JPH0364355A - 半導体素子保護用組成物 - Google Patents
半導体素子保護用組成物Info
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- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
及果圭立札歴生艷
本発明は、半導体素子を保護するために用いられる半導
体素子保護用組成物に関する。
体素子保護用組成物に関する。
の び が しよ゛とする
一般に、トランジスター、ダイオード、１．Ｃ１Ｌ、Ｓ
、Ｉ等の半導体素子をエポキシ樹脂等の樹脂材料で封止
することがよく行なわれているが、半導体素子をこれら
の樹脂材料で封止すると、これらの樹脂材料を通して浸
入した水やイオン性不純物によって半導体素子の劣化が
しばしば引き起こされる。
、Ｉ等の半導体素子をエポキシ樹脂等の樹脂材料で封止
することがよく行なわれているが、半導体素子をこれら
の樹脂材料で封止すると、これらの樹脂材料を通して浸
入した水やイオン性不純物によって半導体素子の劣化が
しばしば引き起こされる。
この対策として、耐熱性、電気特性、機械的特性に優れ
たポリイミド樹脂で半導体素子を被覆保護した後、樹脂
材料で封止する方法が提案されている。
たポリイミド樹脂で半導体素子を被覆保護した後、樹脂
材料で封止する方法が提案されている。
しかし、一般に、耐熱性に優れるポリイミド樹脂は、一
部の高沸点有機溶剤以外の溶剤には不溶であるために、
通常その前岨体であるポリアミド酸の状態で有機溶剤に
溶解させ、これを半導体素子上に塗布した後に、加熱硬
化（イミド化）させることにより形成させることが行な
われている。
部の高沸点有機溶剤以外の溶剤には不溶であるために、
通常その前岨体であるポリアミド酸の状態で有機溶剤に
溶解させ、これを半導体素子上に塗布した後に、加熱硬
化（イミド化）させることにより形成させることが行な
われている。
しかし、この方法によるポリイミド樹脂皮膜の形成では
、ポリアミド酸をポリイミドに変換するための加熱処理
に３００℃以上の高温でかつ長時間を要する。かかる方
法は、高温下での長時間の加熱が作業工程上、特に省エ
ネルギーの見地から不利であり、また一方、加熱が不十
分な場合には、得られた樹脂の構造中にポリアミド酸が
残存してしまい、このポリアミド酸によりポリイミド樹
脂の耐湿性、耐腐食性等の低下を引き起こすこととなる
。特に、半導体素子の絶縁保護膜とする場合には、この
ような樹脂性能の低下は半導体素子の劣化、短寿命化を
招くこととなり、大きな問題となる。
、ポリアミド酸をポリイミドに変換するための加熱処理
に３００℃以上の高温でかつ長時間を要する。かかる方
法は、高温下での長時間の加熱が作業工程上、特に省エ
ネルギーの見地から不利であり、また一方、加熱が不十
分な場合には、得られた樹脂の構造中にポリアミド酸が
残存してしまい、このポリアミド酸によりポリイミド樹
脂の耐湿性、耐腐食性等の低下を引き起こすこととなる
。特に、半導体素子の絶縁保護膜とする場合には、この
ような樹脂性能の低下は半導体素子の劣化、短寿命化を
招くこととなり、大きな問題となる。
この点に鑑み、従来有機溶剤に可溶なポリイミド樹脂を
得る方法として、溶剤にフェノール、ハロゲン化フェノ
ール等を用い、この溶剤中でテトラカルボン酸二無水物
と芳香族ジアミンとを加熱反応させることによってフェ
ノール系溶剤に可溶なポリイミド樹脂を製造する方法（
特公昭４７−２６８７８号公報、特公昭５５−６５２２
７号公報、特公昭５８−１８７４３０号公報、特公昭６
０−３５０２’６号公報、特公昭６０−１９７７３１号
公報）、特定のテトラカルボン酸二無水物と特定のジア
ミンとを用いることによって、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン等の極性溶剤に可溶なポリイミドを得る方法（特公
昭５２−３０３１９号公報。
得る方法として、溶剤にフェノール、ハロゲン化フェノ
ール等を用い、この溶剤中でテトラカルボン酸二無水物
と芳香族ジアミンとを加熱反応させることによってフェ
ノール系溶剤に可溶なポリイミド樹脂を製造する方法（
特公昭４７−２６８７８号公報、特公昭５５−６５２２
７号公報、特公昭５８−１８７４３０号公報、特公昭６
０−３５０２’６号公報、特公昭６０−１９７７３１号
公報）、特定のテトラカルボン酸二無水物と特定のジア
ミンとを用いることによって、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン等の極性溶剤に可溶なポリイミドを得る方法（特公
昭５２−３０３１９号公報。
特公昭６１−８３２２８号公報、特公昭６２−１８４２
６号公報）などが提案されている。
６号公報）などが提案されている。
しかし、前者の方法で製造したポリイミド樹脂をフェノ
ール系溶剤に溶解してコーテイング材として用いる場合
には、溶剤を揮発させる際にクレゾール臭などの強い臭
気を発し、また溶剤が皮膚に付着した場合などは薬傷を
引き起すことがあるなど、その操作性に劣り、また安全
衛生上からも好ましくない。また、後者の方法により得
たポリイミド樹脂をＮ−メチル−２−ピロリドン等の極
性溶剤に溶解して用いる場合には、この溶剤の吸湿性が
強く、基材に樹脂溶液を塗布すると、吸湿によって皮膜
の白濁が生じ、強い皮膜が得られないという問題がある
上、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の極性有機溶剤は沸
点が高く、このため溶剤を完全に除去するためには高温
で長時間の加熱処理が必要となり１作業性の改善は望め
ないという問題があり、低温かつ短時間の加熱により良
質のポリイミドフィルムを形成する目的には適さない。
ール系溶剤に溶解してコーテイング材として用いる場合
には、溶剤を揮発させる際にクレゾール臭などの強い臭
気を発し、また溶剤が皮膚に付着した場合などは薬傷を
引き起すことがあるなど、その操作性に劣り、また安全
衛生上からも好ましくない。また、後者の方法により得
たポリイミド樹脂をＮ−メチル−２−ピロリドン等の極
性溶剤に溶解して用いる場合には、この溶剤の吸湿性が
強く、基材に樹脂溶液を塗布すると、吸湿によって皮膜
の白濁が生じ、強い皮膜が得られないという問題がある
上、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の極性有機溶剤は沸
点が高く、このため溶剤を完全に除去するためには高温
で長時間の加熱処理が必要となり１作業性の改善は望め
ないという問題があり、低温かつ短時間の加熱により良
質のポリイミドフィルムを形成する目的には適さない。
更に、これらの方法でポリイミド樹脂を塗布する場合、
半導体素子表面上で塗布されたポリイミド樹脂溶液がは
じかれ、目的とする箇所を十分にコートすることができ
ず、また、塗工むらにより均一な厚みの皮膜が形成でき
ない場合がある。特に、半導体素子に段差や傾斜がある
場合には、この部分に形成される樹脂皮膜の膜厚が著し
く薄くなり、半導体保護用として十分な性能が確保でき
ないばかりか、皮膜中にピンホールなどの欠陥も発生し
易くなり、半導体素子の信頼性の低下を招くことになる
。
半導体素子表面上で塗布されたポリイミド樹脂溶液がは
じかれ、目的とする箇所を十分にコートすることができ
ず、また、塗工むらにより均一な厚みの皮膜が形成でき
ない場合がある。特に、半導体素子に段差や傾斜がある
場合には、この部分に形成される樹脂皮膜の膜厚が著し
く薄くなり、半導体保護用として十分な性能が確保でき
ないばかりか、皮膜中にピンホールなどの欠陥も発生し
易くなり、半導体素子の信頼性の低下を招くことになる
。
この膜厚不均一改良のため、有機溶剤に可溶なポリイミ
ドに各種充填剤を配合した半導体素子保護用組成物が提
案されている（特公昭５９−５６４５２号公報、同５９
−５６４５３号公報、同５９−５６４５４号公報）。
ドに各種充填剤を配合した半導体素子保護用組成物が提
案されている（特公昭５９−５６４５２号公報、同５９
−５６４５３号公報、同５９−５６４５４号公報）。
しかし、これらの提案もフェノールやＮ−メチル−２−
ピロリドンといった溶剤を用いており、やはり上述した
問題を有するものであった。
ピロリドンといった溶剤を用いており、やはり上述した
問題を有するものであった。
本発明は、上記事情を改善するためなされたもので、低
沸点で揮発性の高い有機溶剤に可溶であり、このような
溶剤に溶解した溶液から低温、￥ｉ時間の熱処理によっ
て簡単に接着性、耐熱性７電気的特性７機械的特性等に
優れるポリイミド樹脂膜を得ることが可能であり、しか
も保存安定性。
沸点で揮発性の高い有機溶剤に可溶であり、このような
溶剤に溶解した溶液から低温、￥ｉ時間の熱処理によっ
て簡単に接着性、耐熱性７電気的特性７機械的特性等に
優れるポリイミド樹脂膜を得ることが可能であり、しか
も保存安定性。
安全性に優れると共に、半導体素子表面ではじかれるこ
となく、また、半導体素子に段差や傾斜があっても均一
にピンホールなく塗膜を形成することができる半導体素
子保護用組成物を提供することを目的とする６ 課題を解決するための手 び作用 本発明者は、上記目的を達成するため、ポリイミド樹脂
に対し低沸点の有機溶剤に溶解可能な優れた溶剤可溶性
を付与することについて鋭意検討を行なった結果、テＩ
〜ラカルボン酸二無水物として、下記構造式（１） で示される酸二無水物を１０〜５０モル％、及び下記構
造式（２） から選ばれる四価の有機基を示す。） で示される酸二無水物を９０〜５０モル％含有する成分
（Ａ）と、 ジアミン成分として、下記ｔＩｌ造式（３）（但し、式
中Ｒ１は二価の有機基、Ｒ２，Ｒ３は同種又は異種の一
例の有機基、Ｙは酸素原子又は二価の炭化水素基であり
、ｎは１〜１００の整数である。） で示されるシリコンジアミンを１０〜８０モル％（但し
、Ｙが酸素原子のとき５〜１００モル％）、及び下記式
（４） （但し、式中Ｚは芳香族環を含む二価の有機基である。
となく、また、半導体素子に段差や傾斜があっても均一
にピンホールなく塗膜を形成することができる半導体素
子保護用組成物を提供することを目的とする６ 課題を解決するための手 び作用 本発明者は、上記目的を達成するため、ポリイミド樹脂
に対し低沸点の有機溶剤に溶解可能な優れた溶剤可溶性
を付与することについて鋭意検討を行なった結果、テＩ
〜ラカルボン酸二無水物として、下記構造式（１） で示される酸二無水物を１０〜５０モル％、及び下記構
造式（２） から選ばれる四価の有機基を示す。） で示される酸二無水物を９０〜５０モル％含有する成分
（Ａ）と、 ジアミン成分として、下記ｔＩｌ造式（３）（但し、式
中Ｒ１は二価の有機基、Ｒ２，Ｒ３は同種又は異種の一
例の有機基、Ｙは酸素原子又は二価の炭化水素基であり
、ｎは１〜１００の整数である。） で示されるシリコンジアミンを１０〜８０モル％（但し
、Ｙが酸素原子のとき５〜１００モル％）、及び下記式
（４） （但し、式中Ｚは芳香族環を含む二価の有機基である。
）
で示されるエーテルジアミンを９０〜２０モル％（但し
、上記式（３）中Ｙが酸素原子であるときは９５〜Ｏモ
ル％）含有する成分（Ｂ）を使用し、上記テトラカルボ
ン酸二無水物成分（Ａ）と上記ジアミン成分（Ｂ）とを
公知方法により重合させたポリイミド樹脂は、従来フェ
ノール系、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の一部の溶剤
以外には不溶であるポリイミド樹脂と異なり、低沸点有
機溶剤であるエーテル系、ケトン系、セロソルブ系等の
有機溶剤に良好な溶解性を示し、従ってこれら低沸点溶
剤溶液から短時間、低温の加熱でポリイミド樹脂膜が形
成され、作業性の大幅な向上と省エネルギー化、低コス
ト化が達成され、安全衛生上からも好ましいことを見い
出した。また、このポリイミド樹脂膜は接着性、耐熱性
、電気的９機械的特性等の性能に優れ、かつ上記ポリイ
ミド樹脂は、ゲル化等を引き起す官能基を持たないので
溶剤中における保存安定性が良好であり、長期間保存し
ても変質しないことを見い出した。
、上記式（３）中Ｙが酸素原子であるときは９５〜Ｏモ
ル％）含有する成分（Ｂ）を使用し、上記テトラカルボ
ン酸二無水物成分（Ａ）と上記ジアミン成分（Ｂ）とを
公知方法により重合させたポリイミド樹脂は、従来フェ
ノール系、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の一部の溶剤
以外には不溶であるポリイミド樹脂と異なり、低沸点有
機溶剤であるエーテル系、ケトン系、セロソルブ系等の
有機溶剤に良好な溶解性を示し、従ってこれら低沸点溶
剤溶液から短時間、低温の加熱でポリイミド樹脂膜が形
成され、作業性の大幅な向上と省エネルギー化、低コス
ト化が達成され、安全衛生上からも好ましいことを見い
出した。また、このポリイミド樹脂膜は接着性、耐熱性
、電気的９機械的特性等の性能に優れ、かつ上記ポリイ
ミド樹脂は、ゲル化等を引き起す官能基を持たないので
溶剤中における保存安定性が良好であり、長期間保存し
ても変質しないことを見い出した。
更に、上記ポリイミド樹脂の溶剤溶液に微粉末シリカ、
特に表面が有機シリル基で修飾された微粉末シリカを配
合した場合、ポリイミド樹脂溶剤溶液が半導体素子表面
ではじかれることなく、また、半導体素子に段差や傾斜
があっても均一にピンホールなくポリイミド樹脂皮膜が
形成でき、従って、上記ポリイミド樹脂の溶剤溶液に微
粉末シリカを配合した組成物を塗布し、溶剤を揮散させ
ることにより形成された皮膜で保護された半導体素子は
極めて信頼性が高いものであることを見い出し１本発明
をなすに至ったものである。
特に表面が有機シリル基で修飾された微粉末シリカを配
合した場合、ポリイミド樹脂溶剤溶液が半導体素子表面
ではじかれることなく、また、半導体素子に段差や傾斜
があっても均一にピンホールなくポリイミド樹脂皮膜が
形成でき、従って、上記ポリイミド樹脂の溶剤溶液に微
粉末シリカを配合した組成物を塗布し、溶剤を揮散させ
ることにより形成された皮膜で保護された半導体素子は
極めて信頼性が高いものであることを見い出し１本発明
をなすに至ったものである。
従って、本発明は、テトラカルボン酸二無水物成分とし
て、上記式（１）で示される酸二無水物を１０〜５０モ
ル％と上記式（２）で示される酸二無水物を９０−’５
０モル％使用し、ジアミン成分として、上記式（３）で
示されるシリコンジアミンを１０〜８０モル％（但し、
式（３）中のＹ基が酸素原子である場合は５〜１００モ
ル％）と上記式（４）で示されるジアミンを９０〜２０
モル％（但し、式（３）中のＹ基が酸素原子である場合
は９５〜Ｏモル％）をそれぞれ使用して重合させたポリ
イミド樹脂をエーテル系、ケトン系等の溶剤に溶解した
溶液に微粉末シリカを配合してなる半導体素子保護用組
成物を提供するものである。
て、上記式（１）で示される酸二無水物を１０〜５０モ
ル％と上記式（２）で示される酸二無水物を９０−’５
０モル％使用し、ジアミン成分として、上記式（３）で
示されるシリコンジアミンを１０〜８０モル％（但し、
式（３）中のＹ基が酸素原子である場合は５〜１００モ
ル％）と上記式（４）で示されるジアミンを９０〜２０
モル％（但し、式（３）中のＹ基が酸素原子である場合
は９５〜Ｏモル％）をそれぞれ使用して重合させたポリ
イミド樹脂をエーテル系、ケトン系等の溶剤に溶解した
溶液に微粉末シリカを配合してなる半導体素子保護用組
成物を提供するものである。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のポリイミド樹脂は、上述したようにテトラカル
ボン酸二無水物として下記式（１）で示される２、２−
ビス（３，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パ
ーフルオロプロパンと下記式（２） で示される芳香族テトラカルボン酸二無水物を特定の割
合で使用するものである。
ボン酸二無水物として下記式（１）で示される２、２−
ビス（３，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パ
ーフルオロプロパンと下記式（２） で示される芳香族テトラカルボン酸二無水物を特定の割
合で使用するものである。
ここで、上記式（２）で示される芳香族テトラカルボン
酸二無水物は、上記式（２）中Ｘが分は、上記（１）式
で示される酸二無水物を１０〜５０モル％、好ましくは
２０〜５０モル％、上記（２）式で示される酸二無水物
を９０〜５０モル％、好ましくは８０〜５０モル％の割
合で使用することにより、上述した効果を得ることがで
きる。
酸二無水物は、上記式（２）中Ｘが分は、上記（１）式
で示される酸二無水物を１０〜５０モル％、好ましくは
２０〜５０モル％、上記（２）式で示される酸二無水物
を９０〜５０モル％、好ましくは８０〜５０モル％の割
合で使用することにより、上述した効果を得ることがで
きる。
本発明において使用するジアミン成分は、下記構造式（
３） ３．３’、４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水１．３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１
，１，３，３−テトラメチルジシロキサンジアンヒドリ
ドから選ばれる酸二無水物であり、これらの１種を単独
で又は２￥！１以上を併用して使用することができる。
３） ３．３’、４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水１．３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１
，１，３，３−テトラメチルジシロキサンジアンヒドリ
ドから選ばれる酸二無水物であり、これらの１種を単独
で又は２￥！１以上を併用して使用することができる。
本発明のＡ成分のテトラカルボン酸二然水物或（但し、
式中Ｒ１は二価の有機基、 Ｒ”、 Ｒ’は同種又は異
種の一価の有機基、Ｙは酸素原子又は二価の炭化水素基
であり、ｎは１〜１００の整数である。） で示されるシリコンジアミンと下記構造式（４）（但し
、式中Ｚは芳香族環を含む二価の有機基であるａ） で示されるエーテルジアミンを使用するものである。
式中Ｒ１は二価の有機基、 Ｒ”、 Ｒ’は同種又は異
種の一価の有機基、Ｙは酸素原子又は二価の炭化水素基
であり、ｎは１〜１００の整数である。） で示されるシリコンジアミンと下記構造式（４）（但し
、式中Ｚは芳香族環を含む二価の有機基であるａ） で示されるエーテルジアミンを使用するものである。
ここで、上記式（３）中Ｒ１の二価の有機基としては炭
素数１〜１８、特に１〜７のものが好適に使用され、例
えば −ＣＨ，−、−ＣＨ２ＣＨ２＋。
素数１〜１８、特に１〜７のものが好適に使用され、例
えば −ＣＨ，−、−ＣＨ２ＣＨ２＋。
−ＣＨ，ＣＨ２ＣＨ，−。
また、上記式（３）中Ｙは酸素原子又は二価の炭化水素
基であり、二価の炭化水素基としては炭素数が１０以下
、特に１〜６のものが好適に使用され、例えば 等が挙げられる。
基であり、二価の炭化水素基としては炭素数が１０以下
、特に１〜６のものが好適に使用され、例えば 等が挙げられる。
上記式（３）で示されるジアミンとして具体的には、Ｙ
が酸素原子の場合、例えば 等が挙げられる。また、Ｒ２，Ｒ２の一価の有機基とし
ては炭素数１〜１８、特に１〜７のものが好適に使用さ
れ、例示するとメチル基、エチル基。
が酸素原子の場合、例えば 等が挙げられる。また、Ｒ２，Ｒ２の一価の有機基とし
ては炭素数１〜１８、特に１〜７のものが好適に使用さ
れ、例示するとメチル基、エチル基。
プロピル基、ブチル基等のアルキル基、シクロヘキシル
基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基等のア
リール基又はこれらの基の水素原子の一部又は全部をハ
ロゲン原子等で置換したクロロメチル基、３，３．３−
トリフルオロプロピル基等が挙げられる。
基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基等のア
リール基又はこれらの基の水素原子の一部又は全部をハ
ロゲン原子等で置換したクロロメチル基、３，３．３−
トリフルオロプロピル基等が挙げられる。
などのジアミノシロキサンが挙げられ、Ｙが二価の有機
基である場合には１例えば などのシリコンジアミンが挙げられるが、これらに限定
されるものではない。
基である場合には１例えば などのシリコンジアミンが挙げられるが、これらに限定
されるものではない。
本発明のジアミン成分を構成するもう１つの成分である
上記式（４）で示されるエーテルジアミである１、４−
ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３
−アミノフェノキシ）ベン（４−アミノフェノキシ）ジ
フェニル、Ｚがアミノフェノキシ）フェニル〕プロパン
、２がアミノフェノキシ）フェニルコパーフルオロプロ
パーアミノフェノキシ）フェニル〕スルホン等を挙げる
ことができるが、これらに限定されるものではない。
上記式（４）で示されるエーテルジアミである１、４−
ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３
−アミノフェノキシ）ベン（４−アミノフェノキシ）ジ
フェニル、Ｚがアミノフェノキシ）フェニル〕プロパン
、２がアミノフェノキシ）フェニルコパーフルオロプロ
パーアミノフェノキシ）フェニル〕スルホン等を挙げる
ことができるが、これらに限定されるものではない。
本発明のＢ成分のジアミン成分は、上記式（３）で示さ
れるシリコンジアミンを式（３）中のＹが二価の炭化水
素基である場合は１０〜８０モル％、好ましくは２０〜
６０モル％、式（３）中のＹが酸素原子である場合は５
〜１００モル％、好ましくは２０〜８０モル％、また、
上記式（４）で示されるエーテルジアミンを式（３）中
のＹが二価の炭化水素基である場合は９０〜２０モル％
、好ましくは８０〜４０モル％１式（３）中のＹが酸素
原子である場合は９５〜Ｏモル％、好ましくは８０〜２
０モル％の割合で構成し、本発明の効果を得ることがで
きる。
れるシリコンジアミンを式（３）中のＹが二価の炭化水
素基である場合は１０〜８０モル％、好ましくは２０〜
６０モル％、式（３）中のＹが酸素原子である場合は５
〜１００モル％、好ましくは２０〜８０モル％、また、
上記式（４）で示されるエーテルジアミンを式（３）中
のＹが二価の炭化水素基である場合は９０〜２０モル％
、好ましくは８０〜４０モル％１式（３）中のＹが酸素
原子である場合は９５〜Ｏモル％、好ましくは８０〜２
０モル％の割合で構成し、本発明の効果を得ることがで
きる。
また、（Ａ）成分のテトラカルボン酸二無水物成分とＣ
Ｂ）成分のジアミン成分との配合比は、当量比で０．９
〜１．１の範囲、好ましくは０．９５〜１．０・５の範
囲とすることができる。
Ｂ）成分のジアミン成分との配合比は、当量比で０．９
〜１．１の範囲、好ましくは０．９５〜１．０・５の範
囲とすることができる。
上述した成分、配合比によりポリイミド樹脂を重合する
場合、公知方法に従い行なうことができる。例えば、上
記（Ａ）成分のテトラカルボン酸二無水物成分と（Ｂ）
成分のジアミン成分との所定量をＮ−メチル−２−ピロ
リドン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミド、 Ｎ、Ｎ’
−ジメチルアセトアミド等の極性有機溶剤中に仕込み、
低温で反応させてポリイミド樹脂の前駆体であるポリア
ミック酸樹脂を合成する。このポリアミック酸樹脂を単
離することなく、引き続いて１００〜２００℃。
場合、公知方法に従い行なうことができる。例えば、上
記（Ａ）成分のテトラカルボン酸二無水物成分と（Ｂ）
成分のジアミン成分との所定量をＮ−メチル−２−ピロ
リドン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミド、 Ｎ、Ｎ’
−ジメチルアセトアミド等の極性有機溶剤中に仕込み、
低温で反応させてポリイミド樹脂の前駆体であるポリア
ミック酸樹脂を合成する。このポリアミック酸樹脂を単
離することなく、引き続いて１００〜２００℃。
好ましくは１４０〜１８０℃の温度範囲に溶液を昇温す
ることによりポリアミック酸の酸アミド部分に脱水閉環
反応が進行し、目的とするポリイミド樹脂が合成される
。また、この時水が副生するが、この脱水閉環反応を短
時間の内に完全に進行させるためには、トルエン、キシ
レン等の共沸脱水溶剤を併用することが好ましい。この
重合反応の進行は赤外吸収スペクトルのイミド基の特性
吸収帯の変化から求めるという公知の方法（特公昭５７
−４１３３０号公報）により検知することができる。脱
水閉環によるイミド化が終了した後は、この反応溶液を
冷却し、メタノール中に流し込むことによって再沈させ
、これを乾燥するなどして、本発明に係るポリイミド樹
脂を得ることができる。
ることによりポリアミック酸の酸アミド部分に脱水閉環
反応が進行し、目的とするポリイミド樹脂が合成される
。また、この時水が副生するが、この脱水閉環反応を短
時間の内に完全に進行させるためには、トルエン、キシ
レン等の共沸脱水溶剤を併用することが好ましい。この
重合反応の進行は赤外吸収スペクトルのイミド基の特性
吸収帯の変化から求めるという公知の方法（特公昭５７
−４１３３０号公報）により検知することができる。脱
水閉環によるイミド化が終了した後は、この反応溶液を
冷却し、メタノール中に流し込むことによって再沈させ
、これを乾燥するなどして、本発明に係るポリイミド樹
脂を得ることができる。
上述のようにして得られたポリイミド樹脂は、下記式（
ａ） で示される反復単位を１０〜５０モル％と下記式（） で示される反復単位９０〜５０モル％とからなるもので
ある。
ａ） で示される反復単位を１０〜５０モル％と下記式（） で示される反復単位９０〜５０モル％とからなるもので
ある。
ここで上記式中又は前述と同じであり、Ｑは下記式（ｃ
） （但し、式中Ｒ”、 Ｒ”、 Ｒ″、 Ｙ、 ｎは前述
と同じである６） で示される単位を１０〜８０モル％（但し、Ｙが酸素原
子のとき５〜１． Ｏ０モル％）と下記式（ｄ）（但し
、式中Ｚは前述と同じである６）で示される単位を９０
〜２０モル％（但し、上記式（ｃ）中Ｙが酸素原子であ
るときは９５〜Ｏモル％）有するものである。
） （但し、式中Ｒ”、 Ｒ”、 Ｒ″、 Ｙ、 ｎは前述
と同じである６） で示される単位を１０〜８０モル％（但し、Ｙが酸素原
子のとき５〜１． Ｏ０モル％）と下記式（ｄ）（但し
、式中Ｚは前述と同じである６）で示される単位を９０
〜２０モル％（但し、上記式（ｃ）中Ｙが酸素原子であ
るときは９５〜Ｏモル％）有するものである。
これら一連の操作により得られるポリイミド樹脂は、上
述したように低沸点有機溶剤、即ち、シクロヘキノサン
、アセトフェノン等のケトン系容剤、テトラヒドロフラ
ン、１，４−ジオキサン。
述したように低沸点有機溶剤、即ち、シクロヘキノサン
、アセトフェノン等のケトン系容剤、テトラヒドロフラ
ン、１，４−ジオキサン。
ジクライム等のエーテル系溶剤などに良好な溶解性を示
すため、本発明において用いられる有機溶剤は、これら
有機溶剤の工種を単独で又は２種以上を混合して用いる
ことができる。
すため、本発明において用いられる有機溶剤は、これら
有機溶剤の工種を単独で又は２種以上を混合して用いる
ことができる。
本発明の半導体素子保護用組成物は、上述したポリイミ
ドをこれらの有機溶剤に溶かしたものに、更に均一塗膜
性を付与するために微粉末シリカを配合したものである
。
ドをこれらの有機溶剤に溶かしたものに、更に均一塗膜
性を付与するために微粉末シリカを配合したものである
。
ここで、微粉末シリカとしては、種々のシリカを使用す
ることができるが、特に５ｉＣＩ２４又はＳ Ｌ（ＯＲ
’）、 （但し２、Ｒ４は炭素数１０以下のアルキル基
を示す）と酸素との燃焼反応により得られる微粉末シリ
カが好ましく、更に、保存安定性の点からこの微粉末シ
リカをシリル化して得られる下記一般式（５） ％式％）（５） で示される表面を有機シリル基で修飾したものが好適で
ある。
ることができるが、特に５ｉＣＩ２４又はＳ Ｌ（ＯＲ
’）、 （但し２、Ｒ４は炭素数１０以下のアルキル基
を示す）と酸素との燃焼反応により得られる微粉末シリ
カが好ましく、更に、保存安定性の点からこの微粉末シ
リカをシリル化して得られる下記一般式（５） ％式％）（５） で示される表面を有機シリル基で修飾したものが好適で
ある。
ここで、５ｉＣＪ４又はＳ ｘ （ＯＲ’ ） ４で示
される珪素化合物と酸素との燃焼反応によって得られる
微粉末シリカとしては、具体的には商品名アエロジル（
日本アエロジル■社製）を挙げることができる。また、
これらの微粉末シリカをシリル化する方法も公知の方法
を採用することができ、例えば低級アルキル基、エポキ
シ基、アミノ基、メタクリル基、ビニル基、フェニル基
、メルカプト基を有するクロロシランやアルコキシシラ
ンやシラザン、例えば （ＣＨ３）３５ｉＣＱ ｔ （ＣＨ：ｌ）Ｚ ＳＩＣ
もｔ （ＣＨ，）ＳｉＣら。
される珪素化合物と酸素との燃焼反応によって得られる
微粉末シリカとしては、具体的には商品名アエロジル（
日本アエロジル■社製）を挙げることができる。また、
これらの微粉末シリカをシリル化する方法も公知の方法
を採用することができ、例えば低級アルキル基、エポキ
シ基、アミノ基、メタクリル基、ビニル基、フェニル基
、メルカプト基を有するクロロシランやアルコキシシラ
ンやシラザン、例えば （ＣＨ３）３５ｉＣＱ ｔ （ＣＨ：ｌ）Ｚ ＳＩＣ
もｔ （ＣＨ，）ＳｉＣら。
ＣＨ２＝ＣＨ３ｉ（○ＣｚＬ）ａ ｔ ＣＨ２＝ＣＨ
８１（ＱＣ，Ｉ（，０ＣＨ３）、。
８１（ＱＣ，Ｉ（，０ＣＨ３）、。
ＣＨ２＝ ＣＨＳ ｉ （ＯＣＩ（３）３ 。
（ＣＨ３）３ＳｉＮＨ８ｉ（ＣＨ，）３ 。
ＣＨ３
ＣＨ，＝Ｃ−Ｃ−○−Ｃ＋１ＨＧＳｌ（ＯＣＨ３）３
。
。
１
ＣＨ３
等を用いて公知の方法によって行なうことができる。な
お、上記式（５）において息９ｍはシリル化の程度を示
すが、ｍ ／ Ｑが好ましくは３０未満、より好ましく
は２０未満とすることが良い。
お、上記式（５）において息９ｍはシリル化の程度を示
すが、ｍ ／ Ｑが好ましくは３０未満、より好ましく
は２０未満とすることが良い。
ｍ ／ １１が３０以上ないしはシリル化されていない
シリカを用いた場合、長期間保存すると半導体素子保護
用組成物中でシリカ粉末が凝集を起こす場合があり、再
分散性が低下して皮膜性能が低下する場合が生じる。
シリカを用いた場合、長期間保存すると半導体素子保護
用組成物中でシリカ粉末が凝集を起こす場合があり、再
分散性が低下して皮膜性能が低下する場合が生じる。
また、上記式（５）中ｇＧ、 ＲＧ、 Ｒ１は互いに同
種又は異種の炭素数１〜１０の一価の有機基であり、具
体的には Ｈ，Ｎ Ｃ２Ｈ４Ｎ ＨＣ３ＨＩ、Ｓ ｉ （ＯＣＨ３
）３ 。
種又は異種の炭素数１〜１０の一価の有機基であり、具
体的には Ｈ，Ｎ Ｃ２Ｈ４Ｎ ＨＣ３ＨＩ、Ｓ ｉ （ＯＣＨ３
）３ 。
−ＣＨ＝ＣＨ２，−ＣＨ，ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２゜ＣＨ。
ＣＨ２＝Ｃ−Ｃ−○−Ｃ，ＨＧ−、−Ｃ：Ｈ２ＣＨ２Ｃ
Ｈ２ＳＨ。
Ｈ２ＳＨ。
１
Ｃ，Ｈ，ＮＨＣ３Ｈ６Ｓｉ（ＯＣＨ３）１１ Ｈ３Ｃ
ｆｆＨ６Ｓｉ（ＯＣＨ３）３等が挙げられる。
ｆｆＨ６Ｓｉ（ＯＣＨ３）３等が挙げられる。
なお、微粉末シリカの粒径、比表面積は適宜選定される
が、粒径は１０−以下、比表面積は１００〜５００ ｒ
ｄ ／ ｇ （Ｂ Ｅ Ｔ法）とすることが好ましい。
が、粒径は１０−以下、比表面積は１００〜５００ ｒ
ｄ ／ ｇ （Ｂ Ｅ Ｔ法）とすることが好ましい。
本発明の半導体素子保護用組成物は、上述したポリイミ
ド樹脂と微粉末シリカとを含有するが、これらの配合量
は作業条件等により適宜選定される。通常ポリイミド樹
脂は組成物全体の２〜５０重量％、特に５〜３０重量％
、微粉末シリカはポリイミド樹脂に対して２〜３０重量
％、特に５〜２０重量％とすることが好ましい。
ド樹脂と微粉末シリカとを含有するが、これらの配合量
は作業条件等により適宜選定される。通常ポリイミド樹
脂は組成物全体の２〜５０重量％、特に５〜３０重量％
、微粉末シリカはポリイミド樹脂に対して２〜３０重量
％、特に５〜２０重量％とすることが好ましい。
本発明の半導体素子保護用組成物を用いて半導体素子に
保護膜を形成する場合は、組成物をスピンコードやデイ
スペンサーから滴下したり、あるいはその他の公知の塗
布方法により半導体素子上に塗布した後、有機溶剤を１
５０〜２００℃で１〜３時間の加熱処理して揮発させる
という極め・て簡単かつ低温、短時間の処理により、素
子や配線に対する接着性、耐熱性、電気特性、機械的特
性に優れたポリイミド樹脂の保護膜を均一にしかもピン
ホールなく形成することができる。
保護膜を形成する場合は、組成物をスピンコードやデイ
スペンサーから滴下したり、あるいはその他の公知の塗
布方法により半導体素子上に塗布した後、有機溶剤を１
５０〜２００℃で１〜３時間の加熱処理して揮発させる
という極め・て簡単かつ低温、短時間の処理により、素
子や配線に対する接着性、耐熱性、電気特性、機械的特
性に優れたポリイミド樹脂の保護膜を均一にしかもピン
ホールなく形成することができる。
見旦立羞果
以上説明したように、本発明の半導体素子保護用組成物
は、低沸点で揮発性の高いエーテル系溶剤、ケトン系溶
剤又はこれらの混合溶剤などの低沸点溶剤を使用し得る
上、これらの溶剤に溶解しても長期安定性を保持し、こ
れを半導体素子に塗布し、低温かつ短時間の熱処理によ
り簡単に優れた耐熱性、１気的２機械的特性、接着性を
有するポリイミド樹脂膜を半導体素子にピンホールなく
均一に形成することができ、従来の高温で長時間の熱処
理を必要とするポリイミド樹脂膜の製造法に比べて、大
幅な省エネルギー化が可能となり、その工業的価値は極
めて大なるものである。従って、本発明の半導体素子保
護用組成物を用いて被覆保護された半導体素子は極めて
信頼性が高いものである。
は、低沸点で揮発性の高いエーテル系溶剤、ケトン系溶
剤又はこれらの混合溶剤などの低沸点溶剤を使用し得る
上、これらの溶剤に溶解しても長期安定性を保持し、こ
れを半導体素子に塗布し、低温かつ短時間の熱処理によ
り簡単に優れた耐熱性、１気的２機械的特性、接着性を
有するポリイミド樹脂膜を半導体素子にピンホールなく
均一に形成することができ、従来の高温で長時間の熱処
理を必要とするポリイミド樹脂膜の製造法に比べて、大
幅な省エネルギー化が可能となり、その工業的価値は極
めて大なるものである。従って、本発明の半導体素子保
護用組成物を用いて被覆保護された半導体素子は極めて
信頼性が高いものである。
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本
発明は下記の実施例に制限されるものではない。
発明は下記の実施例に制限されるものではない。
〔実施例１〕
撹拌器、温度計及び窒素置換装置を具備したフラスコ内
にテトラカルボン酸二無水物成分として２．２−ビス（
３，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフル
オロプロパン４’−４ｇ （０，０１モル）と３．３’
、４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２６
．５ｇ （０，０９モル）、及び溶剤としてＮ−メチル
−２−ピロリドン４００ｇを仕込み、これにジアミン成
分としてビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサン１９．８ｇ （０，０８モル）と２，２−ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン８
．２ｇ （０，０２モル）とを溶解したＮ−メチル−２
−ピロリドン溶液を反応系の温度が５０’Ｃを超えない
ように調節しつつ徐々に滴下した。滴下終了後、更に室
温で工０時間撹拌し、次にフラスコに水分受容器付き還
流冷却器を取付けた後、キシレン３０ｇを加え、反応系
を１６０℃に昇温し、４時間１６０°Ｃの温度を保持し
て反応させ、黄褐色透明のポリイミド樹脂溶液を得た。
にテトラカルボン酸二無水物成分として２．２−ビス（
３，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフル
オロプロパン４’−４ｇ （０，０１モル）と３．３’
、４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２６
．５ｇ （０，０９モル）、及び溶剤としてＮ−メチル
−２−ピロリドン４００ｇを仕込み、これにジアミン成
分としてビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサン１９．８ｇ （０，０８モル）と２，２−ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン８
．２ｇ （０，０２モル）とを溶解したＮ−メチル−２
−ピロリドン溶液を反応系の温度が５０’Ｃを超えない
ように調節しつつ徐々に滴下した。滴下終了後、更に室
温で工０時間撹拌し、次にフラスコに水分受容器付き還
流冷却器を取付けた後、キシレン３０ｇを加え、反応系
を１６０℃に昇温し、４時間１６０°Ｃの温度を保持し
て反応させ、黄褐色透明のポリイミド樹脂溶液を得た。
なお、この反応において３．４ｇの水が副生じた。次い
で、上記ポリイミド樹脂溶液をメタノール中に投じ。
で、上記ポリイミド樹脂溶液をメタノール中に投じ。
再沈して樹脂を得た。この樹脂を６０℃で２４時間減圧
乾燥してポリイミド樹脂５２．６ｇを単離した。
乾燥してポリイミド樹脂５２．６ｇを単離した。
このポリイミド樹脂の赤外線吸収スペクトルを観測した
ところ、ポリアミック酸に基づく吸収は観測されず、１
７８０備−”と１７２０ｃｍ−１とにイミド基に基づく
吸収が確認された。
ところ、ポリアミック酸に基づく吸収は観測されず、１
７８０備−”と１７２０ｃｍ−１とにイミド基に基づく
吸収が確認された。
次に、得られたポリイミド樹脂１０ｇをシクロへキサノ
ン９０ｇに溶解し、更にトリメチルシリル基で表面修飾
された比表面積１３０ｍ／ｇの微粉末シリカ１ｇを配合
し、３本ロールでよく混練りして本発明の半導体素子保
護用組成物を得た。
ン９０ｇに溶解し、更にトリメチルシリル基で表面修飾
された比表面積１３０ｍ／ｇの微粉末シリカ１ｇを配合
し、３本ロールでよく混練りして本発明の半導体素子保
護用組成物を得た。
〔実施例２〕
テトラカルボン酸二無水物成分として２，２−ビス（３
，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオ
ロプロパン１３．３ｇ （０，０３モ／ｌｚ）と３．３
’、４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２
０．６ｇ （０，０７モル）とを用い、ジアミン成分と
して１，２−ビス（γ−アミノプロピルジメチルシリル
）エタン２−６ｇ （０，０１モル）と２，２−ビスＣ
４−＜４−アミノフェノキシ） ”） ｘ ’ニー ）
Ｌ／〕フＯパン３６．９ｇ（０，０９モル）とをそれぞ
れ用いて、実施例１と同様の操作により、ポリイミド樹
脂６７．１ｇを得た。
，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオ
ロプロパン１３．３ｇ （０，０３モ／ｌｚ）と３．３
’、４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２
０．６ｇ （０，０７モル）とを用い、ジアミン成分と
して１，２−ビス（γ−アミノプロピルジメチルシリル
）エタン２−６ｇ （０，０１モル）と２，２−ビスＣ
４−＜４−アミノフェノキシ） ”） ｘ ’ニー ）
Ｌ／〕フＯパン３６．９ｇ（０，０９モル）とをそれぞ
れ用いて、実施例１と同様の操作により、ポリイミド樹
脂６７．１ｇを得た。
次に、このポリイミド樹脂１０ｇをシクロへキサノン４
５ｇ及びＴＨＦ４５ｇの混合溶液に溶解し、更にトリメ
チルシリル基で表面修飾された比表面積↓８０ ｒｒ？
／ ｇの微粉末シリカ１ｇを配合し。
５ｇ及びＴＨＦ４５ｇの混合溶液に溶解し、更にトリメ
チルシリル基で表面修飾された比表面積↓８０ ｒｒ？
／ ｇの微粉末シリカ１ｇを配合し。
３本ロールでよく混練りして本発明の半凍体素子保護用
組成物を得た。
組成物を得た。
〔実施例３〕
撹拌器、温度計及び窒素置換装置を具備したフラスコ内
にテトラカルボン酸二無水物成分として２．２−ビス（
３，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフル
オロプロパン４．４ｇ （０，０１モル）と３．３’、
４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２６．
５ｇ （０，０９モル）、及び７容剤としてＮ−メチル
−２−ピロリドン４００ｇを仕込み、これにジアミン成
分として１，２−ビス（γ−アミノプロピルジメチルシ
リル）エタン２０．８ｇ （０，０８モル）と２，２−
ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパ
ン８．２ｇ （０，０２モル）とを溶解したＮ−メチル
−２−ピロリドン溶液６９ｇを反応系の温度が５０℃を
超えないように調節しつつ徐々に滴下した。滴下終了後
、更に室温で１０時間撹拌し、次にフラスコに水分受容
器付き還流冷却器を取付けた後、キシレン３０ｇを加え
、反応系を１６０°Ｃに昇温し、４時間１６０℃の温度
を保持して反応させ、黄褐色透明のポリイミド樹脂溶液
を得た。なお、この反応において３．４ｇの水が副生じ
た。次いで、上記ポリイミド樹脂溶液をメタノール中に
投じ、再沈して樹脂を得た。この樹脂を６０℃で２４時
間減圧乾燥してポリイミド樹脂５２．８ｇを単離した。
にテトラカルボン酸二無水物成分として２．２−ビス（
３，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフル
オロプロパン４．４ｇ （０，０１モル）と３．３’、
４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２６．
５ｇ （０，０９モル）、及び７容剤としてＮ−メチル
−２−ピロリドン４００ｇを仕込み、これにジアミン成
分として１，２−ビス（γ−アミノプロピルジメチルシ
リル）エタン２０．８ｇ （０，０８モル）と２，２−
ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパ
ン８．２ｇ （０，０２モル）とを溶解したＮ−メチル
−２−ピロリドン溶液６９ｇを反応系の温度が５０℃を
超えないように調節しつつ徐々に滴下した。滴下終了後
、更に室温で１０時間撹拌し、次にフラスコに水分受容
器付き還流冷却器を取付けた後、キシレン３０ｇを加え
、反応系を１６０°Ｃに昇温し、４時間１６０℃の温度
を保持して反応させ、黄褐色透明のポリイミド樹脂溶液
を得た。なお、この反応において３．４ｇの水が副生じ
た。次いで、上記ポリイミド樹脂溶液をメタノール中に
投じ、再沈して樹脂を得た。この樹脂を６０℃で２４時
間減圧乾燥してポリイミド樹脂５２．８ｇを単離した。
このポリイミド樹脂の赤外線吸収スペクトルを観測した
ところ、ポリアミック酸に基づく吸収は観測されず、１
７８０ａｎ−１と１７２０ａｎ−１とにイミド基に基づ
く吸収が確認された。
ところ、ポリアミック酸に基づく吸収は観測されず、１
７８０ａｎ−１と１７２０ａｎ−１とにイミド基に基づ
く吸収が確認された。
また、このポリイミド樹脂は、テトラヒドロフラン、工
、４−ジオキサン、シクロヘキサノン。
、４−ジオキサン、シクロヘキサノン。
アセトフェノンに可溶であった。
上記ポリイミド樹脂の１０％シクロヘキサノン溶液に上
記実施例１で用いた微粉末シリカを加えた。〔実施例４
〕 テトラカルボン酸二無水物成分として２，２−ビス（３
，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオ
ロプロパン１３．３ｇ （０，０３モル）と３．３’、
４．４″−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２０．
６ｇ （０，０７モル）とを用い、ジアミン成分として
１．２−ビス（γ−アミノプロピルジメチルシリル）エ
タン１５．６ｇ （０，０６モル）と１．４−ビス（４
−アミノフェノキシ）ベンゼン１１．７ｇ （０，０４
モル）をそれぞれ用いて、実施例工と同様の操作により
、ポリイミド樹脂５４．１ｇを得た。
記実施例１で用いた微粉末シリカを加えた。〔実施例４
〕 テトラカルボン酸二無水物成分として２，２−ビス（３
，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオ
ロプロパン１３．３ｇ （０，０３モル）と３．３’、
４．４″−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２０．
６ｇ （０，０７モル）とを用い、ジアミン成分として
１．２−ビス（γ−アミノプロピルジメチルシリル）エ
タン１５．６ｇ （０，０６モル）と１．４−ビス（４
−アミノフェノキシ）ベンゼン１１．７ｇ （０，０４
モル）をそれぞれ用いて、実施例工と同様の操作により
、ポリイミド樹脂５４．１ｇを得た。
得られたポリイミド樹脂は、テトラヒドロフラン、１，
４−ジオキサン、シクロヘキサノン、アセトフェノンの
いずれの溶剤にも可溶であった。
４−ジオキサン、シクロヘキサノン、アセトフェノンの
いずれの溶剤にも可溶であった。
上記ポリイミド樹脂の１０％シクロヘキサノン溶液に実
施例２で用いた微粉末シリカを加えた７〔実施例５〕 テトラカルボン酸二無水物成分として２，２−ビス（３
，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオ
ロプロパン１３．３ｇ （０，０３モル）と３．３’、
４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物２
２．６ｇ （０，０７モル）とを用い、ジアミン成分と
して１，２−ビス（γ−アミノプロピルジメチルシリル
）エタン２．６ｇ （０，０１モル）と２，２−ビス（
４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン３６
．９ｇ （０，０９モル）とをそれぞれ用いて、実施例
１と同様の操作により、ポリイミド樹脂６８．９ｇを得
た。
施例２で用いた微粉末シリカを加えた７〔実施例５〕 テトラカルボン酸二無水物成分として２，２−ビス（３
，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオ
ロプロパン１３．３ｇ （０，０３モル）と３．３’、
４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物２
２．６ｇ （０，０７モル）とを用い、ジアミン成分と
して１，２−ビス（γ−アミノプロピルジメチルシリル
）エタン２．６ｇ （０，０１モル）と２，２−ビス（
４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン３６
．９ｇ （０，０９モル）とをそれぞれ用いて、実施例
１と同様の操作により、ポリイミド樹脂６８．９ｇを得
た。
得られたポリイミド樹脂はテトラビトロフラン。
１．４−ジオキサン、シクロヘキサノン、アセトフェノ
ンのいずれの溶剤にも可溶であった。
ンのいずれの溶剤にも可溶であった。
上記ポリイミド樹脂の１０％テＩ−ラヒドロフラン：シ
クロへキサノン＝ｌ：１組成溶液に実施例１で用いた微
粉末シリカを加えた。
クロへキサノン＝ｌ：１組成溶液に実施例１で用いた微
粉末シリカを加えた。
〔実施例６〕
テトラカルボン酸二無水物成分として２，２−ビス（３
，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオ
ロプロパン１３．３ｇ （０，０３モル）と３．３’、
４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物２
２．６ｇ （０，０７モル）とを用い、ジアミン成分と
して↓、４−ビス（γ−アミノプロピルジメチルシリル
）ベンゼン２４．７ｇ（Ｏ，ＯＳモル）と２，２−ビス
（４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコパーフルオ
ロプロパン１０．４ｇ （０，０２モル）とをそれぞれ
用いて、実施例工と同様の操作により５ポリイミド樹脂
６３、ｓｇを得た。
，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオ
ロプロパン１３．３ｇ （０，０３モル）と３．３’、
４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物２
２．６ｇ （０，０７モル）とを用い、ジアミン成分と
して↓、４−ビス（γ−アミノプロピルジメチルシリル
）ベンゼン２４．７ｇ（Ｏ，ＯＳモル）と２，２−ビス
（４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコパーフルオ
ロプロパン１０．４ｇ （０，０２モル）とをそれぞれ
用いて、実施例工と同様の操作により５ポリイミド樹脂
６３、ｓｇを得た。
得られたポリイミド樹脂はテトラヒドロフラン。
１．４−ジオキサン、シクロヘキサノン、アセトフェノ
ンのいずれの溶剤にも可溶であった。
ンのいずれの溶剤にも可溶であった。
上記ポリイミド樹脂の１０％１，４−ジオキサン溶液に
実施例２で用いた微粉末シリカを加えた。
実施例２で用いた微粉末シリカを加えた。
〔実施例７〕
テトラカルボン酸二無水物成分として２，２−ビス（３
，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオ
ロプロパン２２．２ｇ （０，０５モル）と１．３−ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３
−テトラメチルジシロキサンジアンヒドリド２１．３ｇ
（０，０５モル）を用い、ジアミン成分として１．４
−ビス（γ−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン
９−３ｇ （０，０３モル）とビス（４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕スルホン３０．３ｇ （０，０
７モル）とをそれぞれ用いて、実施例１と同様の操作に
より、ポリイミド樹脂７５．４ｇを得た。
，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオ
ロプロパン２２．２ｇ （０，０５モル）と１．３−ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３
−テトラメチルジシロキサンジアンヒドリド２１．３ｇ
（０，０５モル）を用い、ジアミン成分として１．４
−ビス（γ−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン
９−３ｇ （０，０３モル）とビス（４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕スルホン３０．３ｇ （０，０
７モル）とをそれぞれ用いて、実施例１と同様の操作に
より、ポリイミド樹脂７５．４ｇを得た。
得られたポリイミド樹脂はテトラヒドロフラン。
土、４−ジオキサン、シクロヘキサノン、アセトフェノ
ンのいずれの溶剤にも可溶であった。
ンのいずれの溶剤にも可溶であった。
上記ポリイミド樹脂の１０％アセトフェノン溶液に実施
例１で用いた微粉末シリカを加えた。
例１で用いた微粉末シリカを加えた。
〔実施例８〕
テトラカルボン酸二無水物成分として２，２−ビス（３
，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオ
ロプロパン４．４ｇ （０，０１モル）と３．３’、４
．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２６．５
ｇ （０，０９モル）を用い、ジアミン成分としてビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン２４
．８ｇ （０，１モル）をそれぞれ用いて、実施例１と
同様の操作により、ポリイミド樹脂５０．１ｇを得た。
，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオ
ロプロパン４．４ｇ （０，０１モル）と３．３’、４
．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２６．５
ｇ （０，０９モル）を用い、ジアミン成分としてビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン２４
．８ｇ （０，１モル）をそれぞれ用いて、実施例１と
同様の操作により、ポリイミド樹脂５０．１ｇを得た。
このポリイミド樹脂の赤外線吸収スペクトルを観測した
ところ、ポリアミック酸に基づく吸収は観測されず、１
７８０■−１と１７２０印−１とにイミド基に基づく吸
収が確認された。
ところ、ポリアミック酸に基づく吸収は観測されず、１
７８０■−１と１７２０印−１とにイミド基に基づく吸
収が確認された。
また、このポリイミド樹脂は、テトラヒドロフラン、■
、４−ジオキサン、シクロヘキサノン。
、４−ジオキサン、シクロヘキサノン。
アセトフェノン等のエーテル類、ケトン類の有機溶剤に
可溶であった。
可溶であった。
上記ポリイミド樹脂の１０％テトラヒドロフラン溶液に
実施例２で用いた微粉末シリカを加えた。
実施例２で用いた微粉末シリカを加えた。
〔実施例９〕
テトラカルボン酸二無水物成分として２，２−ビス（３
，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオ
ロプロパン４．４ｇ （０，０１モル）と３．３’、４
．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２６．５
ｇ （０，０９モ／Ｌ／）を用い、ジアミン成分として
ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン
１４．９ｇ （０，０６モル）と１，４−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン１１．７ｇ （０，０４モル
）をそれぞれ用い、実施例１と同様の操作により、ポリ
イミド樹脂５０．８ｇを得た。
，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオ
ロプロパン４．４ｇ （０，０１モル）と３．３’、４
．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２６．５
ｇ （０，０９モ／Ｌ／）を用い、ジアミン成分として
ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン
１４．９ｇ （０，０６モル）と１，４−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン１１．７ｇ （０，０４モル
）をそれぞれ用い、実施例１と同様の操作により、ポリ
イミド樹脂５０．８ｇを得た。
上記ポリイミド樹脂の工Ｏ％１．４−ジオキサン溶液に
実施例１で用いた微粉末シリカを加えた。
実施例１で用いた微粉末シリカを加えた。
〔実施例１０）
テトラカルボン酸二無水物成分として２，２−ビス（３
，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオ
ロプロパン２２．２ｇ （０，０５モル）と３．３’、
４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物１
６．１ｇ （０，０５モル）を用い、ジアミン成分とし
てビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ン１４．９ｇ（０，０６モル）と２，２−ビス（４−（
４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン１６．４ｇ
（０，０４モル）をそれぞれ用いて、実施例１−と同
様の操作により、ポリイミド樹脂６２．３ｇを得た。
，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオ
ロプロパン２２．２ｇ （０，０５モル）と３．３’、
４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物１
６．１ｇ （０，０５モル）を用い、ジアミン成分とし
てビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ン１４．９ｇ（０，０６モル）と２，２−ビス（４−（
４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン１６．４ｇ
（０，０４モル）をそれぞれ用いて、実施例１−と同
様の操作により、ポリイミド樹脂６２．３ｇを得た。
このポリイミド樹脂の〕０％シクロヘキサノン溶液に実
施例１で用いた微粉末シリカを加えた。
施例１で用いた微粉末シリカを加えた。
（実施例１１）
テトラカルボン酸二無水物成分として２，２−ビス（３
，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオ
ロプロパン２２．２ｇ （０，０５モル）と１，３−ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３
−テトラユチルジシロキサンジアンヒドリド２１．３’
ｇ （０，０５モル）を用い、ジアミン成分としてビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン７．
５ｇ （０，０３モル）とビス（４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕スルホン３０．３ｇ （０，０７モ
ル）をそれぞれ用いて、実施例１と同様の操作により、
ポリイミド樹脂７８．１ｇを得た。
，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオ
ロプロパン２２．２ｇ （０，０５モル）と１，３−ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３
−テトラユチルジシロキサンジアンヒドリド２１．３’
ｇ （０，０５モル）を用い、ジアミン成分としてビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン７．
５ｇ （０，０３モル）とビス（４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕スルホン３０．３ｇ （０，０７モ
ル）をそれぞれ用いて、実施例１と同様の操作により、
ポリイミド樹脂７８．１ｇを得た。
このポリイミド樹脂の１０％シクロヘキサノン溶液に実
施例２で用いた微粉末シリカを加えた。
施例２で用いた微粉末シリカを加えた。
実施例工で得られたポリイミド樹脂１０ｇをシクロへキ
サノン９０ｇに溶解した。
サノン９０ｇに溶解した。
次に、実施例１．２及び比較例の各組成物をトランジス
タに塗布し、１８０℃で１時間の加熱処理を行なった。
タに塗布し、１８０℃で１時間の加熱処理を行なった。
この加熱処理によって素子上に形成された樹脂皮膜の外
観をｗＡ察したところ、実施例１，２の組成物を用いて
得られた皮膜は均一で良好であった。
観をｗＡ察したところ、実施例１，２の組成物を用いて
得られた皮膜は均一で良好であった。
一方、比較例の組成物より得られた皮膜は素子の周辺部
が不均一であった。
が不均一であった。
次に、上記３種の組成物で被覆保護された素子をエポキ
シ樹脂で刺止成型した後、高温（１５０°Ｃ）でのバイ
アステストを行なったところ、下記の結果が得られた。
シ樹脂で刺止成型した後、高温（１５０°Ｃ）でのバイ
アステストを行なったところ、下記の結果が得られた。
以上の結果から、本発明の半導体素子保護用組成物は、
半導体素子上に塗布後、低温短時間の加熱処理によって
、半導体素子保護用として十分な性能を有する保護膜を
形成できることが認められ出１人
半導体素子上に塗布後、低温短時間の加熱処理によって
、半導体素子保護用として十分な性能を有する保護膜を
形成できることが認められ出１人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（Ａ）テトラカルボン酸二無水物として、下記構造
式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） で示される酸二無水物を１０〜５０モル％、及び下記構
造式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （但し、式中Ｘは▲数式、化学式、表等があります▼、
▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼及び▲数式、化学式
、表等があります▼ から選ばれる四価の有機基を示す。） で示される酸二無水物を９０〜５０モル％含有する成分
（Ａ）と、 （Ｂ）ジアミン成分として、下記構造式（３）▲数式、
化学式、表等があります▼（３） （但し、式中Ｒ＾１は二価の有機基、Ｒ＾２、Ｒ＾３は
同種又は異種の一価の有機基、Ｙは酸素原子又は二価の
炭化水素基であり、ｎは１〜１００の整数である。） で示されるシリコンジアミンを１０〜８０モル％（但し
、Ｙが酸素原子のとき５〜１００モル％）、及び下記式
（４） ▲数式、化学式、表等があります▼（４） （但し、式中Ｚは芳香族環を含む二価の有機基である。 ） で示されるエーテルジアミンを９０〜２０モル％（但し
、上記式（３）中Ｙが酸素原子であるときは９５〜０モ
ル％）含有する成分（Ｂ）とを用い、上記（Ａ）成分と
上記（Ｂ）成分とから重合されるポリイミド樹脂を溶剤
に溶解すると共に、これに微粉末シリカを配合してなる
ことを特徴とする半導体素子保護用組成物。 ２、微粉末シリカが表面が有機シリル基で修飾されたも
のである請求項１記載の半導体素子保護用組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201005A JP2536628B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 半導体素子保護用組成物 |
| KR1019900011823A KR950011914B1 (ko) | 1989-08-02 | 1990-08-01 | 반도체 소자 보호용 조성물 |
| US07/561,865 US5143948A (en) | 1989-08-02 | 1990-08-02 | Semiconductor element protecting compositions |
| DE4024595A DE4024595C2 (de) | 1989-08-02 | 1990-08-02 | Masse zum Schutz von Halbleiterbauelementen und deren Verwendung zur Herstellung von Schutzüberzügen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201005A JP2536628B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 半導体素子保護用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364355A true JPH0364355A (ja) | 1991-03-19 |
| JP2536628B2 JP2536628B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=16433917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1201005A Expired - Fee Related JP2536628B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 半導体素子保護用組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5143948A (ja) |
| JP (1) | JP2536628B2 (ja) |
| KR (1) | KR950011914B1 (ja) |
| DE (1) | DE4024595C2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04366194A (ja) * | 1991-06-12 | 1992-12-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料接着用プライマー組成物 |
| JPH06204362A (ja) * | 1993-01-05 | 1994-07-22 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2014501301A (ja) * | 2010-12-31 | 2014-01-20 | コーロン インダストリーズ インク | 透明ポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
| CN103756313A (zh) * | 2013-12-13 | 2014-04-30 | 洛阳轴研科技股份有限公司 | 一种提高醚酐型聚酰亚胺保持架管坯耐热性的方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE9013615U1 (de) * | 1990-09-28 | 1990-12-06 | AEG Niederspannungstechnik GmbH & Co KG, 24534 Neumünster | Elektrolumineszenz- oder Laserdiode |
| IT1255027B (it) * | 1992-05-08 | 1995-10-13 | Luca Castellani | Cavo per alte temperature di esercizio |
| JPH0834852A (ja) * | 1994-07-21 | 1996-02-06 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | シリコーン変性ポリアミド溶液組成物 |
| DE19638667C2 (de) | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| BRPI9715293B1 (pt) * | 1996-06-26 | 2016-11-01 | Osram Ag | elemento de cobertura para um elemento de construção optoeletrônico |
| EP1379594B1 (en) * | 2001-03-15 | 2019-06-26 | Cabot Corporation | Corrosion-resistant coating composition |
| WO2005071741A2 (de) * | 2004-01-27 | 2005-08-04 | Infineon Technologies Ag | Haftvermittelnde organische beschichtungen in halbleitergehäusen |
| TWI298334B (en) * | 2005-07-05 | 2008-07-01 | Chang Chun Plastics Co Ltd | Polyamic acid resin composition modified with laminate nanometer silica sheet and polyimide prepared therefrom |
| TWI370833B (en) * | 2006-12-29 | 2012-08-21 | Ind Tech Res Inst | Composition with high transparency, high thermal-resistant, and low coefficient of thermal expansion, and flexible transparent film and optoelectronic device employing the same |
| US8952119B2 (en) | 2010-11-18 | 2015-02-10 | Aspen Aerogels, Inc. | Organically modified hybrid aerogels |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58157190A (ja) * | 1982-03-12 | 1983-09-19 | 日立化成工業株式会社 | フレキシブル印刷回路用基板の製造法 |
| JPS6485220A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-30 | Hitachi Chemical Co Ltd | Protective coating material composition for semiconductor device |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5218426A (en) * | 1975-08-04 | 1977-02-12 | Yamada Chuko Kk | Method of making flowing selffhardening mold |
| JPS5230319A (en) * | 1975-09-04 | 1977-03-08 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Compensation circuit of digital type gamma |
| JPS5565227A (en) * | 1978-11-09 | 1980-05-16 | Ube Ind Ltd | Production of polyimide solution |
| JPS6039137B2 (ja) * | 1980-08-26 | 1985-09-04 | 新日本製鐵株式会社 | 鋼帯の予熱装置 |
| US4433131A (en) * | 1981-07-30 | 1984-02-21 | General Electric Company | Coating solution of polyetherimide monomers |
| JPS58187430A (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-01 | Hitachi Chem Co Ltd | ポリイミド樹脂溶液の製造方法 |
| JPS5956452A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-31 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体素子保護用組成物 |
| JPS5956453A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-31 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体素子保護用組成物 |
| JPS5956454A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-31 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体素子保護用組成物 |
| US4864016A (en) * | 1982-12-20 | 1989-09-05 | Hughes Aircraft Company | Polyimide composition and method for protecting photoreactive cells |
| JPS60197731A (ja) * | 1984-03-21 | 1985-10-07 | Hitachi Chem Co Ltd | ポリイミド樹脂溶液の製造方法 |
| JPS6183228A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 溶剤可溶性ポリイミド |
| US4612361A (en) * | 1985-09-23 | 1986-09-16 | General Electric Company | Poly(etherimides) and compositions containing the same |
| US4853452A (en) * | 1988-02-09 | 1989-08-01 | Occidental Chemical Corporation | Novel soluble polyimidesiloxanes and methods for their preparation using a flourine containing anhydride |
| US4997869A (en) * | 1988-10-11 | 1991-03-05 | Ethyl Corporation | Production of electronic coatings by spin coating a partially fluorinated polyimide composition |
| JP2536620B2 (ja) * | 1989-05-31 | 1996-09-18 | 信越化学工業株式会社 | ポリイミド樹脂の製造方法 |
| JPH0635026A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-02-10 | Olympus Optical Co Ltd | 露出制御装置 |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP1201005A patent/JP2536628B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-08-01 KR KR1019900011823A patent/KR950011914B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-02 US US07/561,865 patent/US5143948A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-02 DE DE4024595A patent/DE4024595C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58157190A (ja) * | 1982-03-12 | 1983-09-19 | 日立化成工業株式会社 | フレキシブル印刷回路用基板の製造法 |
| JPS6485220A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-30 | Hitachi Chemical Co Ltd | Protective coating material composition for semiconductor device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04366194A (ja) * | 1991-06-12 | 1992-12-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料接着用プライマー組成物 |
| JPH06204362A (ja) * | 1993-01-05 | 1994-07-22 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2014501301A (ja) * | 2010-12-31 | 2014-01-20 | コーロン インダストリーズ インク | 透明ポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
| CN103756313A (zh) * | 2013-12-13 | 2014-04-30 | 洛阳轴研科技股份有限公司 | 一种提高醚酐型聚酰亚胺保持架管坯耐热性的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2536628B2 (ja) | 1996-09-18 |
| US5143948A (en) | 1992-09-01 |
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| DE4024595A1 (de) | 1991-02-07 |
| DE4024595C2 (de) | 1996-05-15 |
| KR910004712A (ko) | 1991-03-29 |
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