JPH01135036A - 半導体装置製造用ｔａｂテープ - Google Patents
半導体装置製造用ｔａｂテープInfo
- Publication number
- JPH01135036A JPH01135036A JP62293312A JP29331287A JPH01135036A JP H01135036 A JPH01135036 A JP H01135036A JP 62293312 A JP62293312 A JP 62293312A JP 29331287 A JP29331287 A JP 29331287A JP H01135036 A JPH01135036 A JP H01135036A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tape
- connection lead
- layer
- metal
- tab tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置製造用のＴＡＢテープに関する。
第３図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ従来の半導体装置
製造用ＴＡＢテープの構造を示す平面図およびそのｃ−
ｃ’断面図である。このＴＡＢテープは、テープ状の基
板絶縁層上に一層のみから成る金属リード層１を有する
。ここで、２，３゜４はそれぞれ金属リード層２の外部
接続リード部、内部接続リード部、半導体素子の電気的
特定用バッド部である。また、６は半導体素子を載置す
る開口部である。
製造用ＴＡＢテープの構造を示す平面図およびそのｃ−
ｃ’断面図である。このＴＡＢテープは、テープ状の基
板絶縁層上に一層のみから成る金属リード層１を有する
。ここで、２，３゜４はそれぞれ金属リード層２の外部
接続リード部、内部接続リード部、半導体素子の電気的
特定用バッド部である。また、６は半導体素子を載置す
る開口部である。
しかしながら、上述した従来のＴＡＢテープは金属リー
ド層１が一層のみとなっているので、半導体装置が高機
能化され多ピン化されるに伴い、テープ上に測定用パッ
ド部４の占める面積が次第に大きくなり、標準的なテー
プ幅に収まらなくなるという問題点が生じている。従っ
て、更に多ピン化が進むと外部接続リード部２の幅も狭
くせざるを得なくなり、外部装置との接続が難がしくな
るという事態の発生が懸念されている。
ド層１が一層のみとなっているので、半導体装置が高機
能化され多ピン化されるに伴い、テープ上に測定用パッ
ド部４の占める面積が次第に大きくなり、標準的なテー
プ幅に収まらなくなるという問題点が生じている。従っ
て、更に多ピン化が進むと外部接続リード部２の幅も狭
くせざるを得なくなり、外部装置との接続が難がしくな
るという事態の発生が懸念されている。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、半導体装置の多ピ
ン化に充分対応し得る標準幅の半導体装置製造用ＴＡＢ
テープを提供することである。
ン化に充分対応し得る標準幅の半導体装置製造用ＴＡＢ
テープを提供することである。
本発明によれば、テープ状の基板絶縁層上に、半導体素
子を載置する開口部と前記半導体素子と接続すべき内部
接続リード部を前記開口部内に突出せしめる金属リード
層とをそれぞれパターン配列する半導体装置製造用ＴＡ
Ｂテープは、前記金属リード層を基板絶縁層上で互いに
絶縁される少くとも２層以上の金属膜で形成することを
含む。
子を載置する開口部と前記半導体素子と接続すべき内部
接続リード部を前記開口部内に突出せしめる金属リード
層とをそれぞれパターン配列する半導体装置製造用ＴＡ
Ｂテープは、前記金属リード層を基板絶縁層上で互いに
絶縁される少くとも２層以上の金属膜で形成することを
含む。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図＜ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例
を示す半導体装置製造用ＴＡＢテープの平面図およびそ
のＡ−Ａ’断面図である。本実施例によれば、金属層１
は基板絶縁層５の表裏にそれぞれ一つづつ設けられ、そ
れぞれの内部接続リード部３は互いに交叉するように開
口部６内に突出される。この状態では、隣り合った内部
接続リード部３に段差が生じるが、半導体素子との接続
時には強い力が加えられるので、ボンディング上特に問
題となることはない。外部装置との接続及び半導体素子
接続後の電気的特性の測定は、従来のＴＡＢテープと異
なりテープの上下から行われる。従って、本実施例によ
れば、外部接続リード部２及び測定用パッド部４の全体
に占める面積を従来ＴＡＢテープの約１／２にすること
ができる。
を示す半導体装置製造用ＴＡＢテープの平面図およびそ
のＡ−Ａ’断面図である。本実施例によれば、金属層１
は基板絶縁層５の表裏にそれぞれ一つづつ設けられ、そ
れぞれの内部接続リード部３は互いに交叉するように開
口部６内に突出される。この状態では、隣り合った内部
接続リード部３に段差が生じるが、半導体素子との接続
時には強い力が加えられるので、ボンディング上特に問
題となることはない。外部装置との接続及び半導体素子
接続後の電気的特性の測定は、従来のＴＡＢテープと異
なりテープの上下から行われる。従って、本実施例によ
れば、外部接続リード部２及び測定用パッド部４の全体
に占める面積を従来ＴＡＢテープの約１／２にすること
ができる。
第２図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の他の実施
例を示す半導体装置製造用ＴＡＢテープの平面図および
そのＢ−Ｂ’断面図である。本実施例によれば、基板絶
縁層５上の金属リード１は２本を一組とされ、測定用パ
ッド部４において層間絶縁膜７を挟んで２層に配置され
る。このｙＩ造では、下側の金属リード層を上側の金属
リード層の測定用パッド部より延長し、この延長部上の
層間絶縁層７を開孔することにより、下側の金属リード
層に測定用バード部４を設けることができる。本実施例
によれば、外部装置との接続及び半導体素子接続後の電
気的特性の測定を従来ＴＡＢテープに対すると同様に行
うことができる他、測定用パッド部４が２列に配置され
るので半導体装置の多ピン化に伴う測定用パッド部の横
方向への広がりを防ぐことができる。
例を示す半導体装置製造用ＴＡＢテープの平面図および
そのＢ−Ｂ’断面図である。本実施例によれば、基板絶
縁層５上の金属リード１は２本を一組とされ、測定用パ
ッド部４において層間絶縁膜７を挟んで２層に配置され
る。このｙＩ造では、下側の金属リード層を上側の金属
リード層の測定用パッド部より延長し、この延長部上の
層間絶縁層７を開孔することにより、下側の金属リード
層に測定用バード部４を設けることができる。本実施例
によれば、外部装置との接続及び半導体素子接続後の電
気的特性の測定を従来ＴＡＢテープに対すると同様に行
うことができる他、測定用パッド部４が２列に配置され
るので半導体装置の多ピン化に伴う測定用パッド部の横
方向への広がりを防ぐことができる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、半導体装
置製造用ＴＡＢテープは互いに絶縁された少なくとも二
層以上の金属リード層が設けられるので、半導体装置の
多ピン化に伴なう金属リード層の外部接続リード部の幅
の縮減を標準テープ幅を保持したまま回避することがで
きるので、高機能半導体装置の製造に大きな効果をあげ
ることができる。
置製造用ＴＡＢテープは互いに絶縁された少なくとも二
層以上の金属リード層が設けられるので、半導体装置の
多ピン化に伴なう金属リード層の外部接続リード部の幅
の縮減を標準テープ幅を保持したまま回避することがで
きるので、高機能半導体装置の製造に大きな効果をあげ
ることができる。
第１図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例
を示す半導体装置製造用Ｔ Ａ、 Ｂテープの平面図お
よびそのＡ−Ａ’断面図、第２図（ａ）および（ｂ）は
それぞれ本発明の他の実施例を示す半導体装置製造用Ｔ
ＡＢテープの平面図およびそのＢ−Ｂ’断面図、第３図
（ａ）および（ｂ）はそれぞれ従来の半導体装置製造用
ＴＡＢテープの平面図およびそのｃ−ｃ’断面図である
。 １・・・金属リード層、２・・・外部接続リード層、３
・・・・内部接続リード部、４・・・測定用パッド部、
５・・・基板絶縁層、６・・・開口部、７・・・層間絶
縁層。
を示す半導体装置製造用Ｔ Ａ、 Ｂテープの平面図お
よびそのＡ−Ａ’断面図、第２図（ａ）および（ｂ）は
それぞれ本発明の他の実施例を示す半導体装置製造用Ｔ
ＡＢテープの平面図およびそのＢ−Ｂ’断面図、第３図
（ａ）および（ｂ）はそれぞれ従来の半導体装置製造用
ＴＡＢテープの平面図およびそのｃ−ｃ’断面図である
。 １・・・金属リード層、２・・・外部接続リード層、３
・・・・内部接続リード部、４・・・測定用パッド部、
５・・・基板絶縁層、６・・・開口部、７・・・層間絶
縁層。
Claims (1)
- テープ状の基板絶縁層上に、半導体素子を載置する開
口部と前記半導体素子と接続すべき内部接続リード部を
前記開口部内に突出せしめる金属リード層とをそれぞれ
パターン配列する半導体装置製造用ＴＡＢテープにおい
て、前記金属リード層は基板絶縁層上で互いに絶縁され
る少くとも２層以上の金属膜で形成されることを特徴と
する半導体装置製造用ＴＡＢテープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62293312A JPH01135036A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 半導体装置製造用ｔａｂテープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62293312A JPH01135036A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 半導体装置製造用ｔａｂテープ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01135036A true JPH01135036A (ja) | 1989-05-26 |
Family
ID=17793205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62293312A Pending JPH01135036A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 半導体装置製造用ｔａｂテープ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01135036A (ja) |
-
1987
- 1987-11-20 JP JP62293312A patent/JPH01135036A/ja active Pending
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