JPH0380231A - 非線形光学材料 - Google Patents

非線形光学材料

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JPH0380231A
JPH0380231A JP21772889A JP21772889A JPH0380231A JP H0380231 A JPH0380231 A JP H0380231A JP 21772889 A JP21772889 A JP 21772889A JP 21772889 A JP21772889 A JP 21772889A JP H0380231 A JPH0380231 A JP H0380231A
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JP
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diketone
crystals
compound
phenyl
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JP21772889A
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Satoshi Nakamura
智 中村
Satoshi Imahashi
聰 今橋
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Toyobo Co Ltd
Original Assignee
Toyobo Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0380231A publication Critical patent/JPH0380231A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は光情報、光通信等に用いられる非線形光学材料
に関するものであり、更に詳しくは1゜3−ジケトン誘
導体からなる有機非線形光学材料に関する。例えば半導
体レーザー用波長変換素子、計測機器、光ファイバーに
よる情報伝送等に用いることができる。
(従来の技術) レーザー光は単色性、指向性、コヒーレント性を有する
ため物質に特異的な相互作用を及ぼす。
この相互作用は非線形光学効果として知られており、高
調波発生、カー効果、光混合、パラメ) IJブック幅
等の現象を起こす。特に二次及び三次非線形光学効果は
比較的大きな非線形感受率が期待できるため情報処理、
光通信等への応用が可能である。
従来、非線形光学材料としてKDP (KH2PO4)
= ADP (NH4R3PO4)L i NbO3等
の無機材料が使用され一部の測定機器に応用されてきた
。しかし純度の高い単結晶が得にくく、又高価であるこ
と、耐光損傷性に劣ること、潮解性であること、非線形
光学感受率が小さいこと等の理由から光関連への応用は
困難であった。
近年になって、無機材料に比べ有機材料が優れた非線形
光学効果を有することが見出されて以来、分子設計の点
で自由度の高い有機材料が注目を浴びている。特に、2
−メチル−4−ニトロ−アニリンに代表されるようなπ
電子が共役し、分子内に電子供与置換基及び電子吸引性
置換基を有したC −T (Charge−Trans
fer)型有機化合物が大きな分子超分極率を誘起する
ため大きな非線形感受率が期待できると考えられてきた
しかし、有機化’、倉吻の結晶構造は分子間の相互作用
即ち水素結合、ファンデルワールス相互作用等の分子間
力によって決定される。上記のような強い電子吸引性置
換基及び電子供与性置換基を有するC−T型分子の場合
、分子間の強い双極子−双極子相互作用が働き結晶を安
定させる構造、即ち二分子の双極子を打ち消し合う結晶
構造をとりやすい。このような結晶構造は分子集合体と
して中心対称性結晶であり、従って非線形光学的に不活
性である。
そこで、このような結晶構造の中心対称性を崩壊させる
手段として次のような手法が用いられている。即ち、ヒ
ドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基等の分子配向
を制御できる水素結合性の大きな置換基、立体的な障害
によって分子構造を大きく変化させつるバルキーな置換
基、アミノ酸又はアミノ酸誘導体等の光学活性な置換基
(D又は1体)等の他、包接化合物との錯体等、複合化
によって非中心対称性を誘起させる方法が実施されてい
る。
又二次非線形光学材料が非線形光学素子として適用でき
る必要十分な条件として以下の点が挙げられる。
■ 非線形光学感受率が極めて大きい ■ 光応答速度が早い ■ レーザー光の透過性に優れている ■ 耐光損傷性 ■ 位相整合性 ■ 結晶性(単結晶育成の可能性等) ■ 機械的強度 ■ 加工が容易である ■ 耐湿性など化学的に安定である [相] 難昇華性 (発明が解決しようとする課題) 超分極率が大きく、水素結合性置換基導入及び光学活性
な置換基導入によって達成された中心対称性のないNP
PのようなC−T型化合物及びπ電子共役の長い分子の
場合、大きな二次非線形感受率は期待できるが透明性に
欠ける等の欠点を有している。そのため使用波長範囲が
限られてしまうという欠点があった。
(課題を解決するための手段) 本発明は上記問題点を解決するために行われたものであ
り、大きな非線形光学感受率を有し、透明、性に優れた
有機化合物を提供するものである。
上記目的を達成するため、本発明は下記の構成を有する
。すなわち、本発明は下記一般式〔1〕で表わされる1
、3−ジケトン誘導体を含むことを特徴とする非線形光
学材料。
(式中 Raは異種でも同一でもよく、アミノ基、炭素
数1〜12を有する基で置換された置換アミ7基、環状
アミノ基、アルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アル
コキシ基、ハロゲン置換アルコキシ基、メルカプトアル
コキシ基から選ばれた有機性置換基であり、nはその数
を示し1〜5であり RhはR’と同じ有機性置換基で
あって、mはその数を示しO〜5である。
環A、Bは芳香族炭化水素基またはへテロ芳香族基を示
す。)である。
本発明の1,3−ジケトン誘導体は、ケト型とエノール
型の平衡状態にあり、エノール型に大きく片寄っている
。(式〔2〕) ケト型       エノール型 この分子内エノール性水酸基は結晶状態においてSHG
活性の十分条件である非中心対称性を誘起させつる機能
性有機置換基(配向制御基)としての特徴を有しており
、又分子内に電子供与性基及び電子吸引性基を有してい
るため光非線形性を増大せしめることができる。特に電
子供与性基を芳香環のオルト位又はバラ位に導入する事
によって電荷移動相互作用による共鳴効果が大きくなる
ので効果的である。
本発明においては、R″+ R”の有機性置換基以外に
、必要に応じて、本発明化合物の性能等の微調整として
その他の置換基を適宜導入してもよい。
本発明で言うその他の置換基として、電子供与性基とし
てアミノ、モノメチルアミノ、モノエチルアミノ、ジメ
チルアミノ、ジエチルアミノ、n−ブチルアミノ、t−
ブチルアミノ基等のアミ7基、ピペリジノ、ピロリジノ
、モルホリノ等のm状アミノ基、炭素数1〜12である
ノルマルアルキル基、t−ブチル基等のアルキル基、光
学活性炭素を含むアルキル基、炭素数1〜12であるノ
ルマルアルコキシ基、t−ブトキシ基、光学活性炭素を
含むアルコキシ基、炭素数1〜12であるメルカプトノ
ルマルアルコキシ基、t−チオブトキシ基等のアルコキ
シ基、光学活性炭素を含むメルカプトアルコキシ基の他
、ヒドロキシ基、メルカプト基及びハロゲンを用いるこ
とができ、電子吸引性基として、ニトロ基、シアノ基、
トリフルオロメチル基、イソシアネート基、スルフォニ
ル基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、アセチ
ルアミノ基及びハロゲン等を用いることができる。
本発明で言う芳香族炭化水素基及びヘテロ芳香環とはベ
ンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ビフェニル
環、ターフェニル環、チアゾール環、フラン環、チオフ
ェン環、ピロール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラ
ジン環、ピリダジン環、トリアジン環、テトラジン環等
を用いることができる。
本発明の有機非線形光学材料の合成方法として。
例えば(3)式及び(4式が考えられる。
以下余白 即ち、(3)式において(a)タライゼンーシュミット
脱水縮合反応によるカルコン化合物の合成過程(b)ブ
ロム化の過程(C)メトキシ化次いで脱メチル化の過程
によって合成することができる。(Φ式において(a)
ベンゾイルアセトンの合成過程(b)安息香酸エステル
とベンゾイルアセトン誘導体との反応過程によって合成
することができる。
(実施例) 以下、実施例に従って本発明を更に詳しく説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
第二次高調波発生(SHG)の測定は粉末法(S、に、
Kurz、T、T、PerrY+ 、LL3798 (
1988))に従って行った。測定に用いた光源はNd
 ; YAGレーザーであり、基本波長10B4nw+
のレーザー光を粉末試料へ照射し、発生する二倍波(5
32nm)を分光器で検出した。
第二次高調波発生装置の概略図を第2図に示す。
使用した粉末試料はトルエン(a)、酢酸エチル(b)
、アセトン(C)、エタノール(d)、ヘキサン(e)
、メタノール(f)で再結晶して精製したものを用いた
300 +wR−ロナスフラスコにEtOH20011
1Qを加え、4−メトキシアセトフェノン6.46g(
43,081mM)を加えて完全に溶解させた。
NaOH水溶液(1,72g/H20; 40m1りを
加えた後、室温下p−ブロモベンズアルデヒド7.97
g (43,081mM)/EtOH溶液を少しずつ滴
下した。析出した沈殿物を減圧下分取し、蒸溜水50I
IIQで三回よく洗浄した後減圧加熱乾燥した。得られ
たカルコン化合物はシリカゲルカラムクロマトで精製し
た。
収量は13.2g (97%)であった。この生成物は
エタノールで再結晶した。生成物の確認は核磁気共鳴ス
ペクトル、赤外吸収スペクトルを用いて行った。
過」し工上」一 過程(A)で得られたカルコン化合物10g(31,5
457mM)を二硫化炭素中に懸濁しておき、冷却下(
0℃)臭素溶液1.7ccを少しずつ滴下した。0℃で
3時間、室温に戻して25℃で1時間反応させた後、減
圧下分取しMe OHで洗浄した。得られた粗白色結晶
14.0g(収率93%)をトルエン展開溶媒でカラム
クロマト精製した後、溶媒で再結晶精製を行った。
化合物の確認は核磁気共鳴スペクトル及び赤外吸収スペ
クトルを用いて行った。
走乱工LL 過程(B)で得られたジブロム体to、og(20,9
843mM)をEtONa/EtOH溶液(Na/Et
OH)へ加え、2時間加熱環流した後室温に戻し濃塩酸
3.5w、Qを加え30分加熱環流を行った。室温に戻
した後析出した粗結晶を減圧下分取した。この1,3−
ジケトン誘導体の粗結晶8.5g(収率93%)を活性
アルミナ/シリカゲルでカラムクロマト精製した後、各
種溶媒によって再結晶精製した。化合物の確認は核磁気
共鳴スペクトル、赤外吸収スペクトルで行うた。
得られた1、3−ジケトン誘導体(Nal)を上記方法
によりSHG強度の測定を行ったところ、尿素に対して
35.0(アセトン)、23.0(EtOH)、19.
5 (トルエン)、2.4−(酢酸エチル)、23.2
 (n−へキサン)のSHG発生を確認することができ
た。
4−メルカプトメチルアセトフェノン CB0.241mM)を5 0 0 wiQ−ロナスフ
ラスコに入れ、EtOH300mQを加えて完全に溶解
させた。室温下、NaOH水溶液(NaOH2、4g/
H2050mR)を加え、さらにp−メトキシベンズア
ルデヒド8.2g (60.241mM)を少しづつ滴下した。析出した沈
殿物16.6g(収率;97%)を減圧下分取し、蒸留
水50 raQで4回洗浄した後、ヘキサンで再結晶精
製した。 化合物の確認は核磁気共鳴スペクトル、赤外
吸収スペクトルで行った。
AIL工」」一 過程(A)で得られたカルコン化合物15.0g (5
2,817mM)を二硫化炭素100 Jに溶解し、窒
素気流下、3℃で臭素5 mQを少しづつ滴下した。3
°C〜5℃で2時間反応させた後、室温(26℃)に戻
して1時間反応させた。蒸溜水100 waQ及びH2
CQ、270111!を加え、CH2CQ250Jで3
回抽出した。
CH2CL2抽出溶液は無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。
CH2(1!2及び無水硫酸マグネシウムを除去した後
、白色結晶22.4g(収率96%)を得た。得られた
化合物は十分に乾燥した後、次の反応に用いた。化合物
の確認は核磁気共鳴スペクトル、赤外吸収スペクトルで
行った。
走糺±(L 過程(B)で得られたジブロム体20g(45,045
mM)を窒素気流下、事前に用意したNaOCH3/C
H30H(Na ;2、072 g/ CH30H30
0+all)溶液へ加えた後、2時間加熱環流を行った
。室温に戻した後、濃塩酸7Wflを加え、さらに1時
間加熱環流を行った。反応溶液を5℃に冷却し、析出し
た結晶を減圧下分取した。得られた粗結晶(白色)はト
ルエンを展開溶媒としてカラムクロマト精製した(12
.9g(収率96%))後、各種溶媒で再結晶精製を行
った。
実施例1と同様の方法によりM2の化合物のSHG強度
の測定を行ったところ、28.3(Toluene)、
32.6 (酢酸エチル)、11.1 (EtOH) 
、17.8 (アセトン)、5.3(ヘキサン)のSH
G活性を確認することができた。
実」L鮭」− 過」し工1−1− 3−クロロ−4−メトキシアセ号フェノン10g (5
4,2152mM)を500 wxQ−ロナスフラスコ
に加え、EtOH400m(!で溶解させた。
蒸溜水40 mQに溶解させたNaOH水溶液(NaO
H;2.18g/H20;30+mlりを加えた後、4
−メトキシベンズアルデヒド7.38g (54,21
52mM)E tOH溶液を滴下した。室温で3時間反
応させた後、析出したクリーム色結晶を減圧下分取した
後、CH20g2を展開溶媒としてカラムクロマト精製
を行い、13.8g(収率89%)のクリーム色結晶を
得た。さらにヘキサンで再結晶精製し、減圧下側熱乾燥
した後そのまま次の反応に用いた。
化合物の確認は核磁気共鳴スペクトル、赤外吸収スペク
トルで行った。
過」LL」」一 過程(A)で得られたカルコン化合物12.0g (3
9,6759mM)を窒素気流下二硫化炭素150 、
Q中へ加え、3〜5℃に冷却した後、臭素4.5−を滴
下した。3〜5℃で2.5時間、室温(約26℃)で1
時間撹拌した後、結晶を減圧下分取し、冷M e OH
で洗浄した後MeOHで再結晶精製し白色結晶18.7
g (91%)を得た。
化合物の確認は核磁気共鳴スペクトル、赤外吸収スペク
トルで行った。
過」し1℃」一 過程(B)で得られたジブロム体15.4g(33,3
008mM)を事前に用意したN a OCH3/ C
H2OH溶液(Na ; 1.53g / 400 m
Q CH30H)へ加え2時間加熱環流を行った。2時
間後室温に戻して濃塩酸6mQを加えた後さらに1時間
加熱環流を行い、蒸溜水70、Q及びCH2C見280
m+(!を加え20分間攪拌後、CH2Cl22501
1(!を用いて4回抽出した。
CH2CQ2抽出溶液は無水硫酸マグネシウムで乾燥後
溶媒を除去し、粗結晶11.3gを得た。
これをトルエン展開溶媒としてカラムクロマト精製を行
い、白色結晶9.7g (92%)を得た。
これを各種溶媒で再結晶精製を行った。
得られた再結晶精製物Na3は実施例1と同様の方法で
SHG強度の測定を行ったところ、2.6(To 1u
ene)、5.7 (酢酸エチル)、1.9 (EtO
H)7.1 (ヘキサン)のSHG活性を確認すること
ができた。
3−ブロモ−4−メトキシアセトフェノン10g (4
3,8881mM)を300 vsQ−ロナスフラスコ
に入れ、EtOH300−を加えて完全に溶解させた。
NaOH水溶液(NaOH; t、75g/HaO;3
0mN)を加えたあと、2,4−ジクロロベンズアルデ
ヒド7.2g (43,8881mM)のEtOH溶液
を滴下した。。3時間、室温下撹拌した後析出した結晶
を減圧下分取した。さらにトルエンを展開溶媒としてカ
ラムクロマト精製を行ない、15.7g(収率94%)
のクリーム色結晶を得た。これを減圧加熱乾燥し、その
まま次の反応に用いた。
化合物の確認は核磁気共鳴スペクトル、赤外吸収スペク
トルで行った。
過」し工」」一 過程(A)で得たカルコン化合物14.0g(38,4
583mM)を300−三ロフラスコへ入れ、二硫化炭
素を加えて懸濁液とした。窒素雰囲気下、3〜5℃に冷
却した後、臭素5 yaQを少しづつ滴下した。3〜5
℃で2時間、室温下で1時間反応させた後結晶を減圧下
分取した。結晶はへキサンで洗浄した後、M e OH
で再結晶精製し18.11g(収率91%)の白色板状
結晶を得た。
過」Lエエ」一 過程(B)で得たジブロム体18.0g(33,088
2mM)を事前に、用意したNaOMe/MeOH溶液
(Nano、76g/EtOH400weff)へ加え
3時間加熱環流を行った。次いで室温に戻した後、濃塩
酸8−を加えさらに1時間加熱環流を行った。反応の終
点を薄層クロマトグラフィーで確認した後、蒸溜水80
w+R及びCH2CN210011(!を加え1時間攪
拌した。
CH2CN27011(!で3回抽出した後、無水硫酸
マグネシウムで乾燥した。乾燥剤及び溶媒を除去し、1
4.8gの粗結晶を得た。これをTolueneを溶媒
としてカラムクロマト精製を行い、12.4g(収率9
4%)のクリーム色結晶を得た。これを各種有機溶媒で
再結晶精製を行いSHG強度測定の試料とした。
化合物胤4の確認は核磁気共鳴スペクトル、赤外吸収ス
ペクトルで行った。
得られた各種結晶のSHG強度測定を行ったところ、3
7.8 (Toluene)21.1 (酢酸エチル)
 、19.5 (EtOH)、18.0(MeOH)、
24.4(Acetone)のSHG活性を確認するこ
とができた。
実」L坦j:=1」一 実施例1〜4と同様に下記の合成を行ない、実施例1〜
4と同様にSHGを測定した。結果を表1〜4に示す。
1−(4−メトキシフェニル)−3−(4−クロロフェ
ニル)−1,3−ジケトン(Nl15、実施例5)、1
−(4−メトキシフェニル)−3−(3−ブロモ−4−
メルカプトメチルフェニル)−1,3−ジケトン(Na
p、実施例6)、1−(4−メトキシフェニル)−3−
(3−クロロ−4−メルカプトフェニル)−1,3−ジ
ケトン(陽7.実施例7)、1−(4−メトキシフェニ
ル)−3−(3−ブロモ−4−メトキシフェニル)−1
,3ジケトン(N18.実施例8)、1−(4−メトキ
シフェニル)−3−(3−フルオロ−4−メトキシフェ
ニル)−1,3ジケトン(N[19゜実施例9)、1−
(4−メルカブトメチルフェニル)−3−(4−(N、
Nジメチルアミノ)フェニル)−1,3ジケトン(Nl
110.実施例10)、1−(3−クロロ−4−メトキ
シフェニル)−3−(3,4−ジメトキシフェニル)−
1,3ジケトン(N[Lil、実施例11)。
光学活性な(S)−(−)−2−メチル−1−ブタノー
ルから誘導した4−((S)−(−)−2−メチル−1
−ブトキシ)アセトフェノン10.0g (48,54
38mM)をEtOH300ymQに溶解させ、NaO
H水溶液(NaOH;1 、94 g / H2040
va9 )を加えた。次いで室温下、4−クロロベンズ
アルデヒドE3.82g(4B、5435mM)を滴下
した。室温下4時間攪拌した後、析出した結晶を減圧下
分取し蒸留水で十分に洗浄し、クリーム色結晶14.8
g(93%)を得た。
十分に減圧加熱乾燥した後、つぎの反応に使用した。
化合物の確認は核磁気共鳴スペクトル、赤外吸収スペク
トルで行った。
過」し±Jll 過程(a)で得られたカルコン化合物14.0g (4
2,8244mM)を二硫化炭素300IIQに懸濁さ
せ、窒素気流下3〜5℃に冷却した後臭素7 mQを少
しづつ滴下した。3〜5℃で3時間、室温(25℃)で
1時間撹拌した後、減圧下結晶を分取しヘキサンで十分
に洗浄した。得られた結晶はへキチンで再結晶精製し、
白色綿状結晶19.8g(収率94%)を得た。
得られた結晶は十分に減圧加熱乾燥を行い次の反応に用
いた二 走也工止り 過程(b)で得られたジブロム体19.0g(38,8
985mM)を事前に用意したNaOMe/MeOH(
Na : 0.9g/M e OH400va(1)溶
液へ加え、3時間加熱環流を行った。室温に戻した後濃
塩酸121Qを加え1時間加熱環流を行った。蒸溜水8
0 wxQ及びCH2(1!2100−を加えて30分
間撹拌した後、CH2CQ2501112で4回抽出し
た。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、乾燥剤及び溶媒を
除去し黄色粗結晶を得た。これをTolueneを展開
溶媒としてカラムクロマト精製し、白色結晶13.0g
(収率97%)を得た。これを各種有機溶媒で再結晶N
製し、SHG強度測定のサンプルとした。
化合物?!112の確認は核磁気共鳴スペクトル、赤外
吸収スペクトルで行った。
各種溶媒で調製したサンプルのSHG強度測定を行った
ところ、30.1 (Toluene)、40.3(酢
酸エチル) 、9.1 (EtOH)、8.8 (Me
OH) 、20.8 (Acetone)、30.0(ヘキサン)のSHG活
性を確認することができた。
なお本実施例で用いた光学活性な4−((S)−(−)
 −2−メチル−1−ブトキシ)アセトフェノン等の化
合物は、下記の〔5〕式または〔6〕式の合成方法によ
り得ることが出来る。
以下余白 実」1残ユニ1 L−インロイシンから誘導した4−((2s。
3s)−2−クロロ−3−メチル−1−ブトキシ)アセ
トフェノンLog (39,3004mM)を300+
QEtOHに完全溶解させ、NaOH水溶液(NaOH
;1.57g/HzO;30mQ)を添加した。次いで
p−メトキシベンズアルデヒド5.35g (39,3
382mM)のEtOH溶液を滴下した。室温下3時間
反応した後、析出した結晶を減圧下分取し、蒸溜水で十
分に洗浄した。
減圧下用熱乾燥後、Tolueneを展開溶媒としてカ
ラムクロマト精製を行い13.2g(収率94%)のク
リーム色結晶を得た。
結晶はEtOHで再結晶し精製し、十分に乾燥した後、
次の反応にそのまま使用した。
過」し工IL 過程(a)で得たカルコン誘導体13.0g(38,5
733mM)を二硫化炭素溶液200.9へ加え、懸濁
溶液とした。窒素気流下、3〜5℃に冷却し臭素7−を
少しづつ滴下した。3〜5℃で2時間、室温(26℃)
に戻して1時間撹拌した後蒸溜水100mR/ CH2
CQ2100wrQの混合溶液へ注ぎ込み、1時間攪拌
した。
CH2CQ250−で3回抽出し無水硫酸マグネシウム
で乾燥した後、乾燥剤及び溶媒を除去し粗結晶を得た。
この結晶をTolueneを溶媒としてカラムクロマト
精製し、EtOHで再結晶精製し白色結晶18.8g(
97%)のジブロム体を得た。化合物の確認は核磁気共
鳴スペクトル、赤外吸収スペクトルで行った。
走糺工りと 過程(b)で得られたジブロム体18.0g(33,8
059mM)を事前に用意したNaOCH3/CH30
H(Na ; 1.56g/CH30H; 300+v
<’)へ加え3時間加熱環流を行った。室温に戻して濃
塩酸8mQを加え、1時間加熱環流した。室温に戻して
蒸溜水501g及びC(!280111!を加えて30
分間攪拌した後CH2CQ250−で3回抽出し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤及び溶媒を除去し
、黄色粗結晶を得た。これをTolueneを展開溶媒
としてカラムクロマト精製し12.5g(収率95%)
の白色結晶m13を得た。
得られた結晶は各種有機溶媒で再結晶精製し、SHG強
度測定のサンプルとした。
前記に従って各再結晶精製物のSHG強度測定を行った
ところ、37.7 (To 1uene)、28.2(
酢酸エチル)、29.0 (Acetone)であった。
〜 実施例12〜13と同様に下記の合成を行ない実施例1
2〜13と同様にSHGを測定した。結果を表1〜4に
示す。
1− C4−((−) −2−メチルブトキシ)フェニ
ル)−3−(4−ブロモフェニル)−1,3−ジケトン
(N1114.実施例14)、1−[:4−((−)−
2−メチルブトキシ)フェニル〕−3−(3−ブロモ−
4−メトキシフェニル)−1゜3−ジケトン(N111
5.実施例15)、1−〔4−((−)−2−メチルブ
トキシ)フェニルツー3−フェニル−1,3−ジケトン
(NIllB、実施例16)、1− (4−((−)−
2−メチルブトキシ)フェニル)−3−(3−フルオロ
−4−エトキシフェニル−1,3−ジケトン(N117
.実施例17)、1−〔3−クロロ−4−((−)−2
−メチルブトキシ)フェニル)−3−(2,8−ジクロ
ロフェニル)−1,3−ジケトン(N118、実施例1
8)、1−〔3−ブロモ−4−((−) −2−メチル
メルカプトブトキシ)フェニル)−3−(3,5−ジメ
トキシフェニル)−1,3−ジケトン(Na19.実施
例19)、1−〔3−フルオロ−4−((−)−2−メ
チルブトキシ)フェニル] −3−(3−クロロ−4−
メルカプトメトキシフェニル−1,3−ジケトン(NI
L20、実施例20)、1−〔2−クロロ−4−((−
)−2−メチルメルカプトブトキン)フェニル)−3−
(2,6−ジメトキシフェニル)−1,3−ジケトン(
Na21.実施例21)、1−1−((−)−2−メチ
ルブトキシ)フェニル〕−3−(3−クロロ−4−エト
キシフェニル)=1.3−ジケトン(Nn22.実施例
22)、1−(2−((−)−2−メチルブトキシ)フ
ェニル〕−3−(3,5−ジメトキシフェニル)−1,
3−ジケトン(Na23.実施例23)、1−(:4−
((2s、3s)−2−クロロ−3−メチル−1−ペン
チルオキシ)フェニル)−3−(3−10ロー4−メト
キシフェニル)−1,3−ジケトン(取24.実施例2
4) 、1− [4−((2s。
3s) −2−ブロモ−3−メチル−1−ペンチルオキ
シ)フェニル)−3−(4−メルカプトメトキシフェニ
ル)−1,3−ジケトン(Na25.実施例25)、1
−[:4− ((2s)−2−クロロ−3−メチル−1
−ブトキシ)フェニル〕−3−(2,4−ジクロロフェ
ニル)−1,3−ジケトン(Na2B、実施例2B) 
、1− (3−((2s)−2−フルオロ−3−メチル
−ブトキシ)フェニル] −3−(4−(N、N−ジメ
チルアミノ)フェニル)−1,3−ジケトン(Na27
.実施例27)、1− (3((2s)−2−クロロ−
3−メルカプトメトキシ−1−プロピルオキシ)フェニ
ル)−3−(3−ブロモ−4−メトキシフェニル)−1
,3−ジケトン(m28.実施例28)、1− (4−
< (2s) −2−ブロモ−3−メルカプトメトキシ
−1−プロピルオキシ)フェニル〕−3−(3−フルオ
ロ−4−エトキシフェニル)−1,3−ジケトン(取2
9.実施例29)、1−(((2s)−2−クロロ−5
−メトキシ−1−ペンチルオキシ)フェニル]−3−(
3,4−ジメトキシフェニル)−1,3−ジケトン(N
a30゜実施例30)、1−C((2s)−2−ブロモ
−5−メトキシ−1−ペンチルオキシ)フェニル〕−3
−(3−フルオロ−4−エトキシフェニル)−1,3−
ジケトン(Nn31.実施例31)、l−C(3−(2
s)−2−クロロ−4−メルカプトメチル−1−ブトキ
シ)フェニル)−3−(2゜6−ジクロロフェニル)−
1,3−ジケトン(Na32、実施例32)、1− (
((2s)−2−ブロモ−4−メルカプトメチル−l−
ブトキシ)フェニル)−3−(2,4−ジメトキシフェ
ニル)−1,3−ジケトン[33,実施例33)以下余
白 表1 表2 表3 表4 (発明の効果) 本発明の化合物はケト型とエノール型の平衡関係にある
が、構造上安定なエノール型の含有率が大きく、それゆ
え大きくひろがったπ電子共役型構造になっている。従
って適当な双極子モーメントを有するit置換基付与す
ることで分子内共鳴を誘起させることができるため、大
きな非線形感受率が期待できる。
また分子内エノール性水酸基を有しているため、これが
分子配向制御基として働きバルク構造を変化させうる。
即ちSHG活性に必要な非中心対称性構造を誘起させう
る有効な機能性置換基である。
またMNA等のC−T型分子に比べて、本発明の化合物
は長波長領域に吸収を有していないため二倍波の吸収に
よる化合物の劣化が小さい。
本発明の化合物は高融点を有し、昇華性も低く、吸水性
も低いため保存安定性に優れており、且つ極めて大きな
非線形感受率を有し、レーザー耐性にも優れた有機非線
形光学材料を提供することができる。従って、半導体レ
ーザー用波長変換素子を始めとする光情報、光通信に有
効である。
【図面の簡単な説明】
第1図;化゛合物Nf15のUVスペクトル第2図は本
発明の実施例において使用した第二高置波発生装置を示
す概略図である。 1;QスイッチNd : YAGレーザ−2: 108
4 nm用レーザーミラー3 シャッター  4;試料
(粉末状)5 集光レンズ  6;赤外カットフィルタ
ー7 ポリクロメーター 8 マルチチャンネルフォトダイオード9°MCPD駆
動回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)下記一般式〔1〕で表わされる1,3−ジケトン
    誘導体を含むことを特徴とする非線形光学材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔1〕 (式中、R^2は異種でも同一でもよく、アミノ基、炭
    素数1〜12を有する基で置換された置換アミノ基、環
    状アミノ基、アルキル基、ハロゲン置換アルキル基、ア
    ルコキシ基、ハロゲン置換アルコキシ基、メルカプトア
    ルコキシ基から選ばれた有機性置換基であり、nはその
    数を示し1〜5であり、R^bはR^aと同じ有機性置
    換基であって、mはその数を示し0〜5である。 環A、Bは芳香族炭化水素基またはヘテロ芳香族基を示
    す。)
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