを被膜層の表面まで輸送でき、特に電荷
発生層が感応する電磁波の波長域に実質的に非感
応性であることが好ましい。しかし、例えばHe
−Neレーザー（発振波長632.8nｍ）、He−Cdレ
ーザー（発振波長441.6nｍ）、Ga−Al−As半導
体レーザー（発振波長780nｍ）などのレーザー
光を光源とした時には、レーザー波長に対して非
感応性であればよい。ここで言う「電磁波」とは
γ線、Ｘ線、紫外線、可視光線、近赤外線、赤外
線、遠赤外線などを包含する広義の「光線」の定
義を包含する。電荷輸送層の光感応性波長域が電
荷輸送層のそれと一致またはオーバーラツプする
時には、両者で発生した電荷キヤリアが相互にト
ラツプし、結果的には感度の低下の原因となる。 また、電荷輸送物質の選択には、イオン化ポテ
ンシヤルを目安とすることが提案されているが、
実際には数多くの実験を繰り返すことによつて、
使用する電荷輸送物質を選択しているのが実状で
ある。 本発明で用いる電荷輸送層は、ヒドラゾン化合
物とバインダーとを適当な溶剤に溶解せしめた溶
液を塗布し、乾燥せしめることにより形成させる
ことが好ましい。ここに用いるバインダーとして
は、例えばポリスルホン、アクリル樹脂、メタク
リル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フ
エノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹
脂、アルキド樹脂、ポリカーボネート、ポリウレ
タン、アクリロニトリル樹脂あるいはこれらの樹
脂の繰り返し単位のうち２つ以上を含む共重合樹
脂例えばスチレン−マレイン酸コポリマー、スチ
レン−ブタジエンコポリマー、スチレン−アクリ
ロニトリルコポリマー、スチレン−ブタジエン−
アクリロニトリルコポリマーなどを挙げることが
でき、特にポリエステル樹脂、ポリカーボネート
が好ましいものである。また、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾールの様にそれ自身電荷輸送能力をもつ
光導電性ポリマーをバインダーとしても使用する
ことができる。 このバインダーとヒドラゾン化合物との配合割
合は、結着剤100重量部当り電荷輸送化合物を10
〜500重量とすることが好ましい。 電荷輸送層は、電荷キヤリアを輸送できる限界
があるので、必要以上に膜厚を厚くすることがで
きない。一般的には、５ミクロン〜30ミクロンで
あるが、好ましい範囲は８ミクロン〜20ミクロン
である。塗工によつて電荷輸送層を形成する際に
は、前述した様な適当なコーテイング法を用いる
ことができる。 また、本発明の電荷輸送層を形成させる際に用
いる溶剤としては、多数の有用な有機溶剤を包含
している。代表的なものとしては、例えばベンゼ
ン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベ
ンゼンなどの芳香族系炭化水素類、アセトン、２
−ブタノンなどのケトン類、塩化メチレン、クロ
ロホルム、塩化エチレンなどのハロゲン化脂肪族
系炭化水素類、テトラヒドロフラン、エチルエー
テルなどの環状若しくは直鎖状のエーテル類な
ど、あるいはこれらの混合溶剤を挙げることがで
きる。 本発明の電荷輸送層には、種々の添加剤を含有
させることができる。かかる添加剤としては、ジ
フエニル、塩化ジフエニル、Ｏ−ターフエニル、
Ｐ−ターフエニル、ジブチルフタレート、ジメチ
ルグリコールフタレート、ジオクチルフタレー
ト、トリフエニル燐酸、メチルナフタリン、ベン
ゾフエノン、塩素化パラフイン、ジラウリルチオ
プロピオネート、３，５−ジニトロサリチル酸、
各種フルオロカーボン類、シリコンオイル、シリ
コンゴムあるいはジブチルヒドロキシトルエン、
２，2′−メチレン−ビス−（６−ｔ−ブチル−４
−メチルフエノール）、α−トコフエロール、２
−ｔ−オクチル−５−クロロハイドロキノン、
２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノンなどの
フエノール性化合物類などを挙げることができ
る。 本発明で用いるヒドラゾン化合物は、特に下記
一般式(6)または(7)で示される化合物が好ましい。 一般式 式中、Ａは (a) アリール基：フエニル、α−ナフチル、β−
ナフチル、アントラリル、ピレニル (b) 置換アリール基：４−ジメチルアミノフエニ
ル、４−ジエチルアミノフエニル、４−ジプロ
ピルアミノフエニル、４−ジブチルアミノフエ
ニル、４−ジベンジルアミノフエニル、４−ジ
フエニルアミノフエニル、４−メトキシフエニ
ル、２−メトキシ−α−ナフチル、４−メトキ
シ−α−ナフチル、２，４−ジメトキシフエニ
ル、２−エトキシ−４−ジエチルアミノフエニ
ル、４−ブロモ−９−アントラリル、４−ジメ
チルアミノ−９−アントラリル (c) 複素環基：ジベンゾフラン、カルバゾール、
インドール、チオフエン、フラン、ピロール、
ピラゾール、アクリジン、キサンテン、チオキ
サンテン、フエノチアジン、ピリジン、フエノ
キサジン、ベンゾイミダゾール、チアゾリン、
チアゾール、ベンゾチアゾール、ナフトチアゾ
ール、オキサゾリン、オキサゾール、ベンズオ
キサゾール、ナフトオキサゾール、１，３，４
−オキサジアゾール、１，３，４−チアジアゾ
ール、トリアゾール、キノリンなどの複素環か
ら誘導した１価の複素環基 (d) 置換複素環基：前述(c)の複素環基にメチル、
エチル、プロピルなどのアルキル基、塩素、臭
素などのハロゲン原子、メトキシ、エトキシ、
プロポキシなどのアルコキシ基、フエニル、ト
リル、キシリルなどのアリール基、ベンジル、
フエネチルなどのアラルキル基、ヒドロキシ、
カルボキシルなどの基や原子が１つ以上置換し
た複素環基 R13は、水素原子、アリール基（例えば、フエ
ニル、ナフチルなど）または置換アリール基（例
えば、４−ジメチルアミノフエニル、４−ジエチ
ルアミノフエニル、４−ジプロピルアミノフエニ
ル、４−メトキシフエニル、４−エトキシフエニ
ル、２−メチルフエニル、２，４−ジメトキシフ
エニルなど）、アルキル基（例えば、メチル、エ
チル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブ
チル、ｔ−ブチル、アミル、ｔ−アミル、ヘキシ
ル、シクロヘキシル、オクチル）、置換アルキル
基（例えば、２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロ
キシプロピル、２−メトキシエチル、３−メトキ
シプロピル、２−シアノエチル、３−シアノプロ
ピル、カルボキシメチル、２−カルボキシエチ
ル、２−クロロエチル、３−クロロプロピル）、
アラルキル基（例えば、ベンジル、フエネチル、
３−フエニルプロピル、α−ナフチルメチル、β
−ナフチルメチル）又は置換アラルキル基（例え
ば、メトキシベンジル、エトキシベンジル、ヒド
ロキシベンジル、クロロベンジル、ブロモベンジ
ル、メチルベンジル、ジメチルベンジル、ジメチ
ルアミノベンジル）を示す。R11、R12およびR14
は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、アミル
などのアルキル基、フエニル、α−ナフチル、β
−ナフチルなどのアリール基、トリル、キシリ
ル、エチルフエニル、メトキシフエニル、エトキ
シフエニル、ヒドロキシフエニルなどの置換アリ
ール基、ベンジル、フエネチルなどのアラルキル
基またはメトキシベンジル、エトキシベンジル、
ヒドロキシベンジル、メチルベンジル、エチルベ
ンジルなどの置換アラルキル基を示す。ｎは、０
又は１である。 Ｚは、置換又は未置換の複素環（例えば、オキ
サゾール、ベンズオキサゾール、ナフトオキサゾ
ール、チアゾール、ベンゾチアゾール、ナフトチ
アゾール、セレナゾール、ベンゾセレナゾール、
ナフトセレナゾール、キノリン、ピリジン、イン
ドールなど）を完成するに必要な原子群を示す。
置換原子又は基としては、前述の(d)置換複素環基
に置換しうる原子又は基を挙げることができる。 本発明で用いうるヒドラゾン化合物の代表例を
下記に列挙する。 ヒドラゾン化合物（一般式(6)に相当） 一般式(7)で示されるヒドラゾン化合物の代表例
は下記のとおりである。 これらのヒドラゾン化合物は１種又は２種以上
組合せて用いることができる。 この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造か
らなる感光層は、導電層を有する基体の上に設け
られる。導電層を有する基体としては、基体自体
が導電性をもつもの、例えばアルミニウム、アル
ミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウ
ム、モリブデン、クロム、チタン、ニツケル、イ
ンジウム、金や白金などを用いることができ、そ
の他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金
などを真空蒸着法によつて被膜形成された層を有
するプラスチツク（例えばポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフ
タレート、アクリル樹脂、ポリフツ化エチレンな
ど）、導電性粒子（例えば、カーボンブラツク、
銀粒子など）を適当なバインダーとともにプラス
チツクの上に被覆した基体、導電性粒子をプラス
チツクや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを有
するプラスチツクなどを用いることができる。 導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着
機能をもつ下引層を設けることもできる。下引層
は、カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセ
ルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポ
リアミド（ナイロン６、ナイロン66、ナイロン
610、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイ
ロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、酸化アル
ミニウムなどによつて形成できる。 下引層の膜厚は、0.1ミクロン〜５ミクロン、
好ましくは0.5ミクロン〜３ミクロンが適当であ
る。 導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層し
た感光体を使用する場合において電荷輸送層表面
を負に帯電する必要があり、帯電後、露光すると
露光部では電荷発生層において生成した正孔が電
荷輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷
を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間
に静電コントラストが生じる。現像時には電子輸
送物質を用いた場合とは逆に正電荷性トナーを用
いる必要がある。 本発明の別の具体例では、前述の不連続相又は
連続相の共晶錯体組成物中にヒドラゾン化合物を
含有した感光性組成物を用いることができる。 本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利
用するのみならず、レーザープリンターやCRT
プリンター等の電子写真応用分野にも広く用いる
ことができる。 以下、本発明を実施例に従つて説明する。 実施例 １ アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液（カ
ゼイン11.2ｇ28％アンモニア水１ｇ、水222ml）
をマイヤーバーで、乾燥後の膜厚が1.0ミクロン
となる様に塗布し、乾燥した。 次に、化合物No.10のピリリウム塩（２，４−ジ
フエニル−６−（４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノス
チリル）ピリリウムパークロレート）１ｇと重合
体No.４のポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエ
ニレンカルボネート）10ｇを420mlのジクロルメ
タンに加え、４時間撹拌して溶解させて共晶錯体
組成物を形成した。 この共晶錯体組成物を押し出ホツパー塗布機で
乾燥後の膜厚が0.8μとなる様に、先に形成したカ
ゼイン層の上に塗布し、乾燥してからトルエンを
上塗りして凝集状共晶錯体被膜からなる電荷発生
層を形成した。 次いで、化合物No.(4)の４−Ｎ、Ｎ−ジエチルア
ミノベンズアルデヒド−Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−
フエニルヒドラゾン５ｇとポリメチルメタクリレ
ート樹脂（数平均分子量100000）５ｇをベンゼン
70mlに溶解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の
膜厚が12ミクロンとなる様にマイヤーバーで塗布
し、乾燥して電荷輸送層を形成した。 この様にして作成した電子写真感光体を川口電
機(株)製静電複写紙試験装置Model SP−428を用
いてスタチツク方式で−5KVでコロナ帯電し、
暗所で10秒間保持した後、照度5luxで露光し帯電
特性を調べた。 帯電特性としては、表面電位（V0）と10秒間
暗減衰させた時の電位（V10）を1/2に減衰する
に必要な露光量（Ｅ1/2）を測定した。この結果
を第１表に示す。 さらに、繰り返し使用した時の明部電位と暗部
電位の変動を測定するために、本実施例で作成し
た感光体を−5.6KVのコロナ帯電器、照度15lux
を有する露光光学系、現像器、転写帯電器、除電
露光光学系およびクリーナーを備えた電子写真複
写機のシリンダーに貼り付けた。この複写機は、
シリンダーの駆動に伴い、転写紙上に画像が得ら
れる構成になつている。この複写機を用いて、初
期の明部電位（VL）と暗部電位（VD）および
5000回使用した後の明部電位（VL）と暗部電位
（VD）を測定した。この結果を第２表に示す。 第１表 V0：−570ボルト V10：−550ボルト Ｅ1/2：4.5lux・sec 【表】 実施例 ２〜13 実施例１で用いたピリリウム塩に代えて、第３
表に示すピリリウム塩を用いたほかは、全く実施
例１と同様の方法で電子写真感光体を作成した。 各感光体の帯電特性と耐久特性を実施例１と同
様の方法によつて測定した。これらの結果を第４
表に示す。 第３表 実施例 ピリリウム染料 ２ 化合物No.(8)のピリリウム塩 ３ 化合物No.（11） 〃 ４ 化合物No.（13） 〃 ５ 化合物No.（19） 〃 ６ 化合物No.（20） 〃 ７ 化合物No.（29） 〃 ８ 化合物No.（31） 〃 ９ 化合物No.（33） 〃 10 化合物No.（35） 〃 11 化合物No.（37） 〃 12 化合物No.（39） 〃 13 化合物No.（40） 〃 【表】 実施例 14 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフイル
ムのアルミ面上に膜厚1.1ミクロンのポリビニル
アルコールの被膜を形成した。 次に、化合物No.10のピリリウム塩１ｇと重合体
No.３のポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニ
レンカルボネート−CO−テレフタレート）10ｇ
を450mlのジクロルメタンに加え、十分に撹拌溶
解した。この溶液に250mlのトルエンを加えるこ
とによつて共晶錯体沈澱物を形成した。この沈澱
物をジクロルエタンで洗條した。 こうして得た沈澱物５ｇを、エタノール95mlに
ブチラール樹脂（ブチラール化度63モル％）２ｇ
を溶かした液に加え、アトライターで２時間分散
した。この分散液を先に形成したカゼイン層の上
に乾燥後の膜厚が0.5ミクロンとなる様にマイヤ
ーバーで塗布し、乾燥して電荷発生層を形成し
た。 次いで、化合物No.（20）のヒドラゾン化合物５
ｇとポリメチルメタクリレート樹脂（数平均分子
量100000）５ｇをベンゼン70mlに溶解し、これを
電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が12ミクロンとな
る様にマイヤーバーで塗布し、乾燥して電荷輸送
層を形成した。 こうして作成した感光体の帯電特性と耐久特性
を実施例１と同様の方法によつて測定した。 この結果を第７表に示す。 第７表−(1) V0：−590ボルト V10：−560ボルト Ｅ1/2：4.8lux・sec 【表】 実施例 15〜54 前記実施例１の感光体を作成した時に用いたヒ
ドラゾン化合物に代え、第８表に示すヒドラゾン
化合物を用いたほかは、全く実施例１と同様の方
法で感光体を作成した。 これらの感光体の帯電特性と耐久特性を実施例
１と同様の方法で測定した。これらの結果を第８
表に示す。 【表】 【表】
度、繰り返し使用した際の暗部電位と明部電位の
変動や光メモリー効果などの電子写真特性を改善
した電子写真感光体に関する。 従来、ピリリウム系染料とアルギリデンジアリ
ーレン部分を含有する重合体との共晶錯体を光導
電体として用いた電子写真感光体は、例えば米国
特許第3684502号、オーストラリア公開第87757／
75号公報などに開示されている。特に、前述のオ
ーストラリア公開第87757／75号公報では、感光
層を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子
写真感光体における電荷発生層に前述の共晶錯体
を含有せしめ、且つ電荷輸送層にカルバゾール、
Ｎ−エチルカルバゾールなどのカルバゾール類、
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ
ビニルカルバゾールなどのポリビニルカルバゾー
ル類、モノアリールアミン、ジアリールアミン、
トリアリールアミンなどのアリールアミン類、ポ
リアリールアルカン類あるいはテトラフエニルピ
レン、ペリレン、フルオレン、フルオレノンなど
の強ルイス塩基材料やフタル酸無水物、２，４，
７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，
５，７−テトラニトロフルオレノン、トリニトロ
アントラセン、ジニトロアントラキノンなどの強
ルイス酸を含有せしめることが提案されている。 しかしながら、前述の如き従来の電子写真感光
体は、感度の点で十分なものとは言えず、しかも
電子写真特性のうち帯電−露光操作を繰り返し実
施した際の電位の変動、特に暗部電位と明部電位
の変動が大きいため、長期に亘つて安定した画像
を提供できない欠点を有している。 本発明の目的は、前述の欠点を解消した電子写
真感光体を提供することにある。 本発明の別の目的は、良好な電子写真特性を有
する電子写真感光体を提供することにある。 また、本発明の他の目的は、高感度特性、良好
な暗減衰特性と良好な初期電位特性を有する電子
写真感光体を提供することにある。 本発明のかかる目的は、ピリリウム系染料とア
ルキリデンアリーレン部分を含有する重合体との
共晶錯体とヒドラゾン化合物を含有する電子写真
感光体によつて達成される。 本発明の好ましい具体例では、導電層の上に形
成した前述の共晶錯体を含有する電荷発生層と、
該層と電気的に接続している電荷輸送層を有し、
この電荷輸送層における電荷輸送物質としてヒド
ラゾン化合物を用いることに特徴を有している。
電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、でき
る限り多くの前記共晶錯体を含有し、且つ発生し
た電荷キヤリアの飛程を短かくするために薄膜
層、例えば５ミクロン以下、好ましくは0.01ミク
ロン〜１ミクロンの膜厚をもつ薄膜層とすること
が好ましい。このことは、入射光量の大部分が電
荷発生層で吸収されて、多くの電荷キヤリアを生
成すること、さらに発生した電荷キヤリアを再結
合や補獲（トラツプ）により失活することなく電
荷輸送層に注入する必要があることに起因してい
る。 電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接
続されており、電界の存在下で電荷発生層から注
入された電荷キヤリアを受け取るとともに、これ
らの電荷キヤリアを表面まで輸送できる機能を有
している。この際、この電荷輸送層は、電荷発生
層の上に積層されていてもよく、またその下に積
層されていてもよい。しかし、電荷輸送層は、電
荷発生層の上に積層されていることが望ましい。 本発明で用いる電荷発生層は、ピリリウム系染
料とアルキリデンジアリーレンの繰り返し単位を
有する重合体をともに溶解する有機溶媒（例えば
ジクロルメタン、クロロホルム、四塩化炭素、
１，１−ジクロルエタン、１，２−ジクロルエタ
ン、１，１，２−トリクロルエタン、クロルベン
ゼン、ブロモベンゼン、１，２−ジクロルベンゼ
ンなどのハロゲン化炭化水素類）中で溶かして共
晶錯体を形成する条件下で反応させた後、非極性
液体（例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、ド
デカン、トルエン、２，２，４−トリメチルペン
タン、リグロインなどの炭化水素類）を加えるこ
とによつて得た共晶沈澱を適当なバインダー（例
えば、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタ
ール、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリア
ミド、ポリウレタン、フエノール樹脂）に分散さ
せて得た分散液を塗布して不連続層の被膜相を形
成するかあるいは前述の非極性液体を加えて沈澱
を生じさせる前の溶液を塗布することによつて連
続相のピリリウム系染料−アルキリデンアリーレ
ン単位を繰り返し有する重合体の組成物を塗布し
てから、トルエンを塗布して凝集状共晶被膜を形
成することができる。これら共晶錯体の形成法
は、米国特許第3684502号、オーストラリア公開
第87757／75号などに開示されている。 共晶錯体を含有する被膜層を形成する際、塗工
は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテイング
法、スピンナーコーテイング法、ビードコーテイ
ング法、マイヤーバーコーテイング法、ブレード
コーテイング法、押し出ホツパーコーテイング
法、ローラーコーテイング法、カーテンコーテイ
ング法などのコーテイング法を用いて行なうこと
ができる。乾燥は、室温における指触乾燥後、加
熱乾燥する方法が好ましい。加熱乾燥は、30℃〜
200℃の温度で５分〜２時間の範囲の時間で、静
止または送風下で行なうことができる。 本発明で用いる共晶錯体を形成するピリリウム
系染料は、特に下記一般式(1)〜(4)によつて示すこ
とができ、一般にピリリウム塩、チアピリリウム
塩、セレナピリリウム塩、ベンゾピリリウム塩、
ペンゾチアピリリウム塩、ペンゾセレナピリリウ
ム塩、ナフトピリリウム塩、ナフトチアピリリウ
ム塩、ナフトセレナピリリウム塩などのピリリウ
ム塩系列の染料を包含する。 一般式 式中、R1、R2、R3、R4およびR5は、各々 (a) 水素原子 (b) アルキル基、特に炭素原子数１〜15のアルキ
ル基：例えば、メチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、アミル、イ
ソアミル、ヘキシル、オクチル、ノニル、ドデ
シル (c) アルコキシ基：例えば、メトロキシ、エトキ
シ、プロポキシ、ブトキシ、アシロキシ、ヘキ
ソキシ、オクトキシ (d) アリール基：フエニル、α−ナフチル、β−
ナフチル (e) 置換アリール基：トリル、キシリル、ビフエ
ニル、エチルフエニル、メトキシフエニル、エ
トキシフエニル、アミロキシフエニル、ジメト
キシフエニル、ジエトキシフエニル、ヒドロキ
シフエニル、クロロフエニル、ジクロロフエニ
ル、ブロモフエニル、ジブロモフエニル、ニト
ロフエニル、ジエチルアミノフエニル、ジメチ
ルアミノフエニル、ジベンジルアミノフエニル (f) スチリル基又は４−フエニル−１，３−ブタ
ジエニル基：スチリル、４−フエニル−１，３
−ブタジエニル (g) 置換スチリル基又は４−フエニル−１，３−
ブタジエニル基：メトキシスチリル、ジメトキ
シスチリル、エトキシスチリル、ジエトキシス
チリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチルア
ミノスチリル、４−（Ｐ−ジメチルアミノフエ
ニル）−１，３−ブタジエニル、４−（Ｐ−ジエ
チルアミノフエニル）−１，３−ブタジエニル (h) R1とR2ならびにR4とR5は、結合してベンゼ
ン (i) 置換又は未置換の複素環基：例えば３−カル
バゾリル、９−メチル−３−カルバゾリル、９
−エチル−３−カルバゾイル、９−カルバゾリ
ル環を形成することができる。 Ｘは、酸素原子、硫黄原子、セレン原子を表わ
し、Ｚ は陰イオン例えばパークロレート、フル
オロボレート、アイオダイド、クロライド、ブロ
マイド、サルフエート、パーアイオダイド、Ｐ−
トルエンスルフオネートなどを表わす。Y1およ
びY2は、水素原子、アルキル基（例えば、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、アミルなど）又
はアリール基（例えば、フエニル、ナフチル）を
示す。ｍは、０、１又は２である。但し、ｍが２
の時Y1はそれぞれ同一か又は異なつていてもよ
い。 一般式(1)で示される代表的なピリリウム系染料
を下記に示す。 一般式(2)に示す代表的なピリリウム染料は、下
記のとおりである。 また、一般式(3)又は(4)で示されるピリリウム系
染料の代表例は、下記のとおりである。 これらピリリウム系染料と共晶錯体を形成する
アルキリデンジアリーレン部分の繰り返し単位を
有する重合体は、 例えば一般式(5) で示すことができる。式中、R7およびR8は、水
素原子、アルキル基（メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、オクチル、ノニル、デシル）、置
換アルキル基（トリフルオロメチル）、アリール
基（フエニル、ナフチル）、置換アリール（トリ
ル、キシリル、エチルフエニル、プロピルフエニ
ル、アミルフエニル、クロロフエニル、ジクロロ
フエニル、ブロモフエニル）を示し、またR7と
R8で結合してシクロヘキシルの如きシクロアル
カン類あるいはノルボルニルの如きポリシクロア
ルカン類を形成することができる。R6およびR9
は、水素原子、炭素原子数１〜５のアルキル基、
ハロゲン原子（クロロ、ブロモ、ヨード）を表わ
す。R10は、【式】【式】 【式】【式】 【式】【式】ある いは【式】からなる二価の残基から 選択された基である。 代表的な重合体は、下記のとおりである。重合体No. 例 １：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
−CO−１，４−シクロヘキシル−ジメチルカ
ーボネート） ２：
ポリ（３，3′−エチレンギオキシフエニレンチ
オカーボネート） ３：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
カルボネート−CO−テレフタレート） ４：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
カルボネート） ５：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンフエニレンチ
オカルボネート） ６：
ポリ（２，２−ブタンビス−４−フエニレンカ
ルボネート） ７：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
カルボネート−ブロツク−エチレンオキシド） ８：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
カルボネート−ブロツクテトラメチレンオキシ
ド） ９：
ポリ〔４，4′−イソプロピリデンビス（２−メ
チルフエニレン）−カルボネート〕 10：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンフエニレン−
CO−１，４−フエニレンカルボネート） 11：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
−CO−１，３−フエニレンカルボネート） 12：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
−CO−４，4′−ジフエニレンカルボネート） 13：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
−CO−４，4′−オキシジフエニレンカルボネ
ート） 14：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
−CO−４，4′−カルボニル−ジフエニレンカ
ルボネート） 15：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
−CO−４，4′−エチレンジフエニレンカルボ
ネート） 16：
ポリ〔４，4′−メチレンビス（２−メチルフエ
ニレン）カルボネート〕 17：
ポリ〔１，１−（Ｐ−ブロモフエニルエタン）
ビス（４−フエニレン）カルボネート〕 18：
ポリ〔４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
−CO−スルホニルビス−（４−フエニレン）カ
ルボネート〕 19：
ポリ〔４，4′−イソプロピリデンビス（２−ク
ロロフエニレン）−カルボネート〕 20：
ポリ（ヘキサフルオロイソプロピリデンジ−４
−フエニレンカルボネート） 21：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニレン
−４，4′−イソプロピリデンジベンゾアート） 22：
ポリ（４，4′−イソプロピリデンジベンジル−
４，4′−イソプロピリデンジベンゾアート） 23：
ポリ〔２，２−（３−メチルブタン）ビス−４
−フエニレンカルボネート〕 24：
ポリ〔２，２−（３，３−ジメチルブタン）ビ
ス−４−フエニレンカルボネート〕 25：
ポリ（１，１−〔１−（ナフチル）〕ビス−４−
フエニレンカルボネート） 26：
ポリ〔２，２−（４−メチルペンタン）ビス−
４−フエニレンカルボネート〕 電荷輸送層におけるヒドラゾン化合物は、電界
の存在下で電荷発生層で生成し、注入された電荷
キヤリアを被膜層の表面まで輸送でき、特に電荷
発生層が感応する電磁波の波長域に実質的に非感
応性であることが好ましい。しかし、例えばHe
−Neレーザー（発振波長632.8nｍ）、He−Cdレ
ーザー（発振波長441.6nｍ）、Ga−Al−As半導
体レーザー（発振波長780nｍ）などのレーザー
光を光源とした時には、レーザー波長に対して非
感応性であればよい。ここで言う「電磁波」とは
γ線、Ｘ線、紫外線、可視光線、近赤外線、赤外
線、遠赤外線などを包含する広義の「光線」の定
義を包含する。電荷輸送層の光感応性波長域が電
荷輸送層のそれと一致またはオーバーラツプする
時には、両者で発生した電荷キヤリアが相互にト
ラツプし、結果的には感度の低下の原因となる。 また、電荷輸送物質の選択には、イオン化ポテ
ンシヤルを目安とすることが提案されているが、
実際には数多くの実験を繰り返すことによつて、
使用する電荷輸送物質を選択しているのが実状で
ある。 本発明で用いる電荷輸送層は、ヒドラゾン化合
物とバインダーとを適当な溶剤に溶解せしめた溶
液を塗布し、乾燥せしめることにより形成させる
ことが好ましい。ここに用いるバインダーとして
は、例えばポリスルホン、アクリル樹脂、メタク
リル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フ
エノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹
脂、アルキド樹脂、ポリカーボネート、ポリウレ
タン、アクリロニトリル樹脂あるいはこれらの樹
脂の繰り返し単位のうち２つ以上を含む共重合樹
脂例えばスチレン−マレイン酸コポリマー、スチ
レン−ブタジエンコポリマー、スチレン−アクリ
ロニトリルコポリマー、スチレン−ブタジエン−
アクリロニトリルコポリマーなどを挙げることが
でき、特にポリエステル樹脂、ポリカーボネート
が好ましいものである。また、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾールの様にそれ自身電荷輸送能力をもつ
光導電性ポリマーをバインダーとしても使用する
ことができる。 このバインダーとヒドラゾン化合物との配合割
合は、結着剤100重量部当り電荷輸送化合物を10
〜500重量とすることが好ましい。 電荷輸送層は、電荷キヤリアを輸送できる限界
があるので、必要以上に膜厚を厚くすることがで
きない。一般的には、５ミクロン〜30ミクロンで
あるが、好ましい範囲は８ミクロン〜20ミクロン
である。塗工によつて電荷輸送層を形成する際に
は、前述した様な適当なコーテイング法を用いる
ことができる。 また、本発明の電荷輸送層を形成させる際に用
いる溶剤としては、多数の有用な有機溶剤を包含
している。代表的なものとしては、例えばベンゼ
ン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベ
ンゼンなどの芳香族系炭化水素類、アセトン、２
−ブタノンなどのケトン類、塩化メチレン、クロ
ロホルム、塩化エチレンなどのハロゲン化脂肪族
系炭化水素類、テトラヒドロフラン、エチルエー
テルなどの環状若しくは直鎖状のエーテル類な
ど、あるいはこれらの混合溶剤を挙げることがで
きる。 本発明の電荷輸送層には、種々の添加剤を含有
させることができる。かかる添加剤としては、ジ
フエニル、塩化ジフエニル、Ｏ−ターフエニル、
Ｐ−ターフエニル、ジブチルフタレート、ジメチ
ルグリコールフタレート、ジオクチルフタレー
ト、トリフエニル燐酸、メチルナフタリン、ベン
ゾフエノン、塩素化パラフイン、ジラウリルチオ
プロピオネート、３，５−ジニトロサリチル酸、
各種フルオロカーボン類、シリコンオイル、シリ
コンゴムあるいはジブチルヒドロキシトルエン、
２，2′−メチレン−ビス−（６−ｔ−ブチル−４
−メチルフエノール）、α−トコフエロール、２
−ｔ−オクチル−５−クロロハイドロキノン、
２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノンなどの
フエノール性化合物類などを挙げることができ
る。 本発明で用いるヒドラゾン化合物は、特に下記
一般式(6)または(7)で示される化合物が好ましい。 一般式 式中、Ａは (a) アリール基：フエニル、α−ナフチル、β−
ナフチル、アントラリル、ピレニル (b) 置換アリール基：４−ジメチルアミノフエニ
ル、４−ジエチルアミノフエニル、４−ジプロ
ピルアミノフエニル、４−ジブチルアミノフエ
ニル、４−ジベンジルアミノフエニル、４−ジ
フエニルアミノフエニル、４−メトキシフエニ
ル、２−メトキシ−α−ナフチル、４−メトキ
シ−α−ナフチル、２，４−ジメトキシフエニ
ル、２−エトキシ−４−ジエチルアミノフエニ
ル、４−ブロモ−９−アントラリル、４−ジメ
チルアミノ−９−アントラリル (c) 複素環基：ジベンゾフラン、カルバゾール、
インドール、チオフエン、フラン、ピロール、
ピラゾール、アクリジン、キサンテン、チオキ
サンテン、フエノチアジン、ピリジン、フエノ
キサジン、ベンゾイミダゾール、チアゾリン、
チアゾール、ベンゾチアゾール、ナフトチアゾ
ール、オキサゾリン、オキサゾール、ベンズオ
キサゾール、ナフトオキサゾール、１，３，４
−オキサジアゾール、１，３，４−チアジアゾ
ール、トリアゾール、キノリンなどの複素環か
ら誘導した１価の複素環基 (d) 置換複素環基：前述(c)の複素環基にメチル、
エチル、プロピルなどのアルキル基、塩素、臭
素などのハロゲン原子、メトキシ、エトキシ、
プロポキシなどのアルコキシ基、フエニル、ト
リル、キシリルなどのアリール基、ベンジル、
フエネチルなどのアラルキル基、ヒドロキシ、
カルボキシルなどの基や原子が１つ以上置換し
た複素環基 R13は、水素原子、アリール基（例えば、フエ
ニル、ナフチルなど）または置換アリール基（例
えば、４−ジメチルアミノフエニル、４−ジエチ
ルアミノフエニル、４−ジプロピルアミノフエニ
ル、４−メトキシフエニル、４−エトキシフエニ
ル、２−メチルフエニル、２，４−ジメトキシフ
エニルなど）、アルキル基（例えば、メチル、エ
チル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブ
チル、ｔ−ブチル、アミル、ｔ−アミル、ヘキシ
ル、シクロヘキシル、オクチル）、置換アルキル
基（例えば、２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロ
キシプロピル、２−メトキシエチル、３−メトキ
シプロピル、２−シアノエチル、３−シアノプロ
ピル、カルボキシメチル、２−カルボキシエチ
ル、２−クロロエチル、３−クロロプロピル）、
アラルキル基（例えば、ベンジル、フエネチル、
３−フエニルプロピル、α−ナフチルメチル、β
−ナフチルメチル）又は置換アラルキル基（例え
ば、メトキシベンジル、エトキシベンジル、ヒド
ロキシベンジル、クロロベンジル、ブロモベンジ
ル、メチルベンジル、ジメチルベンジル、ジメチ
ルアミノベンジル）を示す。R11、R12およびR14
は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、アミル
などのアルキル基、フエニル、α−ナフチル、β
−ナフチルなどのアリール基、トリル、キシリ
ル、エチルフエニル、メトキシフエニル、エトキ
シフエニル、ヒドロキシフエニルなどの置換アリ
ール基、ベンジル、フエネチルなどのアラルキル
基またはメトキシベンジル、エトキシベンジル、
ヒドロキシベンジル、メチルベンジル、エチルベ
ンジルなどの置換アラルキル基を示す。ｎは、０
又は１である。 Ｚは、置換又は未置換の複素環（例えば、オキ
サゾール、ベンズオキサゾール、ナフトオキサゾ
ール、チアゾール、ベンゾチアゾール、ナフトチ
アゾール、セレナゾール、ベンゾセレナゾール、
ナフトセレナゾール、キノリン、ピリジン、イン
ドールなど）を完成するに必要な原子群を示す。
置換原子又は基としては、前述の(d)置換複素環基
に置換しうる原子又は基を挙げることができる。 本発明で用いうるヒドラゾン化合物の代表例を
下記に列挙する。 ヒドラゾン化合物（一般式(6)に相当） 一般式(7)で示されるヒドラゾン化合物の代表例
は下記のとおりである。 これらのヒドラゾン化合物は１種又は２種以上
組合せて用いることができる。 この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造か
らなる感光層は、導電層を有する基体の上に設け
られる。導電層を有する基体としては、基体自体
が導電性をもつもの、例えばアルミニウム、アル
ミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウ
ム、モリブデン、クロム、チタン、ニツケル、イ
ンジウム、金や白金などを用いることができ、そ
の他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金
などを真空蒸着法によつて被膜形成された層を有
するプラスチツク（例えばポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフ
タレート、アクリル樹脂、ポリフツ化エチレンな
ど）、導電性粒子（例えば、カーボンブラツク、
銀粒子など）を適当なバインダーとともにプラス
チツクの上に被覆した基体、導電性粒子をプラス
チツクや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを有
するプラスチツクなどを用いることができる。 導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着
機能をもつ下引層を設けることもできる。下引層
は、カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセ
ルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポ
リアミド（ナイロン６、ナイロン66、ナイロン
610、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイ
ロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、酸化アル
ミニウムなどによつて形成できる。 下引層の膜厚は、0.1ミクロン〜５ミクロン、
好ましくは0.5ミクロン〜３ミクロンが適当であ
る。 導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層し
た感光体を使用する場合において電荷輸送層表面
を負に帯電する必要があり、帯電後、露光すると
露光部では電荷発生層において生成した正孔が電
荷輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷
を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間
に静電コントラストが生じる。現像時には電子輸
送物質を用いた場合とは逆に正電荷性トナーを用
いる必要がある。 本発明の別の具体例では、前述の不連続相又は
連続相の共晶錯体組成物中にヒドラゾン化合物を
含有した感光性組成物を用いることができる。 本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利
用するのみならず、レーザープリンターやCRT
プリンター等の電子写真応用分野にも広く用いる
ことができる。 以下、本発明を実施例に従つて説明する。 実施例 １ アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液（カ
ゼイン11.2ｇ28％アンモニア水１ｇ、水222ml）
をマイヤーバーで、乾燥後の膜厚が1.0ミクロン
となる様に塗布し、乾燥した。 次に、化合物No.10のピリリウム塩（２，４−ジ
フエニル−６−（４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノス
チリル）ピリリウムパークロレート）１ｇと重合
体No.４のポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエ
ニレンカルボネート）10ｇを420mlのジクロルメ
タンに加え、４時間撹拌して溶解させて共晶錯体
組成物を形成した。 この共晶錯体組成物を押し出ホツパー塗布機で
乾燥後の膜厚が0.8μとなる様に、先に形成したカ
ゼイン層の上に塗布し、乾燥してからトルエンを
上塗りして凝集状共晶錯体被膜からなる電荷発生
層を形成した。 次いで、化合物No.(4)の４−Ｎ、Ｎ−ジエチルア
ミノベンズアルデヒド−Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−
フエニルヒドラゾン５ｇとポリメチルメタクリレ
ート樹脂（数平均分子量100000）５ｇをベンゼン
70mlに溶解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の
膜厚が12ミクロンとなる様にマイヤーバーで塗布
し、乾燥して電荷輸送層を形成した。 この様にして作成した電子写真感光体を川口電
機(株)製静電複写紙試験装置Model SP−428を用
いてスタチツク方式で−5KVでコロナ帯電し、
暗所で10秒間保持した後、照度5luxで露光し帯電
特性を調べた。 帯電特性としては、表面電位（V0）と10秒間
暗減衰させた時の電位（V10）を1/2に減衰する
に必要な露光量（Ｅ1/2）を測定した。この結果
を第１表に示す。 さらに、繰り返し使用した時の明部電位と暗部
電位の変動を測定するために、本実施例で作成し
た感光体を−5.6KVのコロナ帯電器、照度15lux
を有する露光光学系、現像器、転写帯電器、除電
露光光学系およびクリーナーを備えた電子写真複
写機のシリンダーに貼り付けた。この複写機は、
シリンダーの駆動に伴い、転写紙上に画像が得ら
れる構成になつている。この複写機を用いて、初
期の明部電位（VL）と暗部電位（VD）および
5000回使用した後の明部電位（VL）と暗部電位
（VD）を測定した。この結果を第２表に示す。 第１表 V0：−570ボルト V10：−550ボルト Ｅ1/2：4.5lux・sec 【表】 実施例 ２〜13 実施例１で用いたピリリウム塩に代えて、第３
表に示すピリリウム塩を用いたほかは、全く実施
例１と同様の方法で電子写真感光体を作成した。 各感光体の帯電特性と耐久特性を実施例１と同
様の方法によつて測定した。これらの結果を第４
表に示す。 第３表 実施例 ピリリウム染料 ２ 化合物No.(8)のピリリウム塩 ３ 化合物No.（11） 〃 ４ 化合物No.（13） 〃 ５ 化合物No.（19） 〃 ６ 化合物No.（20） 〃 ７ 化合物No.（29） 〃 ８ 化合物No.（31） 〃 ９ 化合物No.（33） 〃 10 化合物No.（35） 〃 11 化合物No.（37） 〃 12 化合物No.（39） 〃 13 化合物No.（40） 〃 【表】 実施例 14 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフイル
ムのアルミ面上に膜厚1.1ミクロンのポリビニル
アルコールの被膜を形成した。 次に、化合物No.10のピリリウム塩１ｇと重合体
No.３のポリ（４，4′−イソプロピリデンジフエニ
レンカルボネート−CO−テレフタレート）10ｇ
を450mlのジクロルメタンに加え、十分に撹拌溶
解した。この溶液に250mlのトルエンを加えるこ
とによつて共晶錯体沈澱物を形成した。この沈澱
物をジクロルエタンで洗條した。 こうして得た沈澱物５ｇを、エタノール95mlに
ブチラール樹脂（ブチラール化度63モル％）２ｇ
を溶かした液に加え、アトライターで２時間分散
した。この分散液を先に形成したカゼイン層の上
に乾燥後の膜厚が0.5ミクロンとなる様にマイヤ
ーバーで塗布し、乾燥して電荷発生層を形成し
た。 次いで、化合物No.（20）のヒドラゾン化合物５
ｇとポリメチルメタクリレート樹脂（数平均分子
量100000）５ｇをベンゼン70mlに溶解し、これを
電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が12ミクロンとな
る様にマイヤーバーで塗布し、乾燥して電荷輸送
層を形成した。 こうして作成した感光体の帯電特性と耐久特性
を実施例１と同様の方法によつて測定した。 この結果を第７表に示す。 第７表−(1) V0：−590ボルト V10：−560ボルト Ｅ1/2：4.8lux・sec 【表】 実施例 15〜54 前記実施例１の感光体を作成した時に用いたヒ
ドラゾン化合物に代え、第８表に示すヒドラゾン
化合物を用いたほかは、全く実施例１と同様の方
法で感光体を作成した。 これらの感光体の帯電特性と耐久特性を実施例
１と同様の方法で測定した。これらの結果を第８
表に示す。 【表】 【表】
Claims (1)
- １ ピリリウム系染料とアルキリデンジアリーレ
ン部分を含有する重合体との共晶錯体とヒドラゾ
ン化合物を含有することを特徴とする電子写真感
光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2778082A JPS58144832A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2778082A JPS58144832A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58144832A JPS58144832A (ja) | 1983-08-29 |
| JPH0354342B2 true JPH0354342B2 (ja) | 1991-08-19 |
Family
ID=12230483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2778082A Granted JPS58144832A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58144832A (ja) |
-
1982
- 1982-02-23 JP JP2778082A patent/JPS58144832A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58144832A (ja) | 1983-08-29 |
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