JPH0376269A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0376269A JPH0376269A JP21357589A JP21357589A JPH0376269A JP H0376269 A JPH0376269 A JP H0376269A JP 21357589 A JP21357589 A JP 21357589A JP 21357589 A JP21357589 A JP 21357589A JP H0376269 A JPH0376269 A JP H0376269A
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- JP
- Japan
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- electrode
- photoresist
- semiconductor device
- insulating film
- electrodes
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
乙の発明は、電流容量の大きな電極を選択的に形成した
半導体装置に関するものである。
半導体装置に関するものである。
第２図（ａ）Ｐ（ｂ）は従来の半導体装置における電極
の形成工程を示す断面図である。この図において、１は
半導体基板、２はメツキ下地金属、３はホトレジスト、
４は電極開孔部、５は電極である。
の形成工程を示す断面図である。この図において、１は
半導体基板、２はメツキ下地金属、３はホトレジスト、
４は電極開孔部、５は電極である。
次に製造工程について説明する。
まず、第２図（ＩＩ）に示すように、半導体基板１を所
定の深さの凹凸状にエツチングした後、その上にメツキ
下地金属２を形成し、さらにその上にホトレジスト３を
塗布し、露光、現像により電極開孔部４を形成する、次
に電気メツキにより電極５を形成する。次に第２図（ｂ
）に示すように、ホトレジスト３を除去し、さらにホト
レジスト３の下のメツキ下地金属２をエツチング除去す
ることによって複数の電極５が形成される。
定の深さの凹凸状にエツチングした後、その上にメツキ
下地金属２を形成し、さらにその上にホトレジスト３を
塗布し、露光、現像により電極開孔部４を形成する、次
に電気メツキにより電極５を形成する。次に第２図（ｂ
）に示すように、ホトレジスト３を除去し、さらにホト
レジスト３の下のメツキ下地金属２をエツチング除去す
ることによって複数の電極５が形成される。
上記のような従来の電極構造では、微細パターンのため
、ホトレジスト３を厚くできず、電極厚を大きくするこ
とができない。したがって、電流容量不足となり、信頼
性の低下、および電極破壊を招くなどの問題点があった
。
、ホトレジスト３を厚くできず、電極厚を大きくするこ
とができない。したがって、電流容量不足となり、信頼
性の低下、および電極破壊を招くなどの問題点があった
。
この発明は、係る問題点を解決するためになされたもの
で、選択的に電極厚を大きくし、電流容量を増大した信
頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
で、選択的に電極厚を大きくし、電流容量を増大した信
頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、複数の電極のうち、大電
流容量の必要なｆ４極上に選択的に他の電極を形成した
ものである。
流容量の必要なｆ４極上に選択的に他の電極を形成した
ものである。
この発明においては、半導体装置の電極の厚みを選択的
に大きくしたので、その電極の電流容量が大きくなり、
電極破壊がなくなり、信頼性が高くなる。
に大きくしたので、その電極の電流容量が大きくなり、
電極破壊がなくなり、信頼性が高くなる。
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）はこの発明の半導体装置の一実施
例を示すもので、特にその電極の形成工稈を示す断〜面
図である。
例を示すもので、特にその電極の形成工稈を示す断〜面
図である。
第１図において、第２図と同一符号は同一部分を示し、
６は絶縁膜、７は第２本トレジスト、８は第２電極開孔
部、９は第２電極をそれぞれ示す。
６は絶縁膜、７は第２本トレジスト、８は第２電極開孔
部、９は第２電極をそれぞれ示す。
なお、ここでは、３を第１のホトレジスト、４を第１電
極開゛孔部、５を第１電極という。
極開゛孔部、５を第１電極という。
次に製造工程について説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、半導体基板１の上に
第２図（ａ）と同様にメツキ下地金属２を形成し、その
上に第１ホトレジスト３を塗布し、露光、現像により第
１電極開孔部４を形成した後、電気メツキにより第１１
１極５を形成する。次に第１図（ｂ）に示すように、第
１ホトレジスト３を除去し、さらに第１ホトレジスト３
の下のメツキ下地金＠２を除去し、全面に絶縁膜６を形
成する。
第２図（ａ）と同様にメツキ下地金属２を形成し、その
上に第１ホトレジスト３を塗布し、露光、現像により第
１電極開孔部４を形成した後、電気メツキにより第１１
１極５を形成する。次に第１図（ｂ）に示すように、第
１ホトレジスト３を除去し、さらに第１ホトレジスト３
の下のメツキ下地金＠２を除去し、全面に絶縁膜６を形
成する。
次に第１図（ｅ）に示すように、絶縁ｙ！４６上に第２
ホトレジストアを塗布し、露光、現像によりパターニン
グした後、第２ホトレジスト７をマスクとして絶縁膜６
をエツチングし、第２電極開孔部８を形成する。次に第
２電極材料９′を全面に蒸着した後、第２ホトレジスト
ア上の不要な第２ｗ１極材料９′を第２ホトレジストア
とともに除去し、第１図（ｄ）に示すように、第１電極
５上に選択的に第２電極９を形成する。
ホトレジストアを塗布し、露光、現像によりパターニン
グした後、第２ホトレジスト７をマスクとして絶縁膜６
をエツチングし、第２電極開孔部８を形成する。次に第
２電極材料９′を全面に蒸着した後、第２ホトレジスト
ア上の不要な第２ｗ１極材料９′を第２ホトレジストア
とともに除去し、第１図（ｄ）に示すように、第１電極
５上に選択的に第２電極９を形成する。
上記のようにこの実施例の半導体装置では、電極形成を
電気メツキ法と蒸着法の２回にわけて行ったので、電極
厚を従来の２倍Ｃζできる。また、大きな電流容量の必
要な電極のみに選択的に他の電′極を形成するので、微
細パターンで、かつｉ４流容量が大きい電極構造となり
、信頼性の高い半導体装置が得られる。
電気メツキ法と蒸着法の２回にわけて行ったので、電極
厚を従来の２倍Ｃζできる。また、大きな電流容量の必
要な電極のみに選択的に他の電′極を形成するので、微
細パターンで、かつｉ４流容量が大きい電極構造となり
、信頼性の高い半導体装置が得られる。
以上説明したように、この発明は、半導体装置に形成さ
れた複数の電極のうち、大きな電流容量の必要な電極の
電極厚を選択的に厚くしたので、電流容量が大きくとれ
、信頼性の高い高性能の半導体装置が得られる効果があ
る。
れた複数の電極のうち、大きな電流容量の必要な電極の
電極厚を選択的に厚くしたので、電流容量が大きくとれ
、信頼性の高い高性能の半導体装置が得られる効果があ
る。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置の製造方
法を説明するための工程断面図、第２図は従来の半導体
装置の製造方法を説明するための工程断面図である。 図において、１は半導体基板、２はメツキ下地金属、５
は第１電極、６は絶縁膜、９は第２電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
法を説明するための工程断面図、第２図は従来の半導体
装置の製造方法を説明するための工程断面図である。 図において、１は半導体基板、２はメツキ下地金属、５
は第１電極、６は絶縁膜、９は第２電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体基板上に微細パターンの電極が複数形成された半
導体装置において、前記電極のうち、大電流容量の必要
な電極上に選択的に第２電極を形成したことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21357589A JPH0376269A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21357589A JPH0376269A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376269A true JPH0376269A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16641475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21357589A Pending JPH0376269A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0376269A (ja) |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP21357589A patent/JPH0376269A/ja active Pending
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