JPS58157190A - フレキシブル印刷回路用基板の製造法 - Google Patents

フレキシブル印刷回路用基板の製造法

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JPS58157190A
JPS58157190A JP3992182A JP3992182A JPS58157190A JP S58157190 A JPS58157190 A JP S58157190A JP 3992182 A JP3992182 A JP 3992182A JP 3992182 A JP3992182 A JP 3992182A JP S58157190 A JPS58157190 A JP S58157190A
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flexible printed
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康夫 宮寺
正俊 吉田
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    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
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  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はフレキシブル印刷回路用基板の製造法に関する
。特に耐熱性、可撓性、電気絶縁性、■燃性のすぐれた
フレキシプル印廟回路恭板の表遺汰に−する・ 塊在、ポリインドフィルムと９Ｉ１４箔とｔ−法膚銅ｔ
ｍいてａ９甘せてフレキシブル−刷回路用ｉ似１ｃｍ捩
壇しているか、ポリイミド２イルムａ十分＃ｒ熱性かめ
るが、巌層刑の耐熱性が恐い沈めに、２し中シプル４孜
り隔的注買か不満建て、νりえは牛田耐熱惟ａせいぜい
２８０℃機にでるる０ −ｔｃで、耐熱８０丁ぐｎた嵌盾酌か資殖されて２９本
発明に上述の入点Ｖｃ−みてなさｎたｔ　　　−υでわ
る＠ 禰ち、本Ｓ１１明Ｏ脅値Ｃ酊熱注■丁ぐｎ友快層ｍＫめ
る０不発明の蒙漕剤■化字榊造を−奴式同じでめって％
、！Ｊ４１っていてｔＬい。Ｒ＋、Ｒｓにテトラカルボ
ン酸残ゑ、ＲｍｒＸ造富のシアイン’！４４ｓ　　ｘ　
＋　ｙ　−１とするとＸ＃ゴ１〜［１２、ｙｈＯ〜ｕ８
であるＯｎは正数である０１次、芳香＆壜にｍ甘さｎて
いる水票は他Ｏ不箔性島で置洪さｎていて％よい。
不発＠に用いらｎる＃配ボリイゼドＯＭ慎浴ジ１ｉンと
テトクカルボン＃無水智とを必資に応じて地布りジアミ
ンを加えて刀口熱反地させることに＝９表電場ｎ　４　
。
一般式　Ｈｓ　ＮＫ二コニ−］（−門）：コニＴｈＸ−
（＝コニ）−】（７（：：：：］）−ＮＨ虐で六わ賂Ｃ
るジアンンリ＾体例として０４，４’−ジ（ｍ−アミノ
ンエノキシ）ジフェニルスルホン。
４．４′−ジ（Ｐ−７ミノ２８ツキＶ）ジフェニルスル
ホン、４．４’−ジ（ｍ−アξノフエノキシンジフユニ
ルエーテル、　　４．４’−ジ（Ｐ−７ミノンエノＩ？
７ンジフエニルエーテル、４．４′−ジ（ｍ−フイノ２
メツキシ）ジノエニルグロノくン、４゜４′−ジ（Ｐ−
アミノ７ｓノキシンジ２エニル７′ロバ７、　４．４’
−シ（ｍ−７ｔノフェニルスルホニル〕ジ２メニルエー
テル、４．４′−ジ（Ｐ−アミンフェニルスル小ニル）
ジンエニルエーテル、４．４′−シ（ｍ−７ｉノフエニ
ルテオエーテル）シフ島ニルスル２イド、４．４’−ジ
（Ｐ−アミノンエニルナオエーテル）シノエニルスルノ
イト、４．４′−シ（ｍ−アにノノメンインンジンエニ
ルケトン、４．４’−ジ（Ｐ−アミノンエノキシ）ジノ
エ；ルクト；ｙ、　４．４’−ジ（ｍ−アミノンメッキ
７）ン２Ｘニルメタ／、　　４．４’−ジ（Ｐ−アミノ
２エノキシ」ジ２算ニルメタ／、　　４．４’−ジ（）
１−ア＜７フエ／キシ）ジフェニルへキサフルオログロ
バ／勢かめる０ ナトクカルボン酸ジ無水管としてＶゴｓ、；、４．ａ’
−ベンゾフェノンテトラカルボン赦ジ無水脣、ヒロメリ
ト＃２無水１、ｓ、ｓ’、４．４’−ジ２エニルテトラ
カルボン歌ジ無水ｗ、　２．５，６．７−す２タリンテ
トラカルボ／改ジ黒水切、１，４，５．８−ナフタリン
テトフカルボン販ジ無水ｖ、　　４．４’−スルホニル
ジスタル誠無水豐、　　ｓ、ｓ’、４．４’−ジ２工二
ルエーテルテトラカルボン峡ジ無水智、シクロベ／タ／
テトラカルボン献ジ無水管、ブタンテトラカルボ／酸ジ
熊水管、エチレンビストリメリテートジ無水膏なとかめ
る０ １次併用できる違Ｎリジアミンとしてｒ！４．４’−ジ
アミノジフェニルエーテル、４．４’−ジアイノジ２エ
ニルメタン、　　４．４’−ジアゼノジフエニルスルホ
７％　５，５′−シアきノジフェニルスルホン、メタフ
ェニレンシアはン、ノ（ラフエニレンシアミン、　　４
．４’−ジアミノジンエニルフロ・（ン。
４．４′−ジアミノジフェニルスルフィド、　　Ｌ５−
シアミノナフタリン、２，６−ジアｉノナフタリン、２
，６−シアミツビリジン、１，４−ジ（Ｐ−アミノンエ
ノキシ）べ／ゼン、１．５−ジ（Ｐ−１ｉ）２エノキ７
）ベンゼンなどかめるＱ本発明のポリイミドｔＳ解する
温媒としてσクレノール、オルトクロルフェノール、Ｐ
−クロル２Ｘノール、Ｐ−ブロム２ネノール、２．４−
ジタロルフエノール、２，４．６−　）ジクロル２蒸ノ
ール、ニドμペンゼ／、２エノール、スルホフン、メチ
ルスルホラン、ジメチルスルホキシド、トリ２ルオロ酢
酸、キシレノ′ニル、　Ｎ　−メチル−２−ピロリドン
、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアセドア建ド、　Ｎ、Ｎ−ジメデ
ルホルムアイド、ヘキサメチル本スホルアミド勢を用い
ることかできる０ １丸、ボリイイド化す４−に生成する水を共ｓＫ工９除
去するためにトルエンやキシレン【用いて一層いＱ ＃配一般式で水さｎ４襞′ｙＩＩ創ａ尚温にすると米慣
し、嘴惚浴縄１Ｃ不浴とｌるｔのもめるか、−ざらに、
必＊＆Ｌ応じて朱輪剤會硝力口することもで＠る。乗―
創としてはイン／アイート化せ切、マレイイド化せ勧な
とかめる。
一層剤り一般式ＩＣｈいてＸζ１〜０．２の範囲でめる
か、α２ＬＤ％小さいと＃悪に対する濤解注が慝くｌる
ｏｎにＮ、Ｎ−ジメチルアセトア建ド甲で１１％のＩｌ
ｌにで５０℃で還元粘！［を麹足し７を場曾、遺元粘Ｆ
ＩＬか０１”わ１以上になる数【示す。こむ値以下友と
２レキシプルＭ板とし九と龜の可憐性が愚くなる・ 本発明には金属箔が必景であるが、一般に鋼箔やフル（
ニクム舶か用いらｎる・ 接層方法としてｒＸ厚発明む豪層剤をボリイ（ドフィル
五Ｋｌｌ布し７を俵、濤謙【加拳乾諌するＯ加熱乾燥の
秦件に１００〜５００℃で５０秒〜５０分でＴｏ４゜Ｃ
ｔＪ後、鳳布、乾燥ざｎたポリイミドフィルムと＠鳴音
１ね、加熱、加圧することに１りｉＩ層石ぜてフレ中シ
プル印−−路用ｆｉ板とする０ δらに、本発明０嵌層剤から一旦フイル五を作り、この
フィルム【ボリイばドフイルムと金Ｊ！Ｊ角の蘭Ｋｌユ
さみ、加熱、加圧することに１９法膚ざゼてフレキシブ
ル印ａｔ！！１ｍ用着権とすることも町舵である０ 以下に倣層剤のＩｌｌ法及び実施例について睨−する。
綾層銅υ展区 １を針、攪拌欅、リービッヒ冷却器、ｋ本ガス尋入ｔｔ
Ｗえｙｔｓｏｏ膳ｌ■四ロフラスコに。
４．４’−シ（ｍ−アミノ２エノキシ）ジンェニルスル
ホ／１　＆　２　ｇ、６．ｊ、４．４’−ベンツ２エノ
／テトラカルボン嫉二無＊智１２．０７６ｇ、フレノー
ル２００ｇ、）ルエン４０ｇ１人ｎ１７０℃、５時閲反
ふし８ぜて水ｔトルエンと共に共葬ｖＣ感９通い出し罠
。生成し尺ポリイばド解歇■不渾弛分は１２６５％でめ
った。
＊Ｍｔｌ’ｉｌ　Ｌ 厚避α０５細りポリイミドフィルム（デニボン社裂力１
トンフィルム）Ｋ土−にＬＤＷ遺したワニスｔｍ布し％
　２５０℃で６０号乾燥し７ｔｕｃｎと、（ＬＱ６５ｍ
（Ｑ厚ｇａ圧延鋼晶ｋｉｔｆ。
４０１Ｑ１／ｍｖ圧力で２８０−に、６０分プレスし九
〇作成し７ｔ７し中シプル基叡のヒール＊＊Ｕ１．６ｔ
ｑ／ｃｍでボリイイドｈ板が破断し九〇こＩＬｔ１６０
℃に４６時閾島劣化し＊５ｔｐｖビールｒ！　Ｌ　１　
ｉ４／ｃｍでめ５７ｔ　ｏ　Ｉ　Ｌ、６５０℃、１０分
処塩してもふくｎり宛ｇＥはなかつ九０４０℃、湿に９
０％に２４時間放置俊の表向抵抗は５×１０１１０であ
った〇 夾Ｊ１１１？Ｉ１２゜ 実施例１で用いたワニスｔガ２ス板上ＫＡｆｆｉし、２
５０℃、５０分乾燥して厚＠２５μυフィルＡｉ作成し
’Ｉｔｏ　７４ルムＯｂＪ浦性りある丈夫なものであっ
た。
このフィルム’ｔ−５５μのｗＩ４箔と５０μυカ１ト
ン２イルＡＱＪ閣にσ嘔み、２８０℃、ＳＯ０分間ブレ
スて像層した・ビール添置に１．６鵠／ｃｍ以上でめり
、耐熱性に３５０℃、１０分でもふ＜ｎの発生はなかっ
７ｔ。
実施カ五 ｍ置針、攪拌機、リービッヒ冷４Ｉ−お１び嘘累ガス尋
入管ｔ＃ｌ見７ｔｌｊ（ｌｕ＆！＆！ロアｊスコに４゜
４′−ジ（ｍ−アミノ２エノキシ）ジフェニルスルホン
４　ａ　６　ｇ、　　４．４’−シアｉノジ２エニルエ
ーテル７．５　ｇ、　ｓ、ｓ’、＜、＊’−ベンゾ２エ
ノンテト２カルボン酸ジ盪水１ｙ４ａｊｇ、）リフレゾ
ール７５０　ｇｍ　　）ルエン１５０　ｇｔ人ｎｓ　ｌ
［ガス【壇じ、円讐智１１１＃！Ｐ１．なから１５０℃
で５暗関ＢＬ応番ゼて均−准ｉＩ液を祷九。
褥らｒ′Ｌ７を浴歇ｔオグトンフィルムに慮布し、２５
０℃で６０分乾燥し、５５μ９廖名の銅麺ｔ１ね、５０
０℃でｓＯ０分ブレスて飯眉し几。
侍らｒｔたフレキシブルｊｋ板のビール５！［跋は１．
６■／ｃｍ以上であった・１友、５５０℃Ｏ苧田に１０
分閾＆漬してもふくｎが生じなかりた〇夷Ｊ１１ＩＮ４
゜ ―直針％債拌嶺、リービッヒ冷ｌ！１−１輩累導入盲ｔ
ｗ見７ｔ１４り四日２２スコに、４，４−ジ（ｍ−アミ
ノフェノ呼シ）ベンゾ２Ｘノン５９゜４　ＩＩｓ　ｈ、
６’、４．４’−シフ具二ルエーテルテト２カルボン敵
ジ熊水−４４３ｇ、）リフレゾール７５０ｇ、）ルエン
１５０ｇ勿人ｎて輩累ガスを通じながら、１５０℃、５
時開攪拌し、拘−な解畝を得度０ こむ靜畝ｔカ１トン２イルムに慮布し、２５０℃、５０
分を識し１次ＫＩＩＩ１４箔を皿ねて２８０℃、５０号
プレスして豪Ｍさゼた・２し中タプル１１１υピール′
＊ｆにｔ６ｋｇ／ｃｍ以上でめうた。このｊｌｉ［は５
５０℃の早出に５分間浸漬してもふくｎｏ発生になかつ
尺・ ＊ＪＩ科＆ 実１１ｉ？ｉ１４とＩｉｒｌｍな装置に４，４′−ジ（
ｍ−アイノンエノキシ）ベンゾ２鼻ノン２１７ｇ、１．
５−ジ（ｍ−アイノンエノキシ）ベンゼン２Ｌ９ｇ、　
４．４’−ヘキｔ２ルオ曹イソ１鑓ビリデンビス（２タ
ル鐙無水９ｇ　）　６　＆　６　ｇ　ｍ　　）リフレゾ
ール７５０ｇ、）ルエン１５Ｏｉｔ人ｎ％ｉ１嵩ガスを
通じながら１５０℃、５時間攪拌し、殉−な＊ａを僧た
・脅らｎ尺椿筐を力１トン２イルムＫＩｋ布し％２５０
℃％　５０分乾燥し２次−で鋼部ｔ］［ね、２８０℃で
５０号プレスして畿層畜４を次・２し中ンプルｉ碩むビ
ール強度にｔ６ｋｇ　／（ＪＩＪｊｄ上で６ｊ１．５５
０℃の牛田浴に５分間浸漬してｔふ〈ｎの発生になかつ
次。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、接層剤として下記一般式 （ここでＸはＯ、ＳＯ２、Ｓ、ＣＯ、ＣＨ２、Ｃ（ＣＨ
    ２）２、Ｃ（ＣＦ２）２から選ばれ、それぞれのＸは同
    じであっても異なってもよい。Ｒ１、Ｒ２はテトラカル
    ボン酸残基、Ｒ２はジアミン残基、ｘ＋ｙ＝１、ｘは１
    〜０．２、ｙは０〜０．８、ｎは正数である） で表わされるポリイミドに金属箔とポリイミドフィルム
    の接着に用いることを特徴とするフレキシブル印刷回路
    用基板の製造法。
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