JPH0358441A - テープ状リード - Google Patents
テープ状リードInfo
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- JPH0358441A JPH0358441A JP19345189A JP19345189A JPH0358441A JP H0358441 A JPH0358441 A JP H0358441A JP 19345189 A JP19345189 A JP 19345189A JP 19345189 A JP19345189 A JP 19345189A JP H0358441 A JPH0358441 A JP H0358441A
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- Japan
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- leads
- lead
- insulating substrate
- substrates
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に用いられるテープ状リードに
関する 〔従来の技術〕 従来、この種のテープ状リード、いわゆるTAB (T
ape Autos+ated Bonding)テー
プは、第3図(a)及び(b)にそれぞれ平面図,C−
C線断面図を示すように、wAa基板1に開口部1aを
あけ、この開口部1aに臨んで薄い導電箔で形成した複
数本の薄膜リード2を取着している。これら薄膜リード
2は、前記開口部la内に突出された内部接続リード部
3と、外部接続リード部4と、測定用パッド部5を備え
、前記開口部1aの周囲に配設している。
関する 〔従来の技術〕 従来、この種のテープ状リード、いわゆるTAB (T
ape Autos+ated Bonding)テー
プは、第3図(a)及び(b)にそれぞれ平面図,C−
C線断面図を示すように、wAa基板1に開口部1aを
あけ、この開口部1aに臨んで薄い導電箔で形成した複
数本の薄膜リード2を取着している。これら薄膜リード
2は、前記開口部la内に突出された内部接続リード部
3と、外部接続リード部4と、測定用パッド部5を備え
、前記開口部1aの周囲に配設している。
そして、前記開口部la内において、内部接続リード部
3に半導体素子(図示せず)を接続し、その上で測定用
パッド部5を利用して通電試験を行い、更に外部接続リ
ード部4において、パッケージ等の外部導出端子等への
接続を行っている。
3に半導体素子(図示せず)を接続し、その上で測定用
パッド部5を利用して通電試験を行い、更に外部接続リ
ード部4において、パッケージ等の外部導出端子等への
接続を行っている。
上述した従来のTABテープは、薄膜リード2が薄い導
電箔等で構威され、かつ内部接続リード部3が開口部l
a内に突出された状態にあるため、半導体集積回路の多
ビン化に伴って内部接続リード部3の幅及び隣接リード
との間隔が狭くなると、これらリード部の機械的強度が
低下されて変形され易くなり、半導体素子の電極パッド
との相対位置にずれが生じ、半導体素子の接続が困難に
なるという問題がある. 本発明は内部接続リード部の変形を防止して半導体素子
の接続を確実に行い得るようにしたTABテープを提供
することを目的とする。
電箔等で構威され、かつ内部接続リード部3が開口部l
a内に突出された状態にあるため、半導体集積回路の多
ビン化に伴って内部接続リード部3の幅及び隣接リード
との間隔が狭くなると、これらリード部の機械的強度が
低下されて変形され易くなり、半導体素子の電極パッド
との相対位置にずれが生じ、半導体素子の接続が困難に
なるという問題がある. 本発明は内部接続リード部の変形を防止して半導体素子
の接続を確実に行い得るようにしたTABテープを提供
することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明のTABテープは、絶縁基板に設けた開口部内に
突出配置した内部接続リード部を、該開口部内に配設し
た補助絶縁基板により支持している。
突出配置した内部接続リード部を、該開口部内に配設し
た補助絶縁基板により支持している。
上述した構成では、薄膜リードの各内部接続リード部は
補助絶縁基板よって支持されるため、リード幅や隣接リ
ード間隔が狭くされた場合でも、その変形が防止できる
。
補助絶縁基板よって支持されるため、リード幅や隣接リ
ード間隔が狭くされた場合でも、その変形が防止できる
。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1実施例を示しており、同図(a)
は平面図、同図(b)はそのA−A線に沿う縦断面図で
ある。図において、■は絶縁基板、2はこの絶縁基板1
の表面に導電箔等を所要パターンに形威したした薄膜リ
ードである。
は平面図、同図(b)はそのA−A線に沿う縦断面図で
ある。図において、■は絶縁基板、2はこの絶縁基板1
の表面に導電箔等を所要パターンに形威したした薄膜リ
ードである。
この薄膜リート2は従来と同様に内部接続リード部3,
外部接続リード部4及び測定用パッド部5とで構威され
ており、その内部接続リード部3を前記絶縁基板lに設
けた開口部la内に突出させている。一方、前記絶縁基
板lは、開口部1aの内部に方形枠状をした補助絶縁基
板6を有しており、この補助絶縁基板6を前記内部接続
リート部3に接続支持させている。
外部接続リード部4及び測定用パッド部5とで構威され
ており、その内部接続リード部3を前記絶縁基板lに設
けた開口部la内に突出させている。一方、前記絶縁基
板lは、開口部1aの内部に方形枠状をした補助絶縁基
板6を有しており、この補助絶縁基板6を前記内部接続
リート部3に接続支持させている。
この補助絶縁基板6は、絶縁基板1に薄膜り一ド2を形
威し、その後絶縁基板1に開口部1aを開設する際に、
その一部を残すことで同時に形威することが可能である
。
威し、その後絶縁基板1に開口部1aを開設する際に、
その一部を残すことで同時に形威することが可能である
。
このTABテープでは、薄膜リード2の各内部接続リー
ド部3は補助絶縁基板6によって支持されるため、リー
ド幅や隣接リード間隔が狭くされた場合でも、その変形
が防止され、半導体素子の電極バッドに対する相対位置
ずれが防止される。
ド部3は補助絶縁基板6によって支持されるため、リー
ド幅や隣接リード間隔が狭くされた場合でも、その変形
が防止され、半導体素子の電極バッドに対する相対位置
ずれが防止される。
これにより、半導体素子の接続を確実に行うことができ
、薄膜リードを更に高集積化することが可能となる. 因に、この実施例では従来のTABテープに比較して内
部接続リード部3の間隔を1/2にでき、薄膜リード数
を20%増加させることが実現された。
、薄膜リードを更に高集積化することが可能となる. 因に、この実施例では従来のTABテープに比較して内
部接続リード部3の間隔を1/2にでき、薄膜リード数
を20%増加させることが実現された。
第2図は本発明の第2実施例を示しており、同図(a)
は平面図、同図(b)はそのB−BwA断面図である。
は平面図、同図(b)はそのB−BwA断面図である。
なお、第1図と同一部分には同一符号を付してある。
この実施例では、補助絶縁基板6Aは単に正方形に構威
し、この補助絶縁基板6Aにおいて薄膜リードの各内部
接続リード部3を支持している。
し、この補助絶縁基板6Aにおいて薄膜リードの各内部
接続リード部3を支持している。
この構成によれば、第l実施例と同様の効果を得ること
ができるとともに、ここでは補助絶縁基板6Aで内部接
続リード部3に接続した半導体素子の表面を覆うことが
できるため、外部からの機械的接触に対して半導体素子
を保護することができる効果が得られる. 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、絶縁基板の開口部内に突
出配置した内部接続リード部を補助絶縁基板により支持
しているので、各内部接続リード部は補助絶縁基板よっ
て支持され、リード幅や隣接リード間隔が狭くされた場
合でも、その変形が防止でき、半導体素子を確実に接続
することができる効果がある。
ができるとともに、ここでは補助絶縁基板6Aで内部接
続リード部3に接続した半導体素子の表面を覆うことが
できるため、外部からの機械的接触に対して半導体素子
を保護することができる効果が得られる. 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、絶縁基板の開口部内に突
出配置した内部接続リード部を補助絶縁基板により支持
しているので、各内部接続リード部は補助絶縁基板よっ
て支持され、リード幅や隣接リード間隔が狭くされた場
合でも、その変形が防止でき、半導体素子を確実に接続
することができる効果がある。
第1図は本発明の第1実施例を示しており、同図(a)
は平面図、同図(b)はそのA−Aiに沿う断面図、第
2図は本発明の第2実施例を示しており、同図(a)は
平面図、同図(b)はそのB−B線に沿う断面図、第3
図は従来のTABテープを示しており、同図(a)は平
面図、同図(b)はそのC−C線に沿う断面図である。 l・・・絶縁基板、1a・・・開口部、2・・・薄膜リ
ード、3・・・内部接続リード部、4・・・外部接続リ
ード部、5・・・測定用パッド部、6,6A・・・補助
絶縁基板。 (b) 第2 図 (b)
は平面図、同図(b)はそのA−Aiに沿う断面図、第
2図は本発明の第2実施例を示しており、同図(a)は
平面図、同図(b)はそのB−B線に沿う断面図、第3
図は従来のTABテープを示しており、同図(a)は平
面図、同図(b)はそのC−C線に沿う断面図である。 l・・・絶縁基板、1a・・・開口部、2・・・薄膜リ
ード、3・・・内部接続リード部、4・・・外部接続リ
ード部、5・・・測定用パッド部、6,6A・・・補助
絶縁基板。 (b) 第2 図 (b)
Claims (1)
- 1、絶縁基板上に薄膜リードを形成し、この薄膜リード
の内部接続リード部を前記絶縁基板に設けた開口部内に
突出配置したテープ状リードにおいて、前記開口部内に
補助絶縁基板を配設し、この補助絶縁基板で前記内部接
続リード部を支持したことを特徴とするテープ状リード
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19345189A JPH0358441A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | テープ状リード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19345189A JPH0358441A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | テープ状リード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0358441A true JPH0358441A (ja) | 1991-03-13 |
Family
ID=16308217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19345189A Pending JPH0358441A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | テープ状リード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0358441A (ja) |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP19345189A patent/JPH0358441A/ja active Pending
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