JPH0358441A - テープ状リード - Google Patents

テープ状リード

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Publication number
JPH0358441A
JPH0358441A JP19345189A JP19345189A JPH0358441A JP H0358441 A JPH0358441 A JP H0358441A JP 19345189 A JP19345189 A JP 19345189A JP 19345189 A JP19345189 A JP 19345189A JP H0358441 A JPH0358441 A JP H0358441A
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JP
Japan
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leads
lead
insulating substrate
substrates
supported
Prior art date
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Pending
Application number
JP19345189A
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English (en)
Inventor
Toshio Morita
森田 寿夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路に用いられるテープ状リードに
関する 〔従来の技術〕 従来、この種のテープ状リード、いわゆるTAB (T
ape Autos+ated Bonding)テー
プは、第3図(a)及び(b)にそれぞれ平面図,C−
C線断面図を示すように、wAa基板1に開口部1aを
あけ、この開口部1aに臨んで薄い導電箔で形成した複
数本の薄膜リード2を取着している。これら薄膜リード
2は、前記開口部la内に突出された内部接続リード部
3と、外部接続リード部4と、測定用パッド部5を備え
、前記開口部1aの周囲に配設している。
そして、前記開口部la内において、内部接続リード部
3に半導体素子(図示せず)を接続し、その上で測定用
パッド部5を利用して通電試験を行い、更に外部接続リ
ード部4において、パッケージ等の外部導出端子等への
接続を行っている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のTABテープは、薄膜リード2が薄い導
電箔等で構威され、かつ内部接続リード部3が開口部l
a内に突出された状態にあるため、半導体集積回路の多
ビン化に伴って内部接続リード部3の幅及び隣接リード
との間隔が狭くなると、これらリード部の機械的強度が
低下されて変形され易くなり、半導体素子の電極パッド
との相対位置にずれが生じ、半導体素子の接続が困難に
なるという問題がある. 本発明は内部接続リード部の変形を防止して半導体素子
の接続を確実に行い得るようにしたTABテープを提供
することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明のTABテープは、絶縁基板に設けた開口部内に
突出配置した内部接続リード部を、該開口部内に配設し
た補助絶縁基板により支持している。
〔作用〕
上述した構成では、薄膜リードの各内部接続リード部は
補助絶縁基板よって支持されるため、リード幅や隣接リ
ード間隔が狭くされた場合でも、その変形が防止できる
〔実施例〕
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1実施例を示しており、同図(a)
は平面図、同図(b)はそのA−A線に沿う縦断面図で
ある。図において、■は絶縁基板、2はこの絶縁基板1
の表面に導電箔等を所要パターンに形威したした薄膜リ
ードである。
この薄膜リート2は従来と同様に内部接続リード部3,
外部接続リード部4及び測定用パッド部5とで構威され
ており、その内部接続リード部3を前記絶縁基板lに設
けた開口部la内に突出させている。一方、前記絶縁基
板lは、開口部1aの内部に方形枠状をした補助絶縁基
板6を有しており、この補助絶縁基板6を前記内部接続
リート部3に接続支持させている。
この補助絶縁基板6は、絶縁基板1に薄膜り一ド2を形
威し、その後絶縁基板1に開口部1aを開設する際に、
その一部を残すことで同時に形威することが可能である
このTABテープでは、薄膜リード2の各内部接続リー
ド部3は補助絶縁基板6によって支持されるため、リー
ド幅や隣接リード間隔が狭くされた場合でも、その変形
が防止され、半導体素子の電極バッドに対する相対位置
ずれが防止される。
これにより、半導体素子の接続を確実に行うことができ
、薄膜リードを更に高集積化することが可能となる. 因に、この実施例では従来のTABテープに比較して内
部接続リード部3の間隔を1/2にでき、薄膜リード数
を20%増加させることが実現された。
第2図は本発明の第2実施例を示しており、同図(a)
は平面図、同図(b)はそのB−BwA断面図である。
なお、第1図と同一部分には同一符号を付してある。
この実施例では、補助絶縁基板6Aは単に正方形に構威
し、この補助絶縁基板6Aにおいて薄膜リードの各内部
接続リード部3を支持している。
この構成によれば、第l実施例と同様の効果を得ること
ができるとともに、ここでは補助絶縁基板6Aで内部接
続リード部3に接続した半導体素子の表面を覆うことが
できるため、外部からの機械的接触に対して半導体素子
を保護することができる効果が得られる. 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、絶縁基板の開口部内に突
出配置した内部接続リード部を補助絶縁基板により支持
しているので、各内部接続リード部は補助絶縁基板よっ
て支持され、リード幅や隣接リード間隔が狭くされた場
合でも、その変形が防止でき、半導体素子を確実に接続
することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例を示しており、同図(a)
は平面図、同図(b)はそのA−Aiに沿う断面図、第
2図は本発明の第2実施例を示しており、同図(a)は
平面図、同図(b)はそのB−B線に沿う断面図、第3
図は従来のTABテープを示しており、同図(a)は平
面図、同図(b)はそのC−C線に沿う断面図である。 l・・・絶縁基板、1a・・・開口部、2・・・薄膜リ
ード、3・・・内部接続リード部、4・・・外部接続リ
ード部、5・・・測定用パッド部、6,6A・・・補助
絶縁基板。 (b) 第2 図 (b)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、絶縁基板上に薄膜リードを形成し、この薄膜リード
    の内部接続リード部を前記絶縁基板に設けた開口部内に
    突出配置したテープ状リードにおいて、前記開口部内に
    補助絶縁基板を配設し、この補助絶縁基板で前記内部接
    続リード部を支持したことを特徴とするテープ状リード
JP19345189A 1989-07-26 1989-07-26 テープ状リード Pending JPH0358441A (ja)

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JP19345189A JPH0358441A (ja) 1989-07-26 1989-07-26 テープ状リード

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JPH0358441A true JPH0358441A (ja) 1991-03-13

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