JPH037131B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH037131B2 JPH037131B2 JP57180751A JP18075182A JPH037131B2 JP H037131 B2 JPH037131 B2 JP H037131B2 JP 57180751 A JP57180751 A JP 57180751A JP 18075182 A JP18075182 A JP 18075182A JP H037131 B2 JPH037131 B2 JP H037131B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- multilayer ceramic
- ceramic capacitor
- plating
- Prior art date
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は積層セラミツクコンデンサの端子電極
形成方法に関するもので、特に端子電極をメツキ
にて形成した温度補償用積層セラミツクコンデン
サに発生するＱ不良の改善に供するものである。
形成方法に関するもので、特に端子電極をメツキ
にて形成した温度補償用積層セラミツクコンデン
サに発生するＱ不良の改善に供するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、積層セラミツクコンデンサの端子電極に
は、第１図に示すようにAg−Pd電極１を用いた
もの、また第２図に示すように半田耐熱性を考慮
してAg電極２形成後、電解または無電解メツキ
にてNi層３、さらにその上に電解メツキによる
Sn−Pb層４を形成したものが一般的であつた。
第１図、第２図で５は積層セラミツクコンデンサ
素子、６は内部電極層である。
は、第１図に示すようにAg−Pd電極１を用いた
もの、また第２図に示すように半田耐熱性を考慮
してAg電極２形成後、電解または無電解メツキ
にてNi層３、さらにその上に電解メツキによる
Sn−Pb層４を形成したものが一般的であつた。
第１図、第２図で５は積層セラミツクコンデンサ
素子、６は内部電極層である。
ところが、Ag−Pd電極ではPdが20〜30％含有
されるためコスト高であり、さらにはユーザでの
苛酷な半田付け条件を考慮した場合、半田耐熱性
の面で問題があつた。一方、従来のAg電極層上
への電解メツキによる方法では半田耐熱性には優
れ、低コスト化は図れるもののＱ不良が発生して
いた。
されるためコスト高であり、さらにはユーザでの
苛酷な半田付け条件を考慮した場合、半田耐熱性
の面で問題があつた。一方、従来のAg電極層上
への電解メツキによる方法では半田耐熱性には優
れ、低コスト化は図れるもののＱ不良が発生して
いた。
発明の目的
本発明は上記欠点に鑑み、メツキ処理を前提と
して、Ｑ不良を改善する積層セラミツクコンデン
サの端子電極形成方法を提供しようとするもので
ある。
して、Ｑ不良を改善する積層セラミツクコンデン
サの端子電極形成方法を提供しようとするもので
ある。
発明の構成
この目的を達成するために本発明の積層セラミ
ツクコンデンサの端子電極形成方法は、積層セラ
ミツクコンデンサ素子の端部にAg電極を塗布す
る前に、ガラスペーストを塗布し、焼付けして端
子電極部にガラス質の層を設けたものである。こ
の上に従来と同じ方法にてAg電極塗布、焼付け、
電解または無電解メツキによるNi層形成、電解
メツキによるSn−Pb層の形成を行い、端子電極
を形成するものであり、メツキ処理によるＱ不良
を改善できるものである。
ツクコンデンサの端子電極形成方法は、積層セラ
ミツクコンデンサ素子の端部にAg電極を塗布す
る前に、ガラスペーストを塗布し、焼付けして端
子電極部にガラス質の層を設けたものである。こ
の上に従来と同じ方法にてAg電極塗布、焼付け、
電解または無電解メツキによるNi層形成、電解
メツキによるSn−Pb層の形成を行い、端子電極
を形成するものであり、メツキ処理によるＱ不良
を改善できるものである。
実施例の説明
以下、本発明の実施例を第３図、第４図を用い
て説明する。図において、７はPdまたはその他
の金属材料にて内部電極８を構成した酸化チタン
系誘電体材料からなる積層セラミツクコンデンサ
素子であり９はこの素子７の端部に塗布され、
600〜800℃で10〜20分間の焼付けによつて形成さ
れたガラス層である。１０はガラス層９上に塗布
後、700〜900℃で10〜20分間焼付けたAg電極層
である。ここで用いられるガラスはAg焼付け温
度以下で軟化する組成のものを使用することは言
うまでもない。このAg焼付け時にAg電極層１０
の下層のガラス層９は軟化し、素子７の内部電極
８とガラス層９及びAg電極層１０が反応し、内
部電極８とAgの合金が生成され、内部電極８と
端子電極とは導通状態となる。１１は電解または
無電解メツキにて生成されたNi層、５は電解メ
ツキによつて生成されたSn−Pb層である。
て説明する。図において、７はPdまたはその他
の金属材料にて内部電極８を構成した酸化チタン
系誘電体材料からなる積層セラミツクコンデンサ
素子であり９はこの素子７の端部に塗布され、
600〜800℃で10〜20分間の焼付けによつて形成さ
れたガラス層である。１０はガラス層９上に塗布
後、700〜900℃で10〜20分間焼付けたAg電極層
である。ここで用いられるガラスはAg焼付け温
度以下で軟化する組成のものを使用することは言
うまでもない。このAg焼付け時にAg電極層１０
の下層のガラス層９は軟化し、素子７の内部電極
８とガラス層９及びAg電極層１０が反応し、内
部電極８とAgの合金が生成され、内部電極８と
端子電極とは導通状態となる。１１は電解または
無電解メツキにて生成されたNi層、５は電解メ
ツキによつて生成されたSn−Pb層である。
この本発明方法で得られたものと、従来のメツ
キ方法で得られたものとのＱの測定結果は、従来
のもので３〜５／1000、本発明のもので０／1000
のＱ不良発生数であつた。また、半田付け性、半
田耐熱性も従来のメツキ品と同様良好であつた。
以上のように、積層セラミツクコンデンサの端子
電極部にガラスペーストを塗布、焼付けしたの
ち、そのガラス層上にAg電極を塗布、焼付けし、
そのAg電極層上にNi及びSn−Pbメツキ処理した
ものはＱ不良発生もなく、半田付け性、半田耐熱
性も極めて良好なものが得られる。
キ方法で得られたものとのＱの測定結果は、従来
のもので３〜５／1000、本発明のもので０／1000
のＱ不良発生数であつた。また、半田付け性、半
田耐熱性も従来のメツキ品と同様良好であつた。
以上のように、積層セラミツクコンデンサの端子
電極部にガラスペーストを塗布、焼付けしたの
ち、そのガラス層上にAg電極を塗布、焼付けし、
そのAg電極層上にNi及びSn−Pbメツキ処理した
ものはＱ不良発生もなく、半田付け性、半田耐熱
性も極めて良好なものが得られる。
発明の効果
従つて、本発明による方法を用いればメツキ処
理に起因するＱ不良を防止でき、半田付け性、半
田耐熱性の優れたメツキ処理品の製造が可能とな
り、産業上極めて有効な方法である。
理に起因するＱ不良を防止でき、半田付け性、半
田耐熱性の優れたメツキ処理品の製造が可能とな
り、産業上極めて有効な方法である。
第１図は従来の端子電極にAg−Pdを用いた積
層セラミツクコンデンサの断面図、第２図は従来
の端子電極にメツキ処理を行つた積層セラミツク
コンデンサ断面図、第３図は本発明方法による端
子電極部にガラス層を形成した積層セラミツクコ
ンデンサの断面図、第４図は本発明方法による端
子電極を形成した積層セラミツクコンデンサの断
面図である。 ７……積層セラミツクコンデンサ素子、９……
ガラス層、１０……Ag電極、１１……Ni層、１
２……Sn−Pb層。
層セラミツクコンデンサの断面図、第２図は従来
の端子電極にメツキ処理を行つた積層セラミツク
コンデンサ断面図、第３図は本発明方法による端
子電極部にガラス層を形成した積層セラミツクコ
ンデンサの断面図、第４図は本発明方法による端
子電極を形成した積層セラミツクコンデンサの断
面図である。 ７……積層セラミツクコンデンサ素子、９……
ガラス層、１０……Ag電極、１１……Ni層、１
２……Sn−Pb層。
Claims (1)
- １ 積層セラミツクコンデンサ素子の端子部にガ
ラスペーストを塗布、焼付けしたのち、そのガラ
ス層上にAg電極ペーストを塗布、焼付けし、そ
のAg電極層上に電解または無電解メツキにてNi
層を形成し、さらにその上に電解メツキにてSn
−Pb層を形成することを特徴とする積層セラミ
ツクコンデンサの端子電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57180751A JPS5969906A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57180751A JPS5969906A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5969906A JPS5969906A (ja) | 1984-04-20 |
| JPH037131B2 true JPH037131B2 (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=16088675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57180751A Granted JPS5969906A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5969906A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0385715A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の電極形成方法 |
| JP4661815B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2011-03-30 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子部品の製造方法 |
| KR101228752B1 (ko) * | 2011-11-04 | 2013-01-31 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법 |
-
1982
- 1982-10-14 JP JP57180751A patent/JPS5969906A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5969906A (ja) | 1984-04-20 |
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