JPH0367063U - - Google Patents
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- JPH0367063U JPH0367063U JP12818389U JP12818389U JPH0367063U JP H0367063 U JPH0367063 U JP H0367063U JP 12818389 U JP12818389 U JP 12818389U JP 12818389 U JP12818389 U JP 12818389U JP H0367063 U JPH0367063 U JP H0367063U
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- Japan
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- reaction
- tube
- gas phase
- phase reaction
- semiconductor substrate
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- Pending
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- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図はこの考案に係わる気相反応管の一実施
例の側面図、第２図は気相反応管の従来例の側面
図、第３図は従来の気相反応管を用いて成膜する
状態を示す概念図である。 １……気相反応管、１１……反応部、１２……
ガス導入側、１３……ガス排気側。
例の側面図、第２図は気相反応管の従来例の側面
図、第３図は従来の気相反応管を用いて成膜する
状態を示す概念図である。 １……気相反応管、１１……反応部、１２……
ガス導入側、１３……ガス排気側。
Claims (1)
- 管の反応部内部に配置された半導体基板を加熱
し管内に導入されて流れる原料ガスが化学反応を
起こして生じる反応生成物を前記半導体基板表面
に堆積させて膜を形成させる横型の気相反応管に
おいて、気相反応管の内径が少なくとも前記反応
部で原料ガスの導入側から排気側に向かつて連続
的に小さくなつていることを特徴とする気相反応
管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12818389U JPH0367063U (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12818389U JPH0367063U (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0367063U true JPH0367063U (ja) | 1991-06-28 |
Family
ID=31675902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12818389U Pending JPH0367063U (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0367063U (ja) |
-
1989
- 1989-11-01 JP JP12818389U patent/JPH0367063U/ja active Pending